发光装置及包括发光装置的电子设备的制作方法

发光装置及包括发光装置的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年2月23日向韩国知识产权局提交的第10-2021-0024363号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。
技术领域
3.实施方案涉及发光装置及包括发光装置的电子设备。


背景技术：

4.有机发光装置(oled)是自发射装置，其与本领域的装置相比具有广视角，高对比度，短响应时间，以及在亮度、驱动电压、响应速度和全色图像的产生方面的优异特性。
5.有机发光装置可以包括在衬底上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。
6.应理解，该背景技术章节部分地旨在提供用于理解技术的有用的背景。然而，该背景技术章节可以还包括在本文公开的主题的相应有效申请日之前，不是相关领域的技术人员已知或理解的内容的一部分的构思、概念或认知。


技术实现要素：

7.提供了具有低驱动电压以及改善的发光效率和使用寿命特性的发光装置以及包括发光装置的电子设备。
8.其它方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的实施方案的实践来获悉。
9.根据实施方案的发光装置可以包括第一电极、面向所述第一电极的第二电极、以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层。所述中间层可以包括发射层和电子传输区，所述发射层可以包含主体和掺杂剂，所述电子传输区可以设置在所述发射层与所述第二电极之间并且可以包括第一电子传输层和第二电子传输层，所述第一电子传输层可以包含第一电子传输材料，所述第一电子传输材料的最低激发三重态(t1)能级可以大于所述发射层的所述掺杂剂的t1能级，所述第二电子传输层可以包含第二电子传输材料和金属掺杂剂，所述第二电子传输层中的所述金属掺杂剂的量可以等于或小于约5wt％，以及所述第二电极中的银(ag)的量可以等于或大于约90wt％。
10.在实施方案中，所述第一电子传输层可以直接接触所述发射层。
11.在实施方案中，所述第二电子传输层可以直接接触所述第二电极。
12.在实施方案中，所述电子传输区可以进一步包括空穴阻挡层、电子控制层、电子注入层或其任意组合。
13.在实施方案中，所述发射层中的所述掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延
迟荧光掺杂剂或其任意组合。
14.在实施方案中，所述发光装置可以进一步包括设置在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区，以及所述空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合。
15.在实施方案中，所述第一电子传输材料可以包括包含至少一个含缺π电子的氮的环的不含金属的化合物。
16.在实施方案中，所述第一电子传输层可以不包含金属。
17.在实施方案中，所述第二电子传输材料可以包括基于菲咯啉的化合物、基于氧化膦的化合物或其任意组合。
18.在实施方案中，所述金属掺杂剂可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。
19.在实施方案中，所述第二电极可以进一步包含镁(mg)，以及镁的量可以等于或小于约10wt％。
20.在实施方案中，所述发光装置可以进一步包括设置在所述第一电极外部的第一覆盖层、设置在所述第二电极外部的第二覆盖层、或者所述第一覆盖层和所述第二覆盖层。
21.在实施方案中，所述发光装置可以进一步包括第一像素、第二像素和第三像素。所述发射层可以包括所述第一像素的第一发射层、所述第二像素的第二发射层和所述第三像素的第三发射层。所述第一发射层可以包含第一主体和第一掺杂剂，所述第二发射层可以包含第二主体和第二掺杂剂，以及所述第三发射层可以包含第三主体和第三掺杂剂。所述第一掺杂剂、所述第二掺杂剂和所述第三掺杂剂可以满足不等式2-1至不等式2-3中的至少一个：
22.[不等式2-1]
[0023]
t1(et1)》t1(d1)
[0024]
[不等式2-2]
[0025]
t1(et1)》t1(d2)
[0026]
[不等式2-3]
[0027]
t1(et1)》t1(d3)
[0028]
在不等式2-1至不等式2-3中，t1(et1)可以是所述第一电子传输材料的t1能级，t1(d1)可以是所述第一掺杂剂的t1能级，t1(d2)可以是所述第二掺杂剂的t1能级，以及t1(d3)可以是所述第三掺杂剂的t1能级。
[0029]
在实施方案中，所述第一发射层可以发射具有约580nm至约750nm的最大发射波长的红色光，所述第二发射层可以发射具有约490nm至约580nm的最大发射波长的绿色光，以及所述第三发射层可以发射具有约410nm至约490nm的最大发射波长的蓝色光。
[0030]
在实施方案中，所述第一发射层的厚度、所述第二发射层的厚度和所述第三发射层的厚度可以彼此不同。
[0031]
在实施方案中，所述发光装置可以进一步包括设置在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区。所述空穴传输区可以包括所述第一像素的第一空穴传输层、所述第二像素的第二空穴传输层和所述第三像素的第三空穴传输层。所述第一空穴传输层的厚度、所述第二空穴传输层的厚度和所述第三空穴传输层的厚度可以彼此不同。
[0032]
根据另一方面，提供了可以包括所述发光装置的电子设备。
[0033]
在实施方案中，所述电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。所述薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，以及所述发光装置的所述第一电极可以电连接至所述源电极或所述漏电极。
附图说明
[0034]
通过参考附图详细地描述本公开内容的实施方案，本公开内容的以上和其它的方面和特征将变得更加显而易见，在附图中：
[0035]
图1是根据实施方案的发光装置的结构的示意性横截面视图；
[0036]
图2是根据实施方案的发光装置的结构的示意性横截面视图；
[0037]
图3是根据实施方案的发光装置的结构的示意性横截面视图；
[0038]
图4是根据实施方案的发光装置的结构的示意性横截面视图；
[0039]
图5是根据实施方案的发光装置的结构的示意性横截面视图；
[0040]
图6是根据实施方案的电子设备的结构的示意性横截面视图；以及
[0041]
图7是根据另一个实施方案的电子设备的结构的示意性横截面视图。
具体实施方式
[0042]
现在将参考附图在下文中更全面地描述本公开内容，在所述附图中示出了实施方案。然而，本公开内容可以以不同形式实施并且不应解释为局限于本文阐述的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本公开内容将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开内容的范围。
[0043]
在附图中，为了便于描述且为了清楚，可以放大元件的大小、厚度、比例和尺寸。相同的数字通篇是指相同的元件。
[0044]
在描述中，应理解，当元件(或区、层、部件等)被称为在另一个元件“上”、“连接至”另一个元件、或者“联接至”另一个元件时，其可以直接在另一个元件上、直接连接至另一个元件、或者直接联接至另一个元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以存在于其间。在类似的含义中，当元件(或区、层、部件等)被描述为“覆盖”另一个元件时，它可以直接覆盖另一个元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以存在于其间。
[0045]
在描述中，当元件被称为“直接在”另一个元件“上”、“直接连接至”另一个元件、或者“直接联接至”另一个元件时，不存在介于中间的元件。例如，“直接在......上”可以意指设置两个层或两个元件，而没有额外的元件，例如粘合元件在其间。
[0046]
如本文使用，诸如“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”的以单数使用的表述旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
[0047]
如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。例如，“a和/或b”可以理解为意指“a、b、或者a和b”。术语“和”和“或”可以以连接性或转折性的含义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
[0048]
出于其含义和解释的目的，术语“......中的至少一个(种)”旨在包括“选自......中的至少一个(种)”的含义。例如，“a和b中的至少一个(种)”可以理解为意指“a、b、或者a和b”。当在一列要素之前时，术语“......中的至少一个(种)”修饰整列的要素而非
修饰该列中的单个要素。
[0049]
应理解，尽管术语第一、第二等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，在不背离本公开内容的范围的情况下，第二元件可以被称为第一元件。
[0050]
为了便于描述，空间相对术语“下方”、“之下”、“下部”、“上方”、“上部”等可以在本文用于描述如附图中例示的一个元件或组件与另一个元件或组件之间的关系。应理解，除了附图中描述的取向之外，空间相对术语旨在涵盖在使用或操作中的装置的不同取向。例如，在其中附图中例示的装置被翻转的情况下，定位在另一个装置“下方”或“之下”的装置可以被放置在另一个装置“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置。装置也可以在其它方向上取向，并且因此空间相关术语可以根据取向而被不同地解释。
[0051]
当实施方案可以以另一种方式实施时，过程顺序可以与描述的顺序不同地进行。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行。
[0052]
如本文使用的术语“约”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与所述量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的所述值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
[0053]
应理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”、“包含(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”、“含有(containing)”等旨在指明本公开内容中的规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或增添。
[0054]
如本文使用的术语“中间层”可以是指在发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层和/或所有层。
[0055]
除非本文另外定义或暗示，使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在说明书中明确定义。
[0056]
根据一方面的发光装置可以包括第一电极、面向第一电极的第二电极、以及设置在第一电极与第二电极之间的中间层，其中中间层可以包括发射层和电子传输区。
[0057]
发射层可以包含主体和掺杂剂。
[0058]
电子传输区可以设置在发射层与第二电极之间并且可以包括第一电子传输层和第二电子传输层。
[0059]
第一电子传输层可以包含第一电子传输材料，并且第一电子传输材料的最低激发三重态(t1)能级可以大于发射层的掺杂剂的t1能级。
[0060]
第二电子传输层可以包含第二电子传输材料和金属掺杂剂，并且第二电子传输层中的金属掺杂剂的量可以等于或小于约5wt％。
[0061]
在实施方案中，第二电子传输层中的金属掺杂剂的量可以是约0wt％至约5wt％。
[0062]
第二电极中的银(ag)的量可以等于或大于约90wt％。
[0063]
在实施方案中，第二电极中的银(ag)的量可以是约90wt％至约100wt％。
[0064]
在本说明书中，术语化合物的“t1能级”是指化合物的最低激发三重态能级。在实施方案中，可以通过使用高斯(gaussian)程序的密度泛函理论(dft)方法(使用b3lyp,6-31g*的结构优化)，通过模拟结果来计算t1能级。
[0065]
因为发光装置包括第一电子传输层和第二电子传输层，所以驱动电压可以降低，并且可以改善发光效率和使用寿命特性。
[0066]
在实施方案中，因为第一电子传输层包含具有比发射层中的掺杂剂的t1能级更高的t1能级的第一电子传输材料，所以发射层中的激子可以被有效地限制，并且因此可以改善发光装置的发光效率。在实施方案中，因为第二电子传输层包含第二电子传输材料和金属掺杂剂，所以可以平稳地发生来自第二电极的电子注入和/或传输。
[0067]
在实施方案中，第一电子传输层可以直接接触发射层。
[0068]
第一电子传输层位于发射层与第二电子传输层之间，并且因此可以是发射层与金属掺杂剂掺杂的第二电子传输层之间的缓冲层，并且因此可以防止由于金属迁移导致的发光装置的发光效率降低或劣化。
[0069]
在实施方案中，第二电子传输层可以直接接触第二电极。
[0070]
因为第二电子传输层位于第一电子传输层与第二电极之间，所以可以防止由于聚集现象导致的稳定性的劣化。
[0071]
在实施方案中，电子传输区可以进一步包括空穴阻挡层、电子控制层、电子注入层或其任意组合。
[0072]
在实施方案中，电子传输区可以由第一电子传输层和第二电子传输层组成，并且第一电子传输层可以直接接触第二电子传输层。
[0073]
在实施方案中，发光装置可以包括其中第一电子传输层、第二电子传输层和第二电极依次堆叠在发射层上的结构。
[0074]
