发光装置及包括发光装置的电子设备的制作方法

技术特征：
1.发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层和电子传输区，所述发射层包含主体和掺杂剂，所述电子传输区设置在所述发射层与所述第二电极之间并且包括第一电子传输层和第二电子传输层，所述第一电子传输层包含第一电子传输材料，所述第一电子传输材料的最低激发三重态能级大于所述发射层的所述掺杂剂的最低激发三重态能级，所述第二电子传输层包含第二电子传输材料和金属掺杂剂，所述第二电子传输层中的所述金属掺杂剂的量等于或小于5wt％，以及所述第二电极中的银的量等于或大于90wt％。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电子传输层直接接触所述发射层。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二电子传输层直接接触所述第二电极。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子传输区进一步包括空穴阻挡层、电子控制层、电子注入层或其组合。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层中的所述掺杂剂包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光掺杂剂或其组合。6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光装置进一步包括设置在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区，以及所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其组合。7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电子传输材料包括包含至少一个含缺π电子的氮的环的不含金属的化合物。8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电子传输层不包含金属。9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二电子传输材料包括基于菲咯啉的化合物、基于氧化膦的化合物或其组合。10.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二电子传输材料包括由式1表示的化合物、由式2表示的化合物或其组合：[式1][式2]
(q1)、-p(＝o)(q1)(q2)或-p(＝s)(q1)(q2)，b1至b13各自独立地是1、2、3、4、5、6、7或8，*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，以及r
10a
是：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团或c
6-c
60
芳硫基基团；或者-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，其中q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
各自独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。11.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二电子传输材料包括化合物1至化合物97中的至少一种：
12.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属掺杂剂包括碱金属、碱土金属、稀土金属或其组合。13.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二电极进一步包含镁，以及所述镁的量等于或小于10wt％。14.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括：设置在所述第一电极外部的第一覆盖层；设置在所述第二电极外部的第二覆盖层；或者所述第一覆盖层和所述第二覆盖层。15.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光装置进一步包括第一像素、第二像素和第三像素，所述发射层包括所述第一像素的第一发射层、所述第二像素的第二发射层和所述第三像素的第三发射层，
所述第一发射层包含第一主体和第一掺杂剂，所述第二发射层包含第二主体和第二掺杂剂，所述第三发射层包含第三主体和第三掺杂剂，所述第一掺杂剂、所述第二掺杂剂和所述第三掺杂剂满足不等式2-1至不等式2-3中的至少一个：[不等式2-1]t1(et1)>t1(d1)[不等式2-2]t1(et1)>t1(d2)[不等式2-3]t1(et1)>t1(d3)其中在不等式2-1至不等式2-3中，t1(et1)是所述第一电子传输材料的最低激发三重态能级，t1(d1)是所述第一掺杂剂的最低激发三重态能级，t1(d2)是所述第二掺杂剂的最低激发三重态能级，以及t1(d3)是所述第三掺杂剂的最低激发三重态能级。16.如权利要求15所述的发光装置，其中所述第一发射层发射具有580nm至750nm的最大发射波长的红色光，所述第二发射层发射具有490nm至580nm的最大发射波长的绿色光，以及所述第三发射层发射具有410nm至490nm的最大发射波长的蓝色光。17.如权利要求15所述的发光装置，其中所述第一发射层的厚度、所述第二发射层的厚度和所述第三发射层的厚度彼此不同。18.如权利要求15所述的发光装置，进一步包括设置在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区，其中所述空穴传输区包括：所述第一像素的第一空穴传输层；所述第二像素的第二空穴传输层；以及所述第三像素的第三空穴传输层，以及所述第一空穴传输层的厚度、所述第二空穴传输层的厚度和所述第三空穴传输层的厚度彼此不同。19.电子设备，包括权利要求1所述的发光装置。20.如权利要求19所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，以及所述发光装置的所述第一电极电连接至所述源电极或所述漏电极。

技术总结
提供了发光装置及包括发光装置的电子设备。所述发光装置包括第一电极、面向所述第一电极的第二电极、以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层。所述中间层包括发射层和电子传输区，所述发射层包含主体和掺杂剂，所述电子传输区设置在所述发射层与所述第二电极之间并且包括第一电子传输层和第二电子传输层，所述第一电子传输层包含第一电子传输材料，所述第一电子传输材料的最低激发三重态(T1)能级大于所述发射层中的所述掺杂剂的T1能级，以及所述第二电子传输层包含第二电子传输材料和金属掺杂剂。传输材料和金属掺杂剂。传输材料和金属掺杂剂。


技术研发人员：金瑟雍 郑惠仁
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2022.02.22
技术公布日：2022/8/29