电子设备和包括其的接口系统的制作方法

电子设备和包括其的接口系统
1.相关申请的相交引用
2.本技术要求于2021年4月29日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0055884号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
3.本文中描述的本公开涉及具有改善的感测灵敏度的电子设备和包括所述电子设备的接口系统。


背景技术：

4.诸如电视、移动电话、平板计算机、导航系统、游戏机等的多媒体电子设备可以包括用于显示图像的显示设备。除了诸如按钮、键盘、鼠标等的常规输入手段之外，电子设备还可以包括能够提供基于触摸的输入的输入传感器，以允许用户以交互方式直观地输入信息或指令。
5.输入传感器可以感测使用用户身体的一部分的压力输入或触摸的事件。同时，笔或触控笔在习惯于使用书写工具输入信息的用户或需要为特定应用(例如，素描或绘图应用)提供精确触摸输入的用户之间越来越受欢迎。


技术实现要素：

6.本公开提供了具有改善的感测灵敏度的电子设备和包括所述电子设备的接口系统。
7.根据实施方式，电子设备包括显示层、设置在显示层上的传感器层、以及设置在显示层下方并且包括第一屏蔽层的下部构件。传感器层在用于基于电容变化感测第一输入的第一触摸模式和用于感测配置成发射磁场的输入设备的第二输入的第二触摸模式中操作，并且第一屏蔽层屏蔽传输通过传感器层的磁场。
8.下部构件还可以包括设置在显示层下方的第一下部构件和设置在第一下部构件下方的第二下部构件。第一屏蔽层可以设置在第一下部构件和第二下部构件之间。
9.下部构件还可以包括与传感器层间隔开的第二屏蔽层，其中，第一屏蔽层插置在传感器层和第二屏蔽层之间。
10.第一屏蔽层可以直接接触第二屏蔽层。
11.第一屏蔽层和第二屏蔽层可以彼此间隔开，并且包括在下部构件中的第一下部构件或第二下部构件中的至少一部分可以设置在第一屏蔽层和第二屏蔽层之间。
12.下部构件还可以包括第一下部构件和第二下部构件，所述第一下部构件包括设置在显示层下方的第一下部层和设置在第一下部层下方的第二下部层，所述第二下部构件包括设置在第一下部构件下方的第三下部层和设置在第三下部层下方的第四下部层。
13.第一屏蔽层可以直接设置在第一下部层、第二下部层、第三下部层和第四下部层中的至少一个的第一表面上。
14.下部构件还可以包括与传感器层间隔开的第二屏蔽层，其中，第一屏蔽层插置在传感器层和第二屏蔽层之间，并且第二屏蔽层可以直接设置在第一屏蔽层、第一下部层、第二下部层、第三下部层和第四下部层中的至少一个的第二表面上。
15.第二下部层可以包括减震材料，并且第三下部层和第四下部层中的至少一个可以包括散热材料。
16.下部构件还可以包括设置在显示层下方的第一下部层和设置在第一下部层下方的第二下部层，并且第一屏蔽层可以设置在第二下部层下方。
17.第一屏蔽层可以包括具有比铜更高的电阻和更高的磁导率的材料。
18.电子设备还可以包括电连接到传感器层并且控制传感器层的操作的驱动器集成芯片(ic)，并且传感器层可以包括多个电极和多个连接电极。在第一触摸模式中，驱动器ic可以基于多个电极和多个连接电极之间的互电容的变化，计算用户的触摸的第一输入坐标。在第二触摸模式中，驱动器ic可以使用多个电极或多个连接电极计算输入设备的第二输入坐标。
19.可折叠区域可以分别限定在显示层和传感器层中，并且显示层和传感器层的可折叠区域中的每个可以是可折叠的，以具有预定的曲率。
20.根据实施方式，接口系统包括配置成发射磁场的输入设备和电子设备，所述电子设备包括显示层、设置在显示层上的传感器层、以及设置在显示层下方并且屏蔽传输通过传感器层的磁场的第一屏蔽层。传感器层在用于基于电容变化感测第一输入的第一触摸模式和用于感测输入设备的第二输入的第二触摸模式中操作。
21.输入设备可以包括生成信号的信号发生器、向信号发生器供电的电源、以及根据信号生成磁场的共振器。
22.电子设备还可以包括设置在显示层下方的第一下部层和设置在第一下部层下方的第二下部层，并且第一屏蔽层可以附接到第一下部层和第二下部层中的至少一个，或者可以直接接触第一下部层和第二下部层中的至少一个。
23.电子设备还可以包括与传感器层间隔开的第二屏蔽层，其中，第一屏蔽层插置在第二屏蔽层和传感器层之间。
24.第一屏蔽层可以直接接触第二屏蔽层。
25.第一屏蔽层和第二屏蔽层可以彼此间隔开，并且至少一个层可以设置在第一屏蔽层和第二屏蔽层之间。
26.电子设备还可以包括驱动器ic，驱动器ic配置成控制传感器层的操作，并且传感器层可以包括多个电极和多个连接电极。在第一触摸模式中，驱动器ic可以基于多个电极和多个连接电极之间的互电容的变化，计算用户的触摸的第一输入坐标。在第二触摸模式中，驱动器ic可以使用多个电极或多个连接电极计算输入设备的第二输入坐标。
附图说明
27.通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它目的和特征将变得显而易见。
28.图1a和图1b是根据本公开的实施方式的电子设备的立体图。
29.图2是根据本公开的实施方式的电子设备的分解立体图。
30.图3是示出了根据本公开的实施方式的接口系统的视图。
31.图4a是根据本公开的实施方式的显示模块的截面图。
32.图4b是根据本公开的另一实施方式的显示模块的截面图。
33.图4c是根据本公开的另一实施方式的显示模块的截面图。
34.图5是根据本公开的实施方式的显示面板的截面图。
35.图6是根据本公开的实施方式的显示层的平面图。
36.图7是根据本公开的实施方式的传感器层的平面图。
37.图8a是根据本公开的实施方式的图7中的区域aa’的放大平面图。
38.图8b是根据本公开的另一实施方式的图7中的区域aa’的放大平面图。
39.图9a是根据本公开的实施方式的输入设备的框图。
40.图9b是根据本公开的另一实施方式的输入设备的框图。
41.图10a是示出了根据本公开的实施方式的第一触摸模式中的操作的等效电路图。
42.图10b是示出了根据本公开的实施方式的第二触摸模式中的操作的等效电路图。
43.图11示出了描绘根据第一屏蔽层的存在或不存在而测量的输入设备信号的曲线图。
44.图12是示出了根据本公开的实施方式的下部构件的截面图。
45.图13是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
46.图14是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
47.图15是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
48.图16是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
49.图17是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
50.图18是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
51.图19是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
52.图20是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
53.图21是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
具体实施方式
54.在本公开中，当描述组件(或区域、层、部分等)被称作为“在”另一组件“上”、“连接到”或“联接到”另一组件时，所述组件可以直接在另一组件上、直接连接到或直接联接到另一组件，或者它们之间可以存在第三组件。
55.除非另外明确描述，否则相同的参考标记表示相同的组件。此外，在附图中，为了有效地描述，可以夸大组件的厚度、比例和尺寸。如本文中所用，术语“和/或”包括由所列组分限定的一个或多个组合中的全部。