在实施方案中，发射层中的掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光掺杂剂及其任意组合。
[0075]
在实施方案中，发光装置可以进一步包括设置在第一电极与发射层之间的空穴传输区，并且空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合。
[0076]
在实施方案中，第一电子传输材料可以包括包含至少一个含缺π电子的氮的环的不含金属的化合物。
[0077]
在实施方案中，第一电子传输材料可以包括电子传输化合物。在实施方案中，第一电子传输材料可以包括由式601表示的化合物，其将在以下描述。在实施方案中，第一电子传输材料可以包括由式601-1表示的化合物，其将在以下描述。在实施方案中，第一电子传输材料可以包括化合物et1至化合物et47中的至少一种，其将在以下描述。
[0078]
在实施方案中，第一电子传输层可以不包含金属。
[0079]
在实施方案中，第二电子传输材料可以包括基于菲咯啉的化合物、基于氧化膦的化合物或其任意组合。
[0080]
在实施方案中，第二电子传输材料可以包括由式1表示的化合物、由式2表示的化合物或其任意组合：
[0081]
[式1]
[0082][0083]
[式2]
[0084][0085]
在式1和式2中，
[0086]
y1可以是*-o-*'、*-s-*'、*-n[(l9)
a9-(r9)
b9
]-*'、*-c[(l9)
a9-(r9)
b9
][(l
10
)
a10-(r
10
)
b10
]-*'、*-c[(l9)
a9-(r9)
b9
]＝c[(l
10
)
a10-(r
10
)
b10
]-*'、*-c[(l9)
a9-(r9)
b9
]＝n-*'或*-n＝c[(l
10
)
a10-(r
10
)
b10
]-*'，
[0087]
k1可以是0、1或2，
[0088]
当k1是0时，y1可以不存在，
[0089]
x1可以是n或c[(l1)
a1-(r1)
b1
]，x2可以是n或c[(l2)
a2-(r2)
b2
]，x3可以是n或c[(l3)
a3-(r3)
b3
]，x4可以是n或c[(l4)
a4-(r4)
b4
]，x5可以是n或c[(l5)
a5-(r5)
b5
]，x6可以是n或c[(l6)
a6-(r6)
b6
]，x7可以是n或c[(l7)
a7-(r7)
b7
]，x8可以是n或c[(l8)
a8-(r8)
b8
]，
[0090]
l1至l
13
可以各自独立地是单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
亚环烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
亚杂环烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
亚环烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
亚杂环烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
亚芳基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
亚杂芳基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价非芳香族稠合多环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，
[0091]
a1至a13可以各自独立地是0、1、2、3、4或5，
[0092]
r1至r
13
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳硫基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的单价非芳香族稠合多环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的单价非芳香族稠合杂多环
基团、-si(q1)(q2)(q3)、-b(q1)(q2)、-n(q1)(q2)、-p(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)、-p(＝o)(q1)(q2)或-p(＝s)(q1)(q2)，
[0093]
b1至b13可以各自独立地是1、2、3、4、5、6、7或8，
[0094]
*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，以及
[0095]r10a
可以是：
[0096]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0097]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0098]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团或c
6-c
60
芳硫基基团；或者
[0099]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0100]
其中q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可以各自独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0101]
在实施方案中，在式1和式2中，x1至x8中的至少一个可以是n，或者l1至l
13
和r1至r
13
中的至少一个可以包含含缺π电子的氮的环。
[0102]
在实施方案中，在式1和式2中，l1至l
13
可以各自独立地是：亚苯基基团、亚戊搭烯基团、亚茚基基团、亚萘基基团、亚甘菊环基基团、亚庚搭烯基基团、亚引达省基基团、亚苊基基团、亚芴基基团、螺-亚二芴基基团、螺-芴-亚苯并芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚非那烯基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚基基团、亚并四苯基基团、亚苉基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚玉红省基基团、亚蔻基基团、亚卵苯基基团、亚吡咯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咪唑基基团、亚吡唑基基团、亚噻唑基基团、亚异噻唑基基团、亚噁唑基基团、亚异噁唑基基团、亚吡啶基基团、亚吡嗪基基团、亚嘧啶基基团、亚哒嗪基基团、亚异吲哚基基团、亚吲哚基基团、亚吲唑基基团、亚嘌呤基基团、亚喹啉基基团、亚异喹啉基基团、亚苯并喹啉基基团、亚酞嗪基基团、亚萘啶基基团、亚喹喔啉基基团、亚喹唑啉基基团、亚噌啉基基团、亚咔唑基基团、亚菲啶基基团、亚吖啶基基团、亚菲咯啉基基团、亚吩嗪基基团、亚苯并咪唑基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚苯并异噻唑基基团、亚苯并噁唑基基团、亚苯并异噁唑基基团、亚三唑基基团、亚四唑基基团、亚噁二唑基基团、亚三嗪基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚二苯并噻咯基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚噻二唑基基团、亚咪唑并吡啶基基团或亚咪唑并嘧啶基基团；或者
[0103]
各自被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、甘菊环基基团、庚搭烯基基团、引达省基基团、苊基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、并四苯基基团、苉基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并噻咯基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)、-p(＝o)(q
31
)(q
32
)或其任意组合取代的亚苯基基团、亚戊搭烯基团、亚茚基基团、亚萘基基团、亚甘菊环基基团、亚庚搭烯基基团、亚引达省基基团、亚苊基基团、亚芴基基团、螺-亚二芴基基团、螺-芴-亚苯并芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚非那烯基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚基基团、亚并四苯基基团、亚苉基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚玉红省基基团、亚蔻基基团、亚卵苯基基团、亚吡咯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咪唑基基团、亚吡唑基基团、亚噻唑基基团、亚异噻唑基基团、亚噁唑基基团、亚异噁唑基基团、亚吡啶基基团、亚吡嗪基基团、亚嘧啶基基团、亚哒嗪基基团、亚异吲哚基基团、亚吲哚基基团、亚吲唑基基团、亚嘌呤基基团、亚喹啉基基团、亚异喹啉基基团、亚苯并喹啉基基团、亚酞嗪基基团、亚萘啶基基团、亚喹喔啉基基团、亚喹唑啉基基团、亚噌啉基基团、亚咔唑基基团、亚菲啶基基团、亚吖啶基基团、亚菲咯啉基基团、亚吩嗪基基团、亚苯并咪唑基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚苯并异噻唑基基团、亚苯并噁唑基基团、亚苯并异噁唑基基团、亚三唑基基团、亚四唑基基团、亚噁二唑基基团、亚三嗪基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚二苯并噻咯基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚噻二唑基基团、亚咪唑并吡啶基基团或亚咪唑并嘧啶基基团，
[0104]
其中q
31
至q
33
可以各自独立地是c
1-c
10
烷基基团、c
1-c
10
烷氧基基团、苯基基团、被c
1-c
10
烷基基团取代的苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、三嗪基基团、喹啉基基团或异喹啉基基团。
[0105]
在实施方案中，l1至l
13
可以各自独立地是由式3-1至式3-26中的任一种表示的基团。
[0106][0107][0108]
在式3-1至式3-26中，
[0109]z11
至z
14
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、菲基基团、蒽基基团、芘基基团、基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、咔唑基基团、苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、三嗪基基团、苯并咪唑基基团、菲咯啉基基团或-si(q
31
)
(q
32
)(q
33
)，
[0110]q31
至q
33
可以各自独立地是c
1-c
10
烷基基团、c
1-c
10
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团或萘基基团，
[0111]
d3可以是0至3的整数，
[0112]
d4可以是0至4的整数，
[0113]
d5可以是0至5的整数，
[0114]
d6可以是0至6的整数，
[0115]
d8可以是0至8的整数，以及
[0116]
*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。
[0117]
在实施方案中，在式1和式2中，a1至a13可以各自独立地是0、1或2。
[0118]
在实施方案中，a1至a13可以各自独立地是0或1。
[0119]
在实施方案中，在式1和式2中，r1至r
13
可以各自独立地是：
[0120]
氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团或氰基基团；
[0121]c1-c
20
烷基基团、c
2-c
20
烯基基团、c
2-c
20
炔基基团或c
1-c
20
烷氧基基团；
[0122]
各自被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)、-p(＝o)(q
31
)(q
32
)或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团、c
2-c
20
烯基基团、c
2-c
20
炔基基团或c
1-c
20
烷氧基基团；
[0123]
环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、吡咯基基团、呋喃基基团、噻吩基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并噻唑基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团或咪唑并嘧啶基基团；或者
[0124]
各自被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
2-c
20
烯基基团、c
2-c
20
炔基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、吡咯基基团、呋喃基基团、噻吩基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基
基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并噻唑基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)、-p(＝o)(q
31
)(q
32
