一种功率器件损耗计算方法及装置与流程

1.本发明涉及电子电路领域，具体涉及一种功率器件损耗计算方法及装置。


背景技术：

2.日常生活中，功率器件发挥着重要作用，特别是在含有大功率变换电路中，通过功率器件进行功率转换，使得整体大功率变换电路满足生产、生活要求。如何计算功率器件在工作过程中的损耗一直属于电子电路领域的难点之一，目前多是采用测试功率器件的工作效率的方式进行粗略的损耗估算，但这种方式准确性较低且无法对功率器件的损耗情况进行动态计算。


技术实现要素：

3.因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的功率器件损耗计算准确性较低且无法对损耗情况进行动态计算的缺陷，从而提供一种功率器件损耗计算方法及装置。
4.根据第一方面，本发明实施例提供了一种功率器件损耗计算方法，所述功率器件包括igbt和二极管，所述方法包括：
5.获取所述功率器件所处的电路系统的系统电流以及环境温度；
6.基于所述环境温度，分别提取所述igbt的第一性能曲线、所述二极管的第二性能曲线；
7.基于所述系统电流和所述第一性能曲线，对所述igbt的损耗进行计算，得到第一损耗结果；
8.基于所述系统电流和所述第二性能曲线，对所述二极管的损耗进行计算，得到第二损耗结果；
9.基于所述系统电流、所述第一损耗结果和所述第二损耗结果，计算得到所述功率器件的总损耗。
10.可选地，所述基于所述系统电流和所述第一性能曲线，对所述igbt的损耗进行计算，得到第一损耗结果，包括：
11.基于所述第一性能曲线，确定所述igbt的第一开关状态、第一导通时间；
12.根据所述第一性能曲线，基于所述系统电流和所述第一开关状态，计算得到所述igbt的开关损耗；
13.根据所述第一性能曲线，基于所述系统电流和所述第一导通时间，计算得到所述igbt的第一导通损耗；
14.基于所述开关损耗和所述第一导通损耗，计算得到第一损耗结果。
15.可选地，所述基于所述系统电流和所述第二性能曲线，对所述二极管的损耗进行计算，得到第二损耗结果，包括：
16.基于所述第二性能曲线，确定所述二极管的第二开关状态、第二导通时间；
17.根据所述第二性能曲线，基于所述系统电流和所述第二开关状态，计算得到所述二极管的关断损耗；
18.根据所述第二性能曲线，基于所述系统电流和所述导通时间，计算得到所述二极管的第二导通损耗；
19.基于所述关断损耗和所述第二导通损耗，计算得到第二损耗结果。
20.可选地，所述基于所述系统电流、所述第一损耗结果和所述第二损耗结果，计算得到所述功率器件的总损耗，包括：
21.根据预设调制算法，基于所述系统电流对一个调制周期内的所述第一损耗结果和所述第二损耗结果进行累加，计算得到所述功率器件的总损耗。
22.可选地，所述根据调制算法，基于所述系统电流对一个调制周期内的所述第一损耗结果和所述第二损耗结果进行累加，计算得到所述功率器件的总损耗，所述方法包括：
23.获取所述预设调制算法的调制参数；
24.基于所述系统电流确定调制周期；
25.基于所述调制参数和所述调制周期，分别对所述第一损耗结果和所述第二损耗结果进行调制，分别得到第一调制结果和第二调制结果；
26.对所述调制周期内的所述第一调制结果和所述第二调制结果进行累加，得到所述功率器件的总损耗。
27.可选地，所述调制参数包括：igbt的占空比、载波比、开关状态和开关频率。
28.可选地，所述方法还包括：
29.基于所述功率器件的总损耗和热阻，计算所述功率器件的结温；
30.利用所述结温对所述环境温度进行更新；
31.基于更新后的环境温度及电路系统当前的系统电流，返回基于所述环境温度，分别提取所述igbt的第一性能曲线、所述二极管的第二性能曲线的步骤。
32.根据第二方面，本发明实施例提供了一种功率器件损耗计算装置，所述功率器件包括igbt和二极管，所述装置包括：
33.获取模块，用于获取所述功率器件所处的电路系统的系统电流以及环境温度；
34.提取模块，用于基于所述环境温度，分别提取所述igbt的第一性能曲线、所述二极管的第二性能曲线；
35.第一处理模块，用于基于所述系统电流和所述第一性能曲线，对所述igbt的损耗进行计算，得到第一损耗结果；
36.第二处理模块，用于基于所述系统电流和所述第二性能曲线，对所述二极管的损耗进行计算，得到第二损耗结果；
37.第三处理模块，用于基于所述系统电流、所述第一损耗结果和所述第二损耗结果，计算得到所述功率器件的总损耗。
