基板处理方法及基板处理装置与流程

1.本发明关于对基板执行处理的基板处理方法及基板处理装置。基板例如是半导体晶圆、液晶显示器用基板、有机el(electroluminescence，电致发光)用基板、fpd(flat panel display，平面显示器)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光盘用基板、光磁盘用基板、光罩用基板、太阳电池用基板等。


背景技术：

2.以往以来，为能对基板施行良好处理，有如下情况：从与由旋转夹具所保持基板上表面呈对向配置的遮断板或气体喷嘴等构件(亦称“环境气体控制构件”)朝基板上表面吐出非活性气体，从而，控制沿基板上表面的空间的环境气体，并执行基板处理(例如参照专利文献1～3等)。
3.再者，为降低对基板上表面施行的处理出现不均，有如下情况：在由旋转夹具所保持的基板进行旋转的状态下，以使处理液掉落于基板上表面的着落位置能在中央部与周缘部之间进行扫描(scanning)的方式，使吐出处理液的喷嘴(亦称“处理液吐出喷嘴”)进行摆动(例如参照专利文献1～3等)。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本特开2018-157061号公报
7.专利文献2：日本特开2014-197571号公报
8.专利文献3：日本特开2017-69346号公报


技术实现要素：

9.发明要解决的问题
10.但是，例如依照处理液的种类，对基板上表面的处理会容易受沿着基板上表面的空间中的氧浓度或湿气等影响，因而会有欲进而降低对基板上表面施行的处理的不均的情况。即，会有欲兼顾基板上表面上的环境气体控制与基板上表面的着落位置的扫描的情况。
11.然而，例如有如下情况：假设为了能充分控制基板上表面上的环境气体，当使环境气体控制构件接近基板上表面时，则利用处理液吐出喷嘴的摆动而进行的处理液着落位置的扫描并无法遍及基板上表面的广范围地进行，导致无法充分降低对基板上表面施行的处理的不均。
12.另一方面，例如假设为了能对基板上表面的广范围施行着落位置的扫描，当使环境气体控制构件远离基板上表面时，则基板上表面上的环境气体的控制不足，会导致基板处理质量降低。另外，例如若从处理液吐出喷嘴对基板上表面朝重力方向吐出处理液，则在基板上表面上会发生处理液飞溅，导致处理液吐出喷嘴及环境气体控制构件遭污染，亦会有造成基板处理质量降低的情况。
13.本发明鉴于上述课题而完成，其目的在于提供：可同时实现基板上表面上的环境
气体控制与降低对基板上表面施行的处理的不均的基板处理方法及基板处理装置。
14.用于解决问题的手段
15.为解决上述课题，第1实施方式的基板处理方法包括有：保持步骤与处理步骤。上述保持步骤中，将基板保持为水平姿势于保持部。上述处理步骤中，从处于与由上述保持部保持为水平姿势的上述基板的上表面相对向的状态下的环境气体控制构件，朝上述上表面上供给非活性气体，并一边使上述保持部以沿铅垂方向的虚拟旋转轴为中心进行旋转，一边从液体吐出部的吐出口朝沿上述上表面的方向吐出处理液，从而对上述上表面上供给该处理液。另外，上述处理步骤中，变更从上述处理液的供给源朝上述液体吐出部供给的上述处理液的每单位时间的供给量，而使从上述液体吐出部吐出的上述处理液的吐出速度变化，从而使上述上表面中被供给有从上述液体吐出部吐出的上述处理液的液体供给位置变化。
16.第2实施方式的基板处理方法就第1实施方式的基板处理方法，其中，上述处理步骤中，以相较于上述液体供给位置在上述上表面中的中央区域内时，上述液体供给位置在上述上表面中的端部侧区域内时上述吐出速度变小的方式，降低从上述供给源朝上述液体吐出部供给的上述处理液的每单位时间的供给量。
17.第3实施方式的基板处理方法就第2实施方式的基板处理方法，其中，上述处理步骤中，通过使从上述供给源朝上述液体吐出部供给的上述处理液的每单位时间的供给量增减，从而使上述液体供给位置在上述中央区域内与上述端部侧区域内之间往返多次。
18.第4实施方式的基板处理方法就第1至第3中任一实施方式的基板处理方法，其中，上述处理步骤中，从上述液体吐出部吐出的上述处理液通过上述上表面与上述环境气体控制构件之间的空间而着落于上述上表面。
19.第5实施方式的基板处理方法就第1至第4中任一实施方式的基板处理方法，其中，上述处理步骤中，上述吐出口在铅垂方向上，配置于比上述上表面更高的位置，且配置于比上述环境气体控制构件的下表面更低的位置。
20.第6实施方式的基板处理方法就第5实施方式的基板处理方法，其中，上述处理步骤中，将以上述上表面为基准的上述吐出口铅垂方向的高度设为h，将上述虚拟旋转轴与上述吐出口间的水平方向距离设为r，将通过上述吐出口的虚拟水平面与上述吐出口吐出上述处理液的吐出方向所成角度设为θ，若上述吐出方向为比水平方向更向下的方向时，上述角度θ表示正值，且上述吐出方向为比水平方向更向上的方向时，上述角度θ表示负值，此时，满足0≤θ≤tan-1
(h/r)的关系。
21.第7实施方式的基板处理方法就第1至第6中任一实施方式的基板处理方法，其中，上述处理步骤中，上述环境气体控制构件处于覆盖上述上表面的状态，并朝上述上表面与上述环境气体控制构件之间供给非活性气体。
22.第8实施方式的基板处理方法就第1至第6中任一实施方式的基板处理方法，其中，上述处理步骤中，上述环境气体控制构件处于与上述上表面中的中央区域相对向的状态，并朝上述基板的上方供给非活性气体，从而形成沿上述上表面流动的气流。
23.第9实施方式的基板处理装置具备有：保持部、第1驱动部、环境气体控制构件、液体吐出部、液体供给路、变更部以及控制部。上述保持部将基板保持为水平姿势。上述第1驱动部使上述保持部以沿铅垂方向的虚拟旋转轴为中心进行旋转。上述环境气体控制构件在
与由上述保持部保持为水平姿势的上述基板的上表面呈相对向的状态下，朝上述上表面上供给非活性气体。上述液体吐出部通过朝向沿着由上述保持部保持为水平姿势的上述基板的上述上表面的方向，从吐出口吐出处理液，来对上述上表面上供给上述处理液。上述液体供给路连接上述处理液的供给源与上述液体吐出部。上述变更部位于上述液体供给路的途中，变更从上述供给源朝上述液体吐出部供给的上述处理液的每单位时间的供给量。上述控制部，通过上述变更部变更从上述供给源朝上述液体吐出部供给的上述处理液的每单位时间的供给量，而使从上述液体吐出部所吐出的上述处理液的吐出速度变化，从而使上述上表面中被供给有从上述液体吐出部吐出的上述处理液的液体供给位置变化。
24.第10实施方式的基板处理装置就第9实施方式的基板处理装置，其中，上述控制部是以相较于上述液体供给位置在上述上表面中的中央区域内时，上述液体供给位置在上述上表面中的端部侧区域内时上述吐出速度变小的方式，利用上述变更部来降低从上述供给源朝上述液体吐出部供给的上述处理液的每单位时间的供给量。
25.第11实施方式的基板处理装置就第10实施方式的基板处理装置，其中，上述控制部通过利用上述变更部使从上述供给源朝上述液体吐出部供给的上述处理液的每单位时间的供给量增减，从而使上述液体供给位置在上述中央区域内与上述端部侧区域内之间往返多次。
26.第12实施方式的基板处理装置就第9至第11中任一实施方式的基板处理装置，其中，上述液体吐出部以上述处理液通过上述上表面与上述环境气体控制构件之间的空间而着落于上述上表面的方式，吐出上述处理液。
27.第13实施方式的基板处理装置就第9至第12中任一实施方式的基板处理装置，其中，上述吐出口在铅垂方向上配置于比上述上表面更高且比上述环境气体控制构件的下表面更低的位置的状态，朝沿上述上表面的方向吐出上述处理液。
28.第14实施方式的基板处理装置就第13实施方式的基板处理装置，其中，上述液体吐出部朝上述上表面供给上述处理液时，将以上述上表面为基准的上述吐出口铅垂方向的高度设为h，将上述虚拟旋转轴与上述吐出口间的水平方向距离设为r，将通过上述吐出口的虚拟水平面与上述吐出口吐出上述处理液的吐出方向所成角度设为θ，若上述吐出方向为比水平方向更向下的方向时，上述角度θ表示正值，且上述吐出方向为比水平方向更向上的方向时，上述角度θ表示负值，此时，满足0≤θ≤tan-1
(h/r)的关系。
29.第15实施方式的基板处理装置就第9至第14中任一实施方式的基板处理装置，其中，上述环境气体控制构件包含：遮断板，在覆盖上述上表面的状态下，朝上述上表面与上述环境气体控制构件之间供给非活性气体。
30.第16实施方式的基板处理装置就第9至第14中任一实施方式的基板处理装置，其中，上述环境气体控制构件在与上述上表面中的中央区域相对向的状态下，朝上述基板的上方供给非活性气体，从而形成沿上述上表面流动的气流。
31.第17实施方式的基板处理装置就第9至第16中任一实施方式的基板处理装置，其中，具备有：挡板部，包围上述保持部的周围；以及第2驱动部，使上述挡板部沿铅垂方向升降。上述控制部利用上述第2驱动部而使上述挡板部升降。上述液体吐出部具有：第1管状部，在沿水平方向延伸的状态下，在前端具有上述吐出口；第2管状部，在连通于上述第1管状部的状态下，呈从上述第1管状部朝上方延伸的状态；以及第3管状部，在连通上述第2管
状部的状态下，呈从上述第2管状部朝水平方向延伸的状态。
32.第18实施方式的基板处理装置就第17实施方式的基板处理装置，其中，具备：第3驱动部，使上述液体吐出部沿铅垂方向升降。当朝下方俯视透视时，上述挡板部具备设有朝远离上述环境气体控制构件方向凹陷的凹部的内周缘部。上述控制部进行如下动作中的至少一动作：下降动作，利用上述第3驱动部使上述液体吐出部下降，从而使上述第2管状部插通于上述凹部内的空间；以及上升动作，利用上述第3驱动部使上述液体吐出部上升，从而使上述第2管状部从上述凹部内的空间朝上方移动。
33.第19实施方式的基板处理装置就第9至第16中任一实施方式的基板处理装置，其中，具备：挡板部，包围上述保持部的周围；第2驱动部，使上述挡板部沿铅垂方向升降；以及第3驱动部，使上述液体吐出部沿铅垂方向升降。上述液体吐出部具备管状的前端部，其呈沿铅垂方向延伸的状态；上述前端部具备上述吐出口，其朝水平方向呈开口；上述控制部利用上述第2驱动部来使上述挡板部升降，并且，以使上述前端部对上述挡板部与上述环境气体控制构件之间的间隙进行插拔的方式，利用上述第3驱动部使上述液体吐出部升降。
34.第20实施方式的基板处理装置就第9至第16中任一实施方式的基板处理装置，其中，具备有：挡板部，包围上述保持部的周围；以及第2驱动部，使上述挡板部沿铅垂方向升降。上述控制部利用上述第2驱动部使上述挡板部升降，上述液体吐出部处于与上述挡板部一体地构成的状态。
35.发明的效果
36.根据第1实施方式的基板处理方法，例如可执行基板上表面的环境气体的控制，并在未使液体吐出部摆动的情况下，执行基板上表面广范围的处理液的液体供给位置的扫描。因此，例如可同时实现基板上表面的环境气体控制与降低对基板上表面所施行的处理的不均。
37.根据第2实施方式的基板处理方法，例如在对端部侧区域供给处理液时，降低处理液的速度及供给量。所以，例如保持部中的保持着基板外缘部的夹持销处不易发生处理液的飞溅。
38.根据第3实施方式的基板处理方法，例如通过在基板上表面广范围多次进行处理液的液体供给位置的扫描，从而可更加降低对基板上表面的处理的不均。
39.根据第4实施方式的基板处理方法，例如在使环境气体控制构件与基板上表面广范围相对向于的状态下，可更严格地施行基板上表面上的环境气体的控制，并在未使液体吐出部摆动的情况下，在基板上表面广范围执行处理液的液体供给位置的扫描。
40.根据第5实施方式的基板处理方法，例如可利用环境气体控制构件进行基板上的环境气体的控制，并朝基板上表面广范围供给处理液。
41.根据第6实施方式的基板处理方法，例如可容易地将处理液供给至基板上表面中的虚拟旋转轴上的部分。
42.根据第7实施方式的基板处理方法，例如可严格地控制基板上表面上的环境气体。
43.根据第8实施方式的基板处理方法，例如可容易地使液体吐出部在吐出处理液的位置与退避位置之间移动。
44.根据第9实施方式的基板处理装置，例如可通过来自环境气体控制构件的非活性气体的供给而良好地进行基板上表面上的环境气体的控制，并于未使液体吐出部摆动的情
况下，对基板上表面广范围的处理液的液体供给位置进行扫描。因此，例如可同时实现基板上表面的环境气体的控制与降低对基板上表面施行的处理的不均。
45.根据第10实施方式的基板处理装置，例如在朝端部侧区域供给处理液时，降低处理液的速度及供给量。所以，例如保持部中的保持着基板外缘部的夹持销处不易发生处理液的飞溅。
46.根据第11实施方式的基板处理装置，例如通过在基板上表面广范围多次进行处理液的液体供给位置的扫描，从而可更加降低对基板上表面的处理的不均。
47.根据第12实施方式的基板处理装置，例如可在使环境气体控制构件与基板上表面广范围相对向的状态下，更严格施行基板上表面上的环境气体的控制，并在未使液体吐出部摆动的情况下，于基板上表面广范围执行处理液的液体供给位置的扫描。
48.根据第13实施方式的基板处理装置，例如可利用环境气体控制构件进行基板上的环境气体的控制，并朝基板上表面广范围供给处理液。
49.根据第14实施方式的基板处理装置，例如可容易地将处理液供给至基板上表面中虚拟旋转轴上的部分。
50.根据第15实施方式的基板处理装置，例如可严格地控制基板上表面上的环境气体。
51.根据第16实施方式的基板处理装置，例如可容易地使液体吐出部在吐出处理液的位置与退避位置之间移动。
52.根据第17实施方式的基板处理装置，例如可在第2管状部插通于挡板部与环境气体控制构件之间的间隙的状态下，将吐出口朝向沿着由保持部保持的基板的上表面的方向而配置于用以吐出处理液的位置。而且，例如可使从吐出口吐出的处理液的吐出方向呈稳定。
53.根据第18实施方式的基板处理装置，例如即使挡板部上表面配置于比环境气体控制构件的下表面更高的位置，而挡板部与环境气体控制构件之间的间隙狭窄的情况下，仍可使液体吐出部容易地对挡板部与环境气体控制构件之间的间隙进行插拔。因此，例如即使挡板部与环境气体控制构件之间的间隙狭窄，仍可使液体吐出部容易地在吐出处理液的位置与退避位置之间移动。
54.根据第19实施方式的基板处理装置，例如即使挡板部上表面配置于比环境气体控制构件的下表面更高的位置，而挡板部与环境气体控制构件之间的间隙狭窄的情况下，仍可使液体吐出部容易地对挡板部与环境气体控制构件之间的间隙进行插拔。因此，例如即使挡板部与环境气体控制构件之间的间隙狭窄，仍可使液体吐出部轻易地在吐出处理液的位置与退避位置之间移动。
55.根据第20实施方式的基板处理装置，例如可使液体吐出部的配置容易。
附图说明
56.图1表示第1实施方式的基板处理装置的概略构成的俯视图。
57.图2表示y轴方向上的基板处理装置的中央部的概略构成的侧视图。
58.图3表示基板处理装置的-y侧部分的概略构成的侧视图。
59.图4表示用于控制基板处理装置的功能性构成的方框图。
60.图5表示控制部的一构成例的方框图。
61.图6示意性地表示处理单元的一构成例的侧视图。
62.图7示意性地表示处理单元内部的一构成例的俯视图。
