像素驱动电路及显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其是涉及一种像素驱动电路及显示面板。


背景技术：

2.显示技术一直以来都是电子设备中重要的研究方向之一。随着micro led和mini led技术的不断发展和成熟，其功耗过高的问题逐渐被重视。通常情况下由于红色发光单元的发光效率较低，需要更高的驱动电流，但绿色发光单元和蓝色发光单元发光效率较高，并不需要很高的驱动电流，若按照红色发光单元所需的驱动电流给予绿色发光单元和蓝色发光单元相同的驱动电压，将会造成绿色发光单元和蓝色发光单元部分功耗损失。如何降低这部分的功耗就显得十分必要。
3.目前，可以通过给予不同发光单元以不同驱动电压，降低不必要的功耗损失。但是这种设计的电路较为复杂，需要占据更多的设计空间。


技术实现要素：

4.本技术公开了一种像素驱动电路，能够降低不必要的功耗损失，且电路设计简单，占用空间较少。
5.第一方面，本技术提供了一种像素驱动电路，用于驱动像素单元工作，所述像素单元包括第一颜色子像素、第二颜色子像素及第三颜色子像素，所述像素驱动电路包括第一驱动单元、第二驱动单元及第三驱动单元，所述第一驱动单元电连接所述第一颜色子像素，用于根据第一电压信号驱动所述第一颜色子像素工作；所述第二驱动单元电连接所述第二颜色子像素，用于根据所述第一电压信号驱动所述第二颜色子像素工作；所述第三驱动单元电连接所述第三颜色子像素，用于根据所述第一电压信号驱动所述第三颜色子像素工作；所述第一驱动单元至少包括第一电容，所述第二驱动单元至少包括第二电容，所述第三驱动单元至少包括第三电容，所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容之间的至少一者电容值不同。
6.通过改变所述第一电容、所述第二电容和所述第三电容的电容值，使得在相同的所述第一电压信号的驱动下，产生的驱动电流也可以是不同的，从而降低不必要的功耗损失。同时，由于仅改变了所述第一电容、所述第二电容和所述第三电容的电容值，所述第一驱动单元、所述第二驱动单元和所述第三驱动单元的电路设计简单，占用空间较小。
7.可选的，所述第一颜色子像素用于显示红色，所述第二颜色子像素用于显示绿色，所述第三颜色子像素用于显示蓝色，所述第一电容的电容值大于所述第二电容的电容值，且所述第一电容的电容值大于所述第三电容的电容值。
8.可选的，所述第二电容的电容值大于所述第三电容的电容值。
9.可选的，所述第一电容与所述第二电容的电容值的比值为18:5，所述第二电容与所述第三电容的电容值的比值为3:2。
10.可选的，所述像素单元还包括第四颜色子像素，所述像素驱动电路还包括第四驱
动单元，所述第四驱动单元电连接所述第四颜色子像素，用于根据所述第一电压信号驱动所述第四颜色子像素工作，所述第四颜色子像素用于显示黄色。
11.可选的，所述第一驱动单元包括第一晶体管，所述第二驱动单元包括第二晶体管，所述第三驱动单元包括第三晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管和/或所述第三晶体管的源漏极沟道的宽长比不同。
12.可选的，所述第一晶体管的源漏极沟道的宽长比大于所述第二晶体管和所述第三晶体管的源漏极沟道的宽长比。
13.可选的，所述第二晶体管的源漏极沟道的宽长比大于所述第三晶体管的源漏极沟道的宽长比。可选的，当所述第一电容、所述第二电容与所述第三电容的电容值相同时，所述第一晶体管的沟道宽长比与所述第二晶体管的沟道宽长比的比值为18:5，所述第二晶体管的沟道宽长比与所述第三晶体管的沟道宽长比的比值为3:2。
14.第二方面，本技术还提供了一种显示面板，所述显示面板包括阵列分布的多个像素单元及如第一方面所述的像素驱动电路，所述像素驱动电路用于根据所述第一电压信号驱动所述像素单元工作。
附图说明
15.为了更清楚的说明本技术实施方式中的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1为本技术第一实施方式提供的像素驱动电路框架示意图。
