放射线检测器的制作方法

1.本发明的实施方式涉及一种放射线检测器。


背景技术：

2.放射线检测器的一个例子包括x射线检测器。x射线检测器例如设有具有多个光电转换部的阵列基板和设在多个光电转换部上的用于将x射线转换成荧光的闪烁体。此外，光电转换部中设置有将来自闪烁体的荧光转换为电荷的光电转换元件、对电荷的储存和释放进行开关的薄膜晶体管等。
3.通常，x射线检测器以如下方式读取图像数据。首先，利用从外部输入的信号识别x射线的入射开始。接着，在经过预定的时间之后，将进行读取的光电转换部的薄膜晶体管设为导通状态，将所存储的电荷作为图像数据读取出。然而，这样一来，需要用于获取x射线源等外部设备与x射线检测器同步的同步接口。
4.这里，由闪烁体和光电转换元件得到的图像数据的值在x射线入射时和x射线未入射时变化。因此，提出了检测x射线未入射时图像数据的值与x射线入射时的图像数据的值之差，检测x射线的入射开始的技术。但是，这样一来，需要在拍摄准备阶段预先获取并保存作为比较的基础的x射线未入射时的图像数据，始终取入图像数据进行比较运算。
5.因此，即使在没有x射线入射的待机时也始终消耗功率，存在功耗变大的问题。该情况下，以电池为电源的便携式x射线检测器的情况下，电池的消耗变大，长时间的使用变得困难。此外，由于功耗大，电路的温度容易上升，在高温环境中x射线检测器的使用有时会受到限制。并且，由于需要保存比较图像，所以需要大容量的图像存储器。因此，希望开发出一种能够抑制放射线入射时的功耗的放射线检测器。现有技术文献专利文献
6.专利文献1：日本专利特开2019-020141号公报


技术实现要素：

发明所要解决的技术问题
7.本发明所要解决的技术问题在于提供一种能够抑制检测到放射线的入射时的功耗的放射线检测器。解决技术问题所采用的技术方案
8.实施方式所涉及的放射线检测器包括在第一方向上延伸的多条控制线；在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多条数据线；与对应的所述控制线和对应的所述数据线电连接、具有光电转换元件的光电转换部；设置在多个所述光电转换部上的闪烁体；电连接到多个所述光电转换元件的偏置线；与所述偏置线电连接的电压生成电路；以及与所述偏置线电连接、用于检测在放射线入射开始时产生的电压的变化的放射线入射判定电路。
附图说明
9.图1是用于例示本实施方式的x射线检测器的示意立体图。图2是阵列基板的电路图。图3是x射线检测器的框图。图4是用于例示图像数据的读取的序列图。图5是用于例示图像数据的读取的时序图。图6是x射线图像的获取动作的内部等效电路。图7是用于例示比较例所涉及的x射线的入射开始的判定的序列图。图8是另一实施方式所涉及的x射线检测器的框图。图9是用于例示x射线入射判定电路的电路图。图10是用于例示x射线的入射开始的判定的序列图。图11是用于例示待机状态的序列图。图12是用于例示x射线图像的拍摄的序列图。图13是在所拍摄的x射线图像和比较图像之间存在差异时的序列图图14是在所拍摄的x射线图像和比较图像之间没有差异时的序列图。
具体实施方式
10.下面，参照附图，对实施方式进行例示。另外，各图中，对同样的构成要素标注相同的标号并适当省略详细说明。本实施方式的放射线检测器除了x射线以外，还能应用于γ射线等各种放射线。这里，作为一个例子，以放射线中具有代表性的x射线的情况为例进行说明。因此，通过将以下实施方式的“x射线”替换为“其他放射线”，从而也能应用于其他放射线。另外，x射线检测器1例如能用于一般医疗等。其中，x射线检测器1的用途并不限于一般医疗等。