63.图8的(a)及(b)示意性地表示第1液体吐出部朝基板上吐出处理液的情况的图。
64.图9的(a)及(b)示意性地表示第1液体吐出部朝基板上吐出处理液的情况的图。
65.图10的(a)及(b)示意性地表示从第1液体吐出部朝基板上吐出处理液的方向的图。
66.图11表示处理单元中的对基板施行的一连串基板处理的动作流程的一例的流程图。
67.图12表示处理单元中的对基板施行的一连串基板处理的动作流程的一例的流程图。
68.图13的(a)至(c)用于说明处理单元中的对基板施行的一连串基板处理的动作的一例的示意性侧视图。
69.图14的(a)至(c)用于说明处理单元中的对基板施行的一连串基板处理的动作的一例的示意性侧视图。
70.图15的(a)至(c)用于说明处理单元中的对基板施行的一连串基板处理的动作的一例的示意性侧视图。
71.图16的(a)至(c)用于说明处理单元中的对基板施行的一连串基板处理的动作的一例的示意性侧视图。
72.图17的(a)至(c)用于说明处理单元中的对基板施行的一连串基板处理的动作的一例的示意性侧视图。
73.图18的(a)至(c)用于说明处理单元中的对基板施行的一连串基板处理的动作的一例的示意性侧视图。
74.图19的(a)及(b)用于说明处理单元中的对基板施行的一连串基板处理的动作的一例的示意性侧视图。
75.图20示意性地表示第2实施方式的处理单元的一构成例的侧视图。
76.图21示意性地表示第2实施方式的环境气体控制构件的一构成例的纵剖视图。
77.图22示意性地表示第3实施方式的第1～3液体吐出部的形态的纵剖视图。
78.图23示意性地表示第4实施方式的处理单元的内部的一构成例的俯视图。
79.图24的(a)及(b)示意性地表示第5实施方式的处理单元中的第1～3液体吐出部的配置的侧视图。
具体实施方式
80.以下，一边参照说明书附图，针对本发明各种实施方式进行说明。所述实施方式所记载的构成要件充其量仅为例示而已，本发明范围并不仅局限于这些。附图中，为求容易理解，视需要会有将各部位的尺寸与数量进行夸大或简单化图示的情况。另外，各图中，为说明各要件的位置关系，会赋予右手系的xyz正交坐标系。此处，x轴及y轴设定为朝水平方向延伸，z轴设定为朝铅垂方向(上下方向)延伸。另外，以下说明中，将箭头前端的朝向设定为 (plus)方向，并将其反方向设定为-(minus)方向。此处，铅垂方向朝上为 z方向，铅垂方向
朝下为-z方向。
81.表示相对性或绝对性位置关系的表现(例如“在一方向”“沿一方向”“平行”“正交”“中心”“同心”“同轴”等)，在无特别声明的前提下，不仅严格地表示其位置关系，亦表示在可获得公差范围内或同程度的功能的范围内关于角度或距离而相对性地位移的状态。表示相等状态的表现(例如“同一”“相等”“均质”等)，在无特别声明的前提下，不仅表示定量性严格地相等的状态，亦表示存在能获得公差范围内的或同程度的功能的偏差的状态。表示形状的表现(例如“四边形形状”或“圆筒形状”等)，在无特别声明的前提下，不仅为于几何学上严格地表示该形状，亦表示在能获得同程度效果的范围内，具有例如凹凸、倒角等的形状。“设置”“具有”“具备”“含有”或“设有”这样的构成要件的表现，并非排除其它构成要件的存在的排他性表现。所谓“在～之上”，在无特别声明的前提下，除两个要件相邻接的情况外，亦有包含两个要件相离开的情况。所谓“使朝特定方向移动”，在无特别声明的前提下，不仅为使其与该特定方向平行地移动的情况，亦有包含使其朝具该特定方向成分的方向移动的情况。
82.＜1.第1实施方式＞
83.＜1-1.基板处理装置的概略构成＞
84.图1第1实施方式的基板处理装置1的俯视图。基板处理装置1对基板(例如半导体晶圆)w施行处理。
85.基板w例如：半导体晶圆、液晶显示器用基板、有机el(electrolumin escence)用基板、fpd(flat panel display)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光盘用基板、光磁盘用基板、光罩用基板、太阳电池用基板。基板w具有薄平板形状。本实施方式中，列举基板w是俯视时具圆形形状的半导体晶圆的例子而进行说明。基板w具有例如300毫米(mm)左右的直径与0.5mm至3mm左右的厚度。
86.基板处理装置1具备有：分度器部2、处理区域5以及控制部9。
87.＜1-1-1.分度器部＞
88.分度器部2具备有：多个(例如4个)载具载置部3及第1搬送机构4。分度器部2具备有：搬送空间32。搬送空间32配置于载具载置部3的 x侧。搬送空间32沿y轴方向延伸。
89.多个载具载置部3例如沿y轴方向呈一列地排列。各载具载置部3分别载置1个载具c。
90.载具c收容多张基板w。载具c例如foup(front opening unified po d，前开式晶圆传送盒)。载具c例如具备有：容器、配置于容器内且于铅垂方向上排列的多个晶架。在铅垂方向相邻的晶架配置成具有10mm左右的间隔。各晶架将1张基板w以水平姿势载置。例如在载具c载置于载具载置部3的状态下，各晶架具备有：从容器的 y侧内壁朝-y方向突出且沿x轴方向延伸的第1支撑部、及从容器的-y侧内壁朝 y方向突出且沿x轴方向延伸的第2支撑部。各晶架中，第1支撑部与第2支撑部的间隔较基板w的直径更小。各晶架例如利用第1支撑部与第2支撑部，来支撑着基板w的周缘部的下表面。多个晶架中，当各晶架支撑着基板w时，在铅垂方向上相邻的晶架之间具有可使基板w朝上方移动的间隔。载具c具有条形码，例如作为供执行载具c的识别、或供识别载具c内的基板w用的标识符。条形码例如贴附于容器上。
91.再者，分度器部2例如具备有：条码读取器31。条码读取器31读取贴附于载具载置
部3所载置的载具c上的条形码。条码读取器31例如安装于载具载置部3。条码读取器31可通信地与控制部9连接。
92.第1搬送机构4设置于搬送空间32中。第1搬送机构4配置于载具载置部3的 x侧。第1搬送机构4具备有：机械手33、及机械手驱动部34。
93.机械手33将1张基板w以水平姿势支撑。机械手33通过与基板w的下表面接触，而支撑着基板w。此时，机械手33也可例如利用抽吸部等而吸住基板w。机械手驱动部34连接于机械手33。机械手驱动部34移动机械手33。
94.图2表示y轴方向上的基板处理装置1的中央部构成的侧视图。如图1及图2所示，机械手驱动部34具备有：轨道34a、水平移动部34b、垂直移动部34c、旋转部34d、及进退移动部34e。轨道34a固定于分度器部2的下部。例如轨道34a配置于搬送空间32的底部。轨道34a沿y轴方向延伸。水平移动部34b由轨道34a支撑着。水平移动部34b相对于轨道34a而沿y轴方向移动。垂直移动部34c由水平移动部34b支撑着。垂直移动部34c相对于水平移动部34b而在上下方向(
±
z方向)移动。旋转部34d由垂直移动部34c支撑着。旋转部34d相对于垂直移动部34c而进行旋转。旋转部34d是以虚拟旋转轴ax1为中心进行旋转。虚拟旋转轴ax1与铅垂方向(
±
z方向)平行。进退移动部34e朝沿着由旋转部34d的朝向而确定的水平方向的一方向进行往返移动。
95.机械手33固定于进退移动部34e。机械手33通过机械手驱动部34，而可沿水平方向及上下方向(
±
z方向)分别平行地移动。机械手33能以虚拟旋转轴ax1为中心进行旋转。因此，第1搬送机构4可对所有载具载置部3上载置的载具c进行存取。第1搬送机构4可将基板w搬入于所有载具载置部3所载置的载具c中，且可从所有载具载置部3所载置的载具c中搬出基板w。
96.＜1-1-2.处理区域＞
97.处理区域5连接于分度器部2。例如处理区域5连接于分度器部2的 x侧。
98.处理区域5具备有：载置部6、多个处理单元7、及第2搬送机构8。另外，处理区域5具备有：搬送空间41。搬送空间41在y轴方向上配置于处理区域5的中央。搬送空间41沿x轴方向延伸。搬送空间41与分度器部2的搬送空间32相接。载置部6及第2搬送机构8设置于搬送空间41中。
99.载置部6配置于第2搬送机构8的-x侧。载置部6配置于第1搬送机构4的 x侧。在载置部6中，载置有多张基板w。载置部6配置于第1搬送机构4与第2搬送机构8之间。在载置部6中，载置着在第1搬送机构4与第2搬送机构8之间搬送的基板w。上述第1搬送机构4可对载置部6进行存取。第1搬送机构4可将基板w搬入于载置部6中，并可从载置部6中搬出基板w。
100.在载置部6中可载置着多张基板w。载置部6例如具备有：在y轴方向上配置成彼此对向的一对支撑壁、及多个晶架。各支撑壁例如具有沿xz平面的形状。一对支撑壁支撑着多个晶架。多个晶架配置成在铅垂方向上排列。各晶架可将1张基板w以水平姿势载置。各晶架例如具备有：从 y侧的支撑壁内壁朝-y方向突出且沿x轴方向延伸的第3支撑部、以及从-y侧的支撑壁内壁朝 y方向突出且沿x轴方向延伸的第4支撑部。各晶架中，第3支撑部与第4支撑部的间隔较基板w的直径更小。各晶架例如通过第3支撑部与第4支撑部，支撑着基板w的周缘部的下表面。当各晶架支撑着基板w时，多个晶架中在铅垂方向上相邻的晶架间具有可使基板w朝上方移动的间隔。
101.第2搬送机构8具备有：机械手61、与机械手驱动部62。
102.机械手61将1张基板w以水平姿势支撑。机械手61通过与基板w的下表面接触，而支撑着基板w。此时，机械手61也可例如利用抽吸部等而吸住基板w。机械手驱动部62链接于机械手61。机械手驱动部62移动机械手61。
103.如图2所示，机械手驱动部62具备有：支柱62a、垂直移动部62b、旋转部62c、及进退移动部62d。支柱62a固定于处理区域5的下部。支柱62a沿铅垂方向延伸。垂直移动部62b由支柱62a支撑着。垂直移动部62b相对于支柱62a而在上下方向(
±
z方向)移动。旋转部62c由垂直移动部62b支撑着。旋转部62c相对于垂直移动部62b而进行旋转。旋转部62c是以虚拟旋转轴ax2为中心而进行旋转。虚拟旋转轴ax2与铅垂方向平行。进退移动部62d朝沿着由旋转部62c的朝向而确定的水平方向的一方向进行往返移动。
104.机械手61固定于进退移动部62d。机械手61通过机械手驱动部62，而可沿水平方向及上下方向(
±
z方向)分别平行地移动。机械手61能以虚拟旋转轴ax2为中心而进行旋转。因此，第2搬送机构8可对载置部6及所有处理单元7进行存取。第2搬送机构8可将基板w搬入于载置部6或处理单元7，且可从载置部6或处理单元7中搬出基板w。
105.各处理单元7处理1张基板w。多个处理单元7配置于搬送空间41的两侧。多个处理单元7分别配置于第2搬送机构8的 y侧及-y侧。具体而言，处理区域5具备有：第1处理分区42、第2处理分区43。第1处理分区42、搬送空间41、及第2处理分区43依照此记载顺序在-y方向上排列。第1处理分区42配置于搬送空间41的 y侧。第2处理分区43配置于搬送空间41的-y侧。
106.图3表示基板处理装置1的-y侧部分的概略构成的侧视图。在第2处理分区43中，以分别沿x轴方向及铅垂方向(z轴方向)的方式呈矩阵状地配置多个处理单元7。例如在第2处理分区43中，6个处理单元7在铅垂方向(z轴方向)上呈3段地配置。在第2处理分区43的各段中，配置有沿x轴方向排列的2个处理单元。虽省略图示，但第1处理分区42亦与第2处理分区43同样，多个处理单元7是以分别沿x轴方向及铅垂方向(z轴方向)的方式呈矩阵状地配置。例如在第1处理分区42中，6个处理单元7在铅垂方向(z轴方向)上呈3段地配置。在第1处理分区42的各段中，配置有沿x轴方向排列的2个处理单元。
107.＜1-1-3.控制部＞
108.图4表示用于控制基板处理装置1的功能性构成的方框图。控制部9可通信地与条码读取器31、第1搬送机构4、第2搬送机构8及多个处理单元7连接。控制部9对例如第1搬送机构4、第2搬送机构8及多个处理单元7进行控制。
109.图5表示控制部9的一构成例的方框图。控制部9例如由一般的计算机等来实现。控制部9例如具有经由总线线9bu而连接的通信部91、输入部92、输出部93、存储部94、处理部95及驱动器96。
110.通信部91例如在条码读取器31、第1搬送机构4、第2搬送机构8及多个处理单元7各者之间，经由通信线路进行信号的传送接收。通信部91也可接收例如来自用于管理基板处理装置1的管理用服务器的信号。
111.输入部92例如输入对应于操作员动作等的信号。输入部92包含有例如：可输入对应于操作的信号的鼠标及键盘等操作部、可输入对应于声音的信号的麦克风、以及可输入对应于动作的信号的各种传感器等。
112.输出部93例如可将各种信息以操作员能识别的实施方式输出。输出部93包括有例如：将各种信息可视性地输出的示出部、及将各种信息可听性地输出的扬声器等。示出部也可例如具有与输入部92的至少一部分一体化的触摸板的形态。
113.存储部94例如存储有程序pg1及各种信息。存储部94例如由硬盘或闪存等非挥发性存储介质所构成。存储部94也可使用例如：具有1个存储介质的构成、一体地具有2个以上存储介质的构成、及分开2个以上部分而具有2个以上存储介质的构成等任一种构成。存储介质是存储着例如第1搬送机构4、第2搬送机构8及处理单元7的动作条件所相关的信息。处理单元7的动作条件所相关的信息包含有例如：用于处理基板w的工艺菜单(制程菜单)。存储介质也可存储有例如用于识别各基板w的信息。
114.处理部95包含有例如：当作处理器而运行的运算处理部95a、以及当作运算处理的作业区域的内存95b等。运算处理部95a使用例如中央处理装置(cpu)等电子电路，内存95b使用例如ram(random access memory，随机存取内存)等。处理部95例如通过读取存储部94所存储的程序pg1并执行，而实现控制部9的功能。所以，在控制部9中，例如通过依照程序pg1所记述的顺序，由处理部95施行运算处理，从而实现对基板处理装置1各部的动作进行控制的各种功能部。即，通过利用基板处理装置1所含的控制部9执行程序pg1，便可实现基板处理装置1的功能及动作。由控制部9所实现的一部分或全部的功能部，也可例如以专用逻辑电路等而硬件性地实现。
115.驱动器96例如为可将便携性存储介质sm1加以装卸的部分。驱动器96例如在装接存储介质sm1的状态下，进行该存储介质sm1与处理部95之间的数据收授。驱动器96在存储有程序pg1的存储介质sm1装接于驱动器96的状态下，从存储介质sm1中读取程序pg1并存储于存储部94内。
116.此处，针对基板处理装置1的全体动作的一例进行说明。基板处理装置1中，例如由控制部9依照记述基板w的搬送顺序与处理条件等的菜单，对基板处理装置1所具备的各部进行控制，从而执行以下所说明的一连串动作。
