用于局部应力调节的UV固化的制作方法

技术特征：
1.一种调节衬底上的局部应力的方法，所述方法包括：提供弯曲半导体衬底；在所述弯曲半导体衬底上沉积uv可固化膜；以及通过使所述一或更多个第一区域暴露于紫外线(uv)辐射并且使用第一预图案化掩模选择性固化所述uv可固化膜的一或更多个第一区域，以局部调节所述uv可固化膜上的应力，其中所述uv可固化膜减轻所述弯曲半导体衬底的弯曲。2.根据权利要求1所述的方法，其还包括：在uv源与所述弯曲半导体衬底之间提供所述第一预图案化掩模，其中所述第一预图案化掩模包括与所述uv可固化膜的所述一或更多个第一区域对应的一或更多个开口。3.根据权利要求2所述的方法，其还包括：测量整个所述弯曲半导体衬底上的翘曲以确定所述弯曲半导体衬底上的局部化应力；以及在掩模中图案化所述一或更多个开口以形成所述第一预图案化掩模，所述一或更多个开口至少基于所述弯曲半导体衬底上的所述局部化应力而被图案化。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述uv可固化膜的所述一或更多个第一区域根据uv辐射的受控时间、温度、强度和/或波长而暴露于所述uv辐射，以局部调节所述uv可固化膜的所述一或更多个第一区域中的所述应力。5.根据权利要求4所述的方法，其中暴露于所述uv辐射的温度介于约200℃与约500℃之间。6.根据权利要求4所述的方法，其中暴露于所述uv辐射的时间介于约1分钟与约60分钟之间。7.根据权利要求4所述的方法，其中所述uv辐射的强度介于约1μw/cm2与约10w/cm2之间。8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中所述uv可固化膜包括氮化硅。9.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中所述uv辐射配置成将所述uv可固化膜上的应力局部调节介于约200mpa与约4000mpa之间的量。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述uv可固化膜在所述一或更多个第一区域中的刚沉积应力小于约-100mpa，且其中所述uv可固化膜于所述一或更多第一区域中的固化后应力大于约100mpa。11.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中所述uv可固化膜具有介于约25nm与约100nm之间的厚度。12.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中所述弯曲半导体衬底呈不对称弯曲，其具有大于约
±
300μm的翘曲。13.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中在所述弯曲半导体衬底上沉积所述uv可固化膜发生于所述弯曲半导体衬底的背侧。14.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中通过使用所述第一预图案化掩模而选择性地固化所述uv可固化膜的所述一或更多个第一区域导致所述uv可固化膜的一或更多个暴露区域变得比所述uv可固化膜的一或更多个未暴露区域更具应力上的拉伸性。15.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其还包括：
通过使用第二预图案化掩模，选择性地固化所述uv可固化膜的一或更多个第二区域，所述第二预图案化掩模使所述一或更多个第二区域选择性地暴露于uv辐射，其中选择性地固化所述一或更多个第二区域在不同于选择性地固化所述一或更多个第一区域的条件下发生。16.一种制备用于局部化应力调节的掩模的方法，所述方法包括：在掩模中图案化一或更多个开口以形成一预图案化掩模，所述一或更多个开口至少基于半导体衬底的应力图和/或所述半导体衬底的预定管芯间距而被图案化；以及提供所述预图案化掩模至紫外线(uv)室，其中所述预图案化掩模被配置成当所述半导体衬底暴露于uv辐射时，使沉积于所述半导体衬底上的uv可固化膜的一或更多个暴露区域变得比所述uv可固化膜的一或更多个未暴露区域更具拉伸性。17.根据权利要求16所述的方法，其还包括：接收半导体衬底的应力图，其指示所述半导体衬底的一或更多个区域中的不对称弯曲的程度。18.一种用于调节衬底上应力的装置，所述装置包括：处理室，其包括：衬底支撑件，其用于支撑弯曲半导体衬底，以及紫外线(uv)源，其用于使所述弯曲半导体衬底暴露于uv辐射；以及控制器，其被配置有用于执行以下操作的指令：在所述处理室中提供所述弯曲半导体衬底，使uv可固化膜沉积于所述弯曲半导体衬底的前侧或背侧上；以及通过使用第一预图案化掩模，选择性地固化所述uv可固化膜的一或更多个第一区域，所述第一预图案化掩模使所述一或更多个第一区域选择性地暴露于紫外线(uv)辐射，以局部调节所述uv可固化膜上的应力，其中所述uv可固化膜减轻所述弯曲半导体衬底的弯曲。19.根据权利要求18所述的装置，其中所述控制器被配置有用于当选择性地固化所述uv可固化膜的所述一或更多个第一区域时改变uv辐射的时间、温度、强度和/或波长的指令。20.根据权利要求18或19所述的装置，其还包括：沉积室，其与所述处理室分开；其中所述控制器还被配置有用于执行以下操作的指令：在所述弯曲半导体衬底的所述前侧或背侧上沉积所述uv可固化膜。

技术总结
通过用紫外线(UV)辐射选择性并局部地固化膜，可调节沉积在弯曲半导体衬底上的膜中的局部化应力。弯曲半导体衬底可不对称弯曲。在弯曲半导体衬底的前侧或背侧上沉积UV可固化膜。在UV可固化膜与UV源之间提供掩模，其中掩模中的开口被图案化以选择性地定义UV可固化膜的暴露区域与未暴露区域。UV可固化膜的暴露区域调节局部化应力以减轻弯曲半导体衬底中的弯曲。的弯曲。的弯曲。


技术研发人员：阿尼尔万
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2021.01.25
技术公布日：2022/9/13