一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种增强型氮化镓hemt器件，其特征在于，所述增强型氮化镓hemt器件包括：从下至上依次层叠设置的氮化镓层、氮化镓帽层以及氮化硅层；设于所述氮化硅层两侧的源极区和漏极区，其中，所述源极区和所述漏极区深入至所述氮化镓层；p型掺杂区，设于所述氮化硅层中，且与所述氮化镓帽层接触；栅极层，设于所述p型掺杂区上，且与所述p型掺杂区的面积相等；场板延伸层，设于所述氮化硅层中，且与所述氮化镓帽层以及所述p型掺杂区不接触；气桥场板层，连接于所述源极区与所述场板延伸层之间。2.如权利要求1所述的增强型氮化镓hemt器件，其特征在于，所述栅极层与所述p型掺杂区的形状相同，且覆盖于所述p型掺杂区上。3.如权利要求1所述的增强型氮化镓hemt器件，其特征在于，所述气桥场板层呈凹字形。4.如权利要求1所述的增强型氮化镓hemt器件，其特征在于，所述场板延伸层的厚度小于所述氮化硅层的厚度。5.如权利要求4所述的增强型氮化镓hemt器件，其特征在于，所述氮化镓帽层与所述场板延伸层之间的距离大于所述氮化硅层的厚度的20％。6.如权利要求1所述的增强型氮化镓hemt器件，其特征在于，所述场板延伸层与所述p型掺杂区之间的距离大于所述气桥场板层的长度的20％。7.如权利要求1所述的增强型氮化镓hemt器件，其特征在于，所述场板延伸层的面积大于所述气桥场板层与所述场板延伸层的接触面积。8.如权利要求1-7任一项所述的增强型氮化镓hemt器件，其特征在于，所述氮化镓帽层为algan。9.一种增强型氮化镓hemt器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：从下至上依次层叠设置的氮化镓层、氮化镓帽层以及氮化硅层，并在所述氮化硅层两侧形成源极区和漏极区；其中，所述源极区和所述漏极区深入至所述氮化镓层；在所述氮化硅层上形成掺杂沟槽，并在所述掺杂沟槽内形成p型掺杂区；在所述氮化硅层上形成场板外延沟槽；其中，所述场板外延沟槽与所述p型掺杂区之间不接触；填充金属材料在所述p型掺杂区上形成栅极层，并在所述场板外延沟槽内形成场板延伸层；在所述源极区与所述场板延伸层之间制备气桥场板层。10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述填充金属材料在所述p型掺杂区上形成栅极层，并在所述场板外延沟槽内形成场板延伸层的步骤，包括：采用金属材料沉积工艺在所述p型掺杂区上形成栅极层，并在所述场板外延沟槽内形成场板延伸层。

技术总结
本申请属于功率器件技术领域，提供了一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法，增强型氮化镓HEMT器件包括氮化镓层、氮化镓帽层、氮化硅层、源极区、漏极区、P型掺杂区、栅极层、场板延伸层以及气桥场板层，通过在与P型掺杂区互不接触的位置设置场板延伸层，采用气桥场板层连接于源极区与场板延伸层，可以在形成栅极层时同时沉积金属形成场板延伸层，并通过调节场板延伸层的面积完成漏极端与栅极端之间的电场调节，避免了气桥场板层与氮化硅之间无法形成大面积接触，且容易发生脱落导致开路的问题，提升了功率器件的可靠性和性能。提升了功率器件的可靠性和性能。提升了功率器件的可靠性和性能。


技术研发人员：黄汇钦 吴龙江
受保护的技术使用者：天狼芯半导体（成都）有限公司
技术研发日：2022.07.05
技术公布日：2022/10/25