117.若收容未处理的基板w的载具c载置于载具载置部3上，则第1搬送机构4便从该载具c中取出未处理的基板w。此时，控制部9配合条码读取器31的检测结果(基板w的形状信息等)，对机械手驱动部34进行控制。然后，第1搬送机构4将未处理的基板w搬送至载置部6。第2搬送机构8从载置部6中，将未处理的基板w搬送至由菜单等所指定的处理单元7中。另外，在第1搬送机构4与第2搬送机构8之间的基板w的交接，例如也可直接在机械手33与机械手61之间进行。已搬入了基板w的处理单元7对基板w执行既定处理。若在处理单元7中对基板w的处理完成，第2搬送机构8便从处理单元7中取出处理完毕的基板w。第2搬送机构8将处理完毕的基板w搬送至载置部6。第1搬送机构4从载置部6将基板w搬送至载具载置部3上的载具c。在基板处理装置1中，由第1搬送机构4及第2搬送机构8依照菜单反复进行上述搬送动作，且由各处理单元7依照工艺菜单对基板w执行处理。因此，逐张对基板w执行处理。
118.＜1-2.处理单元的构成＞
119.各处理单元7例如可对基板w的上表面wu，执行将蚀刻、洗净、疏水化及干燥等依此记载顺序执行的一连串基板处理的单张式处理单元。
120.图6示意性地表示处理单元7的一构成例的侧视图。图7示意性地表示处理单元7的内部的一构成例的俯视图。
121.如图6所示，各处理单元7例如具备有内部形成处理空间的处理腔室7w。在处理腔室7w中，例如形成有用于使第2搬送机构8的机械手61插入于处理腔室7w内部的搬出搬入口(未图示)。该搬出搬入口设有例如当机械手61插入于处理单元7内部时便呈开放、当机械手61未插入处理单元7内部时则呈封闭的闸门等。所以，处理单元7配置为，例如使其搬出搬入口与第2搬送机构8所配置的搬送空间41呈相对向。
122.此处，针对处理单元7的具体构成进行说明。
123.如图1及图3所示，各处理单元7例如具备有：旋转保持机构72。旋转保持机构72例如设有保持部720。
124.保持部720例如将1张基板w以水平姿势保持。保持部720也可使用机械式夹具或机械夹持爪，也可使用伯努利吸盘或伯努利夹持器。机械式夹具适用于例如保持较厚的基板w，伯努利吸盘适用于例如保持较薄的基板w。第1实施方式中，例如在第1处理分区42配置的6个处理单元7分别为保持部720采用机械式夹具或机械夹持爪的第1处理单元7a。例如在第2处理分区43配置的6个处理单元7分别为保持部720采用伯努利吸盘或伯努利夹持器的第2处理单元7b。图6及图7中，表示第1处理单元7a的一构成例。此处，作为处理单元7的一构成例，列举第1处理单元7a的构成为例而进行说明。
125.如图6所示，保持部720例如具备有：旋转基座723与多个夹持销724。旋转基座723例如是大致水平姿势的圆板状的构件。多个夹持销724例如立设于旋转基座723上表面侧的周缘部附近，且为通过把持基板w的周缘部而能够保持基板w的部分。具体而言，例如多个夹持销724可以将基板w保持为水平姿势。夹持销724例如为了能确实保持圆形的基板w，只要设置3个以上便可，其沿旋转基座723的周缘部而以等角度间隔配置。各夹持销724例如具备有：从下方支撑基板w周缘部的部分(亦称“基板支撑部”)、与按压着由基板支撑部支撑的基板w的外周端面而保持着基板w的部分(亦称“基板把持部”)。另外，各夹持销724构成为可在如下状态之间进行切换：基板把持部按压着基板w的外周端面的按压状态、及基板把持部远离基板w的外周端面的放开状态。此处，当第2搬送机构8对保持部720交接基板w时，各夹持销724处于放开状态，而当对基板w施行基板处理时，各夹持销724处于按压状态。若各夹持销724处于按压状态，便由各夹持销724把持着基板w周缘部，使基板w与旋转基座723隔开既定间隔而以大致水平姿势加以保持。
126.再者，如图6所示，旋转保持机构72例如具有中心轴721及旋转机构722。
127.中心轴721例如为具有沿铅垂方向(z轴方向)的长度方向与正圆状截面的棒状构件。例如在中心轴721的上端部，利用螺丝等紧固构件固定着旋转基座723的下表面的大致中央。
128.旋转机构722例如为用于使中心轴721旋转的马达等能产生驱动力的部分(亦称“第1驱动部”)。此处，例如若配合来自控制部9的动作指令，由旋转机构722使中心轴721进行旋转，则被固定于中心轴721的旋转基座723，便以沿铅垂方向延伸的虚拟轴(亦称“旋转轴”)72a为中心进行旋转。即，旋转机构722能使保持部720以旋转轴72a为中心进行旋转。因此，例如由保持部720保持为大致水平姿势的基板w便以旋转轴72a为中心进行旋转。旋转轴72a例如通过由保持部720所保持的基板w的上表面wu及下表面wb各者的中心。
129.再者，如图6所示，各处理单元7例如具备有挡板73。
130.挡板73配置呈包围旋转保持机构72的侧边周围。挡板73例如具有利用升降驱动部
73m而可相互独立地进行升降的多个挡板部。具体而言，挡板73例如具有：第1挡板部731、第2挡板部732及第3挡板部733。升降驱动部73m例如可采用滚珠螺杆机构或气缸等各种机构。因此，升降驱动部73m例如作为如下部分(亦称“第2驱动部”)而发挥功能：其配合来自控制部9的动作指令，而可使第1挡板部731、第2挡板部732及第3挡板部733分别沿铅垂方向进行升降。换言之，控制部9利用升降驱动部73m，使第1挡板部731、第2挡板部732及第3挡板部733各者沿铅垂方向进行升降。因此，控制部9利用升降驱动部73m，使第1～3挡板部731、732、733分别在上升的位置(亦称“上升位置”)与下降的位置(亦称“下降位置”)之间进行升降。结果，例如通过第1挡板部731、第2挡板部732及第3挡板部733中任一者，可接住从基板w的上表面wu上飞散的处理液并回收。
131.第1挡板部731例如配置呈包围旋转保持机构72的侧边周围。第1挡板部731例如相对于通过由旋转保持机构72保持的基板w中心的旋转轴72a，而具有成为大致旋转对称的形状。该第1挡板部731例如具有：具以旋转轴72a为中心的圆筒状形状的侧壁部、以及具有以旋转轴72a为中心的圆环状形状且从侧壁部上端部朝斜上方延伸至接近旋转轴72a的上方倾斜部。
132.第2挡板部732例如配置成更进一步从侧边包围着正围绕在旋转保持机构72侧边周围的第1挡板部731的外周部。第2挡板部732例如具有相对于通过由旋转保持机构72保持的基板w中心的旋转轴72a，而具有成为大致旋转对称的形状。该第2挡板部732例如具有：具以旋转轴72a为中心的圆筒状形状的侧壁部、以及具有以旋转轴72a为中心的圆环状形状且从侧壁部上端部朝斜上方延伸至接近旋转轴72a的上方倾斜部。
133.第3挡板部733例如配置呈更进一步从侧边包围着按序围绕在旋转保持机构72侧边周围的第1挡板部731及第2挡板部732的外周部。第3挡板部733例如相对于通过由旋转保持机构72保持的基板w中心的旋转轴72a，而具有成为大致旋转对称的形状。该第3挡板部733例如具有：具以旋转轴72a为中心的圆筒状形状的侧壁部、以及具有以旋转轴72a为中心的圆环状形状且从侧壁部上端部朝斜上方延伸至接近旋转轴72a的上方倾斜部。
134.此处，例如在第1挡板部731以从侧边包围着保持部720的方式配置于上升位置的情况下，朝向由旋转保持机构72所保持且旋转中的基板w的上表面wu吐出的处理液会从基板w的上表面wu朝第1挡板部731飞散，并由第1挡板部731的旋转轴72a侧的壁面(亦称“内壁面”)接住。由第1挡板部731接住的处理液例如沿第1挡板部731的内壁面流下，再经由第1排液槽734及第1排液端737回收。
135.再者，此处例如在第1挡板部731下降至下降位置而第2挡板部732以从侧边包围着保持部720的方式配置于上升位置的情况下，朝向由旋转保持机构72所保持且旋转中的基板w的上表面wu吐出的处理液，会从基板w的上表面wu朝第2挡板部732飞散，并由第2挡板部732的旋转轴72a侧的壁面(亦称“内壁面”)接住。由第2挡板部732接住的处理液例如沿第2挡板部732的内壁面流下，再经由第2排液槽735及第2排液端738回收。
136.再者，此处例如在使第1挡板部731及第2挡板部732各者下降至下降位置而第3挡板部733以从侧边包围保持部720的方式配置于上升位置的情况下，朝向由旋转保持机构72所保持且旋转中的基板w的上表面wu吐出的处理液，会从基板w的上表面wu朝第3挡板部733飞散，并由第3挡板部733的旋转轴72a侧的壁面(亦称“内壁面”)接住。由第3挡板部733接住的液体是例如沿第3挡板部733的内壁面流下，再经由第3排液槽736及第3排液端739回收。
137.再者，如图6所示，各处理单元7例如具备有：第1～3液体吐出部751n、752n、753n、第1～3液体供给路751p、752p、753p、及第1～3变更部751v、752v、753v。
138.第1液体吐出部751n例如朝向沿着由保持部720以水平姿势保持的基板w的上表面wu的方向，从吐出口(亦称“第1吐出口”)751o吐出处理液(亦称“第1处理液”)，从而朝上表面wu上供给第1处理液。第1液体吐出部751n例如包含有以连续流状态吐出第1处理液的直线型喷嘴等喷嘴。第1处理液含有例如：稀氢氟酸(dhf：diluted hydrofluoric acid)、氢氟酸-过氧化氢水混合液(fpm：hydrofluoric peroxide mixture)或磷酸等，可对基板w施行蚀刻的液体(亦称“药液”)。
139.第1液体供给路751p连接第1处理液的供给源(亦称“第1供给源”)与第1液体吐出部751n。第1液体供给路751p例如采用各种配管等。第1供给源例如包含有：存储药液的槽、以及用于从该槽中送出药液的泵等机构。
140.第1变更部751v位于第1液体供给路751p的途中，例如变更从第1供给源朝第1液体吐出部751n供给的第1处理液每单位时间的供给量。第1变更部751v例如包含有：通过调整闭锁程度(亦称“开度”)而可变更从第1供给源朝第1液体吐出部751n供给的第1处理液每单位时间的供给量的针阀等流量控制阀。流量控制阀的闭锁程度(开度)例如由表示马达位置的脉冲数等来表示。流量控制阀的闭锁程度(开度)例如配合来自控制部9的脉冲数等的动作指令而进行变更。所以，例如控制部9通过控制第1变更部751v的开度，便可控制有无第1处理液从第1液体吐出部751n对基板w的上表面wu上吐出，并可变更从第1液体吐出部751n对基板w的上表面wu上吐出第1处理液的速度(亦称“吐出速度”)、以及从第1液体吐出部751n对基板w的上表面wu上每单位时间吐出第1处理液的量(亦称“吐出量”)。
141.第2液体吐出部752n例如朝向沿由保持部720以水平姿势保持的基板w的上表面wu的方向，从吐出口(亦称“第2吐出口”)752o吐出处理液(亦称“第2处理液”)，从而朝上表面wu上供给第2处理液。第2液体吐出部752n例如包含有以连续流状态吐出第2处理液的直线型喷嘴等喷嘴。第2处理液例如含有异丙醇(ipa)等溶剂。
142.第2液体供给路752p连接第2处理液的供给源(亦称“第2供给源”)与第2液体吐出部752n。第2液体供给路752p例如采用各种配管等。第2供给源例如包含有：存储着ipa等溶剂的槽、以及用于从该槽中送出溶剂的泵等机构。
143.第2变更部752v位于第2液体供给路752p的途中，例如变更从第2供给源朝第2液体吐出部752n供给的第2处理液每单位时间的供给量。第2变更部752v例如包含有：通过调整闭锁程度(亦称“开度”)而可变更从第2供给源朝第2液体吐出部752n供给的第2处理液每单位时间的供给量的针阀等流量控制阀。流量控制阀的闭锁程度(开度)例如由表示马达位置的脉冲数等来表示。流量控制阀的闭锁程度(开度)例如配合来自控制部9的脉冲数等的动作指令而进行变更。所以，例如控制部9通过控制第2变更部752v的开度，便可控制有无第2处理液从第2液体吐出部752n对基板w的上表面wu上吐出，并可变更从第2液体吐出部752n对基板w的上表面wu上吐出第2处理液的速度(“吐出速度”)、以及从第2液体吐出部752n对基板w的上表面wu上每单位时间吐出第2处理液的量(亦称“吐出量”)。
144.第3液体吐出部753n例如朝向沿由保持部720以水平姿势保持的基板w的上表面wu的方向，从吐出口(亦称“第3吐出口”)753o吐出处理液(亦称“第3处理液”)，从而朝上表面wu上供给第3处理液。第3液体吐出部753n例如包含有以连续流状态吐出第3处理液的直线
型喷嘴等喷嘴。第3处理液例如含有疏水化液。疏水化液例如含有硅系疏水化液。硅系疏水化液使硅(si)本身及含硅的化合物疏水化的疏水化液。硅系疏水化液例如是硅烷耦合剂(亦称“硅烷化剂”)。该硅烷化剂例如：分子一端具有利用水解便可提供硅醇基(si-oh)的乙氧基(或甲氧基)，且另一端具有胺基或环氧丙基等有机官能基的有机硅化合物。硅烷化剂例如包括有：hmds(六甲基二硅氮烷)、tms(四甲硅烷)、氟化烷基氯硅烷、烷基二硅氮烷、及非氯疏水化液中的至少一者。非氯疏水化液例如包括有：二甲硅烷基二甲胺、二甲硅烷基二乙胺、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、双(二甲胺基)二甲硅烷、n,n-二甲胺基三甲硅烷、n-(三甲硅烷基)二甲胺及有机硅烷化合物中的至少一者。
145.第3液体供给路753p连接第3处理液的供给源(亦称“第3供给源”)与第3液体吐出部753n。第3液体供给路753p例如采用各种配管等。第3供给源例如包含有：存储硅烷化剂等疏水化液的槽、以及用于从该槽中送出疏水化液的泵等机构。
146.第3变更部753v位于第3液体供给路753p的途中，例如变更从第3供给源朝第3液体吐出部753n供给的第3处理液每单位时间的供给量。第3变更部753v例如包含有：通过调整闭锁程度(亦称“开度”)而可变更从第3供给源朝第3液体吐出部753n供给的第3处理液每单位时间的供给量的针阀等流量控制阀。流量控制阀的闭锁程度(开度)例如由表示马达位置的脉冲数等来表示。流量控制阀的闭锁程度(开度)例如配合来自控制部9的脉冲数等的动作指令而进行变更。所以，例如控制部9通过控制第3变更部753v的开度，便可控制有无从第3液体吐出部753n对基板w的上表面wu上吐出第3处理液，并可变更从第3液体吐出部753n对基板w的上表面wu上吐出第3处理液的速度(吐出速度)、以及从第3液体吐出部753n对基板w的上表面wu上每单位时间吐出第3处理液的量(亦称“吐出量”)。
147.如图7所示，第1液体吐出部751n例如连结于在处理腔室7w中设置的第1移动机构751m。第1移动机构751m是使第1液体吐出部751n移动的部分(第3驱动部)的一例。
148.第1移动机构751m例如使第1液体吐出部751n以沿铅垂方向延伸的虚拟轴(亦称“虚拟轴”)751a为中心进行转动。第1移动机构751m例如包括有：能以虚拟轴751a为中心转动自如地被支撑的机器臂、以及使该机器臂转动的马达等。因此，第1移动机构751m例如配合来自控制部9的动作指令，使第1液体吐出部751n的第1吐出口751o在保持部720的外周部上方或其附近位置(亦称“第1内侧位置”)、与较第1内侧位置更远离旋转轴72a的位置(亦称“第1外侧位置”)之间进行移动。图7中，位于第1外侧位置处的第1液体吐出部751n是以实线描绘，而位于第1内侧位置的第1液体吐出部751n是以二点链线描绘。
