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双腔原子层沉积进气结构的制作方法

2022-11-11 20:08:38 来源:中国专利 TAG:


1.本实用新型涉及真空薄膜制备技术领域,尤其是一种双腔原子层沉积进气结构。


背景技术:

2.原子层沉积为目前先进的薄膜沉积技术。当前原子层沉积多为单一平面如硅晶圆的表面沉积。腔室较小,前驱体扩散难度较小。
3.如果沉积大批量样品时只单纯扩大其结构,扩散距离的增长,容易使腔体内的前驱体处气体分布不均,进而造成产品各生长面薄膜厚度出现不均一性;同时,单腔室热盘加热结构不易扩大,在空间上加热不均匀;热盘或单腔结构不易维护,内加热会造成气流死角过多,在沉积过程中产生大量颗粒。


技术实现要素:

4.本技术人针对上述现有生产技术中的缺点,提供一种结构合理的双腔原子层沉积进气结构,具有内外两个腔室,两个腔室分别提供加热和抽气功能,并增设了立体式的匀气结构,从而提高气体的扩散性。
5.本实用新型所采用的技术方案如下:
6.一种双腔原子层沉积进气结构,包括嵌套设置的外腔室和内腔室,
7.所述外腔室底部设有加热器、载物台,
8.所述内腔室位于载物台上,内腔室的两端分别设有抽气管、前驱体扩散器,所述前驱体扩散器的端部安装有匀气组件,匀气组件包括若干个轴向叠加的匀气片。
9.作为上述技术方案的进一步改进:
10.所述前驱体扩散器包括同轴设置的连接法兰、顶部法兰,匀气片叠加设置在连接法兰和顶部法兰之间。
11.所述匀气片面向顶部法兰的一侧还安装有法兰片。
12.所述法兰片上安装有管接头。
13.顶部法兰上的管接头从顶部法兰圆心处垂直引出,法兰片上的管接头垂直于前驱体扩散器轴线引出,且相邻法兰片上的管接头交错设置。
14.所有管接头在前驱体扩散器圆周环形阵列。
15.匀气片数量范围1-10片,每个匀气片上设有气孔,气孔同轴设置或交错设置。
16.所述内腔室的前驱体扩散器的设置为锥形,前驱体扩散器安装于锥形的尖端位置。
17.所述抽气管与内腔室相连的一端带有楔形口,抽气管背离内腔室的一端贯穿外腔室底壁伸出。
18.所述外腔室的加热温度范围上限为300摄氏度。
19.本实用新型的有益效果如下:
20.本实用新型结构紧凑、合理,操作方便,外腔室带有加热结构,内部还设有载物台,
内腔室具有独立的抽气结构,内腔室的前端带有锥形的前驱体扩散器,前驱体扩散器的前端有匀气组件,能够在气体注入前驱体扩散器的同时,增强前驱体源的扩散性。
21.本实用新型改进了原子层沉积的放大问题,双腔室结构能够均匀加热,并减少扩散死角,增强维护性。
22.本实用新型中加入独立的前驱体扩散腔室,通过匀气,提升腔室的源扩散情况,改善薄膜均匀性。
23.匀气结构为多片匀气片叠加设置,每个匀气片上都有气孔,这些匀气片堆叠后,气孔之间形成立体的通道,多个气孔通道有利于源扩散,而且能够根据实际工况,调节匀气片的数量,从而达到扩散最优解。
24.本实用新型用于催化材料制备、半导体材料制备、太阳能光伏器件等多种用途。
附图说明
25.图1为本实用新型的整体结构示意图。
26.图2为本实用新型另一视角的整体结构示意图。
27.图3为本实用新型中的内腔室结构示意图。
28.图4为本实用新型的匀气结构示意图。
29.图5为本实用新型的匀气结构另一视角的示意图。
30.图6为本实用新型的整体剖视图。
31.图7为图6的a部放大图用于体现匀气结构的剖视结构。
32.其中:1、外腔室;2、内腔室;3、加热器;4、载物台;5、匀气组件;
33.201、抽气管;202、前驱体扩散器;
34.501、匀气片;502、连接法兰;503、顶部法兰;504、法兰片;505、管接头;203、楔形口。
具体实施方式
35.下面结合附图,说明本实用新型的具体实施方式。
36.如图1-图7所示,本实施例的双腔原子层沉积进气结构,包括嵌套设置的外腔室1和内腔室2,
37.外腔室1底部设有加热器3、载物台4,
38.内腔室2位于载物台4上,内腔室2的两端分别设有抽气管201、前驱体扩散器202,前驱体扩散器202的端部安装有匀气组件5,匀气组件5包括若干个轴向叠加的匀气片501。
39.前驱体扩散器202包括同轴设置的连接法兰502、顶部法兰503,匀气片501叠加设置在连接法兰502和顶部法兰503之间。
40.匀气片501面向顶部法兰503的一侧还安装有法兰片504。
41.法兰片504上安装有管接头505。
42.顶部法兰503上的管接头505从顶部法兰503圆心处垂直引出,法兰片504上的管接头505垂直于前驱体扩散器202轴线引出,且相邻法兰片504上的管接头505交错设置。
43.所有管接头505在前驱体扩散器202圆周环形阵列。
44.匀气片501数量范围1-10片,每个匀气片501上设有气孔,气孔同轴设置或交错设
置。
45.内腔室2的前驱体扩散器202的设置为锥形,前驱体扩散器202安装于锥形的尖端位置。
46.抽气管201与内腔室2相连的一端带有楔形口203,抽气管201背离内腔室2的一端贯穿外腔室1底壁伸出。
47.外腔室1的加热温度范围上限为300摄氏度。
48.本实施例的具体结构及工作过程如下:
49.如图1和图2所示,为本实用新型的一个实施例的整体示意图,包括外腔室1和内腔室2。其中外腔室1作为外壳,底部有底座支撑,在外腔室1的底壁上设有加热器3,加热器3上设置载物台4,加热器3加热时,与载物台4一起释放热能,加热器3和载物台4均与内腔室2的底壁大小相似,增大热传导面积,保证热传导的均匀性和传导速度。
50.内腔室2分为首尾两端,其尾端为平面,首端带有锥形的前驱体扩散器202,且前驱体扩散器202的尖端设有匀气组件5。在内腔室2的尾端设有楔形口203,从楔形口203引出抽气管201,抽气管201将内腔室2中气流抽取,使内腔室2中的气流经过匀气组件5、前驱体扩散器202后,在内腔室2中形成从首端向尾端流动的气流,抽气管201贯穿外腔室1底壁伸出。
51.本实用新型的一个实施方案中,如图4、图5和图7所示,匀气组件5包括依次设置的连接法兰502、匀气片501、法兰片504和顶部法兰503,其中匀气片501和法兰片504设有多片,每一个法兰片504上引出有管接头505,每一个匀气片501上设有气孔。气孔可以交错设置也可以同轴设置,不论交错设置还是同轴设置,气体都能够在气孔和片体之间的缝隙中流动。本实施例中为了便于定位安装,采用匀气片501的气孔同轴设置的方式。顶部法兰503、法兰片504、匀气片501和连接法兰502之间通过连接件如销钉或螺钉连接。
52.本实施例中,气体经过匀气组件5,再经过前驱体扩散器202,在抽气管201的抽气作用下,气体在内腔室2中充分扩散、流动,保障了原子层沉积的均匀性和可靠性。
53.以上描述是对本实用新型的解释,不是对实用新型的限定,本实用新型所限定的范围参见权利要求,在本实用新型的保护范围之内,可以作任何形式的修改。
再多了解一些

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