38.根据第三方面，本发明实施例提供了一种电子设备，包括：
39.存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行第一方面，或者第一方面任意一种可选实施方式中所述的方法。
40.根据第四方面，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读
存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使计算机执行第一方面，或者第一方面任意一种可选实施方式中所述的方法。
41.本发明技术方案，具有如下优点：
42.本发明提供的功率器件损耗计算方法及装置，通过获取所述功率器件所处的电路系统的系统电流以及环境温度；基于所述环境温度，分别提取所述igbt的第一性能曲线、所述二极管的第二性能曲线；基于所述系统电流和所述第一性能曲线，对所述igbt的损耗进行计算，得到第一损耗结果；基于所述系统电流和所述第二性能曲线，对所述二极管的损耗进行计算，得到第二损耗结果；基于所述系统电流、所述第一损耗结果和所述第二损耗结果，计算得到所述功率器件的总损耗。通过根据igbt、二极管各自的性能曲线，分别计算igbt和二极管的损耗结果，基于igbt、二极管的损耗结果，结合功率器件的系统电流，计算得到功率器件的总损耗，在提高计算功率器件损耗准确性的同时，还对损耗情况进行动态计算，为更好地对功率器件的工作效率提供有力的数据支撑。
附图说明
43.为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
44.图1为本发明实施例的功率器件损耗计算方法的流程图；
45.图2为本发明实施例的功率器件损耗计算方法的igbt及二极管工作特性曲线图；
46.图3为本发明实施例的功率器件损耗计算方法的损耗模型工作原理图；
47.图4为本发明实施例的功率器件损耗计算装置的结构示意图；
48.图5为本发明实施例的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
49.下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
50.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
51.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
52.此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构
成冲突就可以相互结合。
53.本发明实施例提供了一种功率器件损耗计算方法，功率器件包括igbt和二极管，如图1所示，该功率器件损耗计算方法具体包括如下步骤：
54.步骤s101：获取功率器件所处的电路系统的系统电流以及环境温度。
55.示例性地，功率器件可为变频器。
56.步骤s102：基于环境温度，分别提取igbt的第一性能曲线、二极管的第二性能曲线。
57.具体地，在实际应用中，环境温度就是一个基准值，在此基础上系统损耗(即包括igbt和二极管的功率器件的损耗)会使得散热系统产生温升，温度越高，功率器件的开关特性曲线会随之改变，进而影响器件的损耗。
58.具体地，如图2所示，图2上图为igbt的第一性能曲线，图2下图为二极管的第二性能曲线，其中，实线为电压曲线；虚线为电流曲线。当功率器件在不同功率工作时，igbt和二极管对应的性能曲线也会随之变化，性能曲线中各参数数值由电路系统的输出和工作状态决定。
59.步骤s103：基于系统电流和第一性能曲线，对igbt的损耗进行计算，得到第一损耗结果。
60.具体地，在实际应用中，igbt的第一损耗结果包括开关损耗和第一导通损耗，本发明实施例根据第一性能曲线，对igbt的第一损耗进行计算，为计算在不同动态参数下的功率器件损耗奠定基础。
61.步骤s104：基于系统电流和第二性能曲线，对二极管的损耗进行计算，得到第二损耗结果。
62.具体地，在实际应用中，二极管的第二损耗结果包括关断损耗和第二导通损耗，本发明实施例根据第二性能曲线，对二极管的第二损耗进行计算，为计算不同动态参数下的功率器件损耗奠定基础。
63.步骤s105：基于系统电流、第一损耗结果和第二损耗结果，计算得到功率器件的总损耗。
