一种在云母上化学气相沉积生成Bi2O2Te纳米片的方法

技术特征：
1.一种在云母衬底上化学气相沉积生长bi2o2te纳米片的方法，其特征在于该方法包括一下步骤：a)衬底选用新鲜剥离的云母片作为衬底，并用酒精、水和99.5％的丙酮进行清洗，去除表面的杂质；b)原材料选用纯度为99.99％的碲化铋粉末和纯度为99.99％的氧化铋粉末作为前驱体；碲化铋和氧化铋放入石英舟分别放在上游和加热区中心；c)反应前的准备选用管式炉作为化学气相沉积的反应室，将装有碲化铋的石英舟放置于上游进气口附近，将装有氧化铋的石英舟放置在加热区中心；启动真空泵将管式炉内的气压降低至0.1pa，再充入高纯氩使管内气压恢复正常，重复该操作三次；d)生长bi2o2te纳米片将管内气压降低至30torr并且保持到生长结束；升温速率为每分钟25℃，上升到700℃；保持三十分钟；整个过程流速恒定为80sccm；生长结束后自然冷却，取出衬底获得bi2o2te纳米片。2.根据权利要求1所述的一种实现在云母衬底上化学气相沉积生长bi2o2te纳米片的方法，其特征在于以新鲜切割的云母作为衬底。3.根据权利要求1所述的一种实现在云母衬底上化学气相沉积生长bi2o2te纳米片的方法，其特征在于，碲化铋和氧化铋的前驱体质量之比为2:1，而且两种前驱体的纯度不低于99.9％。4.根据权利要求1所述的一种实现在云母衬底上化学气相沉积生长bi2o2te纳米片的方法，其特征在于，生长温度为700℃，温度误差在
±
8℃。5.根据权利要求1所述的一种实现在云母衬底上化学气相沉积生长bi2o2te纳米片的方法，其特征在于，生长时间为20-30分钟。6.根据权利要求1所述的一种实现在云母衬底上化学气相沉积生长bi2o2te纳米片的方法，其特征在于，生长过程中使用高纯氩作为载气和保护气体，其流速为80sccm-120sccm。7.根据权利要求1所述的一种实现在云母衬底上化学气相沉积生长bi2o2te纳米片的方法，其特征在于，升温至生长温度的升温速率为20-25℃每分钟。8.根据权利要求1所述的一种实现在云母衬底上化学气相沉积生长bi2o2te纳米片的方法，其特征在于，碲化铋前驱体距离加热中心12-15cm靠近进气口，氧化铋前驱体位于加热中心。9.采用权利要求1-8任一项所述的制备方法制备得到的bi2o2te纳米片。

技术总结
本发明构建了一种在云母衬底上采用化学气相沉积生长Bi2O2Te纳米片的方法，本方法以新鲜剥离的云母片作为生长衬底，以碲化铋粉末和氧化铋粉末作为前驱体，在管式炉中采用化学气相沉积的方法生长Bi2O2Te纳米片。本发明制备工艺简单；生长温度相对不高；可控性强，通过改变生长时间、蒸发温度、载气流速、前驱体比例、生长压强等条件来达到控制Bi2O2Te纳米片厚度、形貌、大小的目的。本发明具有制备方法简单，结晶率高，可控性强等优点，拓展了Bi2O2Te在二维半导体范围的发展。在二维半导体范围的发展。


技术研发人员：李俊 张淦博 赵楠荫
受保护的技术使用者：湘潭大学
技术研发日：2022.06.24
技术公布日：2022/9/13