一种高效太阳能PERC-SE电池及其分频激光制备工艺的制作方法

技术特征：
1.一种高效太阳能perc-se电池的分频激光制备工艺，其特征在于，该工艺包括如下步骤：s1、硅片清洗：将碱液与双氧水混合，得到清洗液，将所述硅片置于所述清洗液中进行清洗，以去除所述硅片表面的损伤层；s2、碱制绒：将清洗后的硅片置于制绒液中进行各项异性碱制绒，形成金字塔绒面；s3、扩散制备p-n结：通氮气、氧气、磷源，对所述硅片进行热扩散，利用热扩散工艺制备出磷扩散层，且扩散层方阻为40-80ω；s4、化学刻蚀：采用化学刻蚀溶液，刻蚀去除扩散后硅片背面的p-n结,去除磷硅玻璃形成抛光面；s5、正面减反射膜制备：在所述硅片正面沉积折射率为1.1-1.8的氮化硅减反射膜；s6、背面钝化膜制备：在所述硅片背面镀氧化铝钝化膜；s7、激光开槽：采用激光将所述硅片背面的钝化膜开口，然后印刷电极浆料，烧结形成欧姆接触；完成上述s1至s7工序后，即可将所述硅片制作成待进行激光se处理的太阳能电池基片，且所述的太阳能电池基片的正面包括：细栅线区域和mark点区域；s8、细栅线区域激光处理：对所述细栅线区域进行小功率激光se处理；s9、mark点区域激光处理：对所述mark点区域进行大功率激光se处理；将激光se处理后的太阳能电池基片制成高效太阳能perc-se电池。2.根据权利要求1所述的一种高效太阳能perc-se电池的分频激光制备工艺，其特征在于，步骤s1、硅片清洗：其中所述的硅片为p型单晶或多晶硅片，且所述硅片的厚度为200-400μm、电阻率为0.5-10ω
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cm。3.根据权利要求1所述的一种高效太阳能perc-se电池的分频激光制备工艺，其特征在于，步骤s1、硅片清洗：将碱液与双氧水混合，得到清洗液，将所述硅片置于55-65℃的清洗液中清洗80-110秒，以去除所述硅片表面的损伤层；其中：所述碱液与所述双氧水的体积比为1：(5-8)；所述的碱液为浓度0.5-1.5wt％的氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。4.根据权利要求1所述的一种高效太阳能perc-se电池的分频激光制备工艺，其特征在于，步骤s2、碱制绒：将清洗后的硅片置于制绒剂中进行60-120秒的各项异性碱制绒，以形成金字塔绒面结构；其中：所述的制绒液由无机碱、无水乙醇、制绒添加剂和水配制而成；所述的无机碱为氢氧化钠或氢氧化钾；所述的制绒添加剂为单晶硅制绒添加剂。5.根据权利要求4所述的一种高效太阳能perc-se电池的分频激光制备工艺，其特征在于，步骤s2、碱制绒：所述的制绒液包括如下质量分数的组分：无机碱1.5-3.5wt％、无水乙醇5-10wt％、制绒添加剂0.5-1.5wt％以及余量水。6.根据权利要求1所述的一种高效太阳能perc-se电池的分频激光制备工艺，其特征在于，步骤s3、磷扩散：通氮气、氧气、磷源，在扩散炉中820-850℃下对所述硅片进行热扩散，利用热扩散工艺制备出磷扩散层，且扩散层方阻为40-80ω；其中所用的磷源为三氯氧磷，或者所述的磷源为磷酸二氢铵、异丙醇和水的混合物。7.根据权利要求1所述的一种高效太阳能perc-se电池的分频激光制备工艺，其特征在于，步骤s4、化学刻蚀：采用化学刻蚀溶液，刻蚀去除扩散后硅片背面的p-n结,去除磷硅玻璃并抛光；其中：化学刻蚀的温度为60-70℃，刻蚀时间为100-150秒；所述的化学刻蚀溶液为氢氟酸与硝酸的混合溶液。
8.根据权利要求1所述的一种高效太阳能perc-se电池的分频激光制备工艺，其特征在于，步骤s8、细栅线区域激光处理：对所述细栅线区域进行50％功率激光se处理；步骤s9、mark点区域激光处理：对所述mark点区域进行100％功率激光se处理。9.根据权利要求1所述的一种高效太阳能perc-se电池的分频激光制备工艺，其特征在于，激光se处理的激光光斑的形状呈方形，且所述激光光斑的边长为80-95μm，激光功率为15-20w。10.一种高效太阳能perc-se电池，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的工艺制得。

技术总结
本发明公开了一种高效太阳能PERC-SE电池及其分频激光制备工艺；包括：S1、将碱液与双氧水混合得到清洗液，将硅片置于清洗液中清洗；S2、将清洗后的硅片置于制绒液中制绒；S3、通氮气、氧气、磷源，对硅片进行扩散，制备出磷扩散层；S4、化学刻蚀去除扩散后硅片背面的P-N结；S5、在硅片正面沉积氮化硅减反射膜；S6、在硅片背面镀氧化铝钝化膜；S7、采用激光将硅片背面的钝化膜开口，印刷电极浆料，烧结形成欧姆接触；完成S1至S7后，可将硅片制作成待进行激光SE处理的电池基片，电池基片的正面包括细栅线区域和MARK点区域；S8、对细栅线区域进行小功率激光SE处理；S9、对MARK点区域进行大功率激光SE处理；将激光SE处理后的电池基片制成高效太阳能PERC-SE电池。SE电池。


技术研发人员：刘娟 陈如龙 杨阳 胡传红 陶龙忠
受保护的技术使用者：江苏润阳世纪光伏科技有限公司
技术研发日：2022.06.27
技术公布日：2022/8/30