64.具体地，在实际应用中，以变频器为例，变频器的损耗受多维度参数的影响，包括导通电流、母线电压、散热效率、回路寄生参数等，因此进行损耗分析的首要问题是在这些影响维度中建立准确的关系，依次实现在不同动态参数下的损耗计算。
65.本发明实施例通过损耗模型对功率器件的损耗进行计算，如图3所示，功能区域可划分为“器件损耗”、“算法调制”、“系统损耗”和“散热系统”四个部分，其中，“散热系统”即冷却系统，保证功率器件所处的环境温度为稳定值，避免功率器件由于结温上升导致失效；“器件损耗”分为igbt的开关损耗、导通损耗和二极管的关断损耗、导通损耗；“算法调制”提供igbt开关状态、占空比、载波、载波比、开关频率等参数；“系统损耗”通过对第一损耗结果和第二损耗结果的累加，可以得出功率器件的总损耗，即系统的损耗。
66.其中，u
ce
是功率器件在关断时的承受的电压，与电路系统的母线电压设定值相关，在损耗模型中为输入常量；le为系统的功率回路的杂散电感，在损耗模型中为输入常量；tvj为散热系统反馈的环温，在损耗模型的初始量设定为环温，在不断的损耗计算迭代中，不断对其进行数值更新，并且考虑到散热系统的热阻等效电路适用于稳态结温估算，散热
系统反馈的结温是以每一个调制周期为单位时间进行计算更新的；i为系统的输出电流，时时受到调制算法的调节，并不断进行着数值更新，并不断影响着器件损耗的计算，其中，i是系统中的电流(igbt导通时i就是ic，二极管导通i就是if)；t
pwm
每个器件的导通占空比；f
sw
是开关器件的开关频率；ex是器件单次导通所产生的损耗，包括开关损耗和导通损耗。
67.通过执行上述步骤，本发明实施例提供的功率器件损耗计算方法，通过根据igbt、二极管各自的性能曲线，分别计算igbt和二极管的损耗结果，基于igbt、二极管的损耗结果，结合功率器件的系统电流，计算得到功率器件的总损耗，在提高计算功率器件损耗准确性的同时，还对损耗情况进行动态计算，为更好地对功率器件的工作效率提供有力的数据支撑。
68.具体地，在一实施例中，上述步骤s103基于系统电流和第一性能曲线，对igbt的损耗进行计算，得到第一损耗结果，具体包括如下步骤：
69.步骤s201：基于第一性能曲线，确定igbt的第一开关状态、第一导通时间。
70.步骤s202：根据第一性能曲线，基于系统电流和第一开关状态，计算得到igbt的开关损耗。
71.步骤s203：根据第一性能曲线，基于系统电流和第一导通时间，计算得到igbt的第一导通损耗。
72.步骤s204：基于开关损耗和第一导通损耗，计算得到第一损耗结果。
73.具体地，在实际应用中，如图2所示，本发明实施例在计算igbt的计算器件的开关损耗时，将其分为8个时间点，其中，t1～t4为igbt的开通过程；t4～t5为igbt的导通过程；t5～t8为igbt的关断过程。这些时间段，需根据不同结温和电流下的测试波形进行标定，进而实现在不同运行状态下的损耗计算。
74.在t1时刻，igbt的门极电压超过导通阈值，igbt开始导通并进入线性工作区，igbt的导通电流ic开始上升，同时二极管的导通电流if开始下降。电流变化率di/dt基本保持不变，t1～t2时间段的igbt导通电流表达式为：
[0075][0076]
在电流上升的过程中，由于回路中杂散电感le的存在，因此在igbt的集射极两端会产生一个δuce，t1～t2时间段igbt集射极电压表达式为：
[0077][0078]
t2时刻二极管电流下降到0，进入到二极管的反向恢复阶段，t2～t3时间段的igbt导通电流表达式为：
[0079][0080]
其中，irm是二极管反向电流恢复的峰值电流。
[0081]
此阶段二极管的反向压降很小，因此二极管的损耗忽略不计，igbt的集射极电压
基本保持不变：
[0082]uce23
(t)＝u
ce12
(t)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(4)
[0083]
t3～t4时间段，igbt导通电流从峰值衰减到通态电流ic，集电极电压下降到0，该阶段igbt的导通电流和集射极电压表达式为：
[0084][0085][0086]
根据式(1)～(8)，igbt的开通损耗的表达式为：
[0087][0088]
t5时刻igbt的门极驱动信号低于导通阈值，igbt开始进入关断状态。igbt集射极电压逐渐升高；二极管的反向电压下降，但仍处于反向截止状态。因此igbt的导通电流基本维持通态电流ic不变。t5～t6时间段igbt的导通电流和集射极电压表达式为：
