一种防眩光的表面处理方法与流程

1.本发明涉及产品的表面处理技术领域，尤其是涉及一种防眩光的表面处理方法。


背景技术：

2.玻璃以及塑料等产品表面如果太光滑，入射光线容易按照原入射方向被反射回去，使观感体验变差；通过对产品表面实施防眩光处理，使表面增加纹理结构，变成漫反射亚光面，能够提升观感。
3.目前表面防眩光的处理方法主要有喷涂、镀膜和刻蚀等，而刻蚀以优越的表面性能，经常被使用在高质量的产品中；刻蚀方法分湿法刻蚀和干法刻蚀，湿法刻蚀主要利用在基板表面形成光阻图案后，使用如氢氟酸等物质对表面实施化学刻蚀，未形成光阻的部分发生化学反应被刻蚀掉，有光阻保护的部分则不会与酸发生反应，刻蚀实施后，清洗表面去除刻蚀物质及反应物，形成凸凹槽，即防眩光表面。湿法刻蚀工艺相对复杂，不够环保。干法刻蚀主要利用等离子体对表面进行物理或者化学刻蚀，高能正离子在负偏压的作用下加速撞击基体表面，或与表面发生化学反应，形成纳米级别的凹凸纹理，对入射光形成漫反射，来达到防眩光的作用。等离子体刻蚀是镀光学膜的前级工艺，不仅能起到刻蚀作用，还会清除样品表面污垢，可以与镀光学膜工艺合并，节省成本且绿色环保。但是在使用等离子体刻蚀工艺时，如果刻蚀能量太高，容易使基体表面温度骤升，尤其是低温材质，如塑料等，具有较低的软化温度，高温下材料易软化变色；而刻蚀能量太低，刻蚀效率低，不能够形成理想的雾化表面，达不到防眩光效果。


