一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

显示器件的制作方法

2022-10-29 03:31:35 来源:中国专利 TAG:


1.本公开涉及一种器件;具体来说,本公开涉及一种显示器件。


背景技术:

2.对于通用显示器件(general display device),由于通用显示器件的每个像素可同时实行数据设定操作,因此通用显示器件存在峰值功耗(on-peak power consumption)的问题,具体来说,是在拍摄相机时出现红外(infrared,ir)下降及无光。此外,具有高像素每英寸(pixels per inch,ppi)面板的通用显示器件也存在电路面积过大的缺点。


技术实现要素:

3.本公开的显示器件包括发光单元、电流源、电压比较器及发射控制单元。电流源被配置成输出供应电流。电压比较器被配置成接收电压数据及斜坡信号。发射控制单元被配置成接收发射使能信号且耦合到发光单元、电流源及电压比较器。电压比较器根据电压数据及斜坡信号向发射控制单元输出比较信号。发射控制单元根据供应电流及比较信号向发光单元输出驱动电流。
4.本公开的显示器件包括像素阵列。像素阵列包括多个像素单元。所述多个像素单元被划分成多个像素群组。所述多个像素群组分别接收多个发射使能信号、多个电压数据及共用斜坡信号。所述多个像素群组分别根据所述多个发射使能信号、所述多个电压数据及所述共用斜坡信号而在多个发射周期期间被点亮且在多个数据设定周期期间进行设定。分别与所述多个像素群组对应的所述多个数据设定周期在时间上彼此不重叠。
5.基于以上内容,根据本公开的显示器件,显示器件可提供良好的显示效果。
6.为使上述内容更易于理解,以下将详细阐述附图所随附的若干实施例。
附图说明
7.包括附图以提供对本公开的进一步理解,且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出本公开的示例性实施例,且与说明一同用于阐释本公开的原理。
8.图1是根据本公开实施例的显示器件的示意图;
9.图2是根据本公开的图1所示实施例的信号的示意图;
10.图3是根据本公开另一实施例的显示器件的示意图;
11.图4是根据本公开的图3所示实施例的信号的示意图;
12.图5是根据本公开又一实施例的显示器件的示意图;
13.图6是根据本公开的图5所示实施例的信号的示意图;
14.图7是根据本公开另一实施例的电流源的示意图;
15.图8是根据本公开又一实施例的电流源的示意图;
16.图9a是根据本公开第一实施例的信号及调光操作(dimming operation)的示意图;
17.图9b是根据本公开第二实施例的信号及调光操作的示意图;
18.图9c是根据本公开第三实施例的信号及调光操作的示意图;
19.图9d是根据本公开第四实施例的信号及调光操作的示意图;
20.图10a是根据本公开第四实施例的信号及调光操作的示意图;
21.图10b是根据本公开第五实施例的信号及调光操作的示意图;
22.图10c是根据本公开第六实施例的信号及调光操作的示意图;
23.图11是根据本公开第七实施例的信号及调光操作的示意图;
24.图12是根据本公开第八实施例的信号及调光操作的示意图;
25.图13是根据本公开又一实施例的显示器件的示意图。
具体实施方式
26.现将详细参照本公开的示例性实施例,在附图中示出所述示例性实施例的实例。只要可能便在附图及说明中使用相同的参考编号指代相同或相似的组件。
27.在本公开的说明书及随附权利要求通篇中,使用某些用语指代特定组件。所属领域中的技术人员应理解,电子器件制造商可使用不同的名称来指代相同的组件。本文并不旨在对功能相同但名称不同的那些组件进行区分。在以下说明及权利请求中,例如“包括(comprise)”及“包含(include)”等词语是开放式用语且应被阐释为“包括但不限于
…”

28.在本技术的整个说明书(包括随附权利要求)通篇中使用的用语“耦合(coupling)(或连接(connection))”可指任何直接或间接的连接方式。举例来说,如果文本阐述第一器件耦合(或连接)到第二器件,则应被解释为第一器件可直接连接到第二器件,或者第一器件可通过其他器件或某些连接方式间接连接到第二器件。在本技术的整个说明书(包括随附权利要求)通篇中提到的用语“第一(first)”、“第二(second)”及相似用语仅用于对离散的元件进行命名或对不同的实施例或范围进行区分。因此,所述用语不应被视为限制元件数量的上限或下限且不应用于限制元件的布置次序。另外,只要可能,在附图及实施例中使用相同参考编号的元件/组件/步骤表示相同或相似的部件。在不同的实施例中,可使用相同的参考编号或使用相同的用语相互指代元件/组件/步骤的相关说明。
29.本公开的显示器件可为有源矩阵发光二极管(active matrix light emitting diode,am-led)显示器件,但本公开并不限于此。在本公开的一些实施例中,本公开的显示器件可例如适用于液晶、发光二极管、量子点(quantum dot,qd)、荧光、磷光体、其他合适的显示介质或前述材料的组合,但本公开并不限于此。发光二极管可包括例如有机发光二极管(organic light emitting diode,oled)、亚毫米发光二极管(sub-millimeter light emitting diode,迷你led)、微型发光二极管(micro light emitting diode,微型led)或量子点发光二极管(qled或qdled)或其他合适的材料。所述材料可任意布置及组合,但本公开并不限于此。本公开的显示器件可包括外围系统,例如驱动系统、控制系统、光源系统、搁板系统(shelf system)及类似系统,以支持发光器件。
30.应注意,在以下实施例中,在不背离本公开的精神的条件下,可对若干不同实施例的技术特征进行替换、重新组合及混合以完成其他实施例。只要每一实施例的特征不违反本公开的精神或彼此冲突,所述特征便可任意混合并一起使用。
31.图1是根据本公开实施例的显示器件的示意图。参照图1,显示器件100包括像素阵
列,且像素阵列包括多个像素单元,其中所述多个像素单元中的每一者可包括如图1中所示的电路架构。在本公开的实施例中,显示器件100包括电流源110、电压比较器120、发射控制单元130及发光单元140。电流源110耦合在操作电压vdd_leu与发射控制单元130之间。发射控制单元130进一步耦合到电压比较器120及发光单元140,且接收发射使能信号em。发光单元140耦合在发射控制单元130与电压vss_leu之间。电压vss_leu低于操作电压vdd_leu。在本公开的实施例中,电流源110被配置成向发射控制单元130输出供应电流si。电压比较器120被配置成接收电压数据vd及斜坡信号(ramp signal)ss。电压比较器120根据电压数据vd及斜坡信号ss向发射控制单元130输出比较信号cs,且发射控制单元130根据供应电流si、发射使能信号em及比较信号cs向发光单元140输出驱动电流di。在本公开的实施例中,发射使能信号em、电压数据vd及斜坡信号ss可通过数据线和/或扫描线从分别布置在显示器件100的平面外或布置在显示器件100的平面内的多个驱动电路提供。
32.图2是根据本公开的图1所示实施例的信号的示意图。参照图1及图2,电压比较器120可接收电压数据vd及斜坡信号ss。在时间t1处,斜坡信号ss的电压开始上升以形成斜坡波形。由于斜坡信号ss的电压低于电压数据vd的电压,因此电压比较器120输出具有高电压电平的比较信号cs。在从时间t1到时间t3的使能周期期间,发射控制单元130接收具有高电压电平的发射使能信号em。在时间t2之后,由于斜坡信号ss的电压高于电压数据vd的电压,因此电压比较器120输出具有低电压电平的比较信号cs。因此,在从时间t1到时间t2的发射周期ep期间,发射控制单元130输出驱动电流di以驱动发光单元140。