)或其任意组合取代的环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、吡咯基基团、呋喃基基团、噻吩基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并噻唑基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团或咪唑并嘧啶基基团，
[0125]
其中q
31
至q
33
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、氰基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
2-c
20
烯基基团、c
2-c
20
炔基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、c
3-c
10
环烷基基团、c
1-c
10
杂环烷基基团、c
3-c
10
环烯基基团、c
1-c
10
杂环烯基基团、c
6-c
20
芳基基团、c
1-c
20
杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、联苯基基团或三联苯基基团。
[0126]
在实施方案中，r1至r
13
可以各自独立地是：氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团或氰基基团；各自被氘、-f、-cl、-br、-i、氰基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团或c
1-c
20
烷氧基基团；或由选自式5-1至式5-26和式6-1至式6-55中的任一种表示的基团。
[0127]
[0128]
[0129][0130]
在式5-1至式5-26和式6-1至式6-55中，
[0131]y31
和y
32
可以各自独立地是o、s、c(z
33
)(z
34
)、n(z
33
)或si(z
33
)(z
34
)，
[0132]z31
至z
34
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
2-c
20
烯基基团、c
2-c
20
炔基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、菲基基团、蒽基基团、苯并菲基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、咔唑基基团或三嗪基基团，
[0133]
e2可以是1或2，
[0134]
e3可以是1至3的整数，
[0135]
e4可以是1至4的整数，
[0136]
e5可以是1至5的整数，
[0137]
e6可以是1至6的整数，
[0138]
e7可以是1至7的整数，
[0139]
e9可以是1至9的整数，以及
[0140]
*表示与相邻原子的结合位点。
[0141]
在实施方案中，在式1和式2中，b1至b13可以各自独立地是1、2、3、4、5或6。
[0142]
在实施方案中，b1至b13可以各自独立地是1、2、3或4。
[0143]
在实施方案中，b1至b13可以各自独立地是1或2。
[0144]
在实施方案中，第二电子传输材料可以包括化合物1至化合物97中的至少一种：
[0145]
[0146]
[0147]
[0148]
[0149][0150]
在实施方案中，金属掺杂剂可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。
[0151]
在实施方案中，金属掺杂剂可以包括li、na、k、rb、cs、mg、ca、sr、ba、sc、y、ce、tb、yb、gd或其任意组合。
[0152]
在实施方案中，金属掺杂剂可以是li、yb或其组合。
[0153]
在实施方案中，第二电极可以进一步包含镁(mg)。
[0154]
在实施方案中，第二电极中的镁的量可以是约0wt％至约10wt％。
[0155]
在实施方案中，第二电极中的镁的量可以是约0wt％至约5wt％。
[0156]
在实施方案中，发光装置可以进一步包括设置在第一电极外部的第一覆盖层、设置在第二电极外部的第二覆盖层、或者第一覆盖层和第二覆盖层。在实施方案中，第一覆盖层和/或第二覆盖层可以各自独立地包含由式1表示的化合物。
[0157]
在实施方案中，发光装置可以包括第一像素、第二像素和第三像素，并且发射层可以包括第一像素的第一发射层、第二像素的第二发射层和第三像素的第三发射层。第一发射层可以包含第一主体和第一掺杂剂，第二发射层可以包含第二主体和第二掺杂剂，第三发射层可以包含第三主体和第三掺杂剂，并且第一掺杂剂、第二掺杂剂和第三掺杂剂可以
满足不等式2-1至不等式2-3中的至少一个：
[0158]
[不等式2-1]
[0159]
t1(et1)》t1(d1)
[0160]
[不等式2-2]
[0161]
t1(et1)》t1(d2)
[0162]
[不等式2-3]
[0163]
t1(et1)》t1(d3)
[0164]
在不等式2-1至不等式2-3中，
[0165]
t1(et1)可以是第一电子传输材料的t1能级，
[0166]
t1(d1)可以是第一掺杂剂的t1能级，
[0167]
t1(d2)可以是第二掺杂剂的t1能级，以及
[0168]
t1(d3)可以是第三掺杂剂的t1能级。
[0169]
因为第一电子传输层包含具有比第一掺杂剂、第二掺杂剂和/或第三掺杂剂的t1能级更大的t1能级的第一电子传输材料，所以可以有效地限制发射层中的激子，并且因此可以改善发光装置的发光效率。
[0170]
在实施方案中，第一掺杂剂、第二掺杂剂和第三掺杂剂可以满足所有不等式2-1至不等式2-3。
[0171]
在实施方案中，第一发射层、第二发射层和第三发射层可以各自独立地是红色发射层、绿色发射层或蓝色发射层。
[0172]
在实施方案中，第一发射层可以发射具有约580nm至约750nm的最大发射波长的红色光，第二发射层可以发射具有约490nm至约580nm的最大发射波长的绿色光，并且第三发射层可以发射具有约410nm至约490nm的最大发射波长的蓝色光。
[0173]
在实施方案中，发光装置可以包括微腔结构。
[0174]
在实施方案中，第一发射层的厚度、第二发射层的厚度和第三发射层的厚度可以彼此不同。
[0175]
在实施方案中，空穴传输区可以包括第一像素的第一空穴传输层、第二像素的第二空穴传输层和第三像素的第三空穴传输层，并且第一空穴传输层的厚度、第二空穴传输层的厚度和第三空穴传输层的厚度可以彼此不同。
[0176]
在实施方案中，发光装置可以进一步包括在空穴传输区与第一发射层之间的第一辅助层、在空穴传输区与第二发射层之间的第二辅助层、以及在空穴传输区与第三发射层之间的第三辅助层。
[0177]
在实施方案中，第一辅助层的厚度、第二辅助层的厚度和第三辅助层的厚度可以彼此不同。
[0178]
第一发射层、第二发射层和第三发射层的厚度可以各自被不同地配置，或者第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层的厚度可以各自被不同地配置，以根据从每个发射层发射的光的波长补偿光学共振距离，并且因此可以增加光发射效率。在实施方案中，第一辅助层、第二辅助层和第三辅助层可以各自位于发射层与空穴传输区之间，以根据从每个发射层发射的光的波长补偿光学共振距离，并且因此可以增加光发射效率。
[0179]
根据另一方面，提供了可以包括发光装置的电子设备。电子设备可以进一步包括
薄膜晶体管。在实施方案中，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且发光装置的第一电极可以电连接至源电极或漏电极。在实施方案中，电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。关于电子设备的更多细节与说明书中描述的相同。
[0180]
[图1的描述]
[0181]
图1至图5各自是根据实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。在根据实施方案的发光装置10中，中间层130可以包括发射层135、发射层135a、发射层135b和发射层135c(也分别称为发射层135、第一发射层135a、第二发射层135b和第三发射层135c)，第一电子传输层136和第二电子传输层137。
[0182]
在下文，将结合图1至图5描述根据实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
[0183]
[第一电极110]
[0184]
在图1中，衬底可以进一步被包括在第一电极110下方或第二电极150上方。衬底可以是玻璃衬底或塑料衬底。在实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
[0185]
可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函材料。
[0186]
第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任意组合。在实施方案中，当第一电极110是半透反射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任意组合可以用作用于形成第一电极110的材料。
[0187]
第一电极110可以具有单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。
[0188]
[中间层130]
[0189]
中间层130可以设置在第一电极110上。中间层130可以包括发射层。
[0190]
中间层130可以进一步包括在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极150之间的电子传输区。
[0191]
除了各种有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
[0192]
在实施方案中，中间层130可以包括依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元，以及在两个或多于两个的发射单元之间的电荷产生层。当中间层130包括如以上描述的两个或多于两个的发射单元和电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。
[0193]
[中间层130中的空穴传输区]
[0194]
空穴传输区可以具有由由单一材料组成的层组成的结构、由由不同材料组成的层
组成的结构、或者包括包含不同材料的层的多层结构。
[0195]
空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
[0196]
例如，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每种结构中，层可以从第一电极110按其各自规定的顺序堆叠。
[0197]
空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
[0198]
[式201]
[0199][0200]
[式202]
[0201][0202]
在式201和式202中，
[0203]
l
201
至l
204
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0204]
l
205
可以是*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，
[0205]
xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，
[0206]
xa5可以是1至10的整数，
[0207]r201
至r
204
和q
201
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0208]r201
和r
202
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团连接在一起以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基团)(例如，化合物ht16)，
[0209]r203
和r
204
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，以及
[0210]
na1可以是1至4的整数。
[0211]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0212][0213]
在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可以各自独立地与关于r
10a
描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可以是未取代的或被r
10a
取代。
[0214]
在实施方案中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
[0215]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种。
[0216]
在实施方案中，式201可以包含由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种以及由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0217]
在实施方案中，式201中的xa1可以是1，r
201
可以是由式cy201至式cy203中的一种表示的基团，xa2可以是0，并且r
202
可以是由式cy204至式cy217中的一种表示的基团。
[0218]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203表示的基团。
[0219]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203表示的基团，并且可以包含由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0220]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy217表示的基团。
