用于物体的电容位置检测的传感器布置的制作方法

技术特征：
1.一种用于对物体(100)进行电容检测的传感器布置(1)，包括：-电极布置(20)，其包括作为电极(21、22)的加热元件(4)；-检测设备(10)，其适于将检测信号施加到所述电极布置(20)的传感器电极(21)，并且电容性地检测所述传感器电极(21)附近物体(100)的存在；-高边开关(30)，其连接在具有第一电位(v1)的加热电源(2)和所述加热元件(4)之间；-低边开关(40)，其连接在所述加热元件(4)和第二电位(gnd)之间；-栅极控制器(50)，其适于在加热模式下闭合所述高边开关(30)和所述低边开关(40)，并且在检测模式下打开所述高边开关(30)和所述低边开关(40)；-去耦电路(60)，其包括连接在所述高边开关(30)和所述加热元件(4)之间的去耦mosfet(70)，其中，所述栅极控制器(50)适于在所述加热模式下闭合所述去耦mosfet(70)并且在所述检测模式下打开所述去耦mosfet(70)，并且所述去耦电路(60)适于在检测模式期间在第一节点(61)处主动提供第三电位(v2)，所述第一节点(61)连接在所述高边开关(30)和所述去耦mosfet(70)之间。2.根据权利要求1所述的传感器布置，其特征在于，所述加热(4)元件是所述电极布置(20)的保护电极(22)。3.根据权利要求1所述的传感器布置，其特征在于，所述加热元件(4)是所述电极布置(20)的传感器电极(21)。4.根据前述权利要求中任一项所述的传感器布置，其特征在于，所述传感器布置适用于车辆的方向盘上的手部检测。5.根据权利要求1至3中任一项所述的传感器布置，其特征在于，所述传感器布置适用于车辆座椅的占用检测。6.根据前述权利要求中任一项所述的传感器布置，其特征在于，所述高边开关(30)和所述低边开关(40)中的至少一个包括开关mosfet(30、40)。7.根据前述权利要求中任一项所述的传感器布置，其特征在于，所述去耦mosfet(70)的体二极管(71)具有与所述高边开关(30)和所述低边开关(40)的体二极管(31、41)的正向相反的正向。8.根据前述权利要求中任一项所述的传感器布置，其特征在于，所述去耦mosfet(70)是n沟道mosfet。9.根据前述权利要求中任一项所述的传感器布置，其特征在于，所述去耦mosfet(70)是p沟道mosfet。10.根据前述权利要求中任一项所述的传感器布置，其特征在于，所述第一节点(61)经由第一电阻元件(63)连接到第一dc电压源(62)。11.根据前述权利要求中任一项所述的传感器布置，其特征在于，所述第一节点(61)经由电容元件(64)连接到地(gnd)。12.根据前述权利要求中任一项所述的传感器布置，其特征在于，所述去耦电路(60)适于在检测模式期间主动地向在所述加热元件(4)和所述低边开关(40)之间的第二节点(65)提供第四电位(v3)。13.根据权利要求12所述的传感器布置，其特征在于，所述第二节点(65)经由第二电阻元件(67)连接到第二dc电压源(66)。
14.根据前述权利要求中任一项所述的传感器布置，其特征在于，所述栅极控制器(50)经由第三电阻元件(68)连接到所述去耦mosfet(70)。15.根据前述权利要求中任一项所述的传感器布置，其特征在于，所述去耦电路(60)适于提供所述第三电位(v2)和所述第四电位(v3)，使得所述去耦mosfet(70)和所述低边开关(40)的至少一个体二极管(41、71)在检测模式下被反向偏置。

技术总结
本发明涉及一种用于对物体(100)进行电容检测的传感器布置(1)，包括：-电极布置(20)，其包括作为电极(21、22)的加热元件(4)；-检测设备(10)，其适于将检测信号施加到电极布置(20)的传感器电极(21)，并且电容性地检测传感器电极(21)附近物体(100)的存在；-高边开关(30)，其连接在具有第一电位(V1)的加热电源(2)和加热元件(4)之间；-低边开关(40)，其连接在加热元件(4)和第二电位(GND)之间；以及-栅极控制器(50)，其适于在加热模式下闭合高边开关(30)和低边开关(40)，并且在检测模式下打开高边开关(30)和低边开关(40)。为了增加利用加热器元件作为电极的电容检测的准确性，本发明提供了：传感器布置还包括去耦电路(60)，其包括连接在高边开关(30)和加热元件(4)之间的去耦MOSFET(70)，其中栅极控制器(50)适于在加热模式下闭合去耦MOSFET(70)并且在检测模式下打开去耦MOSFET(70)，并且去耦电路(60)适于在检测模式期间在第一节点(61)处主动提供第三电位(V2)，所述第一节点(61)连接在高边开关(30)和去耦MOSFET(70)之间。和去耦MOSFET(70)之间。和去耦MOSFET(70)之间。


技术研发人员：L
受保护的技术使用者：IEE国际电子工程股份公司
技术研发日：2021.01.25
技术公布日：2022/9/13