33.在本公开的实施例中,电压比较器120可进一步接收脉冲宽度调制(pulse-width modulation,pwm)扫描信号,且根据脉冲宽度调制扫描信号对电压数据vd实行电压编程。显示器件100可通过控制电压数据vd的电压电平来确定发射周期ep。如果电压数据vd的电压电平较高,则发射周期ep的时间长度较长。如果电压数据vd的电压电平较低,则发射周期ep的时间长度较短。驱动电流di的发射周期ep的时间长度是由电压数据vd及斜坡信号ss确定。换句话说,像素单元可通过电压数据vd调光,以确定像素单元的转向灯周期(turn light period)的时间长度。另外,在本公开的实施例中,斜坡信号ss是斜坡上升信号,但本公开并不限于此。在本公开的一个实施例中,斜坡信号ss可为斜坡下降信号。
34.图3是根据本公开另一实施例的显示器件的示意图。参照图3,显示器件300包括像素阵列,且像素阵列包括多个像素单元,其中所述多个像素单元中的每一者可包括如图3中所示的电路架构。在本公开的实施例中,显示器件300包括电流源310、电压比较器320、发射控制单元330及发光单元340。电流源310耦合在操作电压vdd_leu与发射控制单元330之间。发射控制单元330进一步耦合到电压比较器320及发光单元340,且接收发射使能信号em。发光单元340耦合在发射控制单元330与电压vss_leu之间。电压vss_leu低于操作电压vdd_leu。在本公开的实施例中,电流源330被配置成向发射控制单元330输出供应电流。电压比较器320被配置成通过数据线dl接收电压数据vd,且通过信号线rl接收斜坡信号ss。电压比较器320根据电压数据vd及斜坡信号ss向发射控制单元330输出比较信号,且发射控制单元330根据供应电流、发射使能信号em及比较信号cs向发光单元340输出驱动电流。在本公开的实施例中,发射使能信号em、电压数据vd及斜坡信号ss可从分别布置在显示器件300的平面外或布置在显示器件300的平面内的多个驱动电路提供。
35.在本公开的实施例中,电流源310包括晶体管311、晶体管312及电容器313。晶体管
311的第一端子耦合到数据线dl且接收电压数据vd,且晶体管311的控制端子接收脉冲振幅调制扫描信号spam。晶体管312的第一端子接收操作电压vdd_leu,晶体管312的控制端子耦合到晶体管311的第二端子,且晶体管312的第二端子耦合到发射控制单元330。电容器313的第一端子耦合到晶体管311的第二端子,且电容器313的第二端子耦合到晶体管312的第一端子。在本公开的实施例中,晶体管311及312是p型晶体管。在本公开的实施例中,电流源310接收用于对晶体管312的控制端子的电压进行电压编程的脉冲振幅调制扫描信号spam,从而对通过晶体管312的第二端子输出的供应电流的电流进行调制。
36.在本公开的实施例中,电压比较器320包括多个晶体管321、322及325、电容器323、以及反相器电路324。晶体管321的第一端子耦合到数据线dl且接收电压数据vd,且晶体管321的控制端子接收脉冲宽度调制扫描信号spwm。晶体管322的第一端子接收斜坡信号ss,晶体管322的控制端子接收发射使能信号em,且晶体管322的第二端子耦合到晶体管321的第二端子。电容器323的第一端子耦合到晶体管322的第二端子及晶体管321的第二端子。反相器电路324的输入端子耦合到电容器323的第二端子,且反相器电路324的输出端子耦合到发射控制单元330。晶体管325的第一端子耦合到反相器电路324的输入端子,晶体管325的控制端子接收脉冲宽度调制扫描信号spwm,且晶体管325的第二端子耦合到反相器电路324的输出端子。在本公开的实施例中,晶体管321、322及325是p型晶体管。电压比较器320根据脉冲宽度调制扫描信号spwm对电压数据vd实行电压编程,使得晶体管321的第二端子可输出脉冲宽度调制电压。
37.在本公开的实施例中,反相器电路324包括晶体管3241及晶体管3242。晶体管3241的第一端子接收操作电压vdd,晶体管3241的控制端子耦合到反相器电路324的输入端子,且晶体管3241的第二端子耦合到反相器电路324的输出端子。晶体管3242的第一端子接收电压vss,晶体管3242的控制端子耦合到反相器电路324的输入端子,且晶体管3242的第二端子耦合到反相器电路324的输出端子。电压vss低于操作电压vdd。在本公开的实施例中,晶体管3241是p型晶体管,且晶体管3242是n型晶体管。
38.在本公开的实施例中,发射控制单元330包括多个晶体管331到335。晶体管331的控制端子耦合到电压比较器320。晶体管332的第一端子耦合到操作电压vdd,晶体管332的控制端子接收发射使能信号em,且晶体管332的第二端子耦合到晶体管331的第一端子。晶体管333的第一端子耦合到晶体管331的第二端子,晶体管333的控制端子耦合到电压比较器320,且晶体管333的第二端子耦合到电压vss。电压vss低于操作电压vdd。晶体管334的第一端子耦合到晶体管331的第二端子,晶体管334的控制端子接收发射使能信号em,且晶体管334的第二端子耦合到电压vss。晶体管335的第一端子耦合到电流源310,晶体管335的控制端子耦合到晶体管331的第二端子,且晶体管335的第二端子耦合到发光单元340。在本公开的实施例中,晶体管321及322是p型晶体管,且晶体管323及324是n型晶体管。
39.图4是根据本公开的图3所示实施例的信号的示意图。参照图3及图4,在从时间t0到时间t1的周期期间,脉冲宽度调制扫描信号spwm的电压从高电压电平改变为低电压电平,从而接通晶体管321及325。数据线dl传输具有脉冲宽度调制数据的电压数据vd。在从时间t1到时间t2的周期期间,脉冲振幅调制扫描信号spam的电压从高电压电平改变为低电压电平,从而接通晶体管311。数据线dl传输具有脉冲振幅调制数据的电压数据vd。在从时间t0到时间t2的数据设定周期期间,发射使能信号em的电压从低电压电平改变为高电压电
平,从而关断晶体管322及332,且接通晶体管334。在从时间t2到时间t5的发射周期期间,发射使能信号em的电压从高电压电平改变为低电压电平,从而接通晶体管322及332,且关断晶体管334。
40.在第一斜坡信号类型401中,电压比较器320可接收斜坡信号ss。在从时间t0到时间t2的数据设定周期期间,斜坡信号ss具有高电压电平,节点电压n1从相对高的电压电平改变为阈值电压(vth)。在从时间t0到时间t2的数据设定周期期间,由于晶体管334接通,因此节点电压n2维持处于低电压电平。在时间t2处,斜坡信号ss(斜坡下降信号)开始下降,且节点电压n1及n2从阈值电压(vth)改变为相对高的电压电平,使得晶体管335接通以向发光单元340提供驱动电流。在时间t2处,发光单元340被点亮。在从时间t2到时间t5的发射周期期间,斜坡信号ss的电压下降,且节点电压n1同步下降。在时间t4之后,由于节点电压n1低于阈值电压,因此在电压反相之后,晶体管331关断且晶体管333接通。因此,节点电压n2从高电压电平改变为低电压电平,使得晶体管335关断且发光单元340也关断。其中,显示器件300可对发光单元340实行有效的调光功能。应注意,首先在接通周期(点亮周期)p1期间点亮发光单元340(所有发光单元均被点亮),且然后在关断周期(调光周期)p2期间关断发光单元340以实行数据设定(所有发光单元被依序或同时关断)。
41.在第二斜坡信号类型402中,电压比较器320可接收斜坡信号ss’。在从时间t0到时间t2的数据设定周期期间,斜坡信号ss’具有低电压电平,且节点电压n1从相对低的电压电平改变为阈值电压(vth)。在从时间t0到时间t2的数据设定周期期间,由于晶体管334接通,因此节点电压n2维持处于低电压电平。在时间t2处,斜坡信号ss’(斜坡上升信号)开始上升,且节点电压n1从阈值电压(vth)改变为相对低的电压电平,使得晶体管335关断且发光单元340也关断。在从时间t2到时间t3的周期期间,斜坡信号ss’的电压上升,且节点电压n1同步上升。在时间t3之后,由于节点电压n1高于阈值电压,因此在电压反相之后,节点电压n2从低电压电平改变为高电压电平,使得晶体管331接通且晶体管333关断。因此,晶体管335接通且发光单元340点亮。其中,显示器件300可对发光单元340实行有效的调光功能。应注意,首先在关断周期(调光周期)p2’期间关断发光单元340以实行数据设定(所有发光单元均被关断),且然后在接通周期(点亮周期)p1’期间点亮发光单元340(所有发光单元被依序或同时点亮)。