56.诸如第一、第二等的术语可以用于描述各种组件，但是这些组件不应受到这些术语限制。这些术语可以仅用于将一个组件与其它组件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一组件可以被称作为第二组件，并且类似地，第二组件也可以被称作为第一组件。除非另外说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
57.此外，诸如“下方”、“之下”、“上方”、“上”和“之上”的术语用于描述附图中所示的组件的关系。这些术语是相对概念，并且基于附图中所示的方向来描述。
58.应理解，当在本文中使用时，诸如“包含”、“包括”和“具有”的术语指定所述特征、数字、步骤、操作、组件、部分或其组合的存在，但不排除一个或多个其它特征、数字、步骤、操作、组件、部分或其组合的存在或添加。
59.除非另外限定，否则本文中所用的术语(包括技术术语或科学术语)具有与由本公开所属领域中的技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在常用词典中限定的术语)应被解释为具有与相关领域中的上下文的含义相同的含义，并且除非在本公开中清楚地限定为具有这种含义，否则不应被解释为具有理想化或过于形式化的含义。
60.在下文中，将参考附图描述本公开的一些实施方式。
61.图1a和图1b是根据本公开的实施方式的电子设备的立体图。
62.图1a示出了电子设备ed的平坦状态(或未折叠状态)，并且图1b示出了电子设备ed的折叠状态。
63.参考图1a和图1b，电子设备ed可以响应于电信号而被激活。例如，电子设备ed可以是，但不限于，移动电话、可折叠移动电话、平板计算机、汽车导航系统、游戏机或可穿戴设备。图1a和图1b示出了电子设备ed是可折叠移动电话的示例。然而，电子设备ed不特别限于此。
64.电子设备ed可以包括由第一方向dr1和与第一方向dr1相交的第二方向dr2限定的显示表面ds。电子设备ed可以通过显示表面ds向用户显示图像im。
65.显示表面ds可以包括显示区域da和在显示区域da周围的非显示区域nda。显示区域da可以显示图像im，而非显示区域nda可以不显示图像im。非显示区域nda可以围绕显示区域da。然而，不限于此，在不脱离本公开的范围的情况下，显示区域da的形状和非显示区域nda的形状可以进行各种修改。
66.在下文中，与由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面大体垂直的方向可以被限定为第三方向dr3。此外，本文中所用的表述“在平面上”可以表示在第三方向dr3上观察的状态。
67.电子设备ed可以包括折叠区域fa(或可折叠区域)以及多个非折叠区域nfa1和nfa2。非折叠区域nfa1和nfa2可以包括第一非折叠区域nfa1和第二非折叠区域nfa2。折叠区域fa可以设置在第一非折叠区域nfa1和第二非折叠区域nfa2之间。第一非折叠区域nfa1、折叠区域fa和第二非折叠区域nfa2可以沿着第二方向dr2依次限定在电子设备ed中。
68.如图1b中所示，折叠区域fa可以绕着可以平行于第一方向dr1的折叠轴fx折叠。折叠区域fa可以沿着第一方向dr1延伸。折叠区域fa可以(例如，以预定的曲率半径)折叠。电子设备ed可以以向内折叠方式折叠，使得第一非折叠区域nfa1和第二非折叠区域nfa2彼此面对，并且显示表面ds在折叠状态下不暴露于外部。
69.在本公开的另一实施方式中，电子设备ed可以以向外折叠方式折叠，使得显示表面ds在折叠状态下暴露于外部。在本公开的另一实施方式中，电子设备ed可以配置成从展开运动重复地执行向内折叠运动和/或向外折叠运动。然而，本公开不限于此。在本公开的实施方式中，电子设备ed可以配置成选择性地执行展开运动、向内折叠运动和向外折叠运动中的一个。
70.图2是根据本公开的实施方式的电子设备ed的分解立体图。
71.参考图2，电子设备ed可以包括显示设备dd、电子模块em、电源模块psm、以及壳体
edc1和edc2。尽管没有单独示出，但是电子设备ed还可以包括用于控制显示设备dd的折叠运动的机械结构。
72.显示设备dd可以生成图像，并且可以感测外部输入。显示设备dd可以包括窗模块wm和显示模块dm。窗模块wm可以提供电子设备ed的前侧(或前表面)。
73.显示模块dm至少可以包括显示面板dp。尽管图2示出了显示模块dm与显示面板dp相同，但是显示模块dm可以是具有叠置在彼此上方的多个组件的叠置结构。以下将详细描述显示模块dm的叠置结构。
74.显示面板dp可以包括分别与电子设备ed的显示区域da(参考图1a)和非显示区域nda(参考图1a)对应的显示区域dp-da和非显示区域dp-nda。本文中所用的表述“区域/部分与区域/部分对应”可以意指区域/部分彼此重叠，并且不限于具有相同的区域/部分。
75.显示模块dm可以包括设置在非显示区域dp-nda上的驱动器集成电路dic。显示模块dm还可以包括联接到非显示区域dp-nda的电路膜fcb。
76.驱动器集成电路dic可以包括用于驱动显示面板dp的像素的驱动元件(例如，数据驱动电路)。尽管图2示出了驱动器集成电路dic安装在显示面板dp上的示例，但是本公开不限于此。在另一示例中，驱动器集成电路dic可以安装在电路膜fcb上。
77.电子模块em至少可以包括主驱动器(或主控制器)。电子模块em还可以包括无线通信模块、相机模块、接近式传感器模块、图像输入模块、声音输入模块、声音输出模块、存储器和/或外部接口模块。电子模块em可以电连接到电源模块psm。
78.主驱动器可以控制电子设备ed的整体操作。例如，主驱动器可以响应于用户输入来激活或关闭显示设备dd。主驱动器可以控制电子设备ed的其它模块以及显示设备dd的操作。主驱动器可以包括至少一个微处理器或微控制器。
79.壳体edc1和edc2可以容纳显示模块dm、电子模块em和电源模块psm。尽管图2示出了两个壳体edc1和edc2彼此分开的示例，但是本公开不限于此。尽管未示出，但是电子设备ed还可以包括用于连接两个壳体edc1和edc2的铰接结构。壳体edc1和edc2可以与窗模块wm联接。壳体edc1和edc2可以保护容纳在壳体edc1和edc2中的组件和模块(例如，显示模块dm、电子模块em、电源模块psm等)。
80.图3是示出了根据本公开的实施方式的接口系统的视图。
81.参考图3，接口系统inf可以包括电子设备ed和输入设备pn。接口系统inf也可以被称作为电子系统、触摸系统、输入/输出系统、数字化仪系统、笔输入板或笔终端。
82.输入设备pn可以生成具有预定共振频率的磁场。输入设备pn可以配置成基于电磁共振方案生成和传输输出信号。输入设备pn也可以被称作为笔、输入笔、磁笔、触控笔或电磁共振笔。
83.输入设备pn可以包括提供电力(例如，交流电(ac)电力)的信号发生器。在这种情况下，即使在没有从外部提供的外部磁场的情况下，输入设备pn也可以通过信号发生器生成感应电流。因此，不包括形成磁场的数字化仪的电子设备ed可以基于从输入设备pn输出的磁场来感测输入设备pn的输入。
84.基于电磁共振方案的输入设备pn可以具有比有源静电(aes)笔更高的输出效率。例如，对于具有相同频率(例如，1.8mhz)和相同输入电压(例如，17v)的传输信号(在下文中也称作为tx信号)，从输入设备pn输出的信号的强度可以比从aes笔输出的信号的强度大约
40倍。此外，输入设备pn的用于频率为1.8mhz和电压为1v的tx信号的输出信号的强度可以与aes笔的用于频率为1.8mhz和电压为17v的tx信号的输出信号的强度相等。因此，以有源模式操作的输入设备pn可以具有比aes笔更低的电池消耗。
85.当输入设备pn包括在接口系统inf中时，电子设备ed可以不包括数字化仪。在这种情况下，电子设备ed的厚度和重量可以减小，同时提供灵活性，否则电子设备ed的厚度和重量可能由于添加了数字化仪而增加。不包括数字化仪的电子设备ed可以使用传感器层来感测输入设备pn的输入，这将在以下进行详细描述。
86.图4a是根据本公开的实施方式的显示模块dm的截面图。图4a可以是与图2中的线i-i'对应的截面图。