技术实现要素：

4.本发明所要解决的技术问题是提供一种能够有效减缓产品表面温度过高的防眩光的表面处理方法。
5.本发明解决其技术问题所采取的技术方案是：一种防眩光的表面处理方法，该表面处理方法的步骤为，
6.s1、清洗产品；
7.s2、将清洗后的产品挂于密封腔的治具上并保持密封；
8.s3、对密封腔抽取真空；
9.s4、对密封腔加热至设定值并在密封腔内通入氩气；
10.s5、开启偏压电源以及离子源电源，采用高低脉冲偏压循环、高低离子源电流循环或者两者结合的方式对产品进行刻蚀；
11.s6、刻蚀完毕，取出产品。
12.进一步具体的，在所述步骤s5中当采用高低脉冲偏压循环的方式时，高脉冲偏压的电压范围控制在-30v～-200v，低脉冲偏压的电压范围控制在-1～-100v；所述高脉冲偏压的电压小于低脉冲偏压的电压。
13.进一步具体的，在所述步骤s5中当采用高低脉冲偏压循环与高低离子源电流循环
同时结合的方式时，高脉冲偏压的电压范围控制在-30v～-200v，低脉冲偏压的电压范围控制在-1～-100v，所述高脉冲偏压的电压小于低脉冲偏压的电压；高离子源电流的范围为30～200a，低离子源电流的范围为10～80a，所述高离子源电流大于低离子源电流。
14.进一步具体的，所述高脉冲偏压以及低脉冲偏压的频率范围为20～100khz。
15.进一步具体的，所述高脉冲偏压以及低脉冲偏压的频率为40khz。
16.进一步具体的，所述高低脉冲偏压循环的转换频率范围为0.5～10000hz。
17.进一步具体的，在所述步骤s5中当采用高低离子源电流循环的方式时，高离子源电流的范围为30～200a，低离子源电流的范围为10～80a，所述高离子源电流大于低离子源电流。
18.进一步具体的，所述高低离子源电流循环的转换频率范围为1～1000hz。
19.进一步具体的，在所述步骤s3中抽取真空控制在1e-4mbar以下。
20.进一步具体的，在所述步骤s4中加热的设定值控制在20～500℃。
21.本发明的有益效果是：通过采用高低脉冲偏压循环、高低离子源电流循环或者两者的结合，在产品表面实现等离子体能量和密度的高低循环，能够有效缓解刻蚀过程中产品表面温度过高的问题，使得产品表面温度得到了有效管控；同时，产品表面的凹凸槽为纳米级别，透光率受影响较小。
附图说明
22.图1是本发明的工艺流程图；
23.图2是本发明高低脉冲偏压循环的示意图；
24.图3是本发明高低离子源电流循环的示意图。
具体实施方式
25.下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
26.如图1所示一种防眩光的表面处理方法，该表面处理方法的步骤为，
27.s1、清洗产品，将产品表面的附着物清洗掉。
28.s2、将清洗后的产品挂于密封腔的治具上并关闭密封腔使其内部保持密封状态；
29.s3、对密封腔抽取真空，并使得真空度处于1e-4mbar以下，持续保持；
30.s4、对密封腔加热至设定值，该设定值的范围为20～500℃，在密封腔内通入氩气；
31.s5、开启偏压电源以及离子源，采用高低脉冲偏压循环、高低离子源电流循环或者两者结合的方式对产品进行刻蚀；
32.s6、刻蚀完毕，取出产品，完成对产品的表面处理。
33.如图2所示基于上述方法，在步骤s5中当采用高低脉冲偏压循环的方式时，此时离子源电流不变，将高脉冲偏压的电压范围控制在-30v～-200v，低脉冲偏压的电压范围控制在-1～-100v，高脉冲偏压以及低脉冲偏压的频率范围均为20～100khz；由于属于负偏压，故所述高脉冲偏压的电压需小于低脉冲偏压的电压，高低脉冲偏压循环的转换频率范围为0.5～10000hz。
34.实施例1
35.将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5e-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，保持恒定的离子源电流为60a；施加循环的高低脉冲偏压，高脉冲偏压的电压为-30v，高脉冲偏压的频率为90khz；低脉冲偏压的电压为-10v，低脉冲偏压的频率为90khz；高低脉冲偏压循环的转换频率为2hz，待刻蚀完成之后，产品表面雾度值为2.78％，表面温度为108℃。
36.实施例2
37.将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5e-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，保持恒定的离子源电流为65a，施加循环的高低脉冲偏压，高脉冲偏压的电压为-50v，高脉冲偏压的频率为90khz；低脉冲偏压的电压为-10v，低脉冲偏压的频率为90khz；高低脉冲偏压循环的转换频率为20hz，待刻蚀完成之后，产品表面雾度值为2.3％，表面温度为119℃。
38.实施例3
39.将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5e-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，保持恒定的离子源电流为80a，施加循环的脉冲偏压，高脉冲偏压的电压为-60v，高脉冲偏压的频率为40khz；低脉冲偏压的电压为-20v，低脉冲偏压的频率为40khz；高低脉冲偏压循环的转换频率为5hz，待刻蚀完成之后，产品表面雾度值为0.76％，表面温度为122℃。
40.如图3所示在步骤s5中当采用高低离子源电流循环的方式时，此时偏压恒定，高离子源电流的范围为30～200a，低离子源电流的范围为10～80a，在使用过程中需保证所述高离子源电流大于低离子源电流；其中，所述高低离子源电流循环的转换频率范围为1～1000hz。
41.实施例4
42.将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5e-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，保持偏压电压为-50v，高离子源电流为60a，低离子源电流为40a，高低离子源电流循环的转换频率为10hz，待刻蚀完成之后，产品表面雾度值为0.96％，表面温度为121℃。
43.实施例5
44.将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5e-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，保持偏压电压在-30v，高离子源电流为80a，低离子源电流为30a，高低离子源电流循环的转换频率为15hz，待刻蚀完成之后，产品表面雾度值为0.89％，表面温度为123℃。
45.实施例6
46.将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5e-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，保持偏压电压在-60v，高离子源电流为100a，低离子源电流为25a，高低离子源电流循环的转换频率为10hz，待刻蚀完成之后，产品表面雾度值为0.65％，表面温度为118℃。
47.在步骤s5中当采用高低脉冲偏压循环与高低离子源电流循环同时结合的方式时，将高脉冲偏压的电压范围控制在-30v～-200v，低脉冲偏压的电压范围控制在-1～-100v，
高脉冲偏压以及低脉冲偏压的频率范围均为20～100khz；由于属于负偏压，故所述高脉冲偏压的电压需小于低脉冲偏压的电压，高低脉冲偏压循环的转换频率范围为0.5～10000hz。
48.高离子源电流的范围为30～200a，低离子源电流的范围为10～80a，所述高离子源电流大于低离子源电流；其中，所述高低离子源电流循环的转换频率范围为1～1000hz。
49.实施例7
50.将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5e-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，高脉冲偏压的电压为-60v，高脉冲偏压的频率为40khz；低脉冲偏压的电压为-20v，低脉冲偏压的频率为40khz；高低脉冲偏压循环的转换频率为10hz；高离子源电流为60a，低离子源电流为40a，高低离子源电流循环的转换频率为10hz；待刻蚀完成之后，产品表面的雾度值为1.56％，表面温度为115℃。
51.实施例8
52.将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5e-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，高脉冲偏压的电压为-30v，高脉冲偏压的频率为40khz；低脉冲偏压的电压为-10v，低脉冲偏压的频率为40khz；高低脉冲偏压循环的转换频率为5hz；高离子源电流为80a，低离子源电流为30a，高低离子源电流循环的转换频率为5hz；待刻蚀完成之后，产品表面的雾度值为1.25％，表面温度为120℃。
53.实施例9
54.将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5e-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为60sccm，开启偏压电源以及离子源电源，高脉冲偏压的电压为-80v，高脉冲偏压的频率为40khz；低脉冲偏压的电压为-30v，低脉冲偏压的频率为40khz；高低脉冲偏压循环的转换频率为15hz；高离子源电流为100a，低离子源电流为20a，高低离子源电流循环的转换频率为15hz；待刻蚀完成之后，产品表面的雾度值为0.63％，表面温度为118℃。
55.基于上述实施例，为了能够与现有技术进行对比，故根据现有技术制作对比例方便进行对比。
56.对比例1
57.将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5e-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，偏压的电压为-50v，离子源电流为65a；待刻蚀完成之后，产品表面的雾度值为0.83％，表面温度为130℃。
58.对比例2
59.将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5e-5mbar以下，加热到80℃，通入氩气流量80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，偏压的电压为-30v，离子源电流为80a；待刻蚀完成之后，产品表面的雾度值为0.37％，表面温度为138℃。
60.基于上述9个实施例与2个对比例进行对比，在同等环境条件下，施加的偏压电压以及离子源电流相差不大的情况下，产品的表面温度下降明显，并且雾度值明显高于现有技术，具有良好的性能。
61.综上，通过采用高低脉冲偏压循环、高低离子源电流循环或者两者的结合，在产品表面实现等离子体能量和密度的高低循环，能够有效缓解刻蚀过程中产品表面温度过高的问题，使得产品表面温度得到了有效管控；同时，产品表面的凹凸槽为纳米级别，透光率受
影响较小。
62.需要强调的是：以上仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。