42.图5是根据本公开又一实施例的显示器件的示意图。参照图5,显示器件500包括像素阵列,且像素阵列包括多个像素单元,其中所述多个像素单元中的每一者可包括如图5中所示的电路架构。在本公开的实施例中,显示器件500包括电流源510、电压比较器520、发射控制单元530及发光单元540。电流源510耦合在操作电压vdd_leu与发射控制单元530之间。发射控制单元530进一步耦合到电压比较器520及发光单元540,且接收发射使能信号em。发光单元540耦合在发射控制单元530与电压vss_leu之间。电压vss_leu低于操作电压vdd_leu。在本公开的实施例中,电流源530被配置成向发射控制单元530输出供应电流。电压比较器520被配置成通过数据线dl接收电压数据vd,且通过信号线rl接收斜坡信号ss。电压比较器520根据电压数据vd及斜坡信号ss向发射控制单元530输出比较信号cs,且发射控制单元530根据供应电流、发射使能信号em及比较信号cs向发光单元540输出驱动电流。在本公开的实施例中,发射使能信号em、电压数据vd及斜坡信号ss可从分别布置在显示器件500的平面外或布置在显示器件500的平面内的多个驱动电路提供。
43.在本公开的实施例中,电流源510包括晶体管511、晶体管512及电容器513。晶体管511的第一端子耦合到数据线dl且接收电压数据vd,且晶体管511的控制端子接收脉冲振幅调制扫描信号spam。晶体管512的第一端子接收操作电压vdd_leu,晶体管512的控制端子耦合到晶体管511的第二端子,且晶体管512的第二端子耦合到发射控制单元530。电容器513的第一端子耦合到晶体管511的第一端子,且电容器513的第二端子耦合到晶体管512的第二端子。在本公开的实施例中,晶体管511及512是p型晶体管。在本公开的实施例中,电流源510接收用于对晶体管512的控制端子的电压进行电压编程的脉冲振幅调制扫描信号spam,从而对通过晶体管512的第二端子输出的供应电流的电流进行调制。
44.在本公开的实施例中,电压比较器520包括多个晶体管521、522及525、电容器523、反相器电路524、以及晶体管525。晶体管521的第一端子耦合到数据线dl且接收电压数据vd,且晶体管521的控制端子接收脉冲宽度调制扫描信号spwm。晶体管522的第一端子接收斜坡信号ss,晶体管522的控制端子接收发射使能信号em,且晶体管522的第二端子耦合到晶体管521的第二端子。电容器523的第一端子耦合到晶体管522的第二端子及晶体管521的第二端子。反相器电路524的输入端子耦合到电容器523的第二端子,且反相器电路524的输出端子耦合到反相器电路526。晶体管525的第一端子耦合到反相器电路524的输入端子,晶体管525的控制端子接收脉冲宽度调制扫描信号spwm,且晶体管525的第二端子耦合到反相器电路524的输出端子。反相器电路526的输入端子耦合到反相器电路524的输出端子,且反相器电路526的输出端子耦合到发射控制单元530。在本公开的实施例中,晶体管521、522及525是p型晶体管。电压比较器520根据脉冲宽度调制扫描信号spwm对电压数据vd实行电压编程,使得晶体管521的第二端子可输出脉冲宽度调制电压。
45.在本公开的实施例中,反相器电路524包括晶体管5241及晶体管5242。晶体管5241的第一端子接收操作电压vdd,晶体管5241的控制端子耦合到反相器电路524的输入端子,且晶体管5241的第二端子耦合到反相器电路524的输出端子。晶体管5242的第一端子接收电压vss,晶体管5242的控制端子耦合到反相器电路524的输入端子,且晶体管5242的第二端子耦合到反相器电路524的输出端子。电压vss低于操作电压vdd。在本公开的实施例中,晶体管5241是p型晶体管,且晶体管5242是n型晶体管。
46.在本公开的实施例中,反相器电路526包括晶体管5261及晶体管5262。晶体管5261的第一端子接收操作电压vdd,晶体管5261的控制端子耦合到反相器电路526的输入端子,且晶体管5261的第二端子耦合到反相器电路526的输出端子。晶体管5262的第一端子接收电压vss,晶体管5262的控制端子耦合到反相器电路526的输入端子,且晶体管5262的第二端子耦合到反相器电路526的输出端子。在本公开的实施例中,晶体管5261是p型晶体管,且晶体管5262是n型晶体管。
47.在本公开的实施例中,发射控制单元530包括多个晶体管531到535。晶体管531的控制端子耦合到电压比较器520。晶体管532的第一端子耦合到操作电压vdd,晶体管532的控制端子接收发射使能信号em,且晶体管532的第二端子耦合到晶体管531的第一端子。晶体管533的第一端子耦合到晶体管531的第二端子,晶体管533的控制端子耦合到电压比较器520,且晶体管533的第二端子耦合到电压vss。晶体管534的第一端子耦合到晶体管531的第二端子,晶体管534的控制端子接收发射使能信号em,且晶体管534的第二端子耦合到电压vss。晶体管535的第一端子耦合到电流源510,晶体管535的控制端子耦合到晶体管531的
第二端子,且晶体管535的第二端子耦合到发光单元540。在本公开的实施例中,晶体管521及522是p型晶体管,且晶体管523及524是n型晶体管。
48.图6是根据本公开的图5所示实施例的信号的示意图。参照图5及图6,在从时间t0到时间t1的周期期间,脉冲宽度调制扫描信号spwm的电压从高电压电平改变为低电压电平,从而接通晶体管521及525。数据线dl传输具有脉冲宽度调制数据的电压数据vd。在从时间t1到时间t2的周期期间,脉冲振幅调制扫描信号spam的电压从高电压电平改变为低电压电平,从而接通晶体管511。数据线dl传输具有脉冲振幅调制数据的电压数据vd。在从时间t0到时间t2的数据设定周期期间,发射使能信号em的电压从低电压电平改变为高电压电平,从而关断晶体管522及532,且接通晶体管534。在从时间t2到时间t5的发射周期期间,发射使能信号em的电压从高电压电平改变为低电压电平,从而接通晶体管522及532,且关断晶体管534。
49.在第一信号类型601中,电压比较器520可接收斜坡信号ss’。在从时间t0到时间t2的数据设定周期期间,斜坡信号ss’具有高电压电平,节点电压n1从相对低的电压电平改变为阈值电压(vth)。在从时间t0到时间t2的数据设定周期期间,由于晶体管534接通,因此节点电压n2维持处于低电压电平。在时间t2处,斜坡信号ss’(斜坡上升信号)开始上升,节点电压n1从阈值电压(vth)改变为相对低的电压电平,且节点电压n2从低电压电平改变为高电压电平,使得晶体管535接通以向发光单元540提供驱动电流。在时间t2处,发光单元540被点亮。在从时间t2到时间t5的发射周期期间,斜坡信号ss’的电压上升,且节点电压n1同步上升。在时间t4之后,由于节点电压n1高于阈值电压,因此晶体管531关断且晶体管533接通。因此,节点电压n2从高电压电平改变为低电压电平,使得晶体管535关断且发光单元540也关断。其中,显示器件500可对发光单元540实行有效的调光功能。应注意,首先在从时间t2到时间t4的接通周期(点亮周期)p1期间点亮发光单元540(所有发光单元均被点亮),且然后在从时间t4到时间t5的关断周期(调光周期)p2期间关断发光单元540以实行数据设定(所有发光单元被依序或同时关断)。接通周期p1与关断周期p2的时间长度之和的总时间长度等于发射周期(时间t2到时间t5)。
50.在第一信号类型602中,电压比较器520可接收斜坡信号ss。在从时间t0到时间t2的数据设定周期期间,斜坡信号ss具有高电压电平,节点电压n1从相对高的电压电平改变为阈值电压(vth)。在从时间t0到时间t2的数据设定周期期间,由于晶体管534接通,因此节点电压n2维持处于低电压电平。在时间t2处,斜坡信号ss(斜坡下降信号)开始下降,且节点电压n1从阈值电压(vth)改变为相对高的电压电平。节点电压n2维持处于低电压电平,使得晶体管535关断且发光单元540也关断。在从时间t2到时间t3的关断周期(调光周期)p2’期间,斜坡信号ss的电压下降,且节点电压n1同步下降。在时间t3之后,由于节点电压n1低于阈值电压,节点电压n2从低电压电平改变为高电压电平,因此在电压反相之后,晶体管531接通且晶体管533关断。因此,晶体管535接通且发光单元540点亮。其中,显示器件500可对发光单元540实行有效的调光功能。应注意,首先在关断周期(调光周期)p2’期间关断发光单元540以实行数据设定(所有发光单元均被关断),且然后在从时间t3到时间t5的接通周期(点亮周期)p1’期间点亮发光单元350(所有发光单元被依序或同时点亮)。接通周期p1’与关断周期p2’的时间长度之和的总时间长度等于发射周期(时间t2到时间t5)。