87.参考图4a，显示模块dm可以包括显示面板dp、设置在显示面板dp上的光学膜lf、以及在第三方向dr3上设置在显示面板dp下方的下部构件lm。显示面板dp可以包括显示层dpl和设置在显示层dpl上的传感器层isl。粘合剂层(未示出)可以设置在显示层dpl和传感器层isl之间。
88.显示层dpl可以生成图像。在实施方式中，显示层dpl可以是发射显示层。例如，显示层dpl可以是有机发光显示层、无机发光显示层、有机无机发光显示层、量子点显示层、微发光二极管(led)显示层或纳米led显示层。
89.传感器层isl可以设置在显示层dpl上。传感器层isl可以感测从外部施加到传感器层isl的外部输入。在实施方式中，传感器层isl可以是附接到显示层dpl的外部层。在另一实施方式中，传感器层isl可以是作为显示层dpl的制造工艺的一部分或者在显示层dpl的制造工艺中连续形成的一体化层。
90.传感器层isl可以在用于感测由电容变化引起的输入的第一触摸模式和用于感测从发射磁场的输入设备pn接收的输入的第二触摸模式中操作。即，不包括数字化仪的显示模块dm可以通过使用传感器层isl不仅能够感测由用户的触摸引起的输入，而且能够感测从输入设备pn接收的输入。
91.设置在显示面板dp上的光学膜lf可以降低从外部入射的光的反射率。在实施方式中，光学膜lf可以包括相位延迟器和/或偏振器。光学膜lf至少可以包括偏振器膜。
92.在另一实施方式中，光学膜lf可以包括滤色器。滤色器可以具有预定的布置。滤色器的布置可以根据包括在显示层dpl中的像素px(参考图6)的发射颜色来确定。此外，光学膜lf还可以包括设置成与滤色器相邻的黑矩阵。
93.在又一实施方式中，光学膜lf可以包括相消干涉结构。例如，相消干涉结构可以包括设置在不同层中的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，从而降低外部光的反射率。
94.下部构件lm可以包括各种功能层。具体地，根据本实施方式，下部构件lm可以包括第一屏蔽层mpl。第一屏蔽层mpl可以包括磁性金属粉末。在这种情况下，第一屏蔽层mpl可以被称作为磁性金属粉末层、磁性层、磁性电路层或磁性路径层。
95.第一屏蔽层mpl可以屏蔽可以传输通过传感器层isl的磁场tb。第一屏蔽层mpl可以为从输入设备pn输出并且传输通过传感器层isl的磁场tb提供磁性路径。第一屏蔽层mpl还可以用于将磁场tb的方向引导到不同的方向，并且可以改变可以传输通过传感器层isl的磁场tb的方向。因此，可以屏蔽到达第一屏蔽层mpl的磁场tb，而不泄漏到其它层，例如，
不泄漏到放置在第一屏蔽层mpl下方的层。在这种情况下，第一屏蔽层mpl可以防止或减小由磁场tb的变化引起的涡电流。因此，第一屏蔽层mpl可以降低由输入设备pn提供的信号(例如，磁场tb)的强度的衰减程度。
96.随着显示模块dm的尺寸增加，根据输入设备pn的输入位置的电阻差异可能引起信号强度差异。根据本公开的实施方式，不包括数字化仪的显示模块dm可以包括第一屏蔽层mpl以屏蔽磁场tb，并且第一屏蔽层mpl可以降低由输入设备pn提供的磁场tb的强度的衰减程度。即，由输入设备pn提供的磁场tb的强度的降低的衰减可以补偿可能由根据输入位置的电阻差异引起的信号衰减。因此，尽管电流值减小，但是即使在最大电阻的点处电流值也仍然可以等于或大于预定值。因此，包括在显示模块dm中的第一屏蔽层mpl可以改善传感器层isl的感测灵敏度。
97.在本公开的实施方式中，第一屏蔽层mpl可以与图1a中所示的折叠区域fa、第一非折叠区域nfa1和第二非折叠区域nfa2完全重叠。因此，在与折叠区域fa、第一非折叠区域nfa1和第二非折叠区域nfa2重叠的整个区域中，由输入设备pn提供的信号(例如，磁场tb，参考图4a)的强度的衰减程度可以降低。
98.图4b是根据本公开的另一实施方式的显示模块dm的截面图。
99.参考图4b，下部构件lm-1可以包括各种功能层。具体地，根据本实施方式，下部构件lm-1可以包括第一屏蔽层mpl和第二屏蔽层esl。
100.第二屏蔽层esl可以与传感器层isl间隔开，并且第一屏蔽层mpl在第二屏蔽层esl和传感器层isl之间。第二屏蔽层esl可以屏蔽可能来源于设置在传感器层isl下方的模块的电磁场或噪声。第二屏蔽层esl可以由铝、镁、镁合金、不锈钢、铜或铜合金形成，但是不特别限于此。第二屏蔽层esl可以被称作为电磁屏蔽层。
101.第二屏蔽层esl可以与第一屏蔽层mpl直接接触。在这种情况下，可以不在第二屏蔽层esl和第一屏蔽层mpl之间设置单独的层(例如，粘合剂层)。
102.图4c是根据本公开的另一实施方式的显示模块dm的截面图。
103.参考图4c，下部构件lm-2可以包括第一屏蔽层mpl和第二屏蔽层esl。第二屏蔽层esl可以与第一屏蔽层mpl间隔开。根据本实施方式，下部构件lm-2可以包括设置在第二屏蔽层esl和第一屏蔽层mpl之间的另一层(例如，粘合剂层)，但是本实施方式不特别限于此。
104.图5是根据本公开的实施方式的显示面板dp的截面图。
105.参考图5，显示层dpl可以包括基础层110、电路层120、发光元件层130和封装层140。
106.基础层110可以提供其上设置有电路层120的表面。基础层110可以是玻璃衬底、金属衬底、聚合物衬底等。然而，不限于此，基础层110可以是无机层、有机层、复合层或其任意组合。
107.基础层110可以具有多层结构。例如，基础层110可以包括第一合成树脂层、设置在第一合成树脂层上的氧化硅(sio
x
)层、设置在氧化硅层上的非晶硅(a-si)层、以及设置在非晶硅层上的第二合成树脂层。氧化硅层和非晶硅层可以统称为基础阻挡层。
108.第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每个可以包括基于聚酰亚胺的树脂。可选地，第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每个可以包括基于丙烯酸酯的树脂、基于甲基丙烯酸酯的树脂、基于聚异戊二烯的树脂、基于乙烯基的树脂、基于环氧的树脂、基于尿烷
的树脂、基于纤维素的树脂、基于硅氧烷的树脂、基于聚酰胺的树脂和基于二萘嵌苯的树脂中的至少一种。同时，本文中所用的基于“x”的树脂可以表示包括“x”的官能团的树脂。
109.至少一个无机层可以形成在基础层110的上表面上。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机层可以包括多个层，例如，阻挡层和/或缓冲层。在本实施方式中，图5示出了包括缓冲层bfl的显示层dpl的示例。
110.缓冲层bfl可以改善基础层110和可能形成在基础层110上的半导体图案之间的联接。缓冲层bfl可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。例如，缓冲层bfl可以具有其中至少一个氧化硅层和至少一个氮化硅层交替叠置在彼此上方的叠置结构。
111.半导体图案可以设置在缓冲层bfl上。半导体图案可以包括多晶硅。然而，不限于此，半导体图案可以包括非晶硅、低温多晶硅或氧化物半导体。
112.应注意，图5仅示出了半导体图案的一部分，并且半导体图案可以另外设置在图5中未示出的其它区域中。半导体图案可以根据预定图案布置成跨过像素px(参考图6)。半导体图案可以根据半导体图案是否被掺杂而具有不同的电学性质。半导体图案可以包括具有高电导率的第一区域和具有低电导率的第二区域。第一区域可以掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。例如，p型晶体管可以包括掺杂有p型掺杂剂的掺杂区域，并且n型晶体管可以包括掺杂有n型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以与未掺杂区域对应，或者可以与比第一区域掺杂得更轻的区域对应。
113.第一区域可以具有比第二区域更高的电导率，并且可以大体用作电极或信号线。第二区域可以与晶体管的有源区域大体对应。换言之，半导体图案的一部分可以与晶体管的有源区域对应，另一部分可以与晶体管的源极或漏极对应，并且又一部分可以与连接电极或连接信号线对应。