11.图1是用于例示本实施方式的x射线检测器1的示意立体图。图2是阵列基板2的电路图。图3是x射线检测器1的框图。图4是用于例示图像数据100的读取的序列图。图5是用于例示图像数据100的读取的时序图。
12.如图1至图3所示，在x射线检测器1中可以设置x射线检测模块10和电路基板20。此外，在x射线检测器1上可以设置有未图示的壳体。x射线检测模块10和电路基板20可以设置在壳体的内部。例如，支承板可以设置在壳体的内部，x射线检测模块10可以设置在支承板的x射线的入射侧的面上，电路基板20可以设置在支承板的x射线的入射侧的相反侧的面上。
13.x射线检测模块10中可以设置有阵列基板2和闪烁体3。在阵列基板2中可以设置有基板2a、光电转换部2b、控制线(或栅极线)g、数据线(或信号线)s、布线焊盘2d1、布线焊盘2d2和保护层2f。另外，光电转换部2b、控制线g、以及数据线s的数量等并不限于所例示的情况。
14.基板2a呈板状，能够由无碱玻璃等玻璃形成。基板2a的平面形状可以是四边形。
能够在基板2a的一个面侧上设置有多个光电转换部2b。光电转换部2b可以呈矩形，并且设置在由控制线g和数据线s所划分的区域中。多个光电转换部2b排列成矩阵状。另外，一个光电转换部2b例如对应于x射线图像中的一个像素(pixel)。
15.可以在多个光电转换部2b中分别设置光电转换元件2b1、以及作为开关元件的薄膜晶体管(tft；thin film transistor)2b2。此外，在光电转换元件2b1中，可以设置存储转换后的信号电荷的存储电容器。其中，根据光电转换元件2b1的容量，光电转换元件2b1能兼用作存储电容器。以下，例示了光电转换元件2b1兼用作存储电容器的情况。
16.光电转换元件2b1例如可以是光电二极管等。薄膜晶体管2b2能够对作为存储电容器发挥作用的光电转换元件2b1的存储电荷和释放电荷进行开关。薄膜晶体管2b2可以具有栅极电极2b2a、漏极电极2b2b以及源极电极2b2c。薄膜晶体管2b2的栅极电极2b2a与对应的控制线g电连接。薄膜晶体管2b2的漏极电极2b2b与对应的数据线s电连接。薄膜晶体管2b2的源极电极2b2c能够电连接到对应的光电转换元件2b1。此外，光电转换元件2b1的阳极侧能够电连接到偏置线vbias。
17.多条控制线g可以隔开规定间隔相互平行地设置。例如，多个控制线g沿行方向(相当于第一方向的一个示例)延伸，沿与行方向交叉的列方向(相当于第二方向的一个示例)排列。一条控制线g与设置在基板2a的边缘附近的多个布线焊盘2d1中的一个电连接。一个布线焊盘2d1与设置在柔性印刷基板2e1上的多条布线中的一条电连接。设置在柔性印刷基板2e1上的多条布线的另一端能够与设置在电路基板20中的栅极驱动电路20a分别电连接。
18.多条数据线s可以隔开规定间隔相互平行地设置。数据线s例如在列方向上延伸，在行方向上排列。一条数据线s与设置在基板2a的边缘附近的多个布线焊盘2d2中的一个电连接。一个布线焊盘2d2与设置在柔性印刷基板2e2上的多条布线中的一条电连接。设置在柔性印刷基板2e2上的多条布线的另一端能够与设置在电路基板20中的信号检测电路20b分别电连接。控制线g、数据线s以及偏置线vbias例如能使用铝、铬等低电阻金属来形成。
19.保护层2f能够覆盖光电转换部2b、控制线g、数据线s和偏置线vbias。保护层2f可以由绝缘性材料形成。
20.闪烁体3可以设置在多个光电转换部2b上。闪烁体3能够将入射的x射线转换为荧光。闪烁体3能够设置成覆盖设有多个光电转换部2b的区域(有效像素区域)。闪烁体3例如能使用碘化铯(csi)：铊(tl)、碘化钠(nai)：铊(tl)、或溴化铯(csbr)：铕(eu)等来形成。闪烁体3可以使用真空蒸镀法形成。若使用真空蒸镀法形成闪烁体3，则会形成由多个柱状结晶的集合体形成的闪烁体3。