[0221]
在实施方案中，空穴传输区可以包含化合物ht1至化合物ht46、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化-npb、tapc、hmtpd、4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)中的一种或其任意组合。
[0222]
[0223]
[0224]
[0225][0226]
空穴传输区的厚度可以是约至约例如，空穴传输区的厚度可以是约至约当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约至约并且空穴传输层的厚度可以是约至约例如约至约例如，空穴注入层的厚度可以是约至约例如，空穴传输层的厚度可以是约至约当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0227]
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡从发射层至空穴传输区的电子的泄露。可以包含在空穴传输区中的材料可以被包含在发射辅助层和电子阻挡层中。
[0228]
[p-掺杂剂]
[0229]
除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。
[0230]
电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。
[0231]
在实施方案中，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(lumo)能级可以等于或小于约-3.5ev。
[0232]
在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含有元素el1和元素el2的化合物、或其任意组合。
[0233]
醌衍生物的实例可以包括tcnq、f4-tcnq等。
[0234]
含氰基基团的化合物的实例可以包括hat-cn、由以下式221表示的化合物等。
[0235][0236]
[式221]
[0237][0238]
在式221中，
[0239]r221
至r
223
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，以及
[0240]r221
至r
223
中的至少一个可以各自独立地是各自被氰基基团；-f；-cl；-br；-i；被氰基基团、-f、-cl、-br、-i或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团；或者其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0241]
在含有元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可以是金属、准金属或其组合，并且元素el2可以是非金属、准金属或其组合。
[0242]
金属的实例可以包括碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0243]
准金属的实例可以包括硅(si)、锑(sb)和碲(te)。
[0244]
非金属的实例可以包括氧(o)和卤素(例如，f、cl、br、i等)。
[0245]
在实施方案中，含有元素el1和元素el2的化合物的实例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。
[0246]
金属氧化物的实例可以包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(例如，moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)和铼氧化物(例如，reo3等)。
[0247]
金属卤化物的实例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
[0248]
碱金属卤化物的实例可以包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。
[0249]
碱土金属卤化物的实例可以包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0250]
过渡金属卤化物的实例可以包括钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)和金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)。
[0251]
后过渡金属卤化物的实例可以包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)和锡卤化物(例如，sni2等)。
[0252]
镧系金属卤化物的实例可以包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。
[0253]
准金属卤化物的实例可以包括锑卤化物(例如，sbcl5等)。
[0254]
金属碲化物的实例可以包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)和镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)。
[0255]
[中间层130中的发射层135]
[0256]
根据实施方案的发光装置10在中间层130中包括发射层135。
[0257]
当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方案中，发射层135可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层可以彼此接触或可以彼此隔开。在实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。
[0258]
发射层135可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光掺杂剂或其任意组合。
[0259]
基于100重量份的主体，发射层135中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重
量份。
[0260]
在实施方案中，发射层135可以包含量子点。
[0261]
在实施方案中，发射层135可以包含延迟荧光掺杂剂。延迟荧光掺杂剂可以充当发射层135中的主体或掺杂剂。
[0262]
发射层135的厚度可以是约至约例如，发射层135的厚度可以是约至约当发射层135的厚度在这些范围内时，可以获得优异的光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0263]
例如，参考图4和图5，发光装置10包括第一像素、第二像素和第三像素，并且发射层135可以包括第一像素的第一发射层135a、第二像素的第二发射层135b和第三像素的第三发射层135c。
[0264]
在实施方案中，第一发射层135a可以包含第一主体和第一掺杂剂，第二发射层135b可以包含第二主体和第二掺杂剂，并且第三发射层135c可以包含第三主体和第三掺杂剂。
[0265]
在实施方案中，第一掺杂剂、第二掺杂剂和第三掺杂剂可以满足不等式2-1至不等式2-3中的至少一个：
[0266]
[不等式2-1]
[0267]
t1(et1)》t1(d1)
[0268]
[不等式2-2]
[0269]
t1(et1)》t1(d2)
[0270]
[不等式2-3]
[0271]
t1(et1)》t1(d3)
[0272]
在不等式2-1至不等式2-3中，
[0273]
t1(et1)可以是第一电子传输材料的t1能级，
[0274]
t1(d1)可以是第一掺杂剂的t1能级，
[0275]
t1(d2)可以是第二掺杂剂的t1能级，以及
[0276]
t1(d3)可以是第三掺杂剂的t1能级。
[0277]
在实施方案中，第一发射层135a、第二发射层135b和第三发射层135c可以分别是红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层。
[0278]
在实施方案中，第一发射层可以发射具有约580nm至约750nm的最大发射波长的红色光，第二发射层可以发射具有约490nm至约580nm的最大发射波长的绿色光，并且第三发射层可以发射具有约410nm至约490nm的最大发射波长的蓝色光。
[0279]
在实施方案中，发光装置可以包括微腔结构。
[0280]
在实施方案中，第一发射层135a的厚度、第二发射层135b的厚度和第三发射层135c的厚度可以彼此不同。
[0281]
在实施方案中，发光装置中的空穴传输区可以包括对应于第一发射层135a并且位于第一像素中的第一空穴传输层134a、对应于第二发射层135b并且位于第二像素中的第二空穴传输层134b、以及对应于第三发射层135c并且位于第三像素中的第三空穴传输层134c。
[0282]
在实施方案中，第一空穴传输层134a的厚度、第二空穴传输层134b的厚度和第三
空穴传输层134c的厚度可以彼此不同。
[0283]
在实施方案中，发光装置可以进一步包括在空穴传输区与第一发射层之间的第一辅助层、在空穴传输区与第二发射层之间的第二辅助层、以及在空穴传输区与第三发射层之间的第三辅助层。
[0284]
在实施方案中，第一辅助层的厚度、第二辅助层的厚度和第三辅助层的厚度可以彼此不同。
[0285]
[主体]
[0286]
主体可以包括由以下式301表示的化合物。
[0287]
[式301]
[0288]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
[0289]
在式301中，
[0290]
ar
301
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，并且l
301
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0291]
xb11可以是1、2或3，
[0292]
xb1可以是0至5的整数，
[0293]r301
可以是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0294]
xb21可以是1至5的整数，以及
[0295]q301
至q
303
可以各自独立地与关于q1描述的相同。
[0296]
在实施方案中，当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
301
可以经由单键彼此连接。
[0297]
在实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合。
[0298]
[式301-1]
[0299][0300]
[式301-2]
[0301][0302]
在式301-1和式301-2中，
[0303]
环a
301
至环a
304
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0304]
x
301
可以是o、s、n-[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0305]
xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，
[0306]
l
301
、xb1和r
301
可以各自分别与如本说明书中提供的关于l
301
、xb1和r
301
描述的相同，
[0307]
l
302
至l
304
可以各自独立地与关于l
301
描述的相同，
[0308]
xb2至xb4可以各自独立地与关于xb1描述的相同，以及
[0309]r302
至r
305
和r
311
至r
314
可以各自独立地与关于r
301
描述的相同。
[0310]
在实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其组合。在实施方案中，主体可以包括be络合物(例如，化合物h55)、mg络合物、zn络合物或其组合。
[0311]
在实施方案中，主体可以包括化合物h1至化合物h124、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)中的一种或其任意组合。
[0312]
[0313]
[0314]
[0315]
[0316]
[0317]
[0318][0319]
[磷光掺杂剂]
[0320]
磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。
[0321]
磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
[0322]
磷光掺杂剂可以是电中性的。
[0323]
在实施方案中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物。
[0324]
[式401]
[0325]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0326]
[式402]
[0327][0328]
在式401和式402中，
[0329]
m可以是过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0330]
l
401
可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是2或大于2时，两个或多于两个的l
401
可以彼此相同或不同，
[0331]
l
402
可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，其中当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的l
402
可以彼此相同或不同，
[0332]
x
401
和x
402
可以各自独立地是氮(n)或碳(c)，
[0333]
环a
401
和环a
402