114.像素px中的每个可以具有包括一个或多个晶体管(例如，七个晶体管)、至少一个电容器和发光元件的等效电路，并且在不脱离本公开的范围的情况下，可以以各种形式修改像素px的等效电路。图5示出了包括一个晶体管100pc和一个发光元件100pe的像素px。
115.晶体管100pc的源极区域sc、有源区域al和漏极区域dr可以由半导体图案形成。在截面图中，源极区域sc和漏极区域dr可以以相反的方向从有源区域al延伸。图5还示出了由半导体图案形成的连接信号线scl的一部分。尽管没有单独示出，但是在平面图中连接信号线scl可以连接到晶体管100pc的漏极区域dr。
116.第一绝缘层10可以设置在缓冲层bfl上。第一绝缘层10可以公共地与多个像素px重叠，并且可以覆盖半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在实施方式中，第一绝缘层10可以是单个层的氧化硅，但是本公开不限于此。其它以下将描述的电路层120的绝缘层可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种，但是不限于此。
117.晶体管100pc的栅极gt可以设置在第一绝缘层10上。栅极gt可以形成为金属图案的一部分。栅极gt可以与有源区域al重叠。栅极gt可以在掺杂半导体图案的工艺中用作掩模。
118.第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上，并且可以覆盖栅极gt。第二绝缘层20可以公共地与像素px重叠。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结
构或多层结构。第二绝缘层20可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。在实施方式中，第二绝缘层20可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构，但是本公开不限于此。
119.第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以具有单层结构或多层结构。在实施方式中，第三绝缘层30可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构，但是本公开不限于此。
120.第一连接电极cne1可以设置在第三绝缘层30上。第一连接电极cne1可以通过形成为通过第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30的接触孔cnt-1连接到连接信号线scl。
121.第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以是单个层的氧化硅。第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上。第五绝缘层50可以是有机层。
122.第二连接电极cne2可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极cne2可以通过形成为通过第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔cnt-2连接到第一连接电极cne1。
123.第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上，并且可以覆盖第二连接电极cne2。第六绝缘层60可以是有机层。
124.发光元件层130可以设置在电路层120上。发光元件层130可以包括发光元件100pe。例如，发光元件层130可以包括有机发光材料、量子点、量子杆、微led或纳米led。在下文中，将描述有机发光元件作为发光元件100pe的示例。然而，发光元件100pe不特别限于此。
125.发光元件100pe可以包括第一电极ae、发射层el和第二电极ce。
126.发光元件100pe的第一电极ae可以设置在第六绝缘层60上。第一电极ae可以通过形成为通过第六绝缘层60的接触孔cnt-3连接到第二连接电极cne2。
127.像素限定层70可以设置在第六绝缘层60上，并且可以覆盖第一电极ae的一部分。开口70-op可以形成在像素限定层70中。第一电极ae的至少一部分可以通过像素限定层70的开口70-op暴露。
128.显示区域da(参考图1a)可以包括发射区域pxa和与发射区域pxa相邻的非发射区域npxa。非发射区域npxa可以围绕发射区域pxa。在实施方式中，发射区域pxa可以与第一电极ae的通过开口70-op暴露的部分区域对应。
129.发光元件100pe的发射层el可以设置在第一电极ae上。发射层el可以设置在与开口70-op对应的区域中。即，发射层el可以针对像素px中的每个分别形成。当发射层el针对像素px中的每个分别形成时，发射层el中的每个可以发射蓝色光、红色光和绿色光中的至少一种。然而，不限于此，发射层el可以公共地形成为与多个像素px对应。在这种情况下，发射层el可以提供蓝色光或白色光。
130.发光元件100pe的第二电极ce可以设置在发射层el上。第二电极ce可以具有一体化形状，并且可以公共地设置成与多个像素px对应。
131.尽管未示出，但是可以在第一电极ae和发射层el之间设置空穴控制层(hcl)。空穴控制层可以公共地设置成与发射区域pxa和非发射区域npxa对应。空穴控制层可以包括空穴传输层(htl)，并且还可以包括空穴注入层(hil)。可以在发射层el和第二电极ce之间设置电子控制层(ecl)。电子控制层可以包括电子传输层(etl)，并且还可以包括电子注入层(eil)。空穴控制层和电子控制层可以通过使用开口掩模(未示出)公共地形成为与多个像
素px对应。
132.封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以包括依次叠置在彼此上方的无机层、有机层和无机层。然而，构成封装层140的层不限于此。
133.无机层可以保护发光元件层130免受湿气和/或氧气的影响，并且有机层可以保护发光元件层130免受诸如尘埃粒子的杂质的影响。无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层可以包括但不限于基于丙烯酸酯的有机层。
134.传感器层isl可以包括基础层201、第一导电层202、感测绝缘层203、第二导电层204和覆盖绝缘层205。
135.基础层201可以是包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。可选地，基础层201可以是包括环氧树脂、丙烯酸树脂或基于聚酰亚胺的树脂的有机层。基础层201可以具有单层结构，或者可以具有包括在第三方向dr3上叠置的多个层的多层结构。
136.第一导电层202和第二导电层204中的每个可以具有单层结构，或者可以具有包括在第三方向dr3上叠置的多个层的多层结构。
137.具有单层结构的导电层(例如，第一导电层202、第二导电层204)可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、铟锌锡氧化物(izto)等的透明导电氧化物。此外，透明导电层可以包括诸如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)聚磺苯乙烯(pedot)、金属纳米线、石墨烯等的导电聚合物。
138.具有多层结构的导电层(例如，第一导电层202、第二导电层204)可以包括多个金属层。多层结构可以具有例如钛/铝/钛的三层结构。具有多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
139.感测绝缘层203和覆盖绝缘层205中的至少一个可以包括无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
140.感测绝缘层203和覆盖绝缘层205中的至少一个可以包括有机层。有机层可以包括基于丙烯酸酯的树脂、基于甲基丙烯酸酯的树脂、基于聚异戊二烯的树脂、基于乙烯基的树脂、基于环氧的树脂、基于尿烷的树脂、基于纤维素的树脂、基于硅氧烷的树脂、基于聚酰亚胺的树脂、基于聚酰胺的树脂和基于二萘嵌苯的树脂中的至少一种。
