一种MEMS半导体气体传感器的制作方法

技术特征：
1.一种mems半导体气体传感器，包括单晶硅基底(1)、下支撑层(2)、加热电极(3)、绝缘层(4)和敏感电极(5)，其特征在于，所述单晶硅基底(1)、下支撑层(2)、加热电极(3)、绝缘层(4)和敏感电极(5)的外部设置有防护结构，所述防护结构包括下壳体(7)、上壳体(8)、支撑杆(9)和固定座(10)。2.根据权利要求1所述的一种mems半导体气体传感器，其特征在于，所述防护结构还包括插杆(12)、限位块(13)和拉伸弹簧(14)，所述下壳体(7)与单晶硅基底(1)的底部连接，所述支撑杆(9)与上壳体(8)的内壁连接，所述固定座(10)与下壳体(7)的内壁连接，所述插杆(12)与下壳体(7)和固定座(10)插接，所述支撑杆(9)的外壁开设有与插杆(12)相适配的插槽(18)，所述限位块(13)与插杆(12)远离支撑杆(9)的一端连接，所述拉伸弹簧(14)设置在下壳体(7)和限位块(13)之间，所述固定座(10)的顶部开设有与支撑杆(9)相适配的定位槽(11)。3.根据权利要求1所述的一种mems半导体气体传感器，其特征在于，所述支撑杆(9)和固定座(10)的数量均为四个。4.根据权利要求2所述的一种mems半导体气体传感器，其特征在于，所述定位槽(11)的内底壁安装有导向杆(15)，所述支撑杆(9)的底部开设有与导向杆(15)相适配的导向槽(16)。5.根据权利要求1所述的一种mems半导体气体传感器，其特征在于，所述上壳体(8)的左侧开设有扣槽(17)。6.根据权利要求1所述的一种mems半导体气体传感器，其特征在于，所述上壳体(8)的顶部呈弧形结构。

技术总结
本实用新型公开了一种MEMS半导体气体传感器，涉及传感器技术领域，包括单晶硅基底、下支撑层、加热电极、绝缘层和敏感电极，所述单晶硅基底、下支撑层、加热电极、绝缘层和敏感电极的外部设置有防护结构，本实用新型中，通过设置下壳体和上壳体对单晶硅基底、下支撑层、加热电极、绝缘层与敏感电极进行防护，通过设置支撑杆和固定座，方便下壳体和上壳体对接，并确保下壳体和上壳体之间存在一定间隙，方便检测气体，通过限位块将插杆远离支撑杆，通过设置并利用拉伸弹簧的弹性复位原理，从而方便将支撑杆固定在固定座内，确保了上壳体安装在下壳体上后的稳定性，进而安装和检修单晶硅基底、下支撑层、加热电极、绝缘层和敏感电极。绝缘层和敏感电极。绝缘层和敏感电极。


技术研发人员：孙凯 王俊花 郭亮 宋立景 孟维琦
受保护的技术使用者：山东乾能科技创新有限公司
技术研发日：2022.05.25
技术公布日：2022/9/13