[0089]ic56
(t)＝icꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(8)
[0090][0091]
t6时刻igbt的集射极电压上升至uce，二极管的反向电压下降至0，二极管开始正向导通。igbt的导通电流开始下降，t6～t7时间段igbt的导通电流表达式为：
[0092][0093]
由于换流回路中存在杂散电感，因此在回路中电流变化时会感应出
[0094]
δu
ce2
叠加在igbt集射极两端，t6～t7时间段igbt集电极电压表达式为：
[0095][0096]
t7时刻igbt的导通电流下降至0.1ic，由于igbt基区累积有大量的过剩载流子电荷，因此igbt关断后过剩的载流子复合需要较长的时间，即拖尾电流时间t
tail
。t7～t8时间段igbt的导通电流表达式为：
[0097][0098]
此时igbt的集射极电压下降，且du/dt逐渐下降为0，因此t7～t8时间段igbt的集射极电压呈指数下将，表达式为：
[0099][0100]
根据式(8)～(13)，igbt的关断损耗的表达式为：
[0101][0102]
综上，一个开关周期内igbt的开关损耗esw的表达式为：
[0103]esw
＝e
on
e
off
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(15)
[0104]
具体地，igbt的第一导通损耗参照现有技术进行计算，在此不再进行赘述。
[0105]
通过将开关损耗和第一导通损耗进行累加，计算得到igbt的第一损耗结果，在实际应用中，通过igbt的第一性能曲线获取igbt的当前工作状态，基于当前工作状态对应计算igbt的损耗，当电路系统改变时，也可以掌握不同负载状态下igbt的工作状态，并对其损耗进行准确计算，为后续实现对各类算法、不同型号的功率器件、散热设计等环节对产品整体工作效率的影响提供有力的数据支持。
[0106]
具体地，在一实施例中，上述步骤s103基于系统电流和第二性能曲线，对二极管的损耗进行计算，得到第二损耗结果，具体包括如下步骤：
[0107]
步骤s301：基于第二性能曲线，确定二极管的第二开关状态、第二导通时间。
[0108]
步骤s302：根据第二性能曲线，基于系统电流和第二开关状态，计算得到二极管的关断损耗。
[0109]
步骤s303：根据第二性能曲线，基于系统电流和导通时间，计算得到二极管的第二导通损耗。
[0110]
步骤s304：基于关断损耗和第二导通损耗，计算得到第二损耗结果。
[0111]
具体地，在实际应用中，如图2所示，t3时刻二极管的pn结电荷耗尽，开始承受反向电压，逐渐上升至uce。二极管的反向电流开始逐渐减小，di/dt也逐渐减小到0，故二极管的反向恢复电流从反向恢复电流峰值irm指数下降到0。t3～t4时间段，二极管的反向电流、电压的表达式为：
[0112][0113][0114]
根据式(1)～(8)，二极管的关断损耗的表达式为：
[0115][0116]
具体地，二极管的第二导通损耗参照现有技术进行计算，在此不再进行赘述。
[0117]
通过将关断损耗和第二导通损耗进行累加，计算得到二极管的第二损耗结果，在实际应用中，通过二极管的第二性能曲线获取二极管的当前工作状态，基于当前工作状态对应计算二极管的损耗，即使电路系统发生变化，也可以掌握不同负载状态下二极管的工作状态，并对其损耗进行准确计算，为后续实现对各类算法、不同型号的功率器件、散热设计等环节对产品整体工作效率的影响提供有力的数据支持。
[0118]
具体地，在一实施例中，上述步骤s105基于系统电流、第一损耗结果和第二损耗结果，计算得到功率器件的总损耗，具体包括如下步骤：
[0119]
步骤s401：根据预设调制算法，基于系统电流对一个调制周期内的第一损耗结果和第二损耗结果进行累加，计算得到功率器件的总损耗。
[0120]
具体地，在实际应用中，在损耗的计算过程中，需要对其按照预设调制算法进行调制，从而获取技术人员所需要的性能曲线和对应的工作参数，并基于特定的性能曲线和工作参数对igbt和二极管进行损耗计算，最终计算得到功率器件的总损耗，大幅提升功率器件损耗计算的灵活性。
[0121]
具体地，在一实施例中，上述步骤s401具体包括如下步骤：