141.图6是根据本公开的实施方式的显示层dpl的平面图。
142.参考图6，显示区域dp-da和在显示区域dp-da周围的非显示区域dp-nda可以限定在显示层dpl中。显示区域dp-da和非显示区域dp-nda可以根据像素px的布置而彼此区分开。像素px可以设置在显示区域dp-da中。扫描驱动器sdv、数据驱动器(未示出)和发射驱动器edv可以设置在非显示区域dp-nda中。数据驱动器可以是形成在驱动器集成电路dic(参考图2)中的电路。
143.显示层dpl可以包括沿着第二方向dr2限定的第一面板区域aa1、弯曲区域ba和第二面板区域aa2。第二面板区域aa2和弯曲区域ba可以与非显示区域dp-nda的部分区域对应。弯曲区域ba可以设置在第一面板区域aa1和第二面板区域aa2之间。
144.第一面板区域aa1可以与如图1a中所示的电子设备ed的显示表面ds对应。第一面板区域aa1可以包括第一非折叠区域nfa10、第二非折叠区域nfa20和折叠区域fa0。第一非折叠区域nfa10、第二非折叠区域nfa20和折叠区域fa0可以分别与图1a和图1b的第一非折
叠区域nfa1、第二非折叠区域nfa2和折叠区域fa对应。
145.弯曲区域ba在第一方向dr1上的宽度和第二面板区域aa2在第一方向dr1上的宽度(或长度)可以小于第一面板区域aa1在第一方向dr1上的宽度(或长度)。具有在弯曲轴的方向上的较小宽度的弯曲区域ba和第二面板区域aa2可以比具有较大宽度的第一面板区域aa1更容易弯曲。
146.显示层dpl可以包括多个像素px、多条扫描线sl1至slm、多条数据线dl1至dln、多条发射线el1至elm、第一控制线csl1、第二控制线csl2、电源线pl和多个焊盘pd。这里，“m”和“n”是自然数。像素px可以连接到扫描线sl1至slm、数据线dl1至dln以及发射线el1至elm。
147.扫描线sl1至slm可以在第一方向dr1上延伸，并且可以电连接到扫描驱动器sdv。数据线dl1至dln可以在第二方向dr2上延伸，并且可以经由弯曲区域ba电连接到驱动器集成电路dic。发射线el1至elm可以在第一方向dr1上延伸，并且可以电连接到发射驱动器edv。
148.电源线pl可以包括在第二方向dr2上延伸的部分和在第一方向dr1上延伸的部分。在第一方向dr1上延伸的部分和在第二方向dr2上延伸的部分可以设置在不同的层上。电源线pl的在第二方向dr2上延伸的部分可以经由弯曲区域ba延伸到第二面板区域aa2。电源线pl可以向像素px提供第一电压。
149.第一控制线csl1可以连接到扫描驱动器sdv，并且可以经由弯曲区域ba朝向第二面板区域aa2的下端延伸。第二控制线csl2可以连接到发射驱动器edv，并且可以经由弯曲区域ba朝向第二面板区域aa2的下端延伸。
150.在平面图中，焊盘pd可以设置成与第二面板区域aa2的下端相邻。驱动器集成电路dic、电源线pl、第一控制线csl1和第二控制线csl2可以电连接到焊盘pd。电路膜fcb可以通过各向异性导电粘合剂层(未示出)电连接到焊盘pd。
151.图7是根据本公开的实施方式的传感器层isl的平面图。图8a是根据本公开的实施方式的图7中的区域aa’的放大平面图。
152.参考图7和图8a，感测区域is-a和周围区域is-na可以限定在传感器层isl中。感测区域is-a可以根据电信号而被激活。例如，感测区域is-a可以感测外部输入。周围区域is-na可以感测区域is-a相邻以围绕感测区域is-a。
153.传感器层isl可以包括电极210、连接电极220、第一感测线230和第二感测线240。电极210和连接电极220可以设置在感测区域is-a中，并且第一感测线230和第二感测线240可以设置在周围区域is-na中。
154.传感器层isl可以基于电极210和连接电极220之间的互电容的变化来获得关于外部输入的信息。此外，传感器层isl可以感测基于电磁共振方案提供输出信号的输入设备pn(参考图3)的输入。
155.传感器层isl可以包括多个感测单元su。多个感测单元su中的每个可以与电极210中的一个和连接电极220中的一个彼此相交的区域对应。
156.电极210可以在第一方向dr1上延伸，并且可以沿着第二方向dr2布置。电极210中的每个可以包括第一部分211和第二部分212。第二部分212中的每个可以定位在彼此相邻的两个第一部分211之间，并且电连接彼此相邻的两个第一部分211。
157.连接电极220可以沿着第一方向dr1布置，并且可以在第二方向dr2上延伸。连接电极220中的每个可以包括电极图案221和连接图案222(或桥接图案)。连接图案222中的每个可以电连接彼此相邻的两个电极图案221。彼此相邻的两个电极图案221可以通过两个连接图案222彼此连接。然而，本公开不限于此。在平面图中，电极210的第二部分212可以与连接电极220的两个连接图案222相交，同时与其绝缘。
158.电极图案221、第一部分211和第二部分212可以设置在相同层中，并且连接图案222可以设置在与电极图案221、第一部分211和第二部分212不同的层中。例如，电极图案221、第一部分211和第二部分212可以包括在第二导电层204(参考图5)中，并且连接图案222可以包括在第一导电层202(参考图5)中。这种结构可以被称作为底部桥接结构。然而，本公开不特别限于此。在另一示例中，电极图案221、第一部分211和第二部分212可以包括在第一导电层202(参考图5)中，并且连接图案222可以包括在第二导电层204(参考图5)中。这种结构可以被称作为顶部桥接结构。
159.图8a示出了电极210和连接电极220的形状和布置关系的示例。然而，构成传感器层isl的电极210和连接电极220的形状和布置关系不限于图8a中所示的示例。
160.第一感测线230和第二感测线240可以电连接到焊盘pd之中的相应焊盘。
161.第一感测线230中的每个可以电连接到电极210中的相应的一个。例如，第一感测线230可以分别连接到电极210的右侧。然而，这仅示出为示例。第一感测线230中的一些可以连接到电极210中的一些的左侧，而第一感测线230中的其它一些可以连接到电极210中的其它一些的右侧。
162.第二感测线240可以包括第一连接感测线241和第二连接感测线242。第一连接感测线241中的每个可以电连接到连接电极220中的相应的一个。第二连接感测线242可以分别电连接到连接电极220。例如，一个第一连接感测线241和一个第二连接感测线242可以电连接到一个连接电极220。在这种情况下，一个连接电极220可以具有连接到两个连接感测线的双布线结构。
163.在电子设备ed实施为可折叠移动电话(参考图1a)或平板计算机的情况下，感测区域is-a可能不断增大。第一感测线230之间的长度差异和第二感测线240之间的长度差异可能随着感测区域is-a增大而增加。因此，根据感测区域is-a中的触摸位置的电阻差异可能增加。
164.根据本公开的实施方式，设置在传感器层isl下方的第一屏蔽层mpl(参考图4b)可以降低由输入设备pn(参考图3)提供的磁场tb(参考图4a)的强度的衰减程度。即，添加到电子设备ed(参考图1a)的第一屏蔽层mpl(参考图4b)可以通过减小由输入设备pn提供的磁场tb的强度的衰减来补偿由于根据触摸位置的电阻差异而引起的信号衰减。因此，尽管电流值减小，但是即使在最大电阻的点处电流值也仍然可以等于或大于预定值。因此，包括在显示模块dm中的第一屏蔽层mpl可以改善传感器层isl的感测灵敏度。
165.驱动器集成芯片(ic)t-ic可以电连接到传感器层isl，并且可以控制传感器层isl的操作。驱动器ic t-ic可以安装在电路膜fcb上。驱动器ic t-ic可以电连接到第一感测线230和第二感测线240。
166.根据实施方式，驱动器ic t-ic通过传感器层isl不仅可以感测用户的触摸输入，而且可以感测输入设备pn(参考图3)的输入。即，驱动器ic t-ic不仅可以基于电极210和连
接电极220之间的互电容的变化来计算用户的触摸输入的输入坐标，而且可以计算基于电磁共振方案提供输出信号的输入设备pn(参考图3)的输入坐标。