51.图7是根据本公开的另一实施例的电流源的示意图。参照图7,图3及图5所示上述
实施例的电流源310及电流源510可由具有阈值电压补偿功能的电流源710代替。在本公开的实施例中,电流源710包括多个晶体管711到713、715及716、以及电容器714。晶体管711的第一端子耦合到数据线且接收电压数据,且晶体管711的控制端子接收脉冲振幅调制扫描信号spam。晶体管712的第一端子接收操作电压,晶体管712的控制端子接收发射使能信号em,且晶体管712的第二端子耦合到晶体管711的第二端子。晶体管713的第一端子耦合到晶体管712的第二端子,且晶体管713的第二端子耦合到发射控制单元。电容器714的第一端子耦合到晶体管712的第一端子,且电容器714的第二端子耦合到晶体管713的控制端子。晶体管715的第一端子耦合到晶体管713的第二端子,晶体管715的控制端子接收脉冲振幅调制扫描信号,且晶体管715的第二端子耦合到晶体管713的控制端子。晶体管716的第一端子耦合到晶体管715的第二端子,晶体管716的控制端子接收脉冲宽度调制扫描信号spwm,且晶体管716的第二端子耦合到复位电压vrst。
52.图8是根据本公开又一实施例的电流源的示意图。参照图8,图3及图5所示上述实施例的电流源310及电流源510可由具有阈值电压补偿功能的电流源810代替。在本公开的实施例中,电流源810包括多个晶体管811到813、及816到818、电容器814、以及电容器815。晶体管811的第一端子耦合到数据线且接收电压数据,且晶体管811的控制端子接收脉冲振幅调制扫描信号spam。晶体管812的第一端子耦合到晶体管811的第二端子,晶体管812的控制端子接收发射使能信号em,且晶体管812的第二端子耦合到参考电压vref。晶体管813的第一端子耦合到晶体管811的第二端子,晶体管813的控制端子接收脉冲宽度调制扫描信号spwm,且晶体管813的第二端子耦合到参考电压vref。电容器814的第一端子耦合到晶体管811的第二端子。电容器815的第一端子耦合到电容器814的第二端子,且电容器815的第二端子接收操作电压。晶体管816的第一端子耦合到电容器815的第二端子及操作电压,晶体管816的控制端子耦合到电容器815的第一端子。晶体管817的第一端子耦合到电容器815的第一端子,晶体管817的控制端子接收脉冲振幅调制扫描信号spam,且晶体管817的第二端子耦合到晶体管816的第二端子。晶体管818的第一端子耦合到电容器815的第一端子,晶体管818的控制端子接收脉冲宽度调制扫描信号spwm,且晶体管818的第二端子耦合到复位电压vrst。
53.图9a是根据本公开第一实施例的信号及调光操作的示意图。参照图9a,实施例的显示器件包括像素阵列。像素阵列包括多个像素单元,且所述多个像素单元分别作为图4所示上述实施例的第一斜坡信号类型401来操作。可通过参照图3所示实施例的像素电路来实现实施例的显示器件的所述多个像素单元。将所述多个像素单元划分成用于接收不同的发射使能信号的多个像素群组,且所述多个像素群组接收共用斜坡信号ss。在本公开的实施例中,将所述多个像素单元划分成两个像素群组g1及g2。像素群组g1及g2可分别接收发射使能信号em1及em2,且接收共用斜坡信号ss。共用斜坡信号ss包括多个子斜坡下降信号。在从时间t0到时间t1的周期期间,对应于具有高电压电平的发射使能信号em1(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期)及具有低电压电平的发射使能信号em2(对应于上述实施例中阐述的使能周期),像素群组g1可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),且像素群组g2可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮)。同时点亮像素群组g2的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g2的所有发光单元。在从时间t1到时间t2的周期期间,对应于具有低电压电平的发射使能信号em1(对应于
上述实施例中阐述的使能周期)及具有高电压电平的发射使能信号em2(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期),像素群组g1可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),且像素群组g2可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断)。同时点亮像素群组g1的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g1的所有发光单元。
54.应注意,分别与共用斜坡信号ss的子斜坡下降信号对应的所述多个斜坡周期分别和发射使能信号em1及em2的数据设定周期及发射周期重叠。实施例的显示器件的一个垂直扫描周期vsp包括一个数据设定周期及一个发射周期。像素群组g1及g2是在不同的发射周期期间被点亮,而且是分别根据发射使能信号em1及em2在不同的数据设定周期期间进行设定。分别与像素群组g1及g2对应的不同的数据设定周期在时间上彼此不重叠。此外,与发射使能信号em1及em2中的一者对应的数据设定周期和与发射使能信号em1及em2中的另一者对应的发射周期重叠。因此,实施例的显示器件可有效地降低峰值功耗,具体来说,如果所有像素单元均在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),则可避免ir下降及无光的发生。
55.图9b是根据本公开第二实施例的信号及调光操作的示意图。参照图9b,实施例的显示器件包括像素阵列。像素阵列包括多个像素单元,且所述多个像素单元分别作为图6所示上述实施例的第二斜坡信号类型602来操作。可通过参照图5所示实施例的像素电路来实现实施例的显示器件的所述多个像素单元。将所述多个像素单元划分成用于接收不同的发射使能信号的多个像素群组,且所述多个像素群组接收共用斜坡信号ss。在本公开的实施例中,类似于图9a所示上述实施例,将所述多个像素单元划分成两个像素群组g1及g2。像素群组g1及g2可分别接收发射使能信号em1及em2,且接收共用斜坡信号ss。共用斜坡信号ss包括多个子斜坡下降信号。
56.与图9a所示上述实施例不同,在从时间t0到时间t1的周期期间,首先关断像素群组g2的所有发光单元,且然后在不同或相同的数据设定周期之后,依序或同时点亮像素群组g2的所有发光单元。在从时间t1到时间t2的周期期间,首先关断像素群组g1的所有发光单元,且然后在不同或相同的数据设定周期之后,依序或同时点亮像素群组g1的所有发光单元。因此,实施例的显示器件可有效地降低峰值功耗,具体来说,如果所有像素单元均在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),则可避免ir下降及无光的发生。
57.图9c是根据本公开第三实施例的信号及调光操作的示意图。参照图9c,实施例的显示器件包括像素阵列。像素阵列包括多个像素单元,且所述多个像素单元分别作为图4所示上述实施例的第二斜坡信号类型402来操作。可通过参照图3所示实施例的像素电路来实现实施例的显示器件的所述多个像素单元。将所述多个像素单元划分成用于接收不同的发射使能信号的多个像素群组,且所述多个像素群组接收共用斜坡信号ss’。在本公开的实施例中,类似于图9b所示上述实施例,将所述多个像素单元划分成两个像素群组g1及g2。像素群组g1及g2可分别接收发射使能信号em1及em2。与图9b所示上述实施例不同,像素群组g1及g2可分别接收共用斜坡信号ss’。共用斜坡信号ss’包括多个子斜坡上升信号。