17.图2为本技术第一实施方式提供的晶体管剖视示意图。
18.图3为本技术第二实施方式提供的像素驱动电路框架示意图。
19.图4为本技术第三实施方式提供的像素驱动电路俯视示意图。
20.图5为本技术第三实施方式提供的源漏极沟道示意图。
21.图6为本技术第一实施方式提供的显示面板俯视示意图。
22.附图标号说明：源极-s、漏极-d、栅极-g、p型半导体-p、n型半导体-n、绝缘层-i、衬底-b、有源层-a、间隔区域-c、像素驱动电路-1、第一驱动单元-11、第一电容-111、第一晶体管-112、第二驱动单元-12、第二电容-121、第二晶体管-122、第三驱动单元-13、第三电容-131、第三晶体管-132、过孔-14、第四驱动单元-15、显示面板-2、像素单元-21、第一颜色子像素-211、第二颜色子像素-212、第三颜色子像素-213、第四颜色子像素-214。
具体实施方式
23.下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施方式仅是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
24.本技术提供了一种像素驱动电路1，用于驱动像素单元21工作，请参阅图1，图1为本技术第一实施方式提供的像素驱动电路框架示意图。所述像素单元21包括第一颜色子像
素211、第二颜色子像素212及第三颜色子像素213，所述像素驱动电路1包括第一驱动单元11、第二驱动单元12及第三驱动单元13，所述第一驱动单元11电连接所述第一颜色子像素211，用于根据第一电压信号驱动所述第一颜色子像素211工作；所述第二驱动单元12电连接所述第二颜色子像素212，用于根据所述第一电压信号驱动所述第二颜色子像素212工作；所述第三驱动单元13电连接所述第三颜色子像素213，用于根据所述第一电压信号驱动所述第三颜色子像素213工作；所述第一驱动单元11至少包括第一电容111(见图2)，所述第二驱动单元12至少包括第二电容121(见图2)，所述第三驱动单元13至少包括第三电容131(见图2)，所述第一电容111与、所述第二电容121及所述第三电容131之间的至少一者电容值不同。
25.需要说明的是，由于所述像素驱动电路1通常为多层电路结构，如图1所示，所述像素驱动电路1还包括多个过孔14，所述过孔14具有导电性，各个信号传输线路交叠的部分通过所述过孔14电连接，例如，如图1所示，所述第二电压信号线通过所述过孔14与所述像素单元21的一端电连接，以将所述第二电压信号传输至所述像素单元21的一端。其中，所述第一电压信号线用于传输第一电压信号，所述扫描信号线用于传输扫描信号，所述数据信号线用于传输数据信号。
26.在本实施方式中，所述第二电压信号的电压值为固定电压值，在所述像素单元21的一端施加固定电压，通过改变另一端的电压，即为所述像素单元21另一端充电的数据信号的电压值，可实现控制所述像素单元21发射光线的强度等。当施加在所述像素单元21两端的电压值相等，或其差值小于所述像素单元21的工作电压时，所述像素单元21不工作。
27.通常情况下，每个所述像素单元21包括三个颜色子像素，即所述第一颜色子像素211、所述第二颜色子像素212和所述第三颜色子像素213，分别用于显示红色、绿色及蓝色，并通过所述第一颜色子像素211、所述第二颜色子像素212和所述第三颜色子像素213的颜色混合，达到显示其他颜色的目的。可以理解的，第一电压信号用于为所述像素驱动电路1提供工作电压，扫描信号用于选通所述第一驱动单元11、所述第二驱动单元12和所述第三驱动单元13，以使得在所述扫描信号的加载下，所述第一驱动单元11根据所述数据信号为所述第一颜色子像素211充电，所述第二驱动单元12根据所述数据信号为所述第二颜色子像素212充电，所述第三驱动单元13根据所述数据信号为所述第三颜色子像素213充电。