167.图8b是根据本公开的另一实施方式的图7中的区域aa’的放大平面图。
168.图8b示出了具有与图8a中所示的电极210和连接电极220不同的形状和连接方式的电极210-1和连接电极220-1。例如，电极210-1和连接电极220-1可以具有棒状形状。
169.电极210-1可以在第一方向dr1上延伸，并且可以沿着第二方向dr2布置。连接电极220-1可以在第一方向dr1上布置，并且可以沿着第二方向dr2延伸。连接电极220-1可以包括电极图案221-1和连接图案222-1(或桥接图案)。连接图案222-1可以电连接彼此相邻的两个电极图案221-1。彼此相邻的两个电极图案221-1可以通过四个连接图案222-1彼此连接。然而，本公开不限于此。在平面图中，一个电极210-1可以与四个连接图案222-1相交，同时与其绝缘。尽管图8b示出了具有彼此接合的连接方式和特定形状的电极210-1和电极图案221-1的示例，但是本公开不限于此。
170.根据实施方式，以上参考图8a和图8b描述的电极210或210-1以及连接电极220或220-1可以具有网状结构。在这种情况下，可以在电极210或210-1以及连接电极220或220-1中限定开口。然而，不限于此，电极210或210-1以及连接电极220或220-1可以是其中没有限定任何开口的透明电极。
171.图9a是根据本公开的实施方式的输入设备pn的框图。
172.参考图9a，输入设备pn可以包括壳体pnh、笔尖pnt、共振器pn100、信号发生器pn200和电源pn300。
173.壳体pnh可以具有笔型形状，并且可以具有形成在其中的空间。共振器pn100、信号发生器pn200和电源pn300可以容纳在限定在壳体pnh中的空间中。笔尖pnt可以设置在壳体pnh的端部部分中。例如，笔尖pnt的一部分可以暴露在壳体pnh外部，而笔尖pnt的剩余部分可以放置在壳体pnh中。
174.共振器pn100可以包括电感器(未示出)和电容器(未示出)。电容器可以基于作为电场的信号(或传输(tx)信号)的电流来存储能量，而电感器可以基于作为磁场的信号的电流来存储能量。电感器可以包括磁性材料和缠绕在磁性材料周围的线圈。
175.信号发生器pn200可以生成信号(或检测信号、传输(tx)信号)。信号发生器pn200可以包括集成电路或振荡器。信号发生器pn200可以输出具有预定频率的ac信号。例如，由信号发生器pn200生成的信号可以具有固定频率。例如，信号可以是频率为560khz的正弦波，但是本公开不特别限于此。
176.信号发生器pn200可以对共振器pn100充电，并且可以在对共振器pn100充电之后停止充电信号的传输。可以通过充电信号在共振器pn100中生成感应电流，并且共振器pn100可以通过感应电流共振并且可以发射磁场。
177.电源pn300可以向信号发生器pn200供电。电源pn300可以包括电池或大容量电容器。
178.根据本公开的实施方式，输入设备pn可以在有源模式中操作，因为输入设备pn包括信号发生器pn200。因此，不包括形成磁场的数字化仪的电子设备ed(参考图3)可以感测基于磁场提供输出信号的输入设备pn的输入。
179.图9b是根据本公开的另一实施方式的输入设备的框图。
180.参考图9b，输入设备pn-1可以包括壳体pnh、笔尖pnt、共振器pn101、笔压力传感器pn201、开关pn301、信号发生器pn401和电源pn501。
181.笔压力传感器pn201可以电连接到共振器pn101，并且可以感测施加到笔尖pnt的压力。例如，笔压力传感器pn201可以包括可变电容器。包括在笔压力传感器pn201中的可变电容器可以并联连接到包括在共振器pn101中的电容器。未施加压力时从共振器pn101输出的磁场的共振频率可以被称作为参考共振频率。当施加压力时，电容变化可以通过可变电容器生成，并且从共振器pn101输出的磁场的共振频率可以基于所述电容变化而变化。
182.开关pn301可以包括按钮和至少一个电容器。按钮可以由输入设备pn-1的用户操作。响应于用户对开关pn301的操作，输入设备pn-1可以转换到各种模式，例如，笔输入模式、右击模式和擦除器模式。
183.信号发生器pn401可以输出具有预定频率的ac信号。如以上参考图9a所述，信号发生器pn401可以对共振器pn101充电。因此，输入设备pn-1不仅可以在无源模式中操作，而且可以在有源模式中操作，因为输入设备pn-1包括信号发生器pn401。
184.信号发生器pn401可以包括集成电路。在这种情况下，信号发生器pn401可以另外生成包括各种信息的信号以及用于对共振器pn101充电的ac信号。例如，信号发生器pn401可以根据预定协议另外输出信息信号。信息信号的示例包括但不限于输入设备pn-1的倾斜信息、压力信息和按钮信息。信号发生器pn401可以以数据包的形式向电子设备ed(参考图3)传输信息信号。
185.在信号发生器pn401使用各种类型的键控方案传输信号(或下行链路信号)的情况下，键控方案的示例包括但不限于开关键控(ook)、相移键控(psk)、差分psk、频移键控(fsk)、二进制psk(bpsk)、差分bpsk等。
186.图10a是示出了根据本公开的实施方式的第一触摸模式中的操作的等效电路图。图10b是示出了根据本公开的实施方式的第二触摸模式中的操作的等效电路图。
187.参考图7、图10a和图10b，驱动器ic t-ic和传感器层isl可以在用于感测用户的触摸的第一触摸模式或者在用于感测输入设备pn(参考图3)的输入的第二触摸模式中操作。
188.驱动器ic t-ic可以控制传感器层isl，以在第一触摸模式或第二触摸模式中选择性地和/或交替地操作传感器层isl。可选地，当在第一触摸模式中操作时，驱动器ic t-ic可以基于由输入设备pn提供的预定信号转换到第二触摸模式。由驱动器ic t-ic控制的传感器层isl的操作模式不特别限于上述示例。
189.驱动器ic t-ic可以包括电荷放大器ca。电荷放大器ca可以接收根据用户的触摸或输入设备pn的输入而变化的电信号，并且可以相应地输出触摸信号。
190.参考图10a，在第一触摸模式中，驱动器ic t-ic可以向电极210传输检测信号txs，并且可以接收来自连接电极220的感测信号rxs。当发生触摸事件时，在与触摸事件对应的点处，电极210x和连接电极220x之间的互电容cm可以改变。触摸事件可以引起互电容cm的相对端子之间的电容(在下文中称作为触摸电容)的变化。触摸电容可以包括串联连接的两个电容cft和cfr。
191.电容cft可以形成在施加有检测信号txs的电极210x和输入设备(例如，手指)之间，并且电容cfr可以形成在连接电极220x和输入设备之间。
192.驱动器ic t-ic可以从连接电极220x读取感测信号rxs，并且可以从感测信号rxs
测量根据输入设备的输入的电容变化δcm。驱动器ic t-ic可以通过感测由输入设备的输入引起的电流变化来测量电容变化δcm。
193.图10a还示出了由输入设备形成的等效电阻rf1、rf2和rf3、输入设备和地线之间的电容cf、施加有检测信号txs的焊盘pd1和发生触摸事件的电极210x的点之间的等效电阻rtx、以及从其输出感测信号rxs的焊盘pd2和发生触摸事件的连接电极220x的点之间的等效电阻rrx。
194.参考图10b，在第二触摸模式中，驱动器ic t-ic可以从电极210和连接电极220中的至少一个接收由输入设备pn引起的感测信号(应注意，它与图10a中所示的感测信号rxs不同)。图10b示出了通过电极210感测输入设备pn的输入的示例。然而，本公开不特别限于此。
195.电荷放大器ca的反相输入端可以电连接到电极210a。参考电压电势可以提供到电荷放大器ca的非反相输入端。电容器c
fb
可以连接在电荷放大器ca的反相输入端和电荷放大器ca的输出端之间。
196.当输入设备pn接近时，由于从输入设备pn输出的磁场，感应电流i可以在电极210a中流动。输入设备pn的共振器pn100可以包括电感器l1和电容器c1。电感器l2可以表示电极210a中生成的寄生电感。电阻器r2可以与发生触摸事件的电极210a的点和从其输出感应电流i的焊盘pd3之间的电阻对应。电荷放大器ca可以接收感应电流i，并且可以基于感应电流i和电容器c