149.再者，第1移动机构751m例如使第1液体吐出部751n沿铅垂方向进行升降。第1移动机构751m例如可使用滚珠螺杆机构或气缸等各种机构。因此，第1移动机构751m例如配合来自控制部9的动作指令，使第1液体吐出部751n的第1吐出口751o在靠近沿着由保持部720保持的基板w的上表面wu的虚拟平面的位置(亦称“第1下位置”)、与从沿着由保持部720保持的基板w的上表面wu的虚拟平面朝上方远离的位置(亦称“第1上位置”)之间进行移动。此处，若第1吐出口751o配置于第1内侧位置且配置于第1下位置，则第1液体吐出部751n便被配置于对基板w的上表面wu吐出第1处理液的位置(亦称“第1吐出位置”)。此时，例如第1吐出口751o也可不位于基板w的上表面wu的上方，也可位于基板w的上表面wu的外周部的上方。另外，若第1吐出口751o配置于第1外侧位置且配置于第1上位置，则第1液体吐出部751n便被配置于从保持部720上或其附近退避的位置(亦称“第1退避位置”)。
150.如图7所示，第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n分别例如连结于在处理腔室7w中所设置的第2移动机构752m。第2移动机构752m是使第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n移动的部分(第3驱动部)的一例。
151.第2移动机构752m例如使第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n以沿铅垂方向延伸的虚拟轴(亦称“虚拟轴”)752a为中心进行转动。第2移动机构752m例如包括有：能以虚拟轴752a为中心转动自如地被支撑的机器臂、以及使该机器臂转动的马达等。因此，第2移动机构752m例如配合来自控制部9的动作指令，使第2液体吐出部752n的第2吐出口752o在保持部720外周部上方或其附近位置(亦称“第2内侧位置”)、与较第2内侧位置更远离旋转轴72a的位置(亦称“第2外侧位置”)之间进行移动，并且，使第3液体吐出部753n的第3吐出口753o在保持部720外周部上方或其附近位置(亦称“第3内侧位置”)、与较第3内侧位置更远离旋转轴72a的位置(亦称“第3外侧位置”)之间进行移动。图7中，位于第2外侧位置的第2液体吐出部752n及位于第3外侧位置的第3液体吐出部753n是以实线描绘，而位于第2内侧位置的第2液体吐出部752n及位于第3内侧位置的第3液体吐出部753n是以二点链线描绘。
152.再者，第2移动机构752m例如使第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n沿铅垂方向进行升降。第2移动机构752m例如可使用滚珠螺杆机构或气缸等各种机构。因此，第2移动机构752m例如配合来自控制部9的动作指令，使第2液体吐出部752n的第2吐出口752o在靠近沿着由保持部720保持的基板w的上表面wu的虚拟平面的位置(亦称“第2下位置”)、与从沿着由保持部720保持的基板w的上表面wu的虚拟平面朝上方远离的位置(亦称“第2上位置”)之间进行移动，并且，使第3液体吐出部753n的第3吐出口753o在靠近沿着由保持部720保持的基板w的上表面wu的虚拟平面的位置(亦称“第3下位置”)、与从沿着由保持部720保持的基板w的上表面wu的虚拟平面朝上方远离的位置(亦称“第3上位置”)之间进行移动。
153.此处，若第2吐出口752o配置于第2内侧位置且配置于第2下位置，则第2液体吐出部752n便被配置于对基板w的上表面wu吐出第2处理液的位置(亦称“第2吐出位置”)。此时，例如第2吐出口752o可不位于基板w的上表面wu的上方，也可位于基板w的上表面wu的外周部的上方。另外，若第2吐出口752o配置于第2外侧位置且配置于第2上位置，则第2液体吐出部752n便被配置于从保持部720上或其附近退避的位置(亦称“第2退避位置”)。另外，若第3吐出口753o配置于第3内侧位置且配置于第3下位置，则第3液体吐出部753n便被配置于朝基板w的上表面wu吐出第3处理液的位置(亦称“第3吐出位置”)。此时，例如朝下方向俯视时，第3吐出口753o也可不位于基板w的上表面wu的上方，也可位于基板w的上表面wu的外周部的上方。另外，若第3吐出口753o配置于第3外侧位置且配置于第3上位置，则第3液体吐出部753n便被配置于从保持部720上或其附近退避的位置(亦称“第3退避位置”)。
154.再者，如图6所示，各处理单元7例如具备有：环境气体控制构件74。
155.环境气体控制构件74例如在与由保持部720保持为水平姿势的基板w的上表面wu对向的状态下，朝上表面wu上供给非活性气体。因此，例如可谋求降低沿基板w的上表面wu的空间中的氧浓度及湿气等。结果，例如不易因氧及湿气而对基板w的上表面wu供给的各种处理液造成不良影响。具体而言，此处所谓“不良影响”例如可包含：因过度蚀刻而导致材料损失、沿基板w的上表面wu的表层部遭氧化、疏水化液中的活性种减少(亦称“去活化”)、疏水化液的涂布性降低、及从清洗液置换为溶剂的置换性降低等。
156.第1实施方式中，环境气体控制构件74例如包括有：在覆盖由保持部720保持为水
平姿势的基板w的上表面wu的状态下，朝上表面wu与环境气体控制构件74之间供给非活性气体的板状部分(亦称“遮断板”)741。遮断板741例如为旋转轴72a通过中心的圆板状构件。遮断板741的下表面74b成为与基板w的上表面wu呈大致平行地对向的面，具有与基板w直径同等以上的大小。利用该遮断板741，例如可严格地控制基板w的上表面wu上的环境气体。
157.再者，环境气体控制构件74例如具有支轴742。在支轴742的下端部，呈以大致水平姿势安装有遮断板741的状态。支轴742例如按序连结有机器臂743及第3移动机构74m。机器臂743例如在朝水平方向延伸的状态下，呈保持着支轴742的状态。第3移动机构74m例如可使用滚珠螺杆机构或气缸等各种机构。因此，第3移动机构74m例如配合来自控制部9的动作指令，使机器臂743、支轴742及遮断板741沿铅垂方向进行升降。第3移动机构74m例如配合来自控制部9的动作指令，可使遮断板741配置于靠近由保持部720保持的基板w的上表面wu的位置(亦称“靠近位置”)、或远离由保持部720保持的基板w的上表面wu的位置(亦称“远离位置”)。例如，控制部9当通过控制第3移动机构74m的动作，对处理单元7进行基板w的搬入搬出时，如图6所示，使遮断板741上升至朝上方向( y方向)远离旋转保持机构72的远离位置，另一方面，当在处理单元7中对基板w施行既定的基板处理时，使遮断板741下降至靠近由保持部720保持的基板w的上表面wu的靠近位置。遮断板741下降至靠近位置的状态例如后述的图8的(a)及图9的(a)所示。
158.再者，环境气体控制构件74例如包含有：从遮断板741的下表面74b的中央部朝下方吐出处理液的中心喷嘴群74n。中心喷嘴群74n例如沿通过遮断板741及基板w中心的虚拟旋转轴72a，朝铅垂方向延伸。中心喷嘴群74n配置于保持部720的上方。中心喷嘴群74n与遮断板741及支轴742一起进行升降。支轴742具有沿铅垂方向延伸的筒状形状，且具有沿铅垂方向贯通的贯通孔。支轴742的贯通孔连通于沿铅垂方向贯通遮断板741中央部的贯通孔。遮断板741的贯通孔开设于遮断板741的下表面74b的中央部。中心喷嘴群74n处于插入于支轴742的贯通孔内的空间的状态。中心喷嘴群74n的下表面位于与遮断板741的下表面74b相同高度、或较遮断板741的下表面74b更靠上方处。
159.中心喷嘴群74n例如包括有：被收容在沿旋转轴72a而朝铅垂方向延伸的共通的箱体内的第1中心喷嘴747n、第2中心喷嘴748n及第3中心喷嘴749n。第1中心喷嘴747n、第2中心喷嘴748n及第3中心喷嘴749n分别沿旋转轴72a而朝铅垂方向延伸。第1中心喷嘴747n、第2中心喷嘴748n及第3中心喷嘴749n各者例如由沿铅垂方向的直管构成。在第1中心喷嘴747n、第2中心喷嘴748n及第3中心喷嘴749n各者下端设置的开口(吐出口)配置于与遮断板741的下表面74b相同高度、或较遮断板741的下表面74b更靠上方。
160.第1中心喷嘴747n连接于中途设有第1液体阀747v的第1液体供给路747p。第1液体供给路747p例如使用配管。另外，第1液体供给路747p连接于供给作为第4处理液的纯水(diw：de-ionized water，去离子水)等清洗液的供给源(亦称“第4供给源”)。第4供给源例如包括有：存储作为第4处理液的diw等清洗液的槽、及用于从该槽中送出清洗液的泵等机构。此处，例如若配合控制部9的动作指令而打开第1液体阀747v，则从第4供给源经由第1液体供给路747p供给给第1中心喷嘴747n的作为第4处理液的清洗液，便从第1中心喷嘴747n的吐出口朝下方吐出。
161.第2中心喷嘴748n连接于中途设有第2液体阀748v的第2液体供给路748p。第2液体供给路748p例如使用配管。另外，第2液体供给路748p连接于供给作为第5处理液的疏水化
液的供给源(亦称“第5供给源”)。第5供给源例如包括有：存储硅烷化剂等疏水化液的槽、及用于从该槽中送出疏水化液的泵等机构。第5处理液可与第3处理液相同，也可与第3处理液不同。第5供给源例如可与第3供给源相同，也可与第3供给源不同。此处，例如若配合控制部9的动作指令而打开第2液体阀748v，则从第5供给源经由第2液体供给路748p供给给第2中心喷嘴748n的作为第5处理液的疏水化液，便从第2中心喷嘴748n的吐出口朝下方吐出。
162.第3中心喷嘴749n连接于中途设有第3液体阀749v的第3液体供给路749p。第3液体供给路749p例如使用配管。另外，第3液体供给路749p连接于供给作为第6处理液的溶剂的供给源(亦称“第6供给源”)。第6供给源例如包括有：存储ipa等溶剂的槽、及用于从该槽中送出溶剂的泵等机构。第6处理液可与第2处理液相同，也可与第2处理液不同。第6供给源例如可与第2供给源相同，也可与第2供给源不同。此处，例如若配合控制部9的动作指令而打开第3液体阀749v，则从第6供给源经由第3液体供给路749p供给给第3中心喷嘴749n的作为第6处理液的溶剂，便从第3中心喷嘴749n的吐出口朝下方吐出。
163.第1中心喷嘴747n、第2中心喷嘴748n及第3中心喷嘴749n由在中心喷嘴群74n周围形成的具有筒状的气体流路的气体喷嘴745n包围。气体喷嘴745n的下端形成配置呈包围中心喷嘴群74n的环状的开口(亦称“环状开口”)。气体喷嘴745n连接于中途设有第1气体阀745v的第1气体供给路745p。第1气体供给路745p例如使用配管。另外，第1气体供给路745p连接于供给氮气等非活性气体的供给源(亦称“气体供给源”)。气体供给源例如包含有：存储有氮气等非活性气体的钢瓶及压力调节器等。此处，例如若配合控制部9的动作指令而打开第1气体阀745v，则从气体供给源经由第1气体供给路745p供给至气体喷嘴745n的氮气等非活性气体，便从气体喷嘴745n的环状开口朝下方吐出。此处，例如即使在遮断板741位于靠近位置及远离位置中的任一位置的状态，均可配合控制部9的动作指令，使氮气等非活性气体从气体喷嘴745n的环状开口朝下方吐出。但，相较于遮断板741位于远离位置的状态，若为遮断板741位于靠近位置的状态，则配合控制部9的动作指令，将氮气等非活性气体从气体喷嘴745n的环状开口朝下方吐出，从而可将由保持部720保持的基板w的上表面wu上的环境气体，例如置换为氧浓度更低、湿气更少的氮气等非活性气体。即，利用来自环境气体控制构件74的非活性气体的供给，便可良好地执行基板w的上表面wu上的环境气体的控制。
164.再者，遮断板741例如包含有：在遮断板741的下表面74b的周缘部开设的多个气体吐出口746o、以及连接于多个气体吐出口746o各者的气体流路746r。多个气体吐出口746o例如分布于遮断板741的下表面74b的整个周缘部。气体流路746r设置于遮断板741的内部。气体流路746r连接于中途设有第2气体阀746v的第2气体供给路746p。第2气体供给路746p例如使用配管。另外，第2气体供给路746p连接于供给氮气等非活性气体的供给源(气体供给源)。气体供给源例如包括有：存储氮气等非活性气体的钢瓶及压力调节器等。第1气体供给路745p及第2气体供给路746p可分别连接于同一气体供给源，也可分别连接于各自的气体供给源。此处，例如若打开第2气体阀746v，则氮气等非活性气体便从气体供给源经由第2气体供给路746p及气体流路746r，供给至各气体吐出口746o，再朝基板w的上表面wu的周缘部从各气体吐出口746o朝下方吐出。此处，例如即使为遮断板741位于靠近位置及远离位置中的任一位置的状态，均可配合控制部9的动作指令，使氮气等非活性气体从多个气体吐出口746o朝下方吐出。但，相较于遮断板741位于远离位置的状态，若为遮断板741位于靠近位置的状态，则配合控制部9的动作指令，将氮气等非活性气体从多个气体吐出口746o朝下方
吐出，从而可将由保持部720保持的基板w的上表面wu上的环境气体，例如置换为氧浓度更低、湿气更少的氮气等非活性气体。即，利用来自环境气体控制构件74的非活性气体的供给，便可良好地执行基板w的上表面wu上的环境气体的控制。
165.再者，处理单元7例如具备风扇过滤器单元(ffu)7f。ffu 7f可将在基板处理装置1设置的无尘室内的空气，更进一步洁净化后，才供给给处理腔室7w内的空间。该ffu 7f例如安装于处理腔室7w的顶壁。ffu 7f具备用于吸入无尘室内的空气再输送给处理腔室7w内的风扇及过滤器(例如：hepa过滤器)，可在处理腔室7w内的处理空间中形成清净空气的降流。为了使从ffu 7f供给的清净空气能在处理腔室7w内更均匀分散，也可在顶壁正下方配置穿设有多个吹出孔的冲孔板。另外，例如在处理腔室7w侧壁的一部分且处理腔室7w的底壁附近，设有连通连接于排气机构的排气风管7e。因此，例如从ffu 7f供给且在处理腔室7w内流下的清净空气中，通过挡板73等的附近的空气经由排气风管7e而被排出于基板处理装置1外。另外，例如也可在处理腔室7w内的上部追加导入氮气等非活性气体的构成。
166.＜1-3.从第1～3液体吐出部的处理液的吐出＞
167.第1液体吐出部751n、第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n可以同样的实施方式对基板w的上表面wu吐出处理液。故，此处就将从第1液体吐出部751n朝基板w的上表面wu上吐出第1处理液的实施方式作为代表例，参照图示并进行说明。
168.图8及图9分别示意性地表示从第1液体吐出部751n朝基板w的上表面wu上吐出第1处理液lq1的情况的图。图8的(a)及图9的(a)分别示意性地表示从第1液体吐出部751n朝基板w的上表面wu上吐出第1处理液lq1的情况的侧视图。图8的(b)与图9的(b)分别示意性地表示从第1液体吐出部751n朝基板w的上表面wu上吐出第1处理液lq1的情况的俯视图。此处，如图8的(a)及图9的(a)所示，第1吐出口751o处于配置于第1内侧位置且第1下位置的第1吐出位置的状态。在此状态下，第1液体吐出部751n可朝向沿着由保持部720保持为水平姿势的基板w的上表面wu的方向，从第1吐出口751o吐出第1处理液lq1。另外，此处，如图8的(a)及图9的(a)所示，遮断板741处于下降至靠近位置的状态。