58.在从时间t0到时间t1的周期期间,首先关断像素群组g2的所有发光单元,且然后在不同或相同的数据设定周期之后,依序或同时点亮像素群组g2的所有发光单元。在从时间t1到时间t2的周期期间,首先关断像素群组g1的所有发光单元,且然后在不同或相同的
数据设定周期之后,依序或同时点亮像素群组g1的所有发光单元。
59.类似于图9b所示上述实施例,在从时间t0到时间t1的周期期间,首先关断像素群组g2的所有发光单元,且然后在不同或相同的数据设定周期之后,依序或同时点亮像素群组g2的所有发光单元。在从时间t1到时间t2的周期期间,同时点亮像素群组g1的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g1的所有发光单元。因此,实施例的显示器件可有效地降低峰值功耗,具体来说,如果所有像素单元均在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),则可避免ir下降及无光的发生。
60.图9d是根据本公开第四实施例的信号及调光操作的示意图。参照图9d,实施例的显示器件包括像素阵列。像素阵列包括多个像素单元,且所述多个像素单元分别作为图6所示上述实施例的第一斜坡信号类型601来操作。可通过参照图5所示实施例的像素电路来实现实施例的显示器件的所述多个像素单元。将所述多个像素单元划分成用于接收不同的发射使能信号的多个像素群组,且所述多个像素群组接收共用斜坡信号ss’。在本公开的实施例中,类似于图9a所示上述实施例,将所述多个像素单元划分成两个像素群组g1及g2。像素群组g1及g2可分别接收发射使能信号em1及em2。与图9a所示上述实施例不同,像素群组g1及g2可分别接收共用斜坡信号ss’。共用斜坡信号ss’包括多个子斜坡上升信号。
61.类似于图9a所示上述实施例,在从时间t0到时间t1的周期期间,同时点亮像素群组g2的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g2的所有发光单元。在从时间t1到时间t2的周期期间,同时点亮像素群组g1的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g1的所有发光单元。因此,实施例的显示器件可有效地降低峰值功耗,具体来说,如果所有像素单元均在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),则可避免ir下降及无光的发生。
62.图10a是根据本公开第四实施例的信号及调光操作的示意图。参照图10a,实施例的显示器件包括像素阵列。像素阵列包括多个像素单元,且所述多个像素单元分别作为图6所示上述实施例的第一斜坡信号类型601来操作。可通过参照图5所示实施例的像素电路来实现实施例的显示器件的所述多个像素单元。将所述多个像素单元划分成用于接收不同的发射使能信号的多个像素群组,且所述多个像素群组接收共用斜坡信号ss’。在本公开的实施例中,将所述多个像素单元划分成四个像素群组g1到g4。像素群组g1到g4可分别接收发射使能信号em1到em4,且接收共用斜坡信号ss’。共用斜坡信号ss’包括多个子斜坡上升信号。在从时间t0到时间t1的周期期间,对应于具有高电压电平的发射使能信号em1(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期)及具有低电压电平的发射使能信号em2到em4(对应于上述实施例中阐述的使能周期),像素群组g1可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),且像素群组g2到g4可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮)。同时点亮像素群组g2到g4的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g2到g4的所有发光单元。在从时间t1到时间t2的周期期间,对应于具有高电压电平的发射使能信号em2(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期)及具有低电压电平的发射使能信号em1、em3及em4(对应于上述实施例中阐述的使能周期),像素群组g2可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),且像素群组g1、g3及g4可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮)。同时点亮像素群组g2的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g2的所有发光单元。在从时间t2到时间t3的周期期
间,对应于具有高电压电平的发射使能信号em3(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期)及具有低电压电平的发射使能信号em1、em2及em4(对应于上述实施例中阐述的使能周期),像素群组g3可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),且像素群组g1、g2及g4可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮)。同时点亮像素群组g3的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g3的所有发光单元。在从时间t3到时间t4的周期期间,对应于具有高电压电平的发射使能信号em4(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期)及具有低电压电平的发射使能信号em1到em3(对应于上述实施例中阐述的使能周期),像素群组g4可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),且像素群组g1到g3可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮)。同时点亮像素群组g4的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g4的所有发光单元。
63.应注意,分别与共用斜坡信号ss’的子斜坡上升信号对应的所述多个斜坡周期分别和发射使能信号em1到em4的数据设定周期及发射周期重叠。实施例的显示器件的一个垂直扫描周期vsp包括一个数据设定周期及三个发射周期。像素群组g1到g4是在不同的发射周期期间被点亮,而且是分别根据发射使能信号em1到em4在不同的数据设定周期期间进行设定。分别与像素群组g1到g4对应的不同的数据设定周期在时间上彼此不重叠。此外,与发射使能信号em1到em4中的一者对应的数据设定周期和与发射使能信号em1及em2中的另三者对应的发射周期重叠。因此,实施例的显示器件可有效地降低峰值功耗,具体来说,如果所有像素单元均在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),则可避免ir下降及无光的发生。