fb
输出电压信号。
197.电阻器r2的大小可以根据输入设备pn的输入的位置而变化。根据本公开的实施方式，设置在传感器层isl下方的第一屏蔽层mpl(参考图4b)可以减小由输入设备pn提供的磁场tb(参考图4a)的强度的衰减程度。因此，尽管由磁场输入引起的感应电流i即使在电阻器r2最大的点处减小，但是感应电流i的强度也可以等于或大于预定值。即，添加到电子设备ed(参考图1a)的第一屏蔽层mpl(参考图4b)可以通过减小由输入设备pn提供的磁场tb的强度的衰减来补偿由于根据触摸位置的电阻差异而引起的信号衰减。因此，可以改善传感器层isl的感测灵敏度。
198.图11示出了描绘根据第一屏蔽层mpl的存在或不存在而测量的输入设备信号的曲线图。
199.参考图11，第一曲线gp1示出了根据本公开的比较示例的电压值，而第二曲线gp2示出了根据本公开的实施方式的电压值。例如，在第一曲线gp1和第二曲线gp2中，电压值可以在中心点pt处具有峰值，并且中心点pt可以与输入设备pn(参考图3)的输入点的位置对应。
200.第一曲线gp1示出了在不设置第一屏蔽层mpl(参考图4a)的情况下通过电极210(参考图8a)或连接电极220(参考图8a)测量的电压值，而第二曲线gp2示出了在设置第一屏蔽层mpl(参考图4a)的情况下通过电极210(参考图8a)或连接电极220(参考图8a)测量的电压值。
201.根据本公开的实施方式，第一屏蔽层mpl(参考图4a)可以为从输入设备pn(参考图4a)输出并且传输通过传感器层isl(参考图4a)的磁场tb提供磁性路径。在这种情况下，第一屏蔽层mpl可以防止或减小由磁场tb的变化引起的涡电流。因此，第一屏蔽层mpl可以降低由输入设备pn提供的信号的强度的衰减程度。因此，添加到电子设备ed(参考图1a)的第
一屏蔽层mpl(参考图4a)可以通过减小由输入设备pn提供的磁场tb的强度的衰减来补偿由于根据触摸位置的电阻差异而引起的信号衰减。
202.图12是示出了根据本公开的实施方式的下部构件的截面图。
203.参考图12，下部构件lma可以包括第一下部构件cl、第二下部构件rh和第一屏蔽层mpl。第一下部构件cl可以设置在显示层dpl(参考图4a)下方。第二下部构件rh可以设置在第一下部构件cl下方。第一屏蔽层mpl可以设置在第一下部构件cl和第二下部构件rh之间。
204.第一下部构件cl可以被称作为保护构件或补偿构件，并且第二下部构件rh可以被称作为散热构件。
205.第一屏蔽层mpl可以通过第一粘合剂层al1附接到第一下部构件cl。第一屏蔽层mpl可以通过第二粘合剂层al2附接到第二下部构件rh。第一屏蔽层mpl可以包括涂覆有磁性金属粉末的基础层。可选地，第一屏蔽层mpl可以包括其中分散有磁性金属粉末的层。
206.第一下部构件cl可以包括设置在显示层dpl(参考图4a)下方的第一下部层cl1和设置在第一下部层cl1下方的第二下部层cl2。第一下部层cl1和第二下部层cl2可以彼此直接接触，或者粘合剂层可以设置在第一下部层cl1和第二下部层cl2之间。
207.第一下部层cl1可以是包括不平坦表面的压纹层。例如，第一下部层cl1可以包括有色层。第一下部层cl1可以吸收入射在第一下部层cl1上的光。
208.第二下部层cl2可以是缓冲层。第二下部层cl2可以包括诸如海绵、膨胀泡沫或尿烷树脂的弹性体。可选地，第二下部层cl2可以包括基于丙烯酸酯的聚合物、基于尿烷的聚合物、基于硅酮的聚合物和基于酰亚胺的聚合物中的至少一种，但是不限于此。
209.第二下部构件rh可以包括第三下部层rh1和附接到第三下部层rh1的底表面的第四下部层rh2。第三粘合剂层al3可以设置在第三下部层rh1和第四下部层rh2之间。
210.第三下部层rh1和第四下部层rh2可以具有高热导率。例如，第三下部层rh1可以包括石墨，并且第四下部层rh2可以包括铜或铜合金。
211.第一粘合剂层al1、第二粘合剂层al2和第三粘合剂层al3可以是压敏粘合剂层或光学透明粘合剂构件，但是不特别限于此。在本公开的实施方式中，第一粘合剂层al1、第二粘合剂层al2和第三粘合剂层al3可以具有大体相似的粘合力，或者可以具有不同的粘合力。例如，第一粘合剂层al1的粘合力可以大于第二粘合剂层al2和第三粘合剂层al3的粘合力。
212.第一屏蔽层mpl的位置不限于图12中所示的下部构件lma的示例。例如，第一屏蔽层mpl可以设置在第一下部层cl1的上表面或第四下部层rh2的下表面上，或者可以设置在第一下部层cl1的下表面和第二下部层cl2的上表面之间，或者设置在第三下部层rh1的下表面和第四下部层rh2的上表面之间。
213.图13是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
214.参考图13，下部构件lmb可以包括第一下部构件cl、第二下部构件rh、第一屏蔽层mpl和第二屏蔽层esl。
215.第二屏蔽层esl可以设置在第一屏蔽层mpl下方。第二屏蔽层esl可以与传感器层isl(参考图4b)间隔开，并且第一屏蔽层mpl设置在第二屏蔽层esl和传感器层isl之间。第二屏蔽层esl可以屏蔽来源于设置在第二屏蔽层esl下方的模块的电磁场或噪声。此外，第二屏蔽层esl可以防止穿过第一屏蔽层mpl的磁场(例如，磁场tb，参考图4a)转移到第二屏
蔽层esl下方的层。第二屏蔽层esl可以由铝、镁、镁合金、不锈钢、铜或铜合金形成，但是不特别限于此。
216.第二屏蔽层esl可以直接接触第一屏蔽层mpl。在这种情况下，可以不在第二屏蔽层esl和第一屏蔽层mpl之间设置单独的层(例如，粘合剂层)。
217.第一屏蔽层mpl和第二屏蔽层esl的位置不限于图13中所示的下部构件lmb的示例。例如，第一屏蔽层mpl和第二屏蔽层esl可以设置在第一下部层cl1的上表面或第四下部层rh2的下表面上，或者可以设置在第一下部层cl1的下表面和第二下部层cl2的上表面之间，或者设置在第三下部层rh1的下表面和第四下部层rh2的上表面之间。
218.图14是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
219.参考图14，下部构件lmc可以包括第一下部构件cl、第二下部构件rh、第一屏蔽层mpl和第二屏蔽层esl。第二屏蔽层esl可以与第一屏蔽层mpl间隔开。例如，下部构件lmc的其它层可以设置在第二屏蔽层esl和第一屏蔽层mpl之间。
220.在图14的示例中，第一屏蔽层mpl可以设置在第一下部构件cl和第二下部构件rh之间，并且第二屏蔽层esl可以通过第四粘合剂层al4附接到第二下部构件rh的下表面。第二粘合剂层al2、第二下部构件rh和第四粘合剂层al4可以设置在第一屏蔽层mpl和第二屏蔽层esl之间。在本公开的实施方式中，第二屏蔽层esl可以在没有第四粘合剂层al4的情况下直接设置在第四下部层rh2的下表面上。
221.图15是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
222.参考图15，下部构件lmd可以包括第一下部构件cla和第二下部构件rh。第一下部构件cla和第二下部构件rh可以通过第一粘合剂层al1彼此附接。
223.第一下部构件cla可以包括第一下部叠置层cl1a和第二下部层cl2。第一下部叠置层cl1a可以包括第一下部层cl1、第二屏蔽层esla和第一屏蔽层mpla。第二屏蔽层esla可以直接形成在第一下部层cl1上，并且第一屏蔽层mpla可以直接形成在第二屏蔽层esla上。在这种情况下，可以省略用于附接第一屏蔽层mpla和第二屏蔽层esla的粘合剂层。省略粘合剂层可以减小下部构件lmd的厚度并且改善下部构件lmd的灵活性。
224.在图15中，第一屏蔽层mpla和第二屏蔽层esla两者被示出为设置在第一下部层cl1的上表面上。然而，本公开不限于此。在实施方式中，第一屏蔽层mpla和第二屏蔽层esla可以依次设置在第一下部层cl1的下表面上。在另一实施方式中，第一屏蔽层mpla可以设置在第一下部层cl1的上表面上，并且第二屏蔽层esla可以设置在第一下部层cl1的下表面上。在又一实施方式中，可以省略第二屏蔽层esla。在这种情况下，第一屏蔽层mpla可以直接设置在第一下部层cl1的上表面或下表面上。