169.此处，例如控制部9通过使第1变更部751v变更从第1供给源朝第1液体吐出部751n的第1处理液lq1每单位时间的供给量，便可使从第1液体吐出部751n吐出的第1处理液lq1的吐出速度变化。因此，例如基板w的上表面wu中，被供给有从第1液体吐出部751n吐出的第1处理液lq1的位置(亦称“液体供给位置”)便产生变化。液体供给位置例如是从第1液体吐出部751n吐出的第1处理液lq1最先到达基板w的上表面wu的位置(亦称“着落位置”)。若采用这种构成，例如可通过来自环境气体控制构件74的非活性气体的供给来良好地控制基板w的上表面wu上的环境气体，并可不使第1液体吐出部751n摆动地便在基板w的上表面wu广范围进行第1处理液lq1的液体供给位置的扫描。所以，例如可同时实现基板w的上表面wu上的环境气体的控制、与降低对基板w的上表面wu的处理的不均。
170.例如，关于第2液体吐出部752n，亦是由控制部9通过使第2变更部752v变更从第2供给源朝第2液体吐出部752n的第2处理液每单位时间的供给量，便可使从第2液体吐出部752n吐出的第2处理液的吐出速度变化，因此，基板w的上表面wu中，被供给有从第2液体吐出部752n吐出的第2处理液的位置(“液体供给位置”)便产生变化。该液体供给位置例如是从第2液体吐出部752n吐出的第2处理液最先到达基板w的上表面wu的位置(“着落位置”)。例如，关于第3液体吐出部753n，亦是由控制部9通过使第3变更部753v变更从第3供给源朝
第3液体吐出部753n的第3处理液每单位时间的供给量，便可使从第3液体吐出部753n吐出的第3处理液的吐出速度变化，因此，基板w的上表面wu中，被供给有从第3液体吐出部753n吐出的第3处理液的位置(“液体供给位置”)便产生变化。该液体供给位置例如是从第3液体吐出部753n吐出的第3处理液最先到达基板w的上表面wu的位置(“着落位置”)。利用所述控制，也可例如通过来自环境气体控制构件74的非活性气体的供给而良好地控制基板w的上表面wu上的环境气体，并可不使第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n摆动地便在基板w的上表面wu广范围进行第2处理液及第3处理液的液体供给位置的扫描。所以，例如可同时实现基板w的上表面wu上的环境气体的控制、与降低对基板w的上表面wu的处理的不均。
171.此处，例如可考虑如下实施方式：以相较于如图8的(a)及图8的(b)所示的当第1处理液lq1的液体供给位置位于在上表面wu中包含中央部及其附近的区域(亦称“中央区域”)a1内时，如图9的(a)及图9的(b)所示的当第1处理液lq1的液体供给位置位于上表面wu中的外周端部侧的区域(亦称“端部侧区域”)a2内时控制部9使从第1液体吐出部751n吐出的第1处理液lq1的吐出速度变小的方式，通过第1变更部751v而使从第1供给源朝第1液体吐出部751n供给的第1处理液lq1每单位时间的供给量降低。此处，例如将从上表面wu的旋转轴72a上的点(亦称“中心点”)到外缘的距离(半径)设为d，且将3以上整数设为n时，可将上表面wu中从中心点到d/n的区域设为中央区域a1，将上表面wu中从外缘到d/n的区域设为端部侧区域a2。n较佳5以上即可。
172.若采用上述实施方式，例如可在基板w的上表面wu中从中央区域a1至端部侧区域a2的广范围中，进行第1处理液lq1的液体供给位置的扫描。另外，例如当第1处理液lq1的液体供给位置位于中央区域a1内时，相对地增加第1处理液lq1对上表面wu上的每单位时间的供给量，通过基板w的以旋转轴72a为中心的旋转，第1处理液lq1便可扩及于上表面wu上的广范围。相对于此，例如当第1处理液lq1的液体供给位置位于端部侧区域a2内时，相对地降低第1处理液lq1对上表面wu上的每单位时间的供给量及吐出速度，便不易在保持部720中的保持着基板w外缘部的多个夹持销724处发生第1处理液lq1的飞溅。
173.例如，关于第2液体吐出部752n，也可考虑如下实施方式：以相较于当第2处理液的液体供给位置位于上表面wu中的中央区域a1内时，当第2处理液的液体供给位置位于上表面wu中的端部侧区域a2内时控制部9使从第2液体吐出部752n吐出的第2处理液的吐出速度变小的方式，通过第2变更部752v而使从第2供给源朝第2液体吐出部752n供给的第2处理液每单位时间的供给量降低。例如，关于第3液体吐出部753n，也可考虑如下实施方式：以相较于当第3处理液的液体供给位置位于上表面wu中的中央区域a1内时，当第3处理液的液体供给位置位于上表面wu中的端部侧区域a2内时控制部9使从第3液体吐出部753n吐出的第2处理液的吐出速度小的方式，通过第3变更部753v而使从第3供给源朝第3液体吐出部753n供给的第3处理液每单位时间的供给量降低。即使采用所述实施方式，例如也可于基板w的上表面wu中从中央区域a1至端部侧区域a2的广范围，进行第2处理液及第3处理液的液体供给位置的扫描，同时不易在保持部720中的保持着基板w外缘部的多个夹持销724处发生第2处理液及第3处理液的飞溅。
174.此处，例如控制部9也可通过利用第1变更部751v增减从第1供给源朝第1液体吐出部751n供给的第1处理液lq1每单位时间的供给量，而使基板w的上表面wu上的液体供给位置在中央区域a1与端部侧区域a2之间往返多次。因此，例如通过第1处理液lq1的液体供给
位置在基板w的上表面wu的广范围进行多次扫描，便可更加降低对基板w的上表面wu的处理不均。例如，关于第2液体吐出部752n，控制部9亦是通过利用第2变更部752v增减从第2供给源朝第2液体吐出部752n供给的第2处理液每单位时间的供给量，而使基板w的上表面wu上的液体供给位置在中央区域a1与端部侧区域a2之间往返多次。例如，关于第3液体吐出部753n，控制部9亦是通过利用第3变更部753v增减从第3供给源朝第3液体吐出部753n供给的第3处理液每单位时间的供给量，而使基板w的上表面wu上的液体供给位置在中央区域a1与端部侧区域a2之间往返多次。
175.此处，例如若在存储部94等存储的工艺菜单等之中针对各处理单元7如下规定，便可进行上述控制：第1液体吐出部751n的第1变更部751v的开度(脉冲数等)的最大值和最小值以及开度变化所需的时间、第2液体吐出部752n的第2变更部752v的开度(脉冲数等)的最大值和最小值以及开度变化所需的时间、以及第3液体吐出部753n的第3变更部753v的开度(脉冲数等)的最大值和及最小值以及开度变化所需的时间。工艺菜单中，例如也可与开度(脉冲数等)一并地规定处理液的流量。
176.再者，第1实施方式中，例如第1液体吐出部751n是以第1处理液lq1通过基板w的上表面wu与环境气体控制构件74(此处为下表面74b)之间的空间而着落于上表面wu的方式，吐出第1处理液lq1。因此，例如可在使环境气体控制构件74与基板w的上表面wu广范围相对向的状态下，更加严格地控制基板w的上表面wu的环境气体，且不使第1液体吐出部751n摆动地在基板w的上表面wu的广范围中进行第1处理液lq1的液体供给位置的扫描。另外，第1实施方式中，例如第2液体吐出部752n是以第2处理液通过基板w的上表面wu与环境气体控制构件74(此处为下表面74b)之间的空间而着落于上表面wu的方式，吐出第2处理液，而第3液体吐出部753n是以第3处理液通过基板w的上表面wu与环境气体控制构件74(此处为下表面74b)之间的空间而着落于上表面wu的方式，吐出第3处理液。因此，例如可在使环境气体控制构件74与基板w的上表面wu广范围相对向的状态下，更加严格地控制基板w的上表面wu的环境气体，且不使第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n摆动地在基板w的上表面wu的广范围中进行第2处理液及第3处理液的液体供给位置的扫描。
177.再者，此处例如若第1吐出口751o在铅垂方向上配置于较上表面wu更高、且较环境气体控制构件74的下表面74b更低的位置的状态下，朝沿上表面wu的方向吐出第1处理液lq1，便可利用环境气体控制构件74进行基板w上的环境气体的控制，并朝基板w的上表面wu广范围供给第1处理液lq1。另外，例如若第2吐出口752o在铅垂方向上配置于较上表面wu更高、且较环境气体控制构件74的下表面74b更低的位置的状态下，朝沿上表面wu的方向吐出第2处理液，便可利用环境气体控制构件74进行基板w上的环境气体的控制，并朝基板w的上表面wu广范围供给第2处理液。另外，例如若第3吐出口753o在铅垂方向上配置于较上表面wu更高、且较环境气体控制构件74的下表面74b更低的位置的状态下，朝沿上表面wu的方向吐出第3处理液，便可利用环境气体控制构件74进行基板w上的环境气体的控制，并朝基板w的上表面wu广范围供给第3处理液。
178.图10示意地表示从第1液体吐出部751n朝基板w的上表面wu吐出第1处理液lq1的方向的图。图10的(a)示意地表示从第1液体吐出部751n朝基板w的上表面wu吐出第1处理液lq1的方向的侧视图。图10的(b)示意地表示第1液体吐出部751n的构造的纵剖视图。图10的(a)及图10的(b)中，第1吐出口751o吐出第1处理液lq1的预设方向(亦称“吐出方向”)75d是
以二点链线的箭头表示。
179.此处，如图10的(a)所示，当第1液体吐出部751n朝基板w的上表面wu供给第1处理液lq1时，将第1吐出口751o以上表面wu为基准的铅垂方向高度设为h，将虚拟旋转轴72a与第1吐出口751o的水平方向距离设为r，将通过第1吐出口751o的虚拟水平面与第1吐出口751o吐出第1处理液lq1的方向(吐出方向)75d所成角度设为θ。另外，吐出方向75d为较水平方向更往下的方向时，角度θ表示为正值，且吐出方向75d为较水平方向更往上的方向时，角度θ表示为负值。于此情况，例如若满足0≤θ≤tan-1
(h/r)的关系式，亦考虑对第1处理液lq1的重力影响，而可容易地将第1处理液lq1供给至基板w的上表面wu中的虚拟旋转轴72a上的部分。
180.再者，例如当第2液体吐出部752n朝基板w的上表面wu供给第2处理液时，将第2吐出口752o以上表面wu为基准的铅垂方向高度设为h，将虚拟旋转轴72a与第2吐出口752o的水平方向距离设为r，将通过第2吐出口752o的虚拟水平面与第2吐出口752o吐出第2处理液的方向(吐出方向)所成角度设为θ，吐出方向为较水平方向更往下的方向时，角度θ表示为正值，且吐出方向为较水平方向更往上的方向时，角度θ表示为负值的情况下，若满足0≤θ≤tan-1
(h/r)的关系式，亦考虑对第2处理液的重力影响，而可容易地将第2处理液供给至基板w的上表面wu中的虚拟旋转轴72a上的部分。
181.再者，例如当第3液体吐出部753n朝基板w的上表面wu供给第3处理液时，将第3吐出口753o以上表面wu为基准的铅垂方向高度设为h，将虚拟旋转轴72a与第3吐出口753o的水平方向距离设为r，将通过第3吐出口753o的虚拟水平面与第3吐出口753o吐出第3处理液的方向(吐出方向)所成角度设为θ，将吐出方向为较水平方向更往下的方向时，角度θ表示为正值，且吐出方向为较水平方向更往上的方向时，角度θ表示为负值的情况下，若满足0≤θ≤tan-1
(h/r)的关系式，亦考虑对第3处理液的重力影响，而可容易地将第3处理液供给至基板w的上表面wu中的虚拟旋转轴72a上的部分。
182.此处，例如图10的(b)所示，考虑第1液体吐出部751n为具备有第1管状部75p1、第2管状部75p2及第3管状部75p3的实施方式。第1管状部75p1例如沿水平方向延伸的状态，且前端具有第1吐出口751o。第2管状部75p2例如为连通于第1管状部75p1的状态，且为从第1管状部75p1朝上方延伸的状态。第3管状部75p3例如为连通于第2管状部75p2的状态，且为从第2管状部75p2朝水平方向延伸的状态。换言之，第1液体吐出部751n具有如下形态：从第1液体供给路751p朝向第1吐出口751o，依记载顺序连通地连接有第3管状部75p3、第2管状部75p2及第1管状部75p1。若采用这种构成，如图8的(a)及图9的(a)所示，可在第2管状部75p2插通挡板73与环境气体控制构件74之间的间隙的状态下，使第1吐出口751o配置在用于朝沿着由保持部720保持的基板w的上表面wu的方向吐出第1处理液lq1的位置。然后，例如若第1管状部75p1沿预设的吐出方向75d延伸，在吐出方向75d的前端具有第1吐出口751o，便可使从第1吐出口751o吐出的第1处理液lq1的吐出方向75d稳定。此处，例如采用第1管状部75p1的内径朝第1吐出口751o逐渐减少的形态。
183.此处，例如第2液体吐出部752n也可具有与第1液体吐出部751n同样的形态。具体而言，考虑第2液体吐出部752n为具备有第1管状部75p1、第2管状部75p2及第3管状部75p3的实施方式。于此情况，例如第1管状部75p1例如沿水平方向延伸的状态，且前端具有第2吐出口752o，第2管状部75p2为连通于第1管状部75p1的状态，且为从第1管状部75p1朝上方延
伸的状态，第3管状部75p3为连通于第2管状部75p2的状态，且为从第2管状部75p2朝水平方向延伸的状态。换言之，第2液体吐出部752n具有如下形态：从第2液体供给路752p朝向第2吐出口752o，依记载顺序连通地连接有第3管状部75p3、第2管状部75p2及第1管状部75p1。若采用这种构成，例如可在第2管状部75p2插通挡板73与环境气体控制构件74之间的间隙的状态下，使第2吐出口752o配置在用于朝沿着由保持部720保持的基板w的上表面wu的方向吐出第2处理液的位置。然后，例如若第1管状部75p1沿预设的吐出方向75d延伸，在吐出方向75d的前端具有第2吐出口752o，便可使从第2吐出口752o吐出的第2处理液的吐出方向75d稳定。此处，亦是例如采用第1管状部75p1的内径朝第1吐出口751o逐渐减少的形态。
184.此处，例如第3液体吐出部753n也可具有与第1液体吐出部751n同样的形态。具体而言，考虑第3液体吐出部753n为具备有第1管状部75p1、第2管状部75p2及第3管状部75p3的实施方式。于此情况，例如第1管状部75p1例如沿水平方向延伸的状态，且前端具有第3吐出口753o，第2管状部75p2为连通于第1管状部75p1的状态，且为从第1管状部75p1朝上方延伸的状态，第3管状部75p3为连通于第2管状部75p2的状态，且为从第2管状部75p2朝水平方向延伸的状态。换言之，第3液体吐出部753n具有如下形态：从第3液体供给路753p朝向第3吐出口753o，依记载顺序连通地连接有第3管状部75p3、第2管状部75p2及第1管状部75p1。若采用这种构成，例如可在第2管状部75p2插通挡板73与环境气体控制构件74之间的间隙的状态下，使第3吐出口753o配置在用于朝沿着由保持部720保持的基板w的上表面wu的方向吐出第3处理液的位置。然后，例如若第1管状部75p1沿预设的吐出方向75d延伸，在吐出方向75d的前端具有第3吐出口753o，便可使从第3吐出口753o吐出的第3处理液的吐出方向75d稳定。此处，亦是例如采用第1管状部75p1的内径朝第1吐出口751o逐渐减少的形态。