可以各自独立地是c
3-c
60
碳环基团或者c
1-c
60
杂环基团，
[0334]
t
401
可以是单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，
[0335]
x
403
和x
404
可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0336]q411
至q
414
可以各自独立地与关于q1描述的相同，
[0337]r401
和r
402
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0338]q401
至q
403
可以各自独立地与关于q1描述的相同，
[0339]
xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及
[0340]
*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，式402中的*和*'各自表示与式401中的m的结合位点。
[0341]
在实施方案中，在式402中，x
401
可以是氮并且x
402
可以是碳，或者x
401
和x
402
中的每一个是氮。
[0342]
在实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的l
401
中的两个环a
401
可以任选地经由作为连接基团的t
402
彼此连接，并且两个环a
402
可以任选地经由作为连接基团的t
403
彼此连接(参见化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。t
402
和t
403
可以各自独立
地与关于t
401
描述的相同。
[0343]
式401中的l
402
可以是有机配体。在实施方案中，l
402
可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-c(＝o)、异腈基团、-cn基团、磷基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其任意组合。
[0344]
磷光掺杂剂可以包括，例如，化合物pd1至化合物pd25中的一种或其任意组合。
[0345][0346][0347]
[荧光掺杂剂]
[0348]
荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。
[0349]
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
[0350]
[式501]
[0351][0352]
在式501中，
[0353]
ar
501
、r
501
和r
502
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，并且l
501
至l
503
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0354]
xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及
[0355]
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
[0356]
在实施方案中，式501中的ar
501
可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、基团或芘基团)。
[0357]
在实施方案中，式501中的xd4可以是2。
[0358]
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括化合物fd1至化合物fd36、dpvbi、dpavbi中的一种或其任意组合。
[0359]
[0360]
[0361][0362]
[延迟荧光掺杂剂]
[0363]
发射层可以包含延迟荧光掺杂剂。
[0364]
在说明书中，延迟荧光掺杂剂可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的化合物。
[0365]
根据包含在发射层中的其它材料的类型，包含在发射层中的延迟荧光掺杂剂可以充当主体或掺杂剂。
[0366]
在实施方案中，延迟荧光掺杂剂的三重态能级(ev)与延迟荧光掺杂剂的单重态能级(ev)之间的差可以是约0ev至约0.5ev。当延迟荧光掺杂剂的三重态能级(ev)与延迟荧光掺杂剂的单重态能级(ev)之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生延迟荧光掺杂剂的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的发光效率。
[0367]
在实施方案中，延迟荧光掺杂剂可以包括包含至少一个电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团或含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团)的材料，以及包含其中两个或多于两个的环状基团稠合同时共用硼(b)的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0368]
在实施方案中，延迟荧光掺杂剂可以包括以下化合物df1至化合物df9中的至少一种。
[0369][0370]
[量子点]
[0371]
发射层可以包含量子点。
[0372]
在说明书中，量子点可以是半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。
[0373]
量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。
[0374]
可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺合成量子点。
[0375]
根据湿法化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe))更容易进行并且需要低成本的工艺来控制。
[0376]
量子点可以包括ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、iv族元素或化合物，或者其任意组合。
[0377]
ii-vi族半导体化合物的实例可以包括二元化合物，例如cdse、cdte、zns、znse、
znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，例如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，例如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或者其任意组合。
[0378]
iii-v族半导体化合物的实例可以包括二元化合物，例如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb；三元化合物，例如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas或inpsb；四元化合物，例如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb；或者其任意组合。在实施方案中，iii-v族半导体化合物可以进一步包含ii族元素。进一步包含ii族元素的iii-v族半导体化合物的实例可以包括inznp、ingaznp、inalznp等。
[0379]
iii-vi族半导体化合物的实例可以包括二元化合物，例如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3或inte；三元化合物，例如ingas3或ingase3；或者其任意组合。
[0380]
i-iii-vi族半导体化合物的实例可以包括三元化合物，例如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2或agalo2；或者其任意组合。
[0381]
iv-vi族半导体化合物的实例可以包括二元化合物，例如sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte等；三元化合物，例如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte等；四元化合物，例如snpbsse、snpbsete、snpbste等；或者其任意组合。
[0382]
iv族元素或化合物可以包括单一元素材料，例如si或ge；二元化合物，例如sic或sige；或者其任意组合。
[0383]
包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或以非均匀的浓度存在于颗粒中。
[0384]
在实施方案中，量子点可以具有单一结构或核-壳结构。在量子点具有单一结构的情况下，包含在相应量子点中的每种元素的浓度可以是均匀的。在实施方案中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
[0385]
量子点的壳可以是防止核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或可以是向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。存在于量子点的核与壳之间的界面中的元素可以具有朝向量子点的核减小的浓度梯度。
[0386]
量子点的壳的实例可以包括金属的氧化物、准金属的氧化物、非金属的氧化物、半导体化合物或其任意组合。金属、准金属或非金属的氧化物的实例可以包括二元化合物(例如，sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio)；三元化合物(例如，mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4)；及其任意组合。半导体化合物的实例可以包括如本文描述的ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物或其任意组合。在实施方案中，半导体化合物可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任意组合。
[0387]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可以等于或小于约45nm。例如，量子点的发射波长光谱的fwhm可以等于或小于约40nm。例如，量子点的发射波长光谱的fwhm可以等于或小于约30nm。在这些范围内，可以增加颜色纯度或颜色再现性。通过量子点发射的光
可以在所有方向上发射，并且可以改善广视角。
[0388]
量子点可以是球形颗粒、角锥形颗粒、多臂颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管颗粒、纳米线颗粒、纳米纤维颗粒或纳米板颗粒。
[0389]
由于能带间隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，因此可以从量子点发射层获得具有各种波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光装置。在实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。可以将量子点的尺寸配置成通过组合各种颜色的光发射白色光。
[0390]
[中间层130中的电子传输区]
[0391]
电子传输区包括第一电子传输层136和第二电子传输层137。
[0392]
在实施方案中，电子传输区可以进一步包括空穴阻挡层、电子控制层、电子注入层或其任意组合。
[0393]
在实施方案中，电子传输区可以由第一电子传输层136和第二电子传输层137组成，并且第一电子传输层136可以直接接触第二电子传输层137。
[0394]
在实施方案中，发光装置10可以包括其中第一电子传输层136、第二电子传输层137和第二电极150依次堆叠在发射层135上的结构。
[0395]
电子传输区(例如，在电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含电子传输化合物，并且电子传输化合物可以是包含至少一个含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团的不含金属的化合物。
[0396]
在实施方案中，第一电子传输层136可以包括第一电子传输材料，并且第一电子传输材料与以下描述的关于电子传输材料描述的相同。
[0397]
在实施方案中，电子传输材料可以包括由以下式601表示的化合物。
[0398]
[式601]
[0399]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
[0400]
在式601中，
[0401]
ar
601
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，并且l
601
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0402]
xe11可以是1、2或3，
[0403]
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
[0404]r601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0405]q601
至q
603
可以各自独立地与关于q1描述的相同，
[0406]
xe21可以是1、2、3、4或5，以及
[0407]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的含缺π电子的氮的(二价)c
1-c
60
环状基团。
[0408]
在实施方案中，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
601