225.图16是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
226.参考图16，下部构件lme可以包括第一下部构件clb和第二下部构件rh。第一下部构件clb可以包括第一下部层cl1和第二下部叠置层cl2a。
227.第二下部叠置层cl2a可以包括第二下部层cl2、第二屏蔽层esla和第一屏蔽层mpla。第二屏蔽层esla可以直接形成在第二下部层cl2上，并且第一屏蔽层mpla可以直接形成在第二屏蔽层esla上。然而，第二下部叠置层cl2a的叠置结构不限于图16中所示的示例。在一个实施方式中，第一屏蔽层mpla可以设置在第二下部层cl2的上表面上，并且第二屏蔽层esla可以设置在第二下部层cl2的下表面上。在另一实施方式中，第一屏蔽层mpla和第二
屏蔽层esla可以依次设置在第二下部层cl2下方。在又一实施方式中，可以省略第二屏蔽层esla。
228.图17是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
229.参考图17，下部构件lmf可以包括第一下部构件cl和第二下部构件rha。第二下部构件rha可以包括第三下部叠置层rh1a和第四下部层rh2。
230.第三下部叠置层rh1a可以包括第三下部层rh1、直接设置在第三下部层rh1的上表面上的第二屏蔽层esla、以及直接设置在第二屏蔽层esla的上表面上的第一屏蔽层mpla。然而，第三下部叠置层rh1a的叠置结构不限于图17中所示的示例。在一个实施方式中，第一屏蔽层mpla可以设置在第三下部层rh1的上表面上，并且第二屏蔽层esla可以设置在第三下部层rh1的下表面上。在另一实施方式中，第一屏蔽层mpla和第二屏蔽层esla可以依次设置在第三下部层rh1下方。在又一实施方式中，可以省略第二屏蔽层esla。
231.图18是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
232.参考图18，下部构件lmg可以包括第一下部构件cl和第二下部构件rhb。第二下部构件rhb可以包括第三下部层rh1和第四下部叠置层rh2a。
233.第四下部叠置层rh2a可以包括第四下部层rh2、直接设置在第四下部层rh2的上表面上的第二屏蔽层esla、以及直接设置在第二屏蔽层esla的上表面上的第一屏蔽层mpla。然而，第三下部叠置层rh1a的叠置结构不限于图18中所示的示例。在一个实施方式中，第一屏蔽层mpla可以设置在第四下部层rh2的上表面上，并且第二屏蔽层esla可以设置在第四下部层rh2的下表面上。在另一实施方式中，第一屏蔽层mpla和第二屏蔽层esla可以依次设置在第四下部层rh2下方。在又一实施方式中，可以省略第二屏蔽层esla。
234.图19是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
235.参考图19，下部构件lmh可以包括第一下部构件clc和第二下部构件rhc。第一下部构件clc可以包括第一下部叠置层cl1b和第二下部层cl2。第二下部构件rhc可以包括第三下部叠置层rh1b和第四下部层rh2。
236.第一下部叠置层cl1b可以包括第一下部层cl1和直接设置在第一下部层cl1的上表面上的第一屏蔽层mpla。第三下部叠置层rh1b可以包括第三下部层rh1和直接设置在第三下部层rh1的上表面上的第二屏蔽层esla。第一屏蔽层mpla和第二屏蔽层esla可以形成在不同的层中。在第一屏蔽层mpla设置成比第二屏蔽层esla更靠近传感器层isl(参考图4c)的情况下，可以对第一屏蔽层mpla和第二屏蔽层esla的位置进行各种修改，而不限于图19中所示的示例。
237.图20是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
238.参考图20，下部构件lmi可以包括第一下部构件cl、第三下部层rh1和第一屏蔽层mplb，第一下部构件cl包括第一下部层cl1和第二下部层cl2。第一屏蔽层mplb可以通过第三粘合剂层al3附接到第三下部层rh1的底部。在这种情况下，可以省略上述第四下部层rh2(参考图13)。
239.第一屏蔽层mplb可以包括具有比包括在第四下部层rh2(参考图13)中的材料更高的电阻和更高的磁导率的材料。例如，第四下部层rh2(参考图13)可以包括铜，并且第一屏蔽层mplb可以包括具有比铜更高的电阻和更高的磁导率的材料。例如，第一屏蔽层mplb可以包括磁性铁片。第一屏蔽层mplb可以包括坡莫合金、基于铁碳的合金或非晶合金。
240.尽管未示出，但是第二屏蔽层esl或esla可以另外设置在第一屏蔽层mplb的下表面上。在这种情况下，第二屏蔽层esl或esla可以直接设置在第一屏蔽层mplb上，或者可以通过粘合剂层附接到第一屏蔽层mplb。
241.图21是示出了根据本公开的另一实施方式的下部构件的截面图。
242.参考图21，下部构件lmj包括第一屏蔽层mpla和第二屏蔽层esla，并且可以具有各种叠置结构。图21中所示的下部构件lmj可以具有包括与参考图12至图20描述的下部构件lma至lmi的结构不同的各种层的叠置结构。例如，下部构件lmj可以包括保护层ptl、第一屏蔽层mpla、第二屏蔽层esla、阻挡层brl、支承层mp、散热层rhl和缓冲层csl。
243.保护层ptl可以在显示面板dp(参考图2)的制造工艺期间防止显示面板dp(参考图2)的后表面上的划痕。保护层ptl可以包括有色聚酰亚胺层。例如，保护层ptl可以是但不限于不透明的黄色层。
244.阻挡层brl可以增加对可能由外部按压引起的压缩力的阻力。因此，阻挡层brl可以用于防止显示面板dp(参考图2)的变形。阻挡层brl可以包括诸如聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯的柔性塑料材料。此外，阻挡层brl可以吸收从外部入射的光。阻挡层brl可以包括遮光材料，或者可以包括具有低透光率的有色层。例如，阻挡层brl可以是黑色塑料层，例如，黑色聚酰亚胺膜。
245.支承层mp可以设置在阻挡层brl下方。支承层mp可以支承设置在支承层mp上的组件，并且可以将电子设备ed(参考图1a)维持在平坦或折叠状态。可以在支承层mp的与折叠区域fa(参考图1a)重叠的部分中限定开口。
246.散热层rhl可以附接到支承层mp的底部，并且缓冲层csl可以附接到散热层rhl的底部。
247.在本公开的实施方式中，第一屏蔽层mpla和第二屏蔽层esla可以设置在保护层ptl和阻挡层brl之间。然而，本公开不特别限于此。第一屏蔽层mpla和第二屏蔽层esla可以直接设置在包括在下部构件lmj中的层中的至少一个上。在第一屏蔽层mpla和第二屏蔽层esla被描述为直接设置在层上的情况下，这可以意指第一屏蔽层mpla和第二屏蔽层esla在没有粘合剂的情况下直接联接到所述层。在这种情况下，可以省略用于附接第一屏蔽层mpla和第二屏蔽层esla的粘合剂层。因此，可以减小下部构件lmj的厚度，并且可以改善下部构件lmj的灵活性。
248.随着电子设备ed(参考图1a和图1b)的感测区域增加，根据感测区域中的触摸位置的电阻差异可能增加。根据本公开的实施方式的电子设备ed可以包括第一屏蔽层mpl，所述第一屏蔽层mpl为从输入设备pn发射并传输通过传感器层isl的磁场提供磁性路径。在这种情况下，第一屏蔽层mpl可以减小或消除可能由残余磁场引起的涡电流而导致的相消干涉。即，添加到电子设备ed的第一屏蔽层mpl可以通过减小由输入设备pn提供的磁场的强度的衰减来补偿由于根据触摸位置的电阻差异而引起的信号衰减。因此，尽管由磁场输入引起的电流值在电阻最大的点处减小，但是电流值也可以等于或大于预定值。因此，可以改善传感器层isl的感测灵敏度。
249.虽然已经参考一些实施方式描述了本公开，但是对于本领域中的普通技术人员来书显而易见的是，在不脱离包括以下权利要求的本公开的精神和范围的情况下，可以对本公开进行各种改变和修改。