28.具体的，由于所述第一颜色子像素211、所述第二颜色子像素212及所述第三颜色子像素213用于显示的颜色不同，其工作电压/电流也不相同，因此，在现有技术中，当施加在所述第一颜色子像素211、所述第二颜色子像素212和所述第三颜色子像素213一端的电压相同时，可能会造成不必要的功耗损失；或者，在现有技术中，分别改变所述第一驱动单元11、所述第二驱动单元12和所述第三驱动单元13的电路设计，需要较为复杂的电路设计，占用空间较大。
29.具体的，所述第一驱动单元11、所述第二驱动单元12和所述第三驱动单元13分别包括至少一个晶体管，请一并参阅图2，图2为本技术第一实施方式提供的晶体管剖视示意图。图2所示的晶体管为p型晶体管，由栅极g及一个n型半导体包覆两个p型半导体构成，其中一个p型半导体为源极s，另一个为漏极d。栅极g为金属电极，且栅极g与源极s及漏极d之间还设置有绝缘层i。由于p型半导体材料中掺入了三价元素杂质，p型半导体中多数载流子为空穴，且空穴带正电荷。在栅极g加载低电位时，两个p型半导体形成沟道导通，即形成源
漏极沟道。上述结构均设置于衬底b上，从而使得栅极g与衬底b之间形成单位面积栅氧化层电容，即分别对应为本实施方式中的所述第一电容111、所述第二电容121和所述第三电容131。可以理解的，在其他可能的实施方式中，晶体管还可以是n型、双栅极g晶体管等，本技术对此不加以限制。
30.在本实施方式中，流经所述像素单元21的工作电流可以由如下公式计算：
[0031][0032]
其中，μ为常数，c为所述第一电容111、所述第二电容121或所述第三电容131的电容值，w为源漏极沟道的宽度，l为源漏极沟道的长度，v
gs
为晶体管的栅极g与源极s之间的电压，v
th
为晶体管的阈值电压。
[0033]
根据所述像素单元21的工作电流的计算公式可以得出，当提高所述第一电容111、所述第二电容121或所述第三电容131的电容值，流经所述像素单元21的工作电流将增大；反之，当降低所述第一电容111、所述第二电容121或所述第三电容131的电容值，流经所述像素单元21的工作电流将减小。则可以根据所述第一颜色子像素211、所述第二颜色子像素212和所述第三颜色子像素213所需的工作电压/电流，改变驱动其工作的所述第一驱动单元11的所述第一电容111的电容值、所述第二驱动单元12的所述第二电容121的电容值以及所述第三驱动单元13的所述第三电容131的电容值，从而避免功耗的损失。
[0034]
可以理解的，根据电容值计算公式，分别改变栅极g与衬底b之间的正对面积、距离、介质等参数，即可改变所述第一电容111、所述第二电容121和所述第三电容131的电容值，无需对所述第一驱动单元11、所述第二驱动单元12和所述第三驱动单元13作额外的电路设计改动，相对于现有技术节省了电路设计空间。在其他可能的实施方式中，所述第一驱动单元11、所述第二驱动单元12和所述第三驱动单元13中的其他电子元器件还可以作为所述第一电容111、所述第二电容121和所述第三电容131，本技术对此不加以限制。
[0035]
可以理解的，在本实施方式中，通过改变所述第一电容111、所述第二电容121和所述第三电容131的电容值，使得在相同的所述第一电压信号的驱动下，产生的驱动电流也可以是不同的，从而降低不必要的功耗损失。同时，由于仅改变了所述第一电容111、所述第二电容121和所述第三电容131的电容值，所述第一驱动单元11、所述第二驱动单元12和所述第三驱动单元13的电路设计简单，占用空间较小。
[0036]
在一种可能的实施方式中，所述第一颜色子像素211用于显示红色，所述第二颜色子像素212用于显示绿色，所述第三颜色子像素213用于显示蓝色，所述第一电容111的电容值大于所述第二电容121的电容值，且所述第一电容111的电容值大于所述第三电容131的电容值。
[0037]
需要说明的是，通常情况下，由于用于显示红色的所述第一颜色子像素211的发光效率，较用于显示绿色的所述第二颜色子像素212和用于显示蓝色的所述第三颜色子像素213要低，因此，在驱动所述第一颜色子像素211时，所需的驱动电流较驱动所述第二颜色子像素212和所述第三颜色子像素213时要高，且通常驱动所述第一颜色子像素211所需的驱动电流为驱动所述第二颜色子像素212和所述第三颜色子像素213的驱动电流的两倍以上。