[0122]
步骤s501：获取预设调制算法的调制参数。
[0123]
具体地，在实际应用中，调制参数包括：调制频率、igbt的占空比、载波比和开关状态，以及根据调制频率确定的开关频率。此外，还可以根据实际情况增设调制参数，示例性地，为后续基于预设调制算法进行损耗计算提供算法保障。
[0124]
步骤s502：基于系统电流确定调制周期。
[0125]
具体地，在实际应用中，调制周期由系统输出的电流频率决定，如输出1khz电流，调制周期为1ms。
[0126]
步骤s503：基于调制参数和调制周期，分别对第一损耗结果和第二损耗结果进行调制，分别得到第一调制结果和第二调制结果。
[0127]
具体地，在实际应用中，算法调制伴随整体损耗计算过程，即边调制边计算，从而实现整体损耗的动态调节。
[0128]
步骤s504：对调制周期内的第一调制结果和第二调制结果进行累加，得到功率器件的总损耗。
[0129]
具体地，在实际应用中，本发明实施例将根据载波比对一个调制周期内的损耗进
行累加，从而得到功率器件的总损耗。
[0130]
具体地，在一实施例中，在执行上述步骤s105之后，具体还包括如下步骤：
[0131]
步骤s601：基于功率器件的总损耗和热阻，计算功率器件的结温。
[0132]
步骤s602：利用结温对环境温度进行更新。
[0133]
步骤s603：基于更新后的环境温度及电路系统当前的系统电流，返回上述s102基于环境温度，分别提取igbt的第一性能曲线、二极管的第二性能曲线的步骤。
[0134]
具体地，在实际应用中，如图3所示，本发明实施例将根据调制频率得到功率器件的损耗功率，并根据热阻以及环境温度对功率器件的结温进行估算，并将估算后的结温作为新的环境温度，后续将基于更新后的环境温度进行功率器件的损耗计算，通过不断进行着数值更新，进一步地提高功率器件损耗的准确性。
[0135]
下面将结合具体应用示例，对本发明实施例提供的功率器件损耗计算方法进行详细的说明。
[0136]
结合图1-图3所示，以变频器为例，变频器的损耗受多维度参数的影响，包括导通电流、母线电压、散热效率、回路寄生参数等，因此进行损耗分析的首要问题是在这些影响维度中建立准确的关系，依次实现在不同动态参数下的损耗计算。
[0137]
本发明实施例通过损耗模型对功率器件的损耗进行计算，如图2所示，功能区域可划分为“器件损耗”、“算法调制”、“系统损耗”和“散热系统”四个部分，其中，“器件损耗”分为igbt的开关损耗、导通损耗和二极管的关断损耗、导通损耗；“算法调制”提供igbt开关状态、占空比、载波、载波比、开关频率等参数；“系统损耗”通过对第一损耗结果和第二损耗结果的累加，可以得出功率器件的总损耗，进而得出系统的损耗。“散热系统”通过系统的损耗和热阻计算模型得出各器件的结温，并反馈给“器件损耗”；“器件损耗”根据更新的结温数据进而得出生成新的器件的损耗数值
……
如此往复。此模型的总体运行流程图如图3所示。uce与系统的母线电压设定值相关，在损耗模型中为输入常量；le为系统的功率回路的杂散电感，在损耗模型中为输入常量；tvj为散热系统反馈的环温，在损耗模型的初始量设定为环温，在不断的损耗计算迭代中，不断对其进行数值更新。并且散热系统反馈的结温是以每一个调制周期为单位时间进行计算更新的。这是考虑到散热系统的热阻等效电路适用于稳态结温估算。i为系统的输出电流，时时受到调制算法的调节，并不断进行着数值更新，并不断影响着器件损耗的计算。
[0138]
本发明实施例通过上述步骤，可准确对功率器件的性能进行独立评估，更好地掌握功率器件在不同负载状态下的工作状态，进而可以实现为各类算法、不同型号的功率器件、散热设计等环节对产品整体工作效率的影响程度提供有力的数据支持。
[0139]
本发明实施例提供了一种功率器件损耗计算装置，功率器件包括igbt和二极管，如图4所示，该功率器件损耗计算装置包括：
[0140]
获取模块101，用于获取功率器件所处的电路系统的系统电流以及环境温度。详细内容参见上述方法实施例中步骤s101的相关描述，在此不再进行赘述。
[0141]
提取模块102，用于基于环境温度，分别提取igbt的第一性能曲线、二极管的第二性能曲线。详细内容参见上述方法实施例中步骤s102的相关描述，在此不再进行赘述。
[0142]
第一处理模块103，用于基于系统电流和第一性能曲线，对igbt的损耗进行计算，得到第一损耗结果。详细内容参见上述方法实施例中步骤s103的相关描述，在此不再进行
