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一种有机电致发光材料组合物及其应用的制作方法

2022-11-12 00:52:24 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种组合物,其特征在于,由下述式(i)所示的化合物和下述式(ii)所示的化合物构成,其中,l选自单键、取代或未取代的c6~c30的亚芳基、取代或未取代的c3~c30亚杂芳基中的一种;a选自单键、取代或未取代的c6~c30的亚芳基,取代或未取代的c3~c30的亚杂芳基中的一种;x1~x7各自独立地选自cr1或n,r1各自独立地选自氢、取代或未取代的c1~c20链状烷基、取代或未取代的c3~c20环烷基、取代或未取代的c1~c20硅烷基、取代或未取代的c6~c30芳基氨基、取代或未取代的c3~c30杂芳基氨基、取代或未取代的c6~c30芳基、取代或未取代的c3~c30杂芳基中的一种,r1任选与其所在的芳环或杂芳环稠合;ar1为取代或未取代的c3~c30杂芳基;优选的,ar1为取代或未取代的c3~c30的缺电子杂芳基;ar2、ar3各自独立地选自取代或未取代的c6~c30的芳基、取代或未取代的c5~c30的杂芳基中的一种;ar4、ar5各自独立地选自取代或未取代的c6~c30的芳基、取代或未取代的c5~c30杂芳基,取代或未取代的c6~c30芳基氨基、取代或未取代的c3~c30杂芳基氨基中的一种;当上述基团存在取代基时,所述取代基选自卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、取代或未取代的c1~c20链状烷基、取代或未取代的c3~c20环烷基、取代或未取代的c1~c20烷氧基、取代或未取代的c1~c20硅烷基、取代或未取代的c6~c60芳基氨基、取代或未取代的c3~c60杂芳基氨基、取代或未取代的c6~c60芳基、取代或未取代的c3~c60杂芳基中的一种或至少两种的组合。2.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述x1~x7各自独立地选自cr1,r1各自独立地选自氢、取代或未取代的c1~c20链状烷基、取代或未取代的c3~c20环烷基、取代或未取代的c1~c20硅烷基、取代或未取代的c6~c30芳基氨基、取代或未取代的c6~c30芳基中的一种;优选的,所述r1各自独立地选自氢。3.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述a为取代或未取代的c6~c30的亚芳基,或者取代或未取代的c3~c30的亚杂芳基;优选的,所述a为亚苯基,亚萘基,亚联苯基,亚二苯并呋喃基,或亚二苯并噻吩基。4.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,
所述ar1为取代或未取代的c3~c30的至少含有两个n的缺电子杂芳基;优选的,所述ar1选自取代或未取代的下述基团中的一种:嘧啶基,三嗪基,喹唑啉基,喹喔啉基。5.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述ar1选自取代或未取代的下述基团:6.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述ar4和ar5各自独立地选自取代或未取代的c6~c30的芳基或取代或未取代的c3~c30杂芳基中的一种;优选的,ar4和ar5各自独立地选自:苯基、联苯基、联三苯基、萘基、三亚苯基、芘基、菲基、荧蒽基、芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基和它们的组合。7.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述式(i)所示的化合物选自以下化合物:
8.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述式(ii)所示的化合物选自以下化合物:
9.权利要求1~8中任一项所述的组合物在有机电子器件中作为功能材料的应用,所述有机电子器件包括有机电致发光器件、光学传感器、太阳能电池、照明元件、有机薄膜晶体管、有机场效应晶体管、有机薄膜太阳能电池、信息标签、电子人工皮肤片材、片材型扫描器或电子纸;优选所述组合物在有机电致发光器件中用作发光层主体材料的应用。10.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括第一电极、第二电极和插入在所述第一电极和第二电极之间的一层或多个发光功能层,所述发光功能层中含有权利要求1~8所述的组合物。11.根据权利要求10所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光功能层含有的权利要求1~8所述的组合物中,式(i)所示的化合物与式(ii)所示的化合物的重量比为1∶99~99∶1;优选地,式(i)所示的化合物与式(ii)所示的化合物的重量比为30∶70~70∶30。

技术总结
本发明涉及一种组合物及其应用,所述组合物由式(I)所示的化合物和式(II)所示的化合物构成。其中,式(I)为含芳胺基团的咔唑衍生物,其作为第一主体使用时,具备良好的电荷注入能力,并可通过结构调整对发光层的激子复合界面进行有效调整;式(II)为含有吲哚并咔唑基团的衍生物,其具备良好的空穴传输能力,作为第二主体使用时,能有效提升空穴的注入能力,从而降低电压;二者组合使用时,通过协同作用,可实现电荷的有效注入,并可实现能量向染料的有效传递,从而有效提高器件电流效率。从而有效提高器件电流效率。从而有效提高器件电流效率。


技术研发人员:高文正 李之洋
受保护的技术使用者:北京鼎材科技有限公司
技术研发日:2021.05.10
技术公布日:2022/11/10
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