可以经由单键连接。
[0409]
在实施方案中，式601中的ar
601
可以是取代或未取代的蒽基团。
[0410]
在实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物。
[0411]
[式601-1]
[0412][0413]
在式601-1中，
[0414]
x
614
可以是n或c(r
614
)，x
615
可以是n或c(r
615
)，x
616
可以是n或c(r
616
)，其中x
614
至x
616
中的至少一个可以是n，
[0415]
l
611
至l
613
可以各自独立地与关于l
601
描述的相同，
[0416]
xe611至xe613可以各自独立地与关于xe1描述的相同，
[0417]r611
至r
613
可以各自独立地与关于r
601
描述的相同，以及
[0418]r614
至r
616
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。
[0419]
在实施方案中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
[0420]
电子传输化合物的实例可以包含化合物et1至化合物et47、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz中的一种或其任意组合。
[0421]
[0422]
[0423]
[0424][0425]
在实施方案中，第一电子传输层136可以不包含金属。
[0426]
第二电子传输层137可以包含第二电子传输材料和金属掺杂剂。
[0427]
在实施方案中，第二电子传输材料可以包括如以上描述的基于菲咯啉的化合物、基于氧化膦的化合物或其任意组合。在实施方案中，第二电子传输材料可以与关于电子传输材料描述的相同。
[0428]
电子传输区的厚度可以是约至约例如，电子传输区的厚度可以是约至约当电子传输区包括第一电子传输层、第二电子传输层、缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可以各自独立地是约至约并且第一电子传输层和第二电子传输层的厚度可以各自独立地是约至约例如，缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可以各自独立地是约至约例如，第一电子传输层和第二电子传输层的厚度可以各自独立地是约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、第一电子传输层和/或第二电子传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0429]
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的第二电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
[0430]
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0431]
在实施方案中，含金属的材料可以包括li络合物。li络合物可以包括例如化合物et-d1(liq)或化合物et-d2。
[0432][0433]
电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。
[0434]
电子注入层可以具有由由单一材料组成的层组成的结构、由由不同材料组成的层组成的结构、或者包括包含不同材料的层的多层结构。
[0435]
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
[0436]
碱金属可以包括li、na、k、rb、cs或其任意组合。碱土金属可以包括mg、ca、sr、ba或其任意组合。稀土金属可以包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任意组合。
[0437]
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物，或者其任意组合。
[0438]
含碱金属的化合物可以包括碱金属氧化物(例如li2o、cs2o或k2o)、或碱金属卤化物(例如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki)或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属化合物，例如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(x是满足0《x《1的条件的实数)、ba
x
ca
1-x
o(x是满足0《x《1的条件的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任意组合。在实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可以包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0439]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含碱金属的离子、碱土金属的离子和稀土金属的离子中的一种，以及键合至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0440]
电子注入层可以由以下组成：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0441]
在实施方案中，电子注入层可以由含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)组成；或者电子注入层可以由含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，以及碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合组成。在实施方案中，电子注入层可以是ki:yb共沉积层、rbi:yb共沉积层等。
[0442]
当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
[0443]
电子注入层的厚度可以是约至约例如，电子注入层的厚度可以是约至约当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，可以获得令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0444]
[第二电极150]
[0445]
第二电极150可以设置在具有上述结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任意组合作为用于第二电极150的材料。
[0446]
第二电极150中的银(ag)的量可以等于或大于约90wt％。
[0447]
在实施方案中，第二电极150中的银的量可以是约90wt％至约100wt％。
[0448]
在实施方案中，第二电极150中的银(ag)的量可以是约95wt％至约100wt％。
[0449]
在实施方案中，第二电极150可以进一步包含锂(li)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其组合。
[0450]
在实施方案中，第二电极150可以进一步包含镁(mg)，并且镁的量可以是10wt％或小于10wt％。在实施方案中，第二电极150中的镁的量可以是5wt％或小于5wt％。
[0451]
当使用银(ag)和镁(mg)作为发光装置的电极材料时，为了防止银的聚集特性，通常以大于10wt％的量包含镁。
[0452]
在根据实施方案的发光装置中，作为用于第二电极150的材料，银的量是大的并且具有吸收光的特性的镁的量是小的，包括包含第二电子传输材料和金属掺杂剂的第二电子传输层，并且因此可以防止第二电极的银的聚集，使得可以改善发光装置的发光效率和使用寿命。
[0453]
第二电极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。
[0454]
第二电极150可以具有单层结构或者包括两层或多于两层的多层结构。
[0455]
[覆盖层]
[0456]
第一覆盖层可以位于第一电极110外部，和/或第二覆盖层可以位于第二电极150外部。在实施方案中，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150按这种规定的顺序堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按这种规定的顺序堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以这种规定的顺序堆叠的结构。
[0457]
发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其可以是半透反射电极或透射电极)并且通过第一覆盖层朝向外部引出。发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其可以是半透反射电极或透射电极)并且通过第二覆盖层朝向外部引出。
[0458]
参考图3，根据实施方案的发光装置10可以进一步包括位于第二电极150外部的第二覆盖层170。
[0459]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。因此，可以增加发光装置10的光引出效率，使得可以改善发光装置10的发射效率。
[0460]
第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包含具有等于或大于约1.6的折射率(在约589nm的波长处)的材料。
[0461]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。
[0462]
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以各自独立地被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任意组合的取代基任选地取代。
[0463]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。
[0464]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
[0465]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含化合物ht28至化合物ht33中的一种、化合物cp1至化合物cp6中的一种、β-npb或其任意组合。
[0466][0467]
[膜]
[0468]
由式1表示的化合物可以被包含在各种膜中。因此，根据另一方面，提供了包含由式1表示的化合物的膜。膜可以是，例如，光学构件(或光控制构件)(例如，滤色器、颜色转换构件、覆盖层、光引出效率改善层、选择性光吸收层、偏振层、含量子点层等)、遮光构件(例
如，光反射层、光吸收层等)、保护构件(例如，绝缘层、电介质层等)等。
[0469]
[电子设备]
[0470]
发光装置可以被包括在各种电子设备中。在实施方案中，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。
[0471]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括滤色器、颜色转换层、或者滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。在实施方案中，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。发光装置可以与以上描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是例如如本文描述的量子点。
[0472]
电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括子像素，滤色器可以包括分别对应于子像素的滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素的颜色转换区域。
[0473]
像素限定层可以位于子像素之间以限定子像素中的每一个。
[0474]
滤色器可以进一步包括滤色器区域和位于滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以包括颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的遮光图案。
[0475]
滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在实施方案中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。在实施方案中，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包含量子点。例如，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。量子点可以与说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自进一步包含散射体。
[0476]
在实施方案中，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这点上，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以各自具有不同的最大发射波长。例如，第一光可以是蓝色光，第一第一颜色光可以是红色光，第二第一颜色光可以是绿色光，并且第三第一颜色光可以是蓝色光。
[0477]
除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可以电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。