[0038]
因此，在本实施方式中，根据流经所述像素单元21的工作电流的计算公式，需要提高所述第一电容111的电容值，从而加大所述第一驱动单元11驱动所述第一颜色子像素211
的驱动电流，从而使得所述第一颜色子像素211正常工作。同时，所述第二电容121和所述第三电容131的电容值小于所述第一电容111的电容值，因此，所述第二驱动单元12驱动所述第二颜色子像素212的驱动电流，和所述第三驱动单元13驱动所述第三颜色子像素213的驱动电流并未增大，从而避免了功耗损失。
[0039]
在一种可能的实施方式中，所述第二电容121的电容值大于所述第三电容131的电容值。
[0040]
具体的，本实施方式与上一实施方式的区别在于，所述第二电容121的电容值大于所述第三电容131的电容值，从而使得所述第二驱动单元12驱动所述第二颜色子像素212的驱动电流，大于所述第三驱动单元13驱动所述第三颜色子像素213的驱动电流。
[0041]
可以理解的，由于用于显示绿色的所述第二颜色子像素212所需的驱动电流大于用于显示蓝色的所述第三颜色子像素213，因此，在本实施方式中，在所述第三颜色子像素213的一端加载合适的电压，使得所述第三颜色子像素213正常工作，并且适当的提高所述第一电容111和所述第二电容121的电容值，使得所述第一电容111的电容值大于所述第二电容121的电容值，所述第二电容121的电容值大于所述第三电容131的电容值，从而分别适当增大所述第一驱动单元11驱动所述第一颜色子像素211的驱动电流，以及所述第二驱动单元12驱动所述第二颜色子像素212的驱动电流，进一步降低了功耗损失。
[0042]
可以理解的，在其他可能的实施方式中，也可以在所述第一颜色子像素211或所述第二颜色子像素212的一端加载合适的电压，并适当减小或提高所述第二电容121和第三电容131，或第一电容111和第三电容131的电容值，从而达到进一步降低功耗损失的目的，本技术对此不加以限制。
[0043]
在一种可能的实施方式中，所述第一电容111与所述第二电容121的电容值的比值为18:5，所述第二电容121与所述第三电容131的电容值的比值为3:2。
[0044]
具体的，由于通常驱动所述第一颜色子像素211所需的驱动电流为驱动所述第二颜色子像素212和所述第三颜色子像素213的驱动电流的两倍以上，当改变所述第一电容111、所述第二电容121或所述第三电容131的电容值时，根据流经所述像素单元21的工作电流的计算公式，所述第一电容111的电容值需要大于所述第二电容121和所述第三电容131的电容值的两倍以上。
[0045]
在本实施方式中，所述第一电容111与所述第二电容121的电容值的比值为18:5，所述第二电容121与所述第三电容131的电容值的比值为3:2，举例而言，当所述第一电容111的电容值为21.6pf，则所述第二电容121的电容值为6pf，所述第三电容131的电容值为4pf。
[0046]
可以理解的，根据流经所述像素单元21的工作电流的计算公式，当所述第一电容111与所述第二电容121的电容值的比值为18:5，所述第二电容121与所述第三电容131的电容值的比值为3:2时，流经所述第一颜色子像素211的工作电流与流经所述第二颜色子像素212的工作电流的比值为18:5，流经所述第一颜色子像素211的工作电流与流经所述第二颜色子像素212的工作电流的比值为3:2，从而避免了功耗损失。可以理解的，在其他可能的实施方式中，所述第一电容111、所述第二电容121、所述第三电容131的电容值还可以为其他数值，从而使得流经所述第一颜色子像素211、所述第二颜色子像素212和所述第三颜色子像素213的工作电流不同，本技术对此不加以限制。
[0047]
在一种可能的实施方式中，请一并参阅图3，图3为本技术第二实施方式提供的像素驱动电路框架示意图。所述像素单元21还包括第四颜色子像素214，所述像素驱动电路1还包括第四驱动单元15，所述第四驱动单元15电连接所述第四颜色子像素214，用于根据所述第一电压信号驱动所述第四颜色子像素214工作，所述第四颜色子像素214用于显示黄色。