21.此外，闪烁体3也可以例如使用铽赋活硫酸化钆(gd2o2s/tb或gos)等形成。该情况下，能形成矩阵状的槽部，以对多个光电转换部2b的每一个设置四棱柱状的闪烁体3。
22.此外，可以在闪烁体3的x射线的入射侧设置反射层。反射层使闪烁体3中产生的荧光中朝向与设置光电转换部2b的一侧相反一侧的光进行反射，从而能朝向光电转换部2b。此外，能够设置覆盖闪烁体3和反射层的防潮部。
23.电路基板20能够设置在阵列基板2的设置有闪烁体3一侧的相反侧。电路基板20可以电连接到x射线检测模块10(阵列基板2)。
24.如图3所示，电路基板20中可以设置有栅极驱动电路20a、信号检测电路20b、存储
器20c、图像构成电路20d、电压生成电路20e、x射线入射判定电路20f和控制器20g。另外，这些电路可以设置在一个基板上，也可以将这些电路分开设置在多个基板上。
25.栅极驱动电路20a对薄膜晶体管2b2的导通状态和截止状态进行切换。栅极驱动电路20a可以具有多个栅极驱动器20aa和行选择电路20ab。
26.行选择电路20ab中可以输入来自控制器20g的控制信号101。行选择电路20ab可以根据x射线图像的扫描方向对相应的栅极驱动器20aa输入控制信号101。栅极驱动器20aa向对应的控制线g输入控制信号101。
27.例如，如图4和图5所示，栅极驱动电路20a能够经由柔性印刷基板2e1对每条控制线g1至gm依次输入控制信号101。利用输入到控制线g的控制信号101使薄膜晶体管2b2变为导通状态，从而能从作为存储电容器发挥作用的光电转换元件2b1中读取出电荷(图像数据100)。
28.当薄膜晶体管2b2处于导通状态时，信号检测电路20b能够从光电转换部2b中读取图像数据100。信号检测电路20b可以包括多个积分放大器20ba、多个选择电路20bb和多个ad转换器20bc。一个积分放大器20ba可以电连接到一条数据线s。积分放大器20ba能够依次接收来自光电转换部2b的图像数据100。然后，积分放大器20ba能对一定时间内流过的电流进行积分，并将与该积分值对应的电压输出到选择电路20bb。这样，能够在规定的时间内将流过数据线s的电流值(电荷量)转换为电压值。即，积分放大器20ba能够将与在闪烁体3中产生的荧光的强弱分布对应的图像数据信息转换为电位信息。
29.选择电路20bb选择进行读取的积分放大器20ba，能够依次读取转换为电位信息的图像数据100。ad转换器20bc能依次地将读取到的图像数据100转换为数字信号。转换为数字信号的图像数据100能够存储在存储器20c中。
30.例如，信号检测电路20b能够经由柔性印刷基板2e2对每条数据线s1至sn依次读出图像数据100。如果用内部等效电路表示这样的x射线图像的获取动作，则如图6所示。
31.例如，存储器20c可以存储用于控制设置在电路基板20上的各个电路的控制程序。此外，存储器20c例如可以存储执行控制程序所需的阈值等数据。此外，转换为数字信号的图像数据100能够暂时地存储在存储器20c中。
32.图像构成电路20d基于存储在存储器20c中的图像数据100来构成x射线图像。另外，图像构成电路20d也可以设置在x射线检测器1的外部。在图像构成电路20d被设置在x射线检测器1的外部的情况下，可以通过无线进行电路基板20和图像构成电路20d之间的数据通信，也可以通过布线等进行该数据通信。图像构成电路20d能够将所构成的x射线图像的数据发送到设置在x射线检测器1外部的显示装置或其他的设备。
