抛光组合物及其使用方法与流程

技术特征：
1.一种抛光组合物，其包含：磨料；ph调整剂；阻挡层移除速率增强剂；低k移除速率抑制剂；含唑腐蚀抑制剂；以及硬掩膜移除速率增强剂。2.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述磨料选自于由氧化铝；二氧化硅；二氧化钛；氧化铈；氧化锆；氧化铝、二氧化硅、二氧化钛、氧化铈、或氧化锆的共形成产物；涂布磨料；表面修饰磨料；以及其混合物所组成的组。3.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述磨料的含量为所述组合物的约0.1重量％至约50重量％。4.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述阻挡层移除速率增强剂选自于由葡萄糖酸、乳酸、柠檬酸、酒石酸、苹果酸、羟基乙酸、丙二酸、甲酸、乙二酸、乙酸、丙酸、过乙酸、琥珀酸、乳酸、乙酸钾、柠檬酸钾、氨基乙酸、苯氧基乙酸、二甘氨酸、二甘醇酸、甘油酸、甲基甘氨酸、丙氨酸、组氨酸、缬氨酸、苯丙氨酸、脯氨酸、谷氨酰胺、天冬氨酸、谷氨酸、精氨酸、赖氨酸、酪氨酸、苯甲酸、其盐、及其混合物所组成的组的有机酸或其盐。5.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述阻挡层移除速率增强剂的含量为所述组合物的约0.002重量％至约4重量％。6.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述低k移除速率抑制剂为非离子型表面活性剂。7.如权利要求6所述的抛光组合物，其中，所述非离子型表面活性剂选自于由烷氧化醇、烷氧化烷基酚、烷氧化三苯乙烯基酚、烷氧化山梨醇酯、聚烷氧化物、聚氧化亚烯嵌段共聚物、四羟基寡聚物、烷氧化二胺、及其混合物所组成的组。8.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述低k移除速率抑制剂的含量为所述组合物的约0.0005重量％至约5重量％。9.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述含唑腐蚀抑制剂选自于由三唑、1,2,4-三唑、四唑、苯并三唑、甲苯基三唑、乙基苯并三唑、丙基苯并三唑、丁基苯并三唑、戊基苯并三唑、己基苯并三唑、二甲基苯并三唑、氯苯并三唑、二氯苯并三唑、氯甲基苯并三唑、氯乙基苯并三唑、苯基苯并三唑、苄基苯并三唑、氨基三唑、氨基苯并咪唑、吡唑、咪唑、氨基四唑、及其混合物所组成的组。10.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述含唑腐蚀抑制剂的含量为所述组合物的约0.0001重量％至约1重量％。11.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述ph调整剂选自于由氢氧化铵、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铯、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、四丁基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、乙基三甲基氢氧化铵、二乙基二甲基氢氧化铵、二甲基二丙基氢氧化铵、苄基三甲基氢氧化铵、三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵、氢氧化胆碱、及其任意组合所组成的组。12.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述ph调整剂的含量为所述组合物的约
0.01重量％至约10重量％。13.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述硬掩膜移除速率增强剂选自于由六氰合铁(ii)酸钾、六氰合铁(iii)酸钾、硫酸铁(iii)铵、硝酸铁、乙二胺四乙