[0048]
需要说明的是，黄色可以由红色与绿色混色形成，由于所述第一颜色子像素211和所述第二颜色子像素212均需要较高的驱动电流，若通过所述第一颜色子像素211和所述第二颜色子像素212混色用于显示黄色，将产生较高的功耗。同时，由于是对所述第一颜色子像素211发出的光线的主波长和所述第二颜色子像素212发出的光线的主波长选取其中的一部分，混合形成的黄色光线，这样形成的黄色光线并没有完全覆盖黄色光线的色域，换句话说，由所述第一颜色子像素211发出的光线和所述第二颜色子像素212发出的光线形成的黄色，其色域覆盖较小。
[0049]
在本实施方式中，所述第四颜色子像素214用于显示黄色，从而在需要显示黄色时，直接由所述第四驱动单元15驱动所述第四颜色子像素214显示黄色，避免通过所述第一颜色子像素211和所述第二颜色子像素212混色以显示黄色，从而减少了功耗。同时，所述第四颜色子像素214直接显示黄色，其色域覆盖较广，具有更好的视觉体验。
[0050]
可以理解的，结合上述实施方式，在其他可能的实施方式中，还可以通过改变所述第四驱动单元15中的电容值，使得驱动所述第四颜色子像素214的驱动电流发生变化，本技术对此不加以限制。
[0051]
在一种可能的实施方式中，请一并参阅图4，图4为本技术第三实施方式提供的像素驱动电路俯视示意图。所述第一驱动单元11包括第一晶体管112，所述第二驱动单元12包括第二晶体管122，所述第三驱动单元13包括第三晶体管132，所述第一晶体管112与所述第二晶体管122和/或所述第三晶体管132的源漏极沟道的宽长比不同。
[0052]
具体的，所述第一电容111、所述第二电容121和所述第三电容131的电容值相同，根据所述像素单元21的工作电流的计算公式可以得出，当提高所述第一晶体管112、所述第二晶体管122和所述第三晶体管132的源漏极沟道的宽长比，流经所述像素单元21的工作电流将增大；反之，当降低所述第一晶体管112、所述第二晶体管122和所述第三晶体管132的源漏极沟道的宽长比，流经所述像素单元21的工作电流将减小。则可以根据所述第一颜色子像素211、所述第二颜色子像素212和所述第三颜色子像素213所需的工作电压/电流，改变驱动其工作的所述第一驱动单元11的所述第一晶体管112的源漏极沟道的宽长比、所述第二驱动单元12的所述第二晶体管122的源漏极沟道的宽长比以及所述第三驱动单元13的所述第三晶体管132的源漏极沟道的宽长比，从而避免功耗的损失。
[0053]
可以理解的，结合上述实施方式，在其他可能的实施方式中，还可以同时改变所述第一电容111、所述第二电容121和所述第三电容131的电容值，以及所述第一晶体管112的源漏极沟道的宽长比、所述第二晶体管122的源漏极沟道的宽长比和所述第三晶体管132的源漏极沟道的宽长比，从而改变驱动所述第一颜色子像素211、所述第二颜色子像素212和所述第三颜色子像素213的驱动电流，本技术对此不加以限制。
[0054]
在本实施方式中，如图4所示，还可以通过分别增加所述第一晶体管112、所述第二晶体管122及所述第三晶体管132中的数量，实现分别增加所述第一电容111、所述第二电容
121及所述第三电容131的电容值。可以理解的，在其他可能的实施方式中，还可以通过其他方式增加所述第一电容111、所述第二电容121及所述第三电容131的电容值，本技术对此不加以限制。
[0055]
在一种可能的实施方式中，所述第一晶体管112的源漏极沟道的宽长比大于所述第二晶体管122和所述第三晶体管132的源漏极沟道的宽长比。
[0056]
上文已详细描述所述第一颜色子像素211、所述第二颜色子像素212和所述第三颜色子像素213的驱动电流之间的关系，本技术在此不再赘述。
[0057]