33.如图2所示，电压生成电路20e可以电连接到偏置线vbias。电压生成电路20e例如生成偏置电压。电压生成电路20e使作为存储电容器发挥作用的多个光电转换元件2b1存储规定的电荷。电压生成电路20e例如可以是直流电源等。当x射线入射到x射线检测器1时，闪烁体3中产生荧光，所产生的荧光入射到光电转换元件2b1。若荧光入射到光电转换元件2b1，则因光电效应产生电荷(电子以及空穴)，产生的电荷与所存储的电荷(异种电荷)相结
合，从而所存储的电荷减少。减少后的电荷可以作为图像数据100读出。
34.这里，当x射线入射到x射线检测器1时，光电转换元件2b1中存储的电荷减少，因此如果检测电荷，则能够检测x射线的入射开始。x射线入射判定电路20f可以电连接到偏置线vbias。x射线入射判定电路20f能够通过从光电转换元件2b1读出电荷来判定x射线的入射开始。x射线入射判定电路20f可以检测在x射线入射开始时发生的电压的变化。如果所检测到的电压值小于阈值，则x射线入射判定电路20f判定x射线的入射开始，并且如果所检测到的电压值超过阈值，则x射线入射判定电路20f判定x射线的入射尚未开始。如果判定x射线的入射已经开始，则x射线入射判定电路20f可以向控制器20g发送指示x射线的入射已经开始的信号。
35.控制器20g能够基于存储在存储器20c中的控制程序来控制设置在电路基板20上的各个电路。控制器20g可以包括例如cpu(central processing unit：中央处理单元)等运算元件。
36.接着，对x射线的入射开始的判定作进一步说明。图7是用于例示比较例所涉及的x射线的入射开始的判定的序列图。如图7所示，当x射线入射到x射线检测器时，在光电转换元件2b1中产生电流ipd。此外，由于存储在光电转换元件2b1中的电荷逐渐减少，所以光电转换元件2b1中的电压vpd逐渐降低。因此，如果读出光电转换元件2b1中存储的电荷作为图像数据100，求出与“比较图像”的差，则能够检测x射线的入射开始。
37.例如，在x射线入射前，存储的电荷没有变化，因此读出的“图像a”的图像数据100的值与预先求出的“比较图像”的图像数据100的值之间的差变小。与此相对，在x射线入射后，存储的电荷发生变化，因此所读出的“图像b”的图像数据100的值与“比较图像”的图像数据100的值之间的差变大。因此，能够基于图像数据100的值之差来检测x射线的入射开始。
38.然而，由于难以预测x射线的入射时期，所以需要持续地获取并比较作为判定对象的x射线图像的图像数据100。因此，需要始终使栅极驱动电路20a和信号检测电路20b动作。其结果是，即使在x射线未入射的待机时，功耗也增大。此外，由于发热引起温度上升，在高温环境中x射线检测器1的使用可能受到限制。进一步，由于需要保存一张“比较图像”的数据，所以需要大容量的图像存储器。
39.在本实施例所涉及的x射线检测器1中，x射线入射判定电路20f通过检测在偏置线vbias中产生的电压的变化来判定x射线的入射开始。因此，由于不需要始终使功耗大的栅极驱动电路20a和信号检测电路20b动作，所以能够抑制检测x射线入射时的功耗。此外，由于可以抑制电路温度的上升，所以可以抑制在高温环境中x射线检测器的使用受到限制的情况。此外，不需要设置保存“比较图像”数据的图像存储器。
40.另外，在检测到x射线的入射之后，利用电压生成电路20e可以将电荷再次存储在作为存储电容器发挥作用的光电转换元件2b1中。再次存储的电荷根据由光电转换元件2b1产生的电荷而减少，能够读出图像数据100。
41.图8是另一实施方式所涉及的x射线检测器1a的框图。图9是用于例示x射线入射判定电路21f的电路图。如图8所示，在x射线检测器1a中可以设置x射线检测模块10和电路基板21。电路基