185.＜1-4.处理单元的动作＞
186.图11及图12表示处理单元7中的对基板w施行的一连串基板处理的动作流程的一例的流程图。本动作流程利用控制部9对基板处理装置1的动作进行控制而实现。此处，处理对象的基板w使用例如已在装置形成面的表面上形成薄膜图案的基板w。薄膜图案例如包含有：氧化硅膜等绝缘膜。薄膜图案例如也可包含有用于低阻抗化而导入杂质的非晶硅膜或金属膜等导电膜，也可包含有积层着多晶硅膜、氮化硅膜、bsg膜(含硼的氧化硅膜)及teos膜(以使用teos(四乙氧基硅烷)的cvd法形成的氧化硅膜)等多个膜的积层膜。图13至图19用于说明处理单元7中的对基板w施行的一连串基板处理的动作的一例的示意性侧视图。图13至图19中，从防止附图复杂化的观点，为了方便而省略处理单元7的一部分构成。
187.在开始一连串基板处理的动作的初始状态，例如图13的(a)所示，处于第1～3挡板部731、732、733被配置于下降位置，且遮断板741被配置于远离位置的状态。另外，虽省略图示，此时处于第1液体吐出部751n配置于第1退避位置、第2液体吐出部752n配置于第2退避位置、第3液体吐出部753n配置于第3退避位置的状态。
188.首先，例如图13的(b)所示，利用第2搬送机构8将未处理的基板w搬入于处理单元7内，利用保持部720而以装置形成面的表面朝上的状态保持着基板w(图11中的步骤sp1)。换言之，例如进行由保持部720使基板w保持为水平姿势的步骤(亦称“保持步骤”)。此处，基板w的装置形成面成为上表面wu。
189.其次，例如图13的(c)所示，利用升降驱动部73m而使第1～3挡板部731、732、733从下降位置上升至上升位置，且利用旋转机构722以保持部720的旋转轴72a为中心，使其开始
旋转(步骤sp2)。
190.其次，如图14的(a)所示，利用第3移动机构74m而使环境气体控制构件74下降，而将遮断板741配置于靠近位置(步骤sp3)。此处，基板w的上表面wu与遮断板741的下表面74b之间的距离例如设为10mm左右。另外，此时，通过打开第1气体阀745v及第2气体阀746v，便从环境气体控制构件74中的气体喷嘴745n的环状开口及多个气体吐出口746o，开始朝基板w的上表面wu吐出非活性气体。此处，从环境气体控制构件74朝基板w的上表面wu吐出的非活性气体的吐出量例如设为每分钟100公升(100l/min)左右。另外，此时，利用第1移动机构751m而使第1液体吐出部751n进入至第1吐出位置。此处，例如环境气体控制构件74的下降、非活性气体的吐出开始、及第1液体吐出部751n进入至第1吐出位置的顺序可适当地设定。
191.接着，打开第1变更部751v所含有的流量控制阀，通过从第1供给源朝第1液体吐出部751n供给第1处理液lq1(药液)，而如图14的(b)及图14的(c)所示，从第1液体吐出部751n吐出第1处理液lq1(药液)(步骤sp4)。因此，对基板w的上表面wu供给药液，并对基板w的上表面wu施行利用药液的处理(亦称“药液处理”)。此处，例如使用dhf作为药液。然后，若药液处理已执行经过预设时间，便关闭第1变更部751v所含有的流量控制阀，而停止来自第1液体吐出部751n的药液吐出。
192.该步骤sp4中，实施如下步骤(亦称“第1处理步骤”)：从处于与由保持部720保持为水平姿势的基板w的上表面wu对向的状态的环境气体控制构件74，朝上表面wu上供给非活性气体，并一边使保持部720进行旋转，一边从第1液体吐出部751n朝沿着上表面wu的方向吐出第1处理液lq1，从而对上表面wu上供给第1处理液lq1。该第1处理步骤中，通过使从第1液体吐出部751n吐出的第1处理液lq1的吐出速度变化，而使上表面wu中被供给有从第1液体吐出部751n吐出的第1处理液lq1的液体供给位置变化。此时，例如通过控制部9使第1变更部751v变更从第1供给源朝第1液体吐出部751n供给的第1处理液lq1每单位时间的供给量，从而可使从第1液体吐出部751n吐出的第1处理液lq1的吐出速度变化。所以，例如可进行基板w的上表面wu的环境气体的控制，且不使第1液体吐出部751n摆动地在基板w的上表面wu广范围进行第1处理液lq1的液体供给位置的扫描。结果，例如可同时实现基板w的上表面wu上的环境气体的控制与减少对基板w的上表面wu的处理的不均。图14的(b)表示第1处理液lq1的液体供给位置位于上表面wu中的中央区域a1内的状态的一例，图14的(c)表示第1处理液lq1的液体供给位置位于上表面wu中的端部侧区域a2内的状态的一例。
193.第1处理步骤中，例如以相较于第1处理液lq1的液体供给位置位于上表面wu中的中央区域a1内时，在第1处理液lq1的液体供给位置位于上表面wu中的端部侧区域a2内时来自第1液体吐出部751n的第1处理液lq1的吐出速度变小的方式，使从第1供给源朝第1液体吐出部751n供给的第1处理液lq1每单位时间的供给量降低。因此，例如可在基板w的上表面wu中从中央区域a1起至端部侧区域a2的广范围中进行第1处理液lq1的液体供给位置的扫描。另外，例如在第1处理液lq1的液体供给位置位于中央区域a1内时，通过相对地增加对上表面wu上的第1处理液lq1每单位时间的供给量，并以基板w的旋转轴72a为中心进行旋转，从而可使第1处理液lq1扩及上表面wu上的广范围。相对于此，例如当第1处理液lq1的液体供给位置位于端部侧区域a2内时，相对地降低对上表面wu上的第1处理液lq1每单位时间的供给量及吐出速度，从而在保持部720中保持着基板w外缘部的多个夹持销724处不易发生第1处理液lq1的飞溅。
194.再者，第1处理步骤中，例如若通过增减从第1供给源朝第1液体吐出部751n供给的第1处理液lq1每单位时间的供给量，使第1处理液lq1的液体供给位置在中央区域a1内与端部侧区域a2内之间往返多次，便可在基板w的上表面wu的广范围中进行多次第1处理液lq1的液体供给位置的扫描，便可更加降低对基板w的上表面wu的处理的不均。
195.再者，第1处理步骤中，例如若采用从第1液体吐出部751n吐出的第1处理液lq1通过基板w的上表面wu与环境气体控制构件74(此处下表面74b)之间的空间，进而着落于上表面wu的构成，便可在使环境气体控制构件74相对向于基板w的上表面wu的广范围的状态下，更严格地进行基板w的上表面wu上的环境气体的控制，且不使第1液体吐出部751n摆动地在基板w的上表面wu的广范围中进行第1处理液lq1的液体供给位置的扫描。
196.再者，第1处理步骤中，例如若第1液体吐出部751n中的吐出第1处理液lq1的第1吐出口751o在铅垂方向上配置于较上表面wu更高的位置，且配置于较环境气体控制构件74的下表面74b更低的位置，便可一边利用环境气体控制构件74进行基板w上的环境气体的控制，一边朝基板w的上表面wu广范围供给第1处理液lq1。另外，此处例如若第1吐出口751o在铅垂方向上，配置于较夹持销724的上表面更高的位置，则从第1吐出口751o朝基板w的上表面wu的第1处理液lq1的路径，便不易因夹持销724而被遮断。
197.再者，第1处理步骤中，例如参照图10的(a)而如上述，将第1吐出口751o以上表面wu为基准的铅垂方向高度设为h，将旋转轴72a与第1吐出口751o的水平方向距离设为r，将通过第1吐出口751o的虚拟水平面与第1吐出口751o吐出第1处理液lq1的吐出方向75d所成的角度设为θ，而在吐出方向75d为较水平方向更往下的方向时，角度θ表示为正值，且在吐出方向75d为较水平方向更往上的方向时，角度θ表示为负值时，若满足0≤θ≤tan-1
(h/r)的关系，亦考虑对第1处理液lq1的重力的影响，从而可容易地将第1处理液lq1供给至基板w的上表面wu中的旋转轴72a上的部分。
198.再者，第1处理步骤中，例如若环境气体控制构件74(此处为下表面74b)处于覆盖着上表面wu的状态下，对基板w的上表面wu与环境气体控制构件74之间供给非活性气体，便可严格地控制基板w的上表面wu上的环境气体。
199.另外，第1处理步骤中，例如若将接受从上表面wu上飞散的第1处理液lq1的第1挡板部731配置呈包围保持部720的周围及基板w的外周，便可利用第1挡板部731接住从基板w的上表面wu上飞散的第1处理液lq1并回收。
200.其次，打开第1液体阀747v，开始从第4供给源朝第1中心喷嘴747n供给第4处理液lq4(清洗液)，如图15的(a)所示，开始从第1中心喷嘴747n对基板w的上表面wu供给第4处理液lq4(清洗液)(步骤sp5)。因此，对基板w的上表面wu全局供给第4处理液lq4(清洗液)，利用第4处理液lq4(清洗液)施行冲洗掉在基板w上附着的第1处理液lq1(药液)的处理(亦称“清洗处理”)。另外，此处利用第1移动机构751m而使第1液体吐出部751n从第1吐出位置退避至第1退避位置。此处例如利用第1移动机构751m，使第1液体吐出部751n从第1下位置上升至第1上位置，更使第1液体吐出部751n从第1内侧位置移动至第1外侧位置。
201.其次，如图15的(b)所示，利用第2移动机构752m而使第2液体吐出部752n进入至第2吐出位置，并使第3液体吐出部753n进入至第3吐出位置(步骤sp6)。
202.其次，若清洗处理已执行经过预设时间，便关闭第1液体阀747v，停止从第4供给源朝第1中心喷嘴747n供给第4处理液lq4(清洗液)，如图15的(c)所示，结束从第1中心喷嘴
747n朝基板w的上表面wu上供给第4处理液lq4(清洗液)(步骤sp7)。此处，更进一步利用升降驱动部73m使第1挡板部731及第2挡板部732从上升位置下降至下降位置。
203.其次，打开第2变更部752v中所含有的流量控制阀，通过从第2供给源朝第2液体吐出部752n供给第2处理液lq2(溶剂)，便如图16的(a)及图16的(b)所示，从第2液体吐出部752n吐出第2处理液lq2(溶剂)(步骤sp8)。因此，在基板w的上表面wu附着的第4处理液lq4(清洗液)被第2处理液lq2(溶剂)冲洗掉而被置换为第2处理液lq2(溶剂)。然后，若自溶剂开始吐出起经过预设时间，便关闭第2变更部752v中所含有的流量控制阀，从而停止来自第2液体吐出部752n的溶剂吐出。
204.该步骤sp8中，实施如下步骤(第2处理步骤)：从处于与由保持部720保持为水平姿势的基板w的上表面wu相对向的状态的环境气体控制构件74，朝上表面wu上供给非活性气体，并一边使保持部720进行旋转，一边从第2液体吐出部752n朝沿上表面wu的方向吐出第2处理液lq2，从而对上表面wu上供给第2处理液lq2。该第2处理步骤中，通过使从第2液体吐出部752n吐出的第2处理液lq2的吐出速度变化，而使上表面wu中的被供给有从第2液体吐出部752n吐出的第2处理液lq2的液体供给位置变化。此时，例如通过控制部9使第2变更部752v变更从第2供给源朝第2液体吐出部752n供给的第2处理液lq2每单位时间的供给量，可使从第2液体吐出部752n吐出的第2处理液lq2的吐出速度变化。所以，例如可进行基板w的上表面wu上的环境气体的控制，且不使第2液体吐出部752n摆动地在基板w的上表面wu广范围进行第2处理液lq2的液体供给位置的扫描。结果，例如可同时实现基板w的上表面wu上的环境气体的控制与减少对基板w的上表面wu的处理的不均。图16的(a)表示第2处理液lq2的液体供给位置位于上表面wu中的中央区域a1内的状态的一例，图16的(b)表示第2处理液lq2的液体供给位置位于上表面wu中的端部侧区域a2内的状态的一例。
205.第2处理步骤中，例如以相较于第2处理液lq2的液体供给位置位于上表面wu中的中央区域a1内时，第2处理液lq2的液体供给位置位于上表面wu中的端部侧区域a2内时来自第2液体吐出部752n的第2处理液lq2的吐出速度小的方式，使从第2供给源朝第2液体吐出部752n供给的第2处理液lq2每单位时间的供给量降低。因此，例如可在基板w的上表面wu中从中央区域a1起至端部侧区域a2的广范围中进行第2处理液lq2的液体供给位置的扫描。另外，例如在第2处理液lq2的液体供给位置位于中央区域a1内时，通过相对地增加对上表面wu上的第2处理液lq2每单位时间的供给量，并以基板w的旋转轴72a为中心进行旋转，而可使第2处理液lq2扩及上表面wu上的广范围。相对于此，例如当第2处理液lq2的液体供给位置位于端部侧区域a2内时，相对地降低对上表面wu上的第2处理液lq2每单位时间的供给量及吐出速度，而在保持部720中保持着基板w外缘部的多个夹持销724处不易发生第2处理液lq2的飞溅。
206.再者，第2处理步骤中，例如若通过增减从第2供给源朝第2液体吐出部752n供给的第2处理液lq2每单位时间的供给量，使第2处理液lq2的液体供给位置在中央区域a1内与端部侧区域a2内之间往返多次，便可在基板w的上表面wu的广范围中进行多次第2处理液lq2的液体供给位置的扫描，便可更加降低对基板w的上表面wu的处理不均。
207.再者，第2处理步骤中，例如若采用从第2液体吐出部752n吐出的第2处理液lq2通过基板w的上表面wu与环境气体控制构件74(此处下表面74b)之间的空间，进而着落于上表面wu的构成，便可在使环境气体控制构件74相对向于基板w的上表面wu的广范围的状态下，
更严格地进行基板w的上表面wu上的环境气体的控制，且不使第2液体吐出部752n摆动地在基板w的上表面wu的广范围中进行第2处理液lq2的液体供给位置的扫描。
208.再者，第2处理步骤中，例如若第2液体吐出部752n中吐出第2处理液lq2的第2吐出口752o在铅垂方向上配置于较上表面wu更高的位置，且配置于较环境气体控制构件74的下表面74b更低的位置，便可利用环境气体控制构件74进行基板w上的环境气体的控制，朝基板w的上表面wu广范围供给第2处理液lq2。另外，此处例如若第2吐出口752o在铅垂方向上，配置于较夹持销724的上表面更高的位置，则从第2吐出口752o朝基板w的上表面wu的第2处理液lq2的路径便不易因夹持销724而被遮断。
209.再者，第2处理步骤中，例如参照图10的(a)而如上述，将第2吐出口752o以上表面wu为基准的铅垂方向高度设为h，将旋转轴72a与第2吐出口752o的水平方向距离设为r，将通过第2吐出口752o的虚拟水平面与第2吐出口752o吐出第2处理液lq2的吐出方向所成的角度设为θ，而在吐出方向为较水平方向更往下的方向时，角度θ表示为正值，且在吐出方向为较水平方向更往上的方向时，角度θ表示为负值时，若满足0≤θ≤tan-1
(h/r)的关系，亦考虑对第2处理液lq2的重力的影响，而可容易地将第1处理液lq1供给至基板w的上表面wu中的旋转轴72a上的部分。