64.图10b是根据本公开第五实施例的信号及调光操作的示意图。参照图10b,在本公开的实施例中,将所述多个像素单元划分成四个像素群组g1到g4。像素群组g1到g4可分别接收发射使能信号em1到em4,且接收共用斜坡信号ss’。共用斜坡信号ss’包括多个子斜坡上升信号。与图10a所示实施例不同,在从时间t0到时间t1的周期期间,对应于具有高电压电平的发射使能信号em1到em3(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期)及具有低电压电平的发射使能信号em4(对应于上述实施例中阐述的使能周期),像素群组g1可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),且像素群组g4可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),其中像素群组g2及g3不接收例如如上述实施例中阐述的脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号。像素群组g2及g3可在闲置模式下进行操作(无操作状态)。换句话说,即使像素群组g2及g3接收具有高电压电平的发射使能信号em2及em3,如果没有脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号,则像素群组g2及g3在闲置模式下进行操作。同时点亮像素群组g4的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g4的所有发光单元。在从时间t1到时间t2的周期期间,对应于具有高电压电平的发射使能信号em2到em4(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期)及具有低电压电平的发射使能信号em1(对应于上述实施例中阐述的使能周期),像素群组g2可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),且像素群组g1可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),其中像素群组g3及g4例如不接收如上述实施例中阐述的脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号。像素群组g3及g4可在闲置模式下进行操作(无操作状态)。换句话说,即使像素群组g3及g4接收具有高电压电平的发射使能信
号em3及em4,如果没有脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号,则像素群组g3及g4在闲置模式下进行操作。同时点亮像素群组g1的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g1的所有发光单元。在从时间t2到时间t3的周期期间,对应于具有高电压电平的发射使能信号em1、em3及em4(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期)及具有低电压电平的发射使能信号em2(对应于上述实施例中阐述的使能周期),像素群组g3可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),且像素群组g2可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),其中像素群组g1及g4不接收例如如上述实施例中阐述的脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号。像素群组g1及g4可在闲置模式下进行操作(无操作状态)。换句话说,即使像素群组g1及g4接收具有高电压电平的发射使能信号em1及em4,如果没有脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号,则像素群组g1及g4在闲置模式下进行操作。同时点亮像素群组g2的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g2的所有发光单元。在从时间t3到时间t4的周期期间,对应于具有高电压电平的发射使能信号em1、em2及em4(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期)及具有低电压电平的发射使能信号em3(对应于上述实施例中阐述的使能周期),像素群组g4可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),且像素群组g3可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),其中像素群组g1及g2不接收例如如上述实施例中阐述的脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号。像素群组g1及g2可在闲置模式下进行操作(无操作状态)。换句话说,即使像素群组g1及g2接收具有高电压电平的发射使能信号em1及em2,如果没有脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号,则像素群组g1及g2在闲置模式下进行操作。同时点亮像素群组g3的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g3的所有发光单元。因此,实施例的显示器件可通过控制发射使能信号em1到em4来实现时间及空间上的1/4占空比(duty ratio),从而更有效地降低峰值功耗,具体来说,如果所有像素单元均在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),则可避免ir下降及无光的发生。
65.图10c是根据本公开第六实施例的信号及调光操作的示意图。参照图10c,在本公开的实施例中,将所述多个像素单元划分成四个像素群组g1到g4。像素群组g1到g4可分别接收发射使能信号em1到em4,且接收共用斜坡信号ss’。共用斜坡信号ss’包括多个子斜坡上升信号。与图10a所示实施例不同,在从时间t0到时间t1的周期期间,对应于具有高电压电平的发射使能信号em1及em3(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期)及具有低电压电平的发射使能信号em2及em4(对应于上述实施例中阐述的使能周期),像素群组g1可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),且像素群组g2及g4可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),其中像素群组g3不接收例如如上述实施例中阐述的脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号。像素群组g3可在闲置模式下进行操作(无操作状态)。换句话说,即使像素群组g3接收具有高电压电平的发射使能信号em3,如果没有脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号,则像素群组g3在闲置模式下进行操作。同时点亮像素群组g2及g4的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g2及g4的所有发光单元。在从时间t1到时间t2的周期期间,对应于具有高电压电平的发射使能信号em2及em4(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期)及具有低电压电平的发射使能信号em1及em3(对应于上述实施例中阐述的使能周期),像素群组g2可