[0478]
薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。
[0479]
有源层可以包含晶体硅、无定形硅、有机半导体、氧化物半导体等。
[0480]
电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部和/或颜色转换层可以位于滤色器与发光装置之间。密封部可以允许来自发光装置的光被引出至外部，并且可以同时地防止环境空气和湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和无机层中的至少一个的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0481]
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可以额外地位于密封部上。功能层可以包括触摸屏层、偏振层、验证设备等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信
息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。
[0482]
除了发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。
[0483]
电子设备可以应用于各种显示器，例如光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子日记、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。
[0484]
[图6和图7的描述]
[0485]
图6是根据实施方案的电子设备的示意性横截面视图。
[0486]
图6的电子设备包括衬底100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和密封发光装置的封装部300。
[0487]
衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以形成在衬底100上。缓冲层210可以防止杂质渗透穿过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。
[0488]
tft可以位于缓冲层210上。tft可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0489]
有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。
[0490]
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅电极240可以位于栅绝缘膜230上。
[0491]
层间绝缘膜250位于栅电极240上。层间绝缘膜250可以置于栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且位于栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。
[0492]
源电极260和漏电极270可以位于层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。
[0493]
tft电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0494]
第一电极110可以形成在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且可以暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110可以电连接至漏电极270的暴露部分。
[0495]
包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的区域，并且可以在第一电极110的暴露区域中形成中间层130。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。尽管在图6中未示出，但中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部以提供成公共层的形式。
[0496]
第二电极150可以位于中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。
[0497]
封装部300可以位于覆盖层170上。封装部300可以位于发光装置上以保护发光装置免受湿气和/或氧气。封装部300可以包括无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙
二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、基于丙烯酸的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age)等)或其组合；或者无机膜和有机膜的组合。
[0498]
图7是根据实施方案的电子设备的示意性横截面视图。
[0499]
图7的电子设备可以与图6的电子设备相同，但遮光图案500和功能区400额外地位于封装部300上。功能区400可以是滤色器区域、颜色转换区域、或者滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图7的电子设备中的发光装置可以是串联发光装置。
[0500]
[制造方法]
[0501]
可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(langmuir-blodgett，lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多于一种的适合的方法在指定的区中形成包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层。
[0502]
当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约至约的沉积速度进行沉积。
[0503]
[术语的定义]
[0504]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基团”可以是仅由碳作为成环原子组成并且具有三个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是3至30、3至20、3至15、3至10、3至8或3至6)的环状基团，并且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基团”可以是具有一个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6)并且进一步具有除了碳之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合的多环基团。在实施方案中，c
1-c
60
杂环基团可以具有3个至61个成环原子。
[0505]
如本文使用的“环状基团”可以包括c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团。
[0506]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”可以是具有三个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是3至30、3至20、3至15、3至10、3至8或3至6)并且可以不包含*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团”可以是具有一个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6)并且可以包含*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0507]
在实施方案中，
[0508]c3-c
60
碳环基团可以是t1基团，或者其中两个或多于两个的t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，
[0509]c1-c
60
杂环基团可以是t2基团，其中两个或多于两个的t2基团彼此稠合的稠合环
状基团，或者其中至少一个t2基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0510]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可以是t1基团，其中两个或多于两个的t1基团彼此稠合的稠合环状基团，t3基团，其中两个或多于两个的t3基团彼此稠合的稠合环状基团，或者其中至少一个t3基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，c
3-c
60
碳环基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，
[0511]
含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团可以是t4基团，其中两个或多于两个的t4基团彼此稠合的稠合环状基团，其中至少一个t4基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团，其中至少一个t4基团和至少一个t3基团彼此稠合的稠合环状基团，或者其中至少一个t4基团、至少一个t1基团和至少一个t3基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0512]
其中t1基团可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
[0513]
t2基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，
[0514]
t3基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及
[0515]
t4基团可以是2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
[0516]
如本文使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基团”、“c
1-c
60
杂环基团”、“富π电子的c
3-c
60
环状基团”或“含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团”可以是取决于与术语使用有关的式的结构，与任何环状基团稠合的基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。在实施方案中，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解的。
[0517]
单价c
3-c
60
碳环基团和单价c
1-c
60
杂环基团的实例可以包括c
3-c
10
环烷基基团、c
1-c
10
杂环烷基基团、c
3-c
10
环烯基基团、c
1-c
10
杂环烯基基团、c
6-c
60
芳基基团、c
1-c
60
杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团，并且二价c
3-c
60
碳环基团和二价c
1-c
60
杂环基团的实例可以包括c
3-c
10
亚环烷基基团、c
1-c
10
亚杂环烷基基团、c
3-c
10
亚环烯基基团、c
1-c
10
亚杂环烯基基团、c
6-c
60
亚芳基基团、c
1-c
60
亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。
[0518]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基基团”可以是具有一个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例可以包括甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基基团”可以是具有与c
1-c
60
烷基基团相同的结构的二价基团。
[0519]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基基团”可以是在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基基团”可以是具有与c
2-c
60
烯基基团相同的结构的二价基团。
[0520]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基基团”可以是在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙炔基基团和丙炔基基团。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基基团”可以是具有与c
2-c
60
炔基基团相同的结构的二价基团。
[0521]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基基团”可以是由-oa
101
(其中a
101
是c
1-c
60
烷基基团)表示的单价基团，并且其实例可以包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。
[0522]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基基团”可以是具有3个至10个碳原子(其中碳原子数可以是3至8或3至6)的单价饱和烃环状基团，并且其实例可以包括环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基基团”可以是具有与c