210.再者，第2处理步骤中，例如若在环境气体控制构件74(此处为下表面74b)位于覆盖着基板w的上表面wu的状态下，对上表面wu与环境气体控制构件74之间供给非活性气体，便可严格地控制基板w的上表面wu上的环境气体。
211.另外，第2处理步骤中，例如若将接受从上表面wu上飞散的第2处理液lq2的第3挡板部733配置呈包围保持部720的周围及基板w的外周，便可利用第3挡板部733接住从基板w的上表面wu上飞散的第2处理液lq2并回收。
212.其次，如图16的(c)所示，利用升降驱动部73m使第2挡板部732从下降位置上升至上升位置，同时利用第3移动机构74m使环境气体控制构件74更进一步下降，而使遮断板741配置于更靠近基板w的上表面wu的位置(亦称“最靠近位置”)(步骤sp9)。此处，基板w的上表面wu与遮断板741的下表面74b间的距离例如设为3mm左右。
213.其次，打开第3变更部753v中所含有的流量控制阀，通过从第3供给源朝第3液体吐出部753n供给第3处理液lq3(疏水化液)，而如图17的(a)及图17的(b)所示，从第3液体吐出部753n吐出第3处理液lq3(疏水化液)(步骤sp10)。因此，通过朝基板w的上表面wu供给疏水化液，而在基板w上附着的溶剂便被置换为疏水化液，从而施行在基板w的上表面wu上形成低润湿性的保护膜(亦称“疏水性保护膜”)的处理(亦称“疏水化处理”)。结果，例如基板w的上表面wu的薄膜图案便被疏水性保护膜所被覆。在施行疏水化处理时，例如也可通过以在旋转基座723中内置的加热器等来加热基板w，而更良好地施行疏水化处理。然后，若从疏水化液开始吐出起经过预设时间，便关闭第3变更部753v中所含有的流量控制阀，停止从第3液体吐出部753n吐出疏水化液。
214.该步骤sp10中，实施如下步骤(第3处理步骤)：从位于与由保持部720保持为水平姿势的基板w的上表面wu相对向的状态的环境气体控制构件74，朝上表面wu上供给非活性气体，并一边使保持部720进行旋转，一边从第3液体吐出部753n朝沿上表面wu的方向吐出第3处理液lq3，从而对上表面wu上供给第3处理液lq3。该第3处理步骤中，通过使从第3液体吐出部753n吐出的第3处理液lq3的吐出速度变化，而使上表面wu中被供给有从第3液体吐
出部753n吐出的第3处理液lq3的液体供给位置变化。此时，例如通过控制部9使第3变更部753v变更从第3供给源朝第3液体吐出部753n供给的第3处理液lq3每单位时间的供给量，从而可使从第3液体吐出部753n吐出的第3处理液lq3的吐出速度变化。所以，例如可进行基板w的上表面wu上的环境气体的控制，且不使第3液体吐出部753n摆动地在基板w的上表面wu广范围进行第3处理液lq3的液体供给位置的扫描。结果，例如可同时实现基板w的上表面wu上的环境气体的控制与减少对基板w的上表面wu的处理的不均。图17的(a)表示第3处理液lq3的液体供给位置位于上表面wu中的中央区域a1内的状态的一例，图17的(b)表示第3处理液lq3的液体供给位置位于上表面wu中的端部侧区域a2内的状态的一例。
215.第3处理步骤中，例如以相较于第3处理液lq3的液体供给位置位于上表面wu中的中央区域a1内时，第3处理液lq3的液体供给位置位于上表面wu中的端部侧区域a2内时来自第3液体吐出部753n的第3处理液lq3的吐出速度变小的方式，使从第3供给源朝第3液体吐出部753n的第3处理液lq3每单位时间的供给量降低。因此，例如可在基板w的上表面wu中从中央区域a1起至端部侧区域a2的广范围中进行第3处理液lq3的液体供给位置的扫描。另外，例如在第3处理液lq3的液体供给位置位于中央区域a1内时，通过相对地增加对上表面wu上的第3处理液lq3每单位时间的供给量，并以基板w的旋转轴72a为中心进行旋转，而可使第3处理液lq3扩及上表面wu上的广范围。相对于此，例如当第3处理液lq3的液体供给位置位于端部侧区域a2内时，相对地降低对上表面wu上的第3处理液lq3每单位时间的供给量及吐出速度，从而在保持部720中保持着基板w外缘部的多个夹持销724处不易发生第3处理液lq3的飞溅。
216.再者，第3处理步骤中，例如若通过增减从第3供给源朝第3液体吐出部753n的第3处理液lq3每单位时间的供给量，使第3处理液lq3的液体供给位置在中央区域a1内与端部侧区域a2内之间往返多次，便可在基板w的上表面wu的广范围中进行多次第3处理液lq3的液体供给位置的扫描，便可更加降低对基板w的上表面wu的处理的不均。
217.再者，第3处理步骤中，例如若采用从第3液体吐出部753n吐出的第3处理液lq3通过基板w的上表面wu与环境气体控制构件74(此处下表面74b)之间的空间，进而着落于上表面wu的构成，便可在使环境气体控制构件74相对向于基板w的上表面wu的广范围的状态下，更严格地进行基板w的上表面wu上的环境气体的控制，且不使第3液体吐出部753n摆动地在基板w的上表面wu的广范围中进行第3处理液lq3的液体供给位置的扫描。
218.再者，第3处理步骤中，例如若第3液体吐出部753n中吐出第3处理液lq3的第3吐出口753o在铅垂方向上配置于较上表面wu更高的位置，且配置于较环境气体控制构件74的下表面74b更低的位置，便可利用环境气体控制构件74进行基板w上的环境气体的控制，朝基板w的上表面wu广范围供给第3处理液lq3。另外，此处例如若第3吐出口753o在铅垂方向上，配置于较高于夹持销724的上表面更高的位置，则从第3吐出口753o朝基板w的上表面wu的第3处理液lq3的路径，便不易因夹持销724而被遮断。
219.再者，第3处理步骤中，例如参照图10的(a)而如上述，将第3吐出口753o以上表面wu为基准的铅垂方向高度设为h，将旋转轴72a与第3吐出口753o的水平方向距离设为r，将通过第3吐出口753o的虚拟水平面与第3吐出口753o吐出第3处理液lq3的吐出方向所成的角度设为θ，而于吐出方向为较水平方向更往下的方向时，角度θ表示为正值，且吐出方向为较水平方向更往上的方向时，角度θ表示为负值时，若满足0≤θ≤tan-1
(h/r)的关系，可容易
地将第3处理液lq3供给至基板w的上表面wu中的旋转轴72a上的部分。
220.再者，第3处理步骤中，例如若环境气体控制构件74(此处为下表面74b)处于覆盖着基板w的上表面wu的状态下，对上表面wu与环境气体控制构件74之间供给非活性气体，便可严格地控制基板w的上表面wu上的环境气体。
221.另外，第3处理步骤中，例如若将接受从上表面wu上飞散的第3处理液lq3的第2挡板部732配置呈包围保持部720的周围及基板w的外周，便可利用第2挡板部732接住从基板w的上表面wu上飞散的第3处理液lq3并回收。
222.其次，打开第2液体阀748v，从第5供给源朝第2中心喷嘴748n供给第5处理液lq5(疏水化液)，如图17的(c)所示，从第2中心喷嘴748n的吐出口朝下方吐出第5处理液lq5(疏水化液)(图12中的步骤sp11)。因此，对基板w的上表面wu全局供给疏水化液，更进一步将基板w上附着的溶剂置换为疏水化液。此时，例如也可以在旋转基座723中内置的加热器等来加热基板w。然后，从疏水化液开始吐出起经过预设时间，便关闭第2液体阀748v，停止从第2中心喷嘴748n吐出疏水化液。另外，此处利用第2移动机构752m使第2液体吐出部752n从第2吐出位置退避至第2退避位置，同时使第3液体吐出部753n从第3吐出位置退避至第3退避位置。此处，例如利用第2移动机构752m，使第2液体吐出部752n从第2下位置上升至第2上位置，同时使第3液体吐出部753n从第3下位置上升至第3上位置，更使第2液体吐出部752n从第2内侧位置移动至第2外侧位置，同时使第3液体吐出部753n从第3内侧位置移动至第3外侧位置。
223.其次，如图18的(a)所示，利用升降驱动部73m使第2挡板部732从上升位置下降至下降位置(步骤sp12)。
224.接着，打开第3液体阀749v，从第6供给源朝第3中心喷嘴749n供给第6处理液lq6(溶剂)，便如图18的(b)所示，从第3中心喷嘴749n的吐出口朝下方吐出第6处理液lq6(溶剂)(步骤sp13)。因此，在基板w的上表面wu附着的疏水化液便被置换为溶剂。然后，若溶剂开始吐出起经过预设时间，便关闭第3液体阀749v，停止从第3中心喷嘴749n吐出溶剂。
225.接着，如图18的(c)所示，在来自第3中心喷嘴749n的吐出口的第6处理液lq6停止吐出之后，便进行使基板w干燥的干燥处理(步骤sp14)。此处，控制部9控制着旋转机构722，使基板w以高旋转速度(例如2500rpm以上)进行旋转。因此，对基板w的上表面wu附着的溶剂作用较大的离心力，而将溶剂甩出于基板w的周围。如此，溶剂便被从基板w除去，从而使基板w干燥。
226.其次，若从开始干燥处理起经过预设时间，便如图19的(a)所示，停止利用旋转机构722使由保持部720保持的基板w的旋转(步骤sp15)。另外，此处如图19的(a)所示，通过关闭第1气体阀745v及第2气体阀746v，而停止从环境气体控制构件74朝基板w的上表面wu吐出非活性气体，同时利用第3移动机构74m使环境气体控制构件74上升，而使遮断板741配置于远离位置。另外，此处如图19的(a)所示，利用升降驱动部73m使第3挡板部733从上升位置下降至下降位置。此处，例如保持部720的旋转停止、环境气体控制构件74的上升、非活性气体的吐出停止、及第3挡板部733的下降的顺序可适当地设定。
227.其次，例如图19的(b)所示，解除由保持部720对基板w的保持，利用第2搬送机构8从处理单元7内搬出处理完毕的基板w(步骤sp16)。
228.＜1-5.第1实施方式的整理＞
229.如上述，第1实施方式的基板处理装置1中，例如通过从处于与由保持部720保持为水平姿势的基板w的上表面wu对向的状态的环境气体控制构件74，朝上表面wu上供给非活性气体，并一边使保持部720进行旋转，一边朝沿基板w的上表面wu的方向从第1液体吐出部751n的第1吐出口751o吐出第1处理液lq1，从而对上表面wu上供给第1处理液lq1。此时，例如变更从第1供给源朝第1液体吐出部751n供给的第1处理液lq1每单位时间的供给量，而使从第1液体吐出部751n吐出的第1处理液lq1的吐出速度变化，而使基板w的上表面wu中被供给有从第1液体吐出部751n吐出的第1处理液lq1的液体供给位置变化。因此，例如可利用从环境气体控制构件74的非活性气体的供给而良好地进行基板w的上表面wu上的环境气体的控制，且不使第1液体吐出部751n摆动地在基板w的上表面wu广范围进行第1处理液lq1的液体供给位置的扫描。
230.再者，第1实施方式的基板处理装置1中，例如通过从位于与由保持部720保持为水平姿势的基板w的上表面wu对向的状态的环境气体控制构件74，朝上表面wu上供给非活性气体，并一边使保持部720进行旋转，一边朝沿基板w的上表面wu的方向，从第2液体吐出部752n的第2吐出口752o吐出第2处理液lq2，而对上表面wu上供给第2处理液lq2。此时，例如变更从第2供给源朝第2液体吐出部752n供给的第2处理液lq2每单位时间的供给量，而使从第2液体吐出部752n吐出的第2处理液lq2的吐出速度变化，而使基板w的上表面wu中被供给有从第2液体吐出部752n吐出的第2处理液lq2的液体供给位置变化。因此，例如可利用从环境气体控制构件74的非活性气体的供给而良好地进行基板w的上表面wu上的环境气体的控制，且不使第2液体吐出部752n摆动地在基板w的上表面wu广范围进行第2处理液lq2的液体供给位置的扫描。
231.再者，第1实施方式的基板处理装置1中，例如通过从位于与由保持部720保持为水平姿势的基板w的上表面wu对向的状态的环境气体控制构件74，朝上表面wu上供给非活性气体，并一边使保持部720进行旋转，一边朝沿基板w的上表面wu的方向从第3液体吐出部753n的第3吐出口753o吐出第3处理液lq3，从而对上表面wu上供给第3处理液lq3。此时，例如变更从第3供给源朝第3液体吐出部753n供给的第3处理液lq3每单位时间的供给量，而使从第3液体吐出部753n吐出的第3处理液lq3的吐出速度变化，从而使基板w的上表面wu中被供给有从第3液体吐出部753n吐出的第3处理液lq3的液体供给位置变化。因此，例如可利用从环境气体控制构件74的非活性气体的供给而良好地进行基板w的上表面wu上的环境气体的控制，且不使第3液体吐出部753n摆动地在基板w的上表面wu广范围进行第3处理液lq3的液体供给位置的扫描。
232.所以，例如可同时实现基板w的上表面wu上的环境气体的控制、与降低对基板w的上表面wu的处理的不均。
233.＜2.其它实施方式＞
234.本发明并不仅局限于上述第1实施方式，在不脱离本发明主旨的范围内，也可进行各种变更及改良等。
235.＜2-1.第2实施方式＞
236.上述第1实施方式中，环境气体控制构件74例如也可置换为小型的环境气体控制构件74a，其通过在与基板w的上表面wu中的中央区域a1对向的状态下朝基板w的上方供给非活性气体，从而形成沿上表面wu流动的气流。于此情况，例如也可为，在上述第1～3处理
步骤中，环境气体控制构件74a位于与基板w的上表面wu中的中央区域a1对向的状态下，通过朝基板w的上方供给非活性气体，从而形成沿上表面wu流动的气流。此处，假设如下实施方式：相较于基板w的上表面wu的直径，环境气体控制构件74a中与基板w的上表面wu相对向的部分的下表面74b的直径更小。更具体而言，例如假设如下实施方式：基板w的上表面wu的直径300mm左右，而环境气体控制构件74a的下表面74b的直径95mm至120mm左右。若采用这种构成，例如可在基板w的上表面wu全局未被环境气体控制构件74a覆盖的状态下，容易地使第1液体吐出部751n在第1退避位置与第1吐出位置间进行移动。另外，例如可容易地使第2液体吐出部752n在第2退避位置与第2吐出位置间进行移动，可容易地使第3液体吐出部753n在第3退避位置与第3吐出位置间进行移动。
237.图20示意性地表示第2实施方式的处理单元7的一构成例的侧视图。图21示意性地表示第2实施方式的环境气体控制构件74a的一构成例的纵剖视图。
238.如图20及图21所示，环境气体控制构件74a例如具有如下形态：以上述第1实施方式的环境气体控制构件74为基础，将遮断板741、支轴742及气体喷嘴745n置换为气体喷嘴745na。换言之，环境气体控制构件74a包含有：中心喷嘴群74n及气体喷嘴745na。
239.气体喷嘴745na例如朝由保持部720保持的基板w的上表面wu上方吐出氮气等非活性气体。因此，便可利用氮气这样的环境气体覆盖住基板w上方。气体喷嘴745na连接有于中途设有第1气体阀745v的第1气体供给路745p。
240.图20及图21的例子中，于中心喷嘴群74n一体结合有气体喷嘴745na。所以，环境气体控制构件74a具有如下功能：利用中心喷嘴群74n吐出作为第4处理液lq4的清洗液、作为第5处理液lq5的疏水化液及作为第6处理液lq6的溶剂的功能，以及吐出氮气等非活性气体的功能。