在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),且像素群组g1及g3可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),其中像素群组g4不接收例如如上述实施例中阐述的脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号。像素群组g4可在闲置模式下进行操作(无操作状态)。换句话说,即使像素群组g4接收具有高电压电平的发射使能信号em4,如果没有脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号,则像素群组g4在闲置模式下进行操作。同时点亮像素群组g1及g3的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g1及g3的所有发光单元。在从时间t2到时间t3的周期期间,对应于具有高电压电平的发射使能信号em1及em3(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期)及具有低电压电平的发射使能信号em2及em4(对应于上述实施例中阐述的使能周期),像素群组g3可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),且像素群组g2及g4可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),其中像素群组g1不接收例如如上述实施例中阐述的脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号。像素群组g1可在闲置模式下进行操作(无操作状态)。换句话说,即使像素群组g1接收具有高电压电平的发射使能信号em1,如果没有脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号,则像素群组g1在闲置模式下进行操作。同时点亮像素群组g2及g4的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g2及g4的所有发光单元。在从时间t3到时间t4的周期期间,对应于具有高电压电平的发射使能信号em2及em4(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期)及具有低电压电平的发射使能信号em1及em3(对应于上述实施例中阐述的使能周期),像素群组g4可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),且像素群组g1及g3可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),其中像素群组g2不接收例如如上述实施例中阐述的脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号。像素群组g2可在闲置模式下进行操作(无操作状态)。换句话说,即使像素群组g2接收具有高电压电平的发射使能信号em3,如果没有脉冲振幅调制扫描信号和/或脉冲宽度调制扫描信号,则像素群组g2在闲置模式下进行操作。同时点亮像素群组g1及g3的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断像素群组g1及g3的所有发光单元。因此,实施例的显示器件可通过控制发射使能信号em1到em4来实现时间及空间上的1/2占空比,从而更有效地降低峰值功耗,具体来说,如果所有像素单元均在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),则可避免ir下降及无光的发生。
66.图11是根据本公开第七实施例的信号及调光操作的示意图。参照图11,实施例的显示器件包括像素阵列。像素阵列包括多个像素单元,且所述多个像素单元分别作为图6所示上述实施例的第一斜坡信号类型601来操作。可通过参照图5所示实施例的像素电路来实现实施例的显示器件的所述多个像素单元。将所述多个像素单元划分成用于接收不同的发射使能信号的多个像素群组,且所述多个像素群组接收共用斜坡信号ss’。在本公开的实施例中,将所述多个像素单元划分成四个像素群组。应注意,像素单元的所述四个像素群组分别对应于像素阵列的不同的行,且像素阵列的与像素单元的不同的像素群组对应的不同的行交替且依序布置。如图11中所示,第一像素群组包括像素阵列的行(4(n-1) 1)、像素阵列的行(4n 1)、像素阵列的行(4(n 1) 1)、像素阵列的行(4(n 2) 1)等,其中n可等于2或大于2。第二像素群组包括像素阵列的行(4(n-1) 2)、像素阵列的行(4n 2)、像素阵列的行(4(n 1) 2)等。第三像素群组包括像素阵列的行(4(n-1) 3)、像素阵列的行(4n 3)、像素阵列的
行(4(n 1) 3)等。第四像素群组包括像素阵列的行(4(n-2) 4)、像素阵列的行(4(n-1) 4)、像素阵列的行(4n 4)、像素阵列的行(4(n 1) 4)等。
67.所述四个像素群组可分别接收发射使能信号em1到em4,且接收共用斜坡信号ss’。共用斜坡信号ss’包括多个子斜坡上升信号。在从时间t1到时间t2的周期期间,对应于具有低电压电平的发射使能信号em4(对应于上述实施例中阐述的使能周期)及具有高电压电平的发射使能信号em1到em3(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期),第四像素群组可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),且第一像素群组可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),其中第二像素群组及第三像素群组可在闲置模式下进行操作。同时点亮第四像素群组的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断第四像素群组的所有发光单元。在从时间t2到时间t3的周期期间,对应于具有低电压电平的发射使能信号em1(对应于上述实施例中阐述的使能周期)及具有高电压电平的发射使能信号em2到em4(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期),第一像素群组可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),且第二像素群组可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),其中第三像素群组及第四像素群组可在闲置模式下进行操作。同时点亮第一像素群组的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断第一像素群组的所有发光单元。在从时间t3到时间t4的周期期间,对应于具有低电压电平的发射使能信号em2(对应于上述实施例中阐述的使能周期)及具有高电压电平的发射使能信号em1、em3及em4(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期),第二像素群组可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),且第三像素群组可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),其中第一像素群组及第四像素群组可在闲置模式下进行操作。同时点亮第二像素群组的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断第二像素群组的所有发光单元。在从时间t4到时间t5的周期期间,对应于具有低电压电平的发射使能信号em3(对应于上述实施例中阐述的使能周期)及具有高电压电平的发射使能信号em1、em2及em4(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期),第三像素群组可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),且第四像素群组可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),其中第一像素群组及第二像素群组可在闲置模式下进行操作。同时点亮第三像素群组的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断第三像素群组的所有发光单元。在显示器件的一个垂直扫描周期vsp期间,像素阵列的每一行在一个发射周期期间实行一个发射操作,且在一个数据设定周期期间实行一个数据设定操作。因此,实施例的显示器件可通过基于本实施例的交错发射方式控制发射使能信号em1到em4来实现时间及空间上的1/4占空比,从而更有效地降低峰值功耗,具体来说,如果所有像素单元均在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),则可避免ir下降及无光的发生。