3-c
10
环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0523]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基基团”可以是进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)作为成环原子并且具有1个至10个碳原子(其中碳原子数可以是1至8或1至6)的单价环状基团，并且其实例可以包括1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基基团”可以是具有与c
1-c
10
杂环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0524]
本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基基团”可以是在其环中具有三个至十个碳原子(其中碳原子数可以是3至8或3至6)和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其实例可以包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基基团”可以包括具有与c
3-c
10
环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0525]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基基团”可以是在其环状结构中具有作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)、1个至10个碳原子(其中碳原子数可以是1至8或1至6)和至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基基团的实例可以包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基基团”可以是具有与c
1-c
10
杂环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0526]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基基团”可以是具有含六个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是6至30、6至20、6至15、6至10或6至8)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基基团”可以是具有含六个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是6至30、6至20、6至15、6至10或6至8)的碳环芳香族体系的二价基团。c
6-c
60
芳基基团的实例可以包括苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。当c
6-c
60
芳基基团和c
6-c
60
亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合。
[0527]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基基团”可以是具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)和1个至60个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6)的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基基团”可以是具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)和1个至60个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6)的杂环芳香族体系的二价基团。c
1-c
60
杂芳基基团的实例可以包括吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基
团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。当c
1-c
60
杂芳基基团和c
1-c
60
亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合。
[0528]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”可以是具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子(其中碳原子数可以是8至30、8至20、8至15或8至10))作为成环原子并且当被视为整体时在其分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳香族稠合多环基团的实例可以包括茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”可以是具有与单价非芳香族稠合多环基团相同的结构的二价基团。
[0529]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”可以是具有彼此稠合的两个或多于两个的环、除了碳原子(例如，具有1个至60个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6))之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)作为成环原子并且当被视为整体时在其分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例可以包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”可以是具有与单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
[0530]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基基团”可以由-oa
102
(其中a
102
是c
6-c
60
芳基基团)表示，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基基团”可以由-sa
103
(其中a
103
是c
6-c
60
芳基基团)表示。
[0531]
如本文使用的术语“c
7-c
60
芳基烷基基团”可以由-(a
104
)(a
105
)(其中a
104
可以是c
1-c
54
亚烷基基团，并且a
105
可以是c
6-c
59
芳基基团)表示，并且如本文使用的术语“c
2-c
60
杂芳基烷基基团”可以由-(a
106
)(a
107
)(其中a
106
可以是c
1-c
59
亚烷基基团，并且a
107
可以是c
1-c
59
杂芳基基团)表示。
[0532]
如本文使用的术语“r
10a”可以是：
[0533]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0534]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0535]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团或c
2-c
60
杂芳基烷基基团；或者
[0536]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0537]
本文使用的q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可以各自独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团；c
7-c
60
芳基烷基基团；或者c
2-c
60
杂芳基烷基基团。
[0538]
如本文使用的术语“杂原子”可以是除了碳原子或氢原子之外的任何原子。杂原子的实例可以包括o、s、n、p、si、b、ge、se或其任意组合。
[0539]
如本文使用的术语“第三行过渡金属”可以包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)、金(au)等。
[0540]
如本文使用的术语“ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“me”是指甲基基团，如本文使用的术语“et”是指乙基基团，如本文使用的术语“tert-bu”或“bu
t”是指叔丁基基团，并且如本文使用的术语“ome”是指甲氧基基团。
[0541]
如本文使用的术语“联苯基基团”可以是“被苯基基团取代的苯基基团”。例如，“联苯基基团”可以是具有c
6-c
60
芳基基团(即，苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。
[0542]
如本文使用的术语“三联苯基基团”可以是“被联苯基基团取代的苯基基团”。例如，“三联苯基基团”可以是具有被c
6-c
60
芳基基团取代的c
6-c
60
芳基基团(即，联苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。
[0543]
在描述中，除非另外定义，如本文使用的*和*'各自表示在相应的式或部分中与相邻原子的结合位点。
[0544]
在下文，将参考实施例详细地描述根据实施方案的化合物和根据实施方案的发光装置。用于描述实施例的措辞“使用b代替a”意指使用等摩尔当量的b代替a。
[0545]
[实施例]
[0546]
实施例1
[0547]
将作为有机发光装置(oled)玻璃(由三星-康宁(samsung-corning)制造)衬底的ito玻璃衬底(50
×
50
×
0.5mm，15ω/cm2)依次使用蒸馏水进行超声清洁，随后uv臭氧清洁30分钟。
[0548]
清洁之后，将具有透明电极线的玻璃衬底安装在真空沉积设备的衬底保持器上，并且将化合物ht1沉积在ito电极(阳极)上以形成具有120nm的厚度的空穴注入层。
[0549]
将ht2沉积在空穴注入层上以形成具有60nm的厚度的空穴传输层。
[0550]
将bh1(主体)和bd1(掺杂剂)以98:2的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有20nm的厚度的发射层。
[0551]
将化合物et1(第一电子传输材料)沉积在发射层上以形成具有5nm的厚度的第一电子传输层。
[0552]
将化合物et3(第二电子传输材料)和li(金属掺杂剂)以97:3的重量比共沉积在第一电子传输层上，以形成具有25nm的厚度的第二电子传输层。
[0553]
将ag:mg(95:5的重量比)沉积在第二电子传输层上以形成具有10nm的厚度的阴极，从而完成发光装置的制造。
[0554][0555]
实施例2至实施例16和比较例1至比较例13
[0556]
以与实施例1中相同的方式制造发光装置，但使用如表1中示出的用于发光装置的材料。
[0557]
评估例1
[0558]
使用吉时利(kethley)smu 236和亮度计pr650测量根据实施例1至实施例16以及比较例1至比较例13制造的发光装置的驱动电压、发光效率和使用寿命(t
95
)，并且结果显示在表1至表3中。使用寿命(t
95
)是直到初始亮度降低至95％所花费的时间段。
[0559]
在1,000nit下测量实施例1至实施例8和比较例1至比较例5的发光装置，并且将实施例和比较例中的每一个的驱动电压表示为与比较例5的驱动电压的差。将实施例1至实施例8和比较例1至比较例5中的每一个的发光效率和使用寿命分别表示为与比较例1的发光效率和使用寿命的比较值。
[0560]
在12,000nit下测量实施例9至实施例12和比较例6至比较例9的发光装置，并且将实施例9至实施例12和比较例6至比较例9中的每一个的驱动电压表示为与比较例6的驱动电压的差。将实施例9至实施例12和比较例6至比较例9中的每一个的发光效率和使用寿命分别表示为与比较例6的发光效率和使用寿命的比较值。
[0561]
在5,000nit下测量实施例13至实施例16和比较例10至比较例13的发光装置，并且将实施例13至实施例16和比较例10至比较例13中的每一个的驱动电压表示为与比较例10的驱动电压的差。将实施例13至实施例16和比较例10至比较例13中的每一个的发光效率和使用寿命分别表示为与比较例10的发光效率和使用寿命的比较值。
[0562]
关于在实施例1至实施例16和比较例1至比较例13中使用的用于发射层中的掺杂剂和第一电子传输材料的材料，通过使用高斯程序(使用b3lyp，6-31g*的结构优化)的密度泛函理论(dft)方法通过模拟结果计算的t1能级值显示在表4中。
[0563]
[表1]
[0564]
[0565][0566]
[表2]
[0567]
[0568][0569]
[表3]
[0570][0571]
[表4]
[0572]
[0573][0574]
参考表1至表4，根据实施方案的发光装置包括如以上描述的第一电子传输层和第二电子传输层，并且具有比比较例的发光装置更低的驱动电压和更好的发光效率和使用寿命。
[0575]
根据实施方案的发光装置具有低驱动电压和优异的发光效率和使用寿命特性。
[0576]
本文已经公开了实施方案，并且尽管采用了术语，但仅以一般性和描述性的含义使用和解释它们，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员将显而易见的，结合实施方案描述的特征、特性和/或要素可以单独使用或与结合其它实施方案描述的特征、特性和/或要素组合使用，除非另外明确指明。因此，本领域普通技术人员应理解，在不背离如权利要求中阐述的本公开内容的主旨和范围的情况下，可以进行形式和细节的各种改变。