具体的，在本实施方式中，需要提高所述第一晶体管112的源漏极沟道的宽长比，从而加大所述第一驱动单元11驱动所述第一颜色子像素211的驱动电流，从而使得所述第一颜色子像素211正常工作。同时，所述第二晶体管122和所述第三晶体管132的源漏极沟道的宽长比小于所述第一晶体管112的源漏极沟道的宽长比，因此，所述第二驱动单元12驱动所述第二颜色子像素212的驱动电流，和所述第三驱动单元13驱动所述第三颜色子像素213的驱动电流并未增大，从而避免了功耗损失。
[0058]
在一种可能的实施方式中，所述第二晶体管122的源漏极沟道的宽长比大于所述第三晶体管132的源漏极沟道的宽长比。
[0059]
具体的，本实施方式与上一实施方式的区别在于，所述第二晶体管122的源漏极沟道的宽长比大于所述第三晶体管132的源漏极沟道的宽长比，从而使得所述第二驱动单元12驱动所述第二颜色子像素212的驱动电流，大于所述第三驱动单元13驱动所述第三颜色子像素213的驱动电流。
[0060]
可以理解的，由于用于显示绿色的所述第二颜色子像素212所需的驱动电流大于用于显示蓝色的所述第三颜色子像素213，因此，在本实施方式中，在所述第三颜色子像素213的一端加载合适的电压，使得所述第三颜色子像素213正常工作，并且适当的提高所述第一晶体管112和所述第二晶体管122的源漏极沟道的宽长比，使得所述第一晶体管112的源漏极沟道的宽长比大于所述第二晶体管122的源漏极沟道的宽长比，所述第二晶体管122的源漏极沟道的宽长比大于所述第三晶体管132的源漏极沟道的宽长比，从而分别适当增大所述第一驱动单元11驱动所述第一颜色子像素211的驱动电流，以及所述第二驱动单元12驱动所述第二颜色子像素212的驱动电流，进一步降低了功耗损失。
[0061]
可以理解的，在其他可能的实施方式中，也可以在所述第一颜色子像素211或所述第二颜色子像素212的一端加载合适的电压，并适当减小或提高所述第二晶体管122和第三晶体管132，或第一晶体管112和第三晶体管132的源漏极沟道的宽长比，从而达到进一步降低功耗损失的目的，本技术对此不加以限制。
[0062]
在一种可能的实施方式中，请一并参阅图5，图5为本技术第三实施方式提供的源漏极沟道示意图。所述第一晶体管112、所述第二晶体管122及所述第三晶体管132的漏极d的两端向源极s所在一侧弯折，使得漏极d与源极s之间形成环形的间隔区域c，所述间隔区域c内设置有有源层a。
[0063]
具体的，如图5所示，所述第一晶体管112、所述第二晶体管122和所述第三晶体管132(以下统称为晶体管)的形状为u型，所述晶体管还包括栅极g及有源层a，栅极g设置于漏极d及源极s的一侧，且漏极d及源极s在栅极g上的正投影落入栅极g的范围内，使得加载在栅极g上的电压能够作用于漏极d和源极s上。所述有源层a设置于所述间隔区域c，作为所述
晶体管的工作介质。当在栅极g施加一定电压时，源极s和漏极d通过所述有源层a在电场的作用下形成源漏极沟道。
[0064]
可以理解的，在本实施方式中，所述晶体管的形状为u型，增大了源极s和漏极d之间的相对面积，从而增大了源漏极沟道的有效面积，使得所述晶体管的导通效率较高。
[0065]
在本实施方式中，请再次参阅图5，所述第一晶体管112、所述第二晶体管122及所述第三晶体管132的源漏极沟道的宽长比满足公式：
[0066][0067]
其中，源极s的中线与其平行的一侧边缘的距离为第一长度；源极s与漏极d的距离为第二长度，源极s由漏极d的一端向所述间隔区域c延伸的距离为第三长度；w为所述第一晶体管112、所述第二晶体管122及所述第三晶体管132的源漏极沟道的宽度，l为所述第一晶体管112、所述第二晶体管122及所述第三晶体管132的源漏极沟道的长度，π为常数，a为所述第一长度，b为所述第二长度，c为所述第三长度。
[0068]
具体的，根据所述晶体管的源漏极沟道的宽长比计算公式可以得出，当增大所述第一长度或所述第三长度时，可以使得所述晶体管的源漏极沟道的宽长比增大，从而使得驱动所述像素单元21的驱动电流增大；当增大所述第二长度时，可以使得所述晶体管的源漏极沟道的宽长比减小，从而使得驱动所述像素单元21的驱动电流减小。
[0069]