68.图12是根据本公开第八实施例的信号及调光操作的示意图。参照图12,实施例的显示器件包括像素阵列。像素阵列包括多个像素单元,且所述多个像素单元分别作为图6所示上述实施例的第一斜坡信号类型601来操作。可通过参照图5所示实施例的像素电路来实现实施例的显示器件的所述多个像素单元。将所述多个像素单元划分成用于接收不同的发射使能信号的多个像素群组,且所述多个像素群组接收共用斜坡信号ss’。在本公开的实施例中,将所述多个像素单元划分成四个像素群组。应注意,像素单元的所述四个像素群组分
别对应于像素阵列的不同的行,且像素阵列的与像素单元的不同的像素群组对应的所述不同的行交替但非依序布置。
69.在本公开的实施例中,所述四个像素群组可分别接收发射使能信号em1到em4,且接收共用斜坡信号ss’。共用斜坡信号ss’包括多个子斜坡上升信号。与图11所示实施例不同,在从时间t1到时间t2的周期期间,对应于具有低电压电平的发射使能信号em4(对应于上述实施例中阐述的使能周期)及具有高电压电平的发射使能信号em1到em3(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期),第四像素群组可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),且第一像素群组可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),其中第二像素群组及第三像素群组可在闲置模式下进行操作。同时点亮第四像素群组的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断第四像素群组的所有发光单元。在从时间t2到时间t3的周期期间,对应于具有低电压电平的发射使能信号em1(对应于上述实施例中阐述的使能周期)及具有高电压电平的发射使能信号em2到em4(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期),第一像素群组可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),且第三像素群组可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),其中第二像素群组及第四像素群组可在闲置模式下进行操作。同时点亮第一像素群组的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断第一像素群组的所有发光单元。在从时间t3到时间t4的周期期间,对应于具有低电压电平的发射使能信号em3(对应于上述实施例中阐述的使能周期)及具有高电压电平的发射使能信号em1、em2及em4(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期),第三像素群组可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),且第二像素群组可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),其中第一像素群组及第四像素群组可在闲置模式下进行操作。同时点亮第三像素群组的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断第三像素群组的所有发光单元。在从时间t4到时间t5的周期期间,对应于具有低电压电平的发射使能信号em2(对应于上述实施例中阐述的使能周期)及具有高电压电平的发射使能信号em1、em3及em4(对应于上述实施例中阐述的数据设定周期),第二像素群组可在调光模式下进行操作(发光单元被依序或同时点亮),且第四像素群组可在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),其中第一像素群组及第三像素群组可在闲置模式下进行操作。同时点亮第二像素群组的所有发光单元,且然后在不同或相同的发射周期之后依序或同时关断第二像素群组的所有发光单元。在显示器件的一个垂直扫描周期vsp期间,像素阵列的每一行在一个发射周期期间实行一个发射操作,且在一个数据设定周期期间实行一个数据设定操作。因此,实施例的显示器件可通过基于本实施例的跳跃发射方式控制发射使能信号em1到em4来实现时间及空间上的1/4占空比,从而更有效地降低峰值功耗,具体来说,如果所有像素单元均在数据设定模式下进行操作(发光单元被关断),则可避免ir下降及无光的发生。
70.图13是根据本公开又一实施例的显示器件的示意图。参照图13,显示器件1300包括像素阵列,且像素阵列包括多个像素单元,其中所述多个像素单元中的每一者可包括如图13中所示的电路架构。在本公开的实施例中,显示器件1300包括电流源1310、电压比较器1320、发射控制单元1331、发射控制单元1332、发光单元1341及发光单元1342。电流源1310耦合到像素阵列且被配置成向像素阵列中的发光单元1341及发光单元1342输出供应电流si。类似于上述实施例,电流源1310可接收用于电压编程的脉冲振幅调制扫描信号。
71.电流源1310耦合在操作电压vdd_leu与发射控制单元1331之间,且耦合在操作电压vdd_leu与发射控制单元1332之间。发射控制单元1331进一步耦合到电压比较器1320及发光单元1341,且接收发射使能信号em1。发射控制单元1332进一步耦合到电压比较器1320及发光单元1342,且接收发射使能信号em2。发光单元1341耦合在发射控制单元1331与电压vss_leu之间。电压vss_leu低于操作电压vdd_leu。发光单元1342耦合在发射控制单元1332与电压vss_leu之间。换句话说,可将所述多个像素单元划分成多个像素群组,且将像素群组耦合到共用电流源1310及共用电压比较器1320。
72.在本公开的实施例中,电流源1310被配置成向发射控制单元1331及发射控制单元1332输出供应电流si。电压比较器1320被配置成接收电压数据vd及斜坡信号ss。电压比较器1320根据电压数据vd及斜坡信号ss向发射控制单元1331及发射控制单元1332输出比较信号cs。发射控制单元1331可根据供应电流si、发射使能信号em1及比较信号cs向发光单元1341输出驱动电流di1。发射控制单元1332可根据供应电流s1、发射使能信号em2及比较信号cs向发光单元1342输出驱动电流di2。在本公开的实施例中,发射使能信号em1、发射使能信号em2、电压数据vd及斜坡信号ss可通过数据线和/或扫描线从分别布置在显示器件1300的平面外或布置在显示器件1300的平面内的多个驱动电路提供。
73.应注意,例如,图11及图12所示实施例中的像素阵列中的奇数行中的每一行可由发射控制单元1331及发光单元1341实现,且图11及图12所示实施例中的像素阵列中的偶数行中的与对应的一个奇数行相邻的每一行可由发射控制单元1332及发光单元1342实现。换句话说,由于奇数行中的每一行的发光单元及偶数行中的与对应的一个奇数行相邻的每一行的发光单元共享电流源1310及电压比较器1320,因此图11及图12所示实施例的显示器件能够通过使用偶数行及奇数行上的像素对所述电路进行分时(time-sharing)来减小电路面积。
74.总之,本公开的一个实施例的显示器件能够通过针对用于显示器件的像素阵列的不同的像素群组上的数据设定操作及调光操作进行分时来降低峰值功耗,具体来说,如果所有像素单元均在数据设定操作模式下进行操作,则可避免ir下降及无光的发生。此外,本公开的另一实施例的显示器件可通过使用偶数行及奇数行上的像素对所述电路进行分时来减小电路面积。
75.对于所属领域中的技术人员来说显而易见的是,在不背离本公开的范围或精神的条件下,可对所公开的实施例进行各种修改及变化。鉴于以上内容,本公开旨在涵盖落入以上权利要求及其等同内容的范围内的修改及变化。
再多了解一些

本文用于创业者技术爱好者查询,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。

发表评论 共有条评论
用户名: 密码:
验证码: 匿名发表

相关文献