板21中可以设置有栅极驱动电路20a、信号检测电路20b、存储器20c、图像构成电路20d、电压生成电路21e、x射线入射判定电路21f和控制器20g。
42.如图8所示，电压生成电路21e包括产生第1偏置电压vb1的电路21e1和产生第2偏置电压vb2的电路21e2。另外,对于生成第2偏置电压vb2的电路21e2，将供给电源线的阻抗设为数十kω水平的非常大的值是很重要的。生成第1偏置电压vb1的电路21e1可以经由x射线入射判定电路21f的开关21f1电连接到偏置线vbias。生成第1偏置电压vb1的电路21e1将第1偏置电压vb1施加到偏置线vbias。第1偏置电压vb1可以设为拍摄x射线图像时使用的偏置电压。例如，生成第1偏置电压vb1的电路21e1也可以设为上述的电压生成电路20e。
43.生成第2偏置电压vb2的电路21e2可以经由x射线入射判定电路21f的开关21f2电连接到偏置线vbias。生成第2偏置电压vb2的电路21e2将与第1偏置电压vb1不同的第2偏置电压vb2施加到偏置线vbias。第2偏置电压vb2可以设为检测x射线的入射开始时使用的偏置电压。例如，生成第2偏置电压vb2的电路21e2的电位可以低于生成第1偏置电压vb1的电路21e1的电位(第2偏置电压vb2低于第1偏置电压vb1)。例如，生成第2偏置电压vb2的电路21e2的电位取决于电源内部的阻抗，但设定为生成比第1偏置电压vb1的电路21e1的电位的约1.5倍要低。
44.该情况下，生成第1偏置电压vb1的电路21e1和生成第2偏置电压vb2的电路21e2可以一体化。例如，可以使用电阻等将来自生成第1偏置电压vb1的电路21e1的第1偏置电压vb1设为第2偏置电压vb2。该情况下，电阻等是生成第2偏置电压vb2的电路21e2。
45.此外，如图9所示，能够设置电压生成电路21e4，该电压生成电路21e4具有生成第1偏置电压vb1的电路21e1、生成第2偏置电压vb2的电路21e2和生成施加到比较器21f4的阈值电压vsh的电路21e3。另外，生成第1偏置电压vb1的电路21e1、生成第2偏置电压vb2的电路21e2和生成阈值电压vsh的电路21e3可以单独地设置，也可以例如将它们作为集成电路一体化。集成电路的详细情况将在后文中阐述。
46.x射线入射判定电路21f可以具有开关21f1、开关21f2、电容器21f3和比较器21f4。开关21f1和开关21f2可以基于来自控制器20g的信号执行导通/截止动作。即，控制器20g可以控制开关21f1和开关21f2。因此，生成第1偏置电压vb1的电路21e1和生成第2偏置电压vb2的电路21e2在所决定的定时，能够将电荷存储在作为存储电容器发挥作用的光电转换元件2b1和电容器21f3中。
47.电容器21f3可以电连接到偏置线vbias。电容器21f3可以设置为用于在检测x射线的入射开始时捕捉微小的电流变化作为电压。电容器21f3能短时间保持第1偏置电压vb1或第2偏置电压vb2。根据光电转换元件2b1的容量，可以省略电容器21f3，但如果设置了电容器21f3，则容易高精度地检测x射线的入射开始。
48.第2偏置电压vb2经由电阻21f5被施加到电容器21f3(比较器21f4)。比较器21f4可以电连接到电容器21f3。比较器21f4能够比较电容器21f3中的电压与阈值电压vsh。
49.这里，在基板上，若将分立半导体装置等元件组合起来，例如构成上述的生成第1偏置电压vb1的电路21e1、生成第2偏置电压vb2的电路21e2和生成阈值电压vsh的电路
21e3，则由于各个元器件的特性的偏差和温度变动等，有时会发生电压变动。此外，虽然需要用于将各个元器件电连接的布线图案，但是由于布线图案具有阻抗，因此根据其他电路或周围环境，感应噪声可能变大。
