异质电介质键合方案的制作方法

技术特征：
1.一种形成封装件的方法，包括：将第一封装组件置为与第二封装组件接触，其中：所述第一封装组件包括第一电介质层，所述第一电介质层包括第一电介质材料，其中，所述第一电介质材料是基于氧化硅的电介质材料；所述第二封装组件包括第二电介质层，所述第二电介质层包括第二电介质材料，所述第二电介质材料不同于所述第一电介质材料，其中，所述第二电介质材料包括硅和另外的元素，该元素选自由以下项组成的组：碳、氮、及其组合；以及执行退火工艺以将所述第一电介质层与所述第二电介质层进行键合。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述第一封装组件置为与所述第二封装组件接触之前，没有执行使用氮气n2的处理工艺，也没有执行使用氧气o2的处理工艺。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电介质层具有第一氧原子百分比，所述第二电介质层具有第二氧原子百分比，并且所述第一氧原子百分比与所述第二氧原子百分比之间的第一差异大于约10个百分点。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电介质层具有第一氧原子百分比，并且所述第二电介质层具有第二氧原子百分比，其中，所述第一氧原子百分比比所述第二氧原子百分比大第一差异，并且其中，该方法还包括：对所述第一电介质层执行处理工艺，使得所述第一电介质层与所述第二电介质层就氧原子百分比而言具有第二差异，并且所述第二差异大于所述第一差异。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二电介质层未被处理。6.根据权利要求1所述方法，其中，所述第一电介质层包括选自由以下项组成的组的材料：氧化硅(sio2)、氟硅酸盐玻璃(fsg)、未掺杂的硅酸盐玻璃(usg)、磷硅酸盐玻璃(psg)、硼硅酸盐玻璃(bsg)和硼磷硅酸盐玻璃(bpsg)。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一封装组件通过熔合键合而被与所述第二封装组件键合。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一封装组件通过混合键合而被与所述第二封装组件键合，所述第一电介质层通过熔合键合而被与所述第二电介质层键合，并且所述第一电介质层中的第一金属焊盘通过金属对金属直接键合而被与所述第二电介质层中的第二金属焊盘键合。9.一种封装件，包括：第一封装组件，所述第一封装组件包括：第一电介质层，所述第一电介质层包括第一电介质材料，其中，所述第一电介质材料是基于氧化硅的电介质材料；以及第二封装组件，所述第二封装组件包括：第二电介质层，所述第二电介质层包括第二电介质材料，所述第二电介质材料不同于所述第一电介质材料，其中，所述第二电介质材料包括硅和另外的元素，该元素选自由以下项组成的组：碳、氮、及其组合，并且其中，所述第一电介质层被键合到所述第二电介质层。10.一种封装件，包括：第一管芯，所述第一管芯包括：第一半导体衬底；
第一集成电路，位于所述第一半导体衬底的表面处；以及第一电介质层，位于所述第一集成电路之上，其中，所述第一电介质层包括第一电介质材料；以及第二管芯，所述第二管芯键合到所述第一管芯，其中，所述第二管芯包括：第二半导体衬底；第二集成电路，位于所述第二半导体衬底的表面处；以及第二电介质层，位于所述第二集成电路之下，其中，所述第一电介质层被实体地键合到所述第二电介质层，并且其中，所述第二电介质层包括第二电介质材料，所述第二电介质材料不同于所述第一电介质材料。

技术总结
本公开涉及异质电介质键合方案。一种方法包括：将第一封装组件置为与第二封装组件接触。第一封装组件包括第一电介质层，该第一电介质层包括第一电介质材料，并且第一电介质材料是基于氧化硅的电介质材料。第二封装组件包括第二电介质层，该第二电介质层包括第二电介质材料，该第二电介质材料不同于第一电介质材料。第二电介质材料包括硅和另外的元素，该元素选自由以下项组成的组：碳、氮、及其组合。执行退火工艺以将第一电介质层与第二电介质层进行键合。进行键合。进行键合。


技术研发人员：余振华 邱文智 杨固峰 钟明慈
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.02.07
技术公布日：2022/8/30