可以理解的，在本实施方式中，通过改变所述第一长度、所述第二长度或所述第三长度，可以改变所述晶体管的源漏极沟道的宽长比，从而改变驱动所述第一颜色子像素211、所述第二颜色子像素212和所述第三颜色子像素213的驱动电流，减小功耗损失。
[0070]
在一种可能的实施方式中，当所述第一电容111、所述第二电容121与所述第三电容131的电容值相同时，所述第一晶体管112的沟道宽长比与所述第二晶体管122的沟道宽长比的比值为18:5，所述第二晶体管122的沟道宽长比与所述第三晶体管132的沟道宽长比的比值为3:2。
[0071]
需要说明的是，根据流经所述像素单元21的工作电流的计算公式，当所述第一电容111、所述第二电容121与所述第三电容131的电容值相同时，也就是说，在本实施方式中，不改变所述第一电容111、所述第二电容121和所述第三电容131的电容值，所述第一晶体管112的沟道宽长比与所述第二晶体管122的沟道宽长比的比值为18:5，所述第二晶体管122的沟道宽长比与所述第三晶体管132的沟道宽长比的比值为3:2，使得流经所述第一颜色子像素211的工作电流与流经所述第二颜色子像素212的工作电流的比值为18:5，流经所述第一颜色子像素211的工作电流与流经所述第二颜色子像素212的工作电流的比值为3:2，从而避免了功耗损失。
[0072]
具体的，由于通常驱动所述第一颜色子像素211所需的驱动电流为驱动所述第二颜色子像素212和所述第三颜色子像素213的驱动电流的两倍以上，当所述第一电容111、所述第二电容121与所述第三电容131的电容值相同时，改变所述第一晶体管112、所述第二晶体管122或所述第三晶体管132的沟道宽长比，根据流经所述像素单元21的工作电流的计算公式，所述第一晶体管112的沟道宽长比需要大于所述第二晶体管122和所述第三晶体管132的沟道宽长比的两倍以上。
[0073]
在本实施方式中，所述第一晶体管112的沟道宽长比与所述第二晶体管122的沟道
宽长比的比值为18:5，所述第二晶体管122的沟道宽长比与所述第三晶体管132的沟道宽长比的比值为3:2，举例而言，当所述第一晶体管112的沟道宽长比为32.4，则所述第二晶体管的沟道宽长比为9，所述第三晶体管132的沟道宽长比为6。可以理解的，在其他可能的实施方式中，所述第一晶体管112、所述第二晶体管122、所述第三晶体管132的沟道宽长比还可以为其他数值，本技术对此不加以限制。
[0074]
可以理解的，在其他可能的实施方式中，所述第一晶体管112的沟道宽长、所述第二晶体管122的沟道宽长和所述第三晶体管132的沟道宽长还可以为其他数值，从而使得流经所述第一颜色子像素211、所述第二颜色子像素212和所述第三颜色子像素213的工作电流不同；也可以同时改变对应的所述第一电容111的电容值和所述第一晶体管112的沟道宽长比、所述第二电容121的电容值和所述第二晶体管122的沟道宽长比、所述第三电容131的电容值和所述第三晶体管132的沟道宽长比，本技术对此不加以限制。
[0075]
本技术还提供了一种显示面板2，请一并参阅图6，图6为本技术第一实施方式提供的显示面板俯视示意图。所述显示面板2包括阵列分布的多个像素单元21及如上文所述的像素驱动电路1，所述像素驱动电路1用于根据所述第一电压信号驱动所述像素单元21工作。具体的，所述像素驱动电路1及所述像素单元21请参阅上文描述，在此不再赘述。
[0076]
需要说明的是，本技术实施方式中的所述显示面板2可以承载安装于手机、智能手机、平板电脑、电子阅读器、佩戴时便携设备、笔记本电脑等电子设备，其可以通过互联网与数据转移服务器进行通信，所述数据转移服务器可以为即时通讯服务器、sns(social networking services，社会性网络服务)服务器等，本技术实施方式对此不加以限制。本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本技术的核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。