50.因此，优选至少将生成第1偏置电压vb1的电路21e1和生成第2偏置电压vb2的电路21e2作为集成电路一体化。此外，更优选地将生成第1偏置电压vb1的电路21e1、生成第2偏置电压vb2的电路21e2和生成阈值电压vsh的电路21e3作为集成电路一体化。例如，如图9所示，若将生成第1偏置电压vb1的电路21e1、生成第2偏置电压vb2的电路21e2和生成阈值电压vsh的电路21e3作为集成电路121一体化，则可以抑制各个元器件的特性的偏差，并且可以在集成电路121内完成布线。因此，可以抑制电压变动和感应噪声。此外，电阻常数等参数也能精确微调。此外，若设为集成电路121，则由于在同一封装内设置各电路，所以能够抑制在各电路的每一个中的温度变动的不同。因此，可以使特性均匀。
51.此外，如图9所示，第2偏置电压vb2经由电阻21f5被施加到比较器21f4。电阻21f5与比较器21f4串联连接，因此产生与流过的电流成比例的电压。由于x射线入射开始的判定使用电连接到电阻21f5的电容器21f3中的电压，所以当电阻21f5的电阻值r_vi波动时，电容器21f3中的电压波动，x射线的入射开始的判定精度可能会降低。此外，比较器21f4的特性也在输入电流出现差异时发生变化。因此，如果电阻21f5的电阻值、比较器21f4的输入电流值等大致恒定，则可以提高x射线入射开始的判定精度。
52.该情况下，若将产生第1偏置电压vb1的电路、产生第2偏置电压vb2的电路、以及产生阈值电压vsh的电路21e3设为集成电路121，则电阻21f5和比较器21f4设置在集成电路121中。如果能在集成电路121中设置电阻21f5时微调，则可以进一步提高x射线入射开始的判定精度。此外，由于在集成电路121中设置比较器21f4时能够精密地控制比较器21f4的特性，因此能够进一步提高x射线入射开始的判定精度。
53.图10是用于例示x射线的入射开始的判定的序列图。图11是用于例示待机状态的序列图。首先，作为存储电容器发挥作用的光电转换元件2b1的偏置电压vbias成为用于检测x射线入射的第2偏置电压vb2。例如，当开关21f2处于导通状态时，将生成第2偏置电压vb2的电路21e2电连接到偏置线vbias。此外，当开关21f1处于截止状态时，将生成第1偏置电压的电路21e1从偏置线vbias切断。生成第2偏置电压vb2的电路21e2可以给电容器21f3充电。当电容器21f3的充电完成时，使开关21f2处于截止状态。因此，开关21f2处于导通状态是短时间的。
54.由于漏电流ir通过光电转换元件2b1自身或薄膜晶体管2b2流过光电转换元件2b1，因此存储在电容器21f3中的电荷逐渐放电，电位上升。因此，在待机时(等待x射线入射的期间)，如图11所示，控制器20g使开关21f1处于截止状态，并且周期性地重复开关21f2的导通状态和截止状态。通过周期性地重复开关21f2的导通状态和截止状态，反复进行电容器21f3的再充电。该情况下，能够设定使开关21f2处于导通状态的周期，使得电容器23f3的电压不会因在待机时(在光电流ix不流动时)漏电流ir引起的电压上升而超过比较用的阈值电压vsh。另外，漏电流ir根据光电转换元件2b1或薄膜晶体管2b2而不同。因此，可以根据
漏电流ir的值来改变开关21f2处于导通状态的周期。这样一来，即使漏电流ir的值对每个阵列基板2不同，也能够进行对应。