241.气体喷嘴745na具有圆筒状的喷嘴本体745nm，该喷嘴本体745nm于下端设有凸缘部745nf。喷嘴本体745nm的最外径例如95mm至120mm左右。在凸缘部745nf侧面即外周面，分别呈环状地朝外方向开设上侧气体吐出口746o1及下侧气体吐出口746o2。上侧气体吐出口746o1及下侧气体吐出口746o2上下隔开间隔地配置。在喷嘴本体745nm的下表面74b配置有中心气体吐出口745o。
242.在喷嘴本体745nm中，形成有从第1气体供给路745p供给非活性气体的气体导入口745i1、745i2。也可连接有对气体导入口745i1、745i2分别供给非活性气体的气体供给路。在喷嘴本体745nm内，形成有将气体导入口745i2与上侧气体吐出口746o1及下侧气体吐出口746o2予以连接的筒状的气体流路745nr。另外，在喷嘴本体745nm内，于中心喷嘴群74n周围形成有连通于气体导入口745i1的筒状的气体流路745nw。气体流路745nw的下部连通有缓冲空间745nb。缓冲空间745nb更进一步经由冲孔板745np而连通于其下方的空间745ns。该空间745ns的下部成为中心气体吐出口745o。
243.从气体导入口745i2导入的非活性气体是经由气体流路745nr而供给给上侧气体吐出口746o1及下侧气体吐出口746o2，再从上侧气体吐出口746o1及下侧气体吐出口746o2呈放射状吐出。因此，在基板w上方形成有上下重叠的两个放射状气流(亦称“放射状气流”)。另一方面，从气体导入口745i1导入的非活性气体是经由气体流路745nw而蓄积于缓冲空间745nb中，进而通过冲孔板745np而扩散后，再通过空间745ns而从中心气体吐出口745o朝基板w的上表面wu向下吐出。该非活性气体碰撞到基板w的上表面wu而改变方向，并
在基板w的上方形成非活性气体的放射状气流。
244.所以，利用从中心气体吐出口745o吐出的非活性气体形成的放射状气流、与从上侧气体吐出口746o1及下侧气体吐出口746o2吐出的2层放射状气流，在基板w的上方形成3层放射状气流。利用该3层放射状气流，保护着基板w的上表面wu。例如当使基板w以旋转轴72a为中心进行高速旋转时，通过3层非活性气体的放射状气流而保护着基板w的上表面，因此，基板w的上表面wu便可被保护而免受氧、液滴及雾气等湿气的影响。
245.此处，例如，可使环境气体控制构件74a的下表面74b配置于靠近由保持部720保持的基板w的上表面wu的位置(靠近位置)、或远离由保持部720保持的基板w的上表面wu的位置(远离位置)。例如，当对基板w的上表面wu依记载顺序施行蚀刻、洗净、疏水化及干燥等一连串的基板处理时，可将下表面74b与上表面wu的间隔设定为例如3mm至10mm左右。
246.中心喷嘴群74n贯通气体流路745nw、缓冲空间745nb及冲孔板745np而在铅垂方向延伸。中心喷嘴群74n的下端的各吐出口位于冲孔板745np的下方。中心喷嘴群74n的下表面位于与环境气体控制构件74a的下表面74b相同高度、或较下表面74b更靠上方。
247.此处，例如第3移动机构74m也可利用马达等而使机器臂743以沿着铅垂方向的虚拟旋转轴74a为中心进行转动，从而使环境气体控制构件74a在保持部720上进行摆动。另外，例如第3移动机构74m也可利用马达等而使机器臂743以旋转轴74a为中心进行转动，从而使环境气体控制构件74a从保持部720上退避。
248.＜2-2.第3实施方式＞
249.上述各实施方式中，第1液体吐出部751n、第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n分别例如也可不具有第1管状部75p1(图10的(b))。图22示意性地表示第3实施方式的第1～3液体吐出部751n、752n、753n的形态的纵剖视图。
250.第3实施方式中，第2管状部75p2具有沿铅垂方向延伸的状态的管状前端部75p4。然后，例如于第1液体吐出部751n中，沿铅垂方向延伸的前端部75p4也可设有朝水平方向呈开口的第1吐出口751o。另外，例如于第2液体吐出部752n中，沿铅垂方向延伸的前端部75p4也可设有朝水平方向呈开口的第2吐出口752o。另外，例如于第3液体吐出部753n中，沿铅垂方向延伸的前端部75p4也可设有朝水平方向呈开口的第3吐出口753o。此处，例如控制部9也可利用第3驱动部的一例即第1移动机构751m，以前端部75p4对第1～3挡板部731、732、733中至少一个挡板部与环境气体控制构件74、74a间的间隙进行插拔的方式，使第1液体吐出部751n沿铅垂方向进行升降，也可利用第3驱动部的一例即第2移动机构752m，使第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n沿铅垂方向进行升降。
251.若采用这种构成，例如即使挡板73的上表面被配置于较环境气体控制构件74、74a的下表面74b更高的位置，且挡板73与环境气体控制构件74、74a间的间隙狭窄的情况，仍可使第1液体吐出部751n、第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n的第2管状部75p2，容易地对挡板73与环境气体控制构件74、74a间的间隙进行插拔。具体而言，例如即使挡板73与环境气体控制构件74、74a间的间隔狭窄，仍可使第1液体吐出部751n容易地在第1退避位置与第1吐出位置之间进行移动，可容易地使第2液体吐出部752n在第2退避位置与第2吐出位置之间进行移动，可容易地使第3液体吐出部753n在第3退避位置与第3吐出位置之间进行移动。
252.＜2-3.第4实施方式＞
253.上述各实施方式中，例如为了使第1～3液体吐出部751n、752n、753n分别能对挡板73与环境气体控制构件74、74a间的狭窄间隙进行插拔，也可在挡板73的内周缘部设置凹部。图23示意性地表示第4实施方式的处理单元7的内部的一构成例的俯视图。
254.第4实施方式中，如图23所示，挡板73也可具有：当朝下方向俯视或俯视透视时，具有内周缘部73i，该内周缘部73i具有朝远离环境气体控制构件74的方向凹陷的凹部73r。由另一观点言之，挡板73也可在内周缘部73i设有朝远离旋转轴72a的方向凹陷的凹部73r。图23的例子中，挡板73设有两个凹部73r。两个凹部73r包含有：用于第1液体吐出部751n的第1凹部73r1、用于第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n的第2凹部73r2。此处，例如控制部9也可执行如下动作中的至少一动作：利用作为第3驱动部的一例的第1移动机构751m而使第1液体吐出部751n下降，从而使第2管状部75p2插通于第1凹部73r1内的空间中的动作(下降动作)、以及利用作为第3驱动部的一例的第1移动机构751m而使第1液体吐出部751n上升，从而使第2管状部75p2从第1凹部73r1内的空间朝上方移动的动作(上升动作)。另外，例如控制部9也可执行如下动作中的至少一动作：利用作为第3驱动部的一例的第2移动机构752m而使第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n下降，从而使各第2管状部75p2插通于第2凹部73r2内的空间中的动作(下降动作)、以及利用作为第3驱动部的一例的第2移动机构752m而使第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n上升，从而而使各第2管状部75p2从第2凹部73r2内的空间朝上方移动的动作(上升动作)。
255.通过采用这种构成，例如即使挡板73的上表面被配置于较环境气体控制构件74、74a的下表面74b更高的位置，且挡板73与环境气体控制构件74、74a间的间隙狭窄的情况，仍可使第1液体吐出部751n、第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n的第2管状部75p2，轻易对挡板73与环境气体控制构件74、74a间的间隙进行插拔。具体而言，例如即使挡板73与环境气体控制构件74、74a间的间隔狭窄，仍可使第1液体吐出部751n容易地在第1退避位置与第1吐出位置之间移动，也可使第2液体吐出部752n容易地在第2退避位置与第2吐出位置之间移动，也可使第3液体吐出部753n容易地在第3退避位置与第3吐出位置之间移动。
256.再者，此处，例如也可在第1液体吐出部751n的第2管状部75p2插通于第1凹部73r1内的空间的状态下，利用第1移动机构751m而使第1液体吐出部751n相对于旋转轴72a朝接近及远离的方向移动。因此，例如即使第1液体吐出部751n设有第1管状部75p1的情况，仍可使第1吐出口751o对环境气体控制构件74、74a与保持部720间的空间进行插拔。例如，也可为，在第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n的第2管状部75p2插通于第2凹部73r2内的空间的状态下，利用第2移动机构752m而使第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n相对于旋转轴72a而朝接近及远离的方向移动。因此，例如即使第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n设有第1管状部75p1的情况，仍可使第2吐出口752o及第3吐出口753o对环境气体控制构件74、74a与保持部720间的空间进行插拔。
257.＜2-4.第5实施方式＞
258.上述第1实施方式及上述第2实施方式中，例如也可为，第1液体吐出部751n、第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n分别为与挡板73一体地构成的状态。图24示意性地表示第5实施方式的处理单元7中的第1～3液体吐出部751n、752n、753n的配置的侧视图。图24的(a)表示从第1液体吐出部751n朝基板w的上表面wu的中央区域a1吐出第1处理液lq1的情况，图24的(b)表示从第1液体吐出部751n朝基板w的上表面wu的端部侧区域a2吐出第1处理
液lq1的情况。
259.如图24所示，例如第1液体吐出部751n也可与第1挡板部731一体地构成，第2液体吐出部752n也可与第3挡板部733一体地构成，第3液体吐出部753n也可与第2挡板部732一体地构成。若采用这种构成，例如，第1～3液体吐出部751n、752n、753n的配置较为容易。
260.＜2-5.其它＞
261.上述各实施方式中，例如当将第1～6处理液lq1～lq6中的一者以上的处理液供给至基板w的上表面wu上时，环境气体控制构件74、74a也可朝基板w的上表面wu上供给非活性气体。
262.上述各实施方式中，例如也可采用如下构成：不设置第2液体吐出部752n、第2液体供给路752p及第2变更部752v，且对基板w的上表面wu上的溶剂吐出由第3中心喷嘴749n执行。
263.上述各实施方式中，例如也可采用如下构成：第2液体吐出部752n吐出清洗液而作为第2处理液，以取代溶剂。
264.上述各实施方式中，例如也可采用如下构成：利用第3移动机构74m而使环境气体控制构件74、74a几乎或完全不进行升降。
265.上述各实施方式中，例如关于第1处理单元7a及第2处理单元7b，保持部720也可采用机械式夹具或机械夹持爪，也可使用伯努利吸盘或伯努利夹持器。
266.上述各实施方式中，例如第1液体吐出部751n、第2液体吐出部752n及第3液体吐出部753n也可分别与旋转保持机构72一体地构成。
267.上述各实施方式中，例如非活性气体中也可含有干燥空气或清净空气等氮气以外的气体。
268.上述第1实施方式中，例如也可为，第1～3液体吐出部751n、752n、753n中，第1管状部75p1能以沿铅垂方向的虚拟旋转轴为中心进行转动地设置于第2管状部75p2上。此处，例如也可为控制部9利用马达等驱动部，而以第2管状部75p2为中心，使第1管状部75p1的朝向变更。根据这种构成，例如即使挡板73的上表面被配置于比环境气体控制构件74的下表面74b更高的位置，从而挡板73与环境气体控制构件74间的间隙狭窄的情况，仍可使第1～3液体吐出部751n、752n、753n容易地对挡板73与环境气体控制构件74间的间隙进行插拔。因此，例如即使挡板73与环境气体控制构件74间的间隙狭窄，仍可使第1～3液体吐出部751n、752n、753n容易地分别在退避位置与吐出位置之间移动。
269.上述第1、3～5实施方式中，例如也可为，在支轴742设置马达等旋转机构，当对基板w的上表面wu依记载顺序施行蚀刻、洗净、疏水化及干燥的一连串基板处理时，能使遮断板741以旋转轴72a为中心进行旋转。于此情况，例如也可为，控制部9控制旋转机构的动作，配合由保持部720保持的基板w的旋转，使遮断板741以与基板w相同的旋转方向且大致相同的旋转速度进行旋转。
270.上述第2实施方式中，例如也可为，第1处理步骤中的第1吐出口751o的位置、第2处理步骤中的第2吐出口752o的位置、及第3处理步骤中的第3吐出口753o的位置分别在铅垂方向上，位于与环境气体控制构件74a的下表面74b同等的位置、或位于稍微高于下表面74b的位置。
271.另外，当然可在适当且不矛盾的范围内将分别构成上述第1～5实施方式及各种变
化例的整体或一部分加以组合。
272.附图标记说明
273.1:基板处理装置
274.7:处理单元
275.72:旋转保持机构
276.720:保持部
277.721:中心轴
278.722:旋转机构
279.723:旋转基座
280.724:夹持销
281.72a:旋转轴
282.73:挡板
283.731、732、733:第1挡板部、第2挡板部、第3挡板部
284.73i:内周缘部
285.73m:升降驱动部
286.73r:凹部
287.73r1、73r2:第1凹部、第2凹部
288.74、74a:环境气体控制构件
289.741:遮断板
290.745n、745na:气体喷嘴
291.74m:第3移动机构
292.74n:中心喷嘴群
293.74b:下表面
294.751a:虚拟轴
295.751m:第1移动机构
296.751n:第1液体吐出部
297.751o:第1吐出口
298.751p:第1液体供给路
299.751v:第1变更部
300.752a:虚拟轴
301.752m:第2移动机构
302.752n:第2液体吐出部
303.752o:第2吐出口
304.752p:第2液体供给路
305.752v:第2变更部
306.753m:第3移动机构
307.753n:第3液体吐出部
308.753o:第3吐出口
309.753p:第3液体供给路
310.753v:第3变更部
311.75d:吐出方向
312.75p1:第1管状部
313.75p2:第2管状部
314.75p3:第3管状部
315.75p4:前端部
316.9:控制部
317.a1:中央区域
318.a2:端部侧区域
319.lq1～lq6:第1处理液～第6处理液
320.w:基板