赘述。
[0143]
第二处理模块104，用于基于系统电流和第二性能曲线，对二极管的损耗进行计算，得到第二损耗结果。详细内容参见上述方法实施例中步骤s104的相关描述，在此不再进行赘述。
[0144]
第三处理模块105，用于基于系统电流、第一损耗结果和第二损耗结果，计算得到功率器件的总损耗。详细内容参见上述方法实施例中步骤s105的相关描述，在此不再进行赘述。
[0145]
上述的功率器件损耗计算装置的更进一步描述参见上述功率器件损耗计算方法实施例的相关描述，在此不再进行赘述。
[0146]
通过上述各个组成部分的协同合作，本发明实施例提供的功率器件损耗计算装置，通过根据igbt、二极管各自的性能曲线，分别计算igbt和二极管的损耗结果，基于igbt、二极管的损耗结果，结合功率器件的系统电流，计算得到功率器件的总损耗，在提高计算功率器件损耗准确性的同时，还对损耗情况进行动态计算，为更好地对功率器件的工作效率提供有力的数据支撑。
[0147]
本发明实施例提供了一种电子设备，如图5所示，该电子设备包括处理器901和存储器902，存储器902和处理器901之间互相通信连接，其中处理器901和存储器902可以通过总线或者其他方式连接，图5中以通过总线连接为例。
[0148]
处理器901可以为中央处理器(central processing unit，cpu)。处理器901还可以为其他通用处理器、数字信号处理器(digital signal processor，dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuit，asic)、现场可编程门阵列(field-programmable gate array，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等芯片，或者上述各类芯片的组合。
[0149]
存储器902作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序、非暂态计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例中方法所对应的程序指令/模块。处理器901通过运行存储在存储器902中的非暂态软件程序、指令以及模块，从而执行处理器901的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例中的方法。
[0150]
存储器902可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储处理器901所创建的数据等。此外，存储器902可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施例中，存储器902可选包括相对于处理器901远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至处理器901。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
[0151]
一个或者多个模块存储在存储器902中，当被处理器901执行时，执行上述方法实施例中的方法。
[0152]
上述电子设备具体细节可以对应参阅上述方法实施例中对应的相关描述和效果进行理解，此处不再赘述。
[0153]
本领域技术人员可以理解，实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，实现的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，存储介质可为磁碟、光
盘、只读存储记忆体(read-only memory，rom)、随机存储记忆体(random access memory，ram)、快闪存储器(flash memory)、硬盘(hard disk drive，缩写：hdd)或固态硬盘(solid-state drive，ssd)等；存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。
[0154]
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。