55.如图10所示，在待机状态下，当x射线入射时，由于光电流ix流经光电转换元件2b1，电容器21f3急速放电。因此，由于电位急剧上升，电容器21f3中的电压超过比较用的阈值电压vsh，所以比较器21f4的输出v_det为导通。其结果是，可以检测x射线的入射开始。阈值电压vsh虽然由光电流引起的电压上升与由流经薄膜晶体管2b2的漏电流ir引起的电压上升的比率决定，但在图10所示的示例中，生成第2偏置电压vb2的电路21e2的电位被设定为比生成第1偏置电压的电路21e1的电位的1.5倍要低，如图10中的“b部”所示，如果将阈值电压vsh设定为与由漏电流ir引起的电压上升值相比具有两倍的电位差，则不检测到漏电流ir，并且可以通过由光电流引起的电压的急剧变化，精确地检测x射线的入射开始。
56.如上所述，在待机时，不需要使信号检测电路20b(ad转换器20bc)和图像构成电路20d动作，因此能够使这些电源处于截止状态。因此，可以抑制检测x射线入射时的功耗。
57.图12是用于例示x射线图像的拍摄的序列图。如图12所示，在检测到x射线的入射的情况下，将作为存储电容器起作用的光电转换元件2b1的偏置电压vbias切换为拍摄x射线图像时使用的第1偏置电压vb1。例如，由于使开关21f1处于导通状态，因此生成第1偏置电压的电路21e1电连接到偏置线vbias。此外，使开关21f2处于截止状态，生成第2偏置电压vb2的电路21e2从偏置线vbias切断。之后，与上述的x射线检测器1的情况相同，能够进行图像数据100的获取和x射线图像的构成。
58.这里，由于电容器21f3中的电压极小，有可能产生由噪声引起的错误检测。因此，x射线入射判定电路21f还可以将所构成的x射线图像与比较图像进行比较。比较图像例如可以是没有x射线入射时的图像。比较图像例如可以存储在存储器20c中。
59.图13是在所拍摄的x射线图像和比较图像之间存在差异时的序列图。如果所拍摄的x射线图像与比较图像之间存在差异，则可以确认x射线是否入射。该情况下，如图13所示，保持x射线图像的拍摄时使用的第1偏置电压vb1，继续进行x射线图像的拍摄动作。例如，x射线入射判定电路21f进一步比较所拍摄的x射线图像和比较图像，如果在x射线图像和比较图像之间存在规定的差异，则开关21f1处于导通状态，并且开关21f2处于截止状态。
60.图14是在所拍摄的x射线图像和比较图像之间没有差异时的序列图。如果所拍摄的x射线图像与比较图像之间没有差异，则没有x射线入射，可以判定是误检测。该情况下，如图14所示，可以切换到检测x射线入射时使用的第2偏置电压vb2，从而进行上述检测操作。即，判定为误检测的情况下，可以迅速返回到待机状态。例如，x射线入射判定电路21f进一步比较所拍摄的x射线图像和比较图像，如果在x射线图像和比较图像之间没有规定的差异，则开关21f1处于截止状态，并且周期性地重复开关21f2的导通状态和截止状态。
61.以上，对本发明的几个实施方式进行了例示，但这些实施方式只是作为示例而呈现，而并非要对发明的范围进行限定。这些新的实施方式可以通过其他各种方式来实施，在不脱离发明要旨的范围内，可进行各种省略、置换、变更等。这些实施方式及其变形均包含在发明范围和要旨中，并且也包含在权利要求书的范围所记载的发明及其等同范围内。此
外，上述各实施方式能相互组合地进行实施。标号说明
62.1 x射线检测器1a x射线检测器2 阵列基板2b 光电转换部2b1 光电转换元件2b2 薄膜晶体管3 闪烁体10 x射线检测模块20 电路基板20a 栅极驱动电路20b 信号检测电路20c 存储器20d 图像构成电路20e 电压生成电路20f x射线入射判定电路20g 控制器21 电路基板21e1 生成第1偏置电压的电路21e2 生成第2偏置电压的电路21e3 生成阈值电压的电路21e4 电压生成电路21f x射线入射判定电路21f1 开关21f2 开关21f3 电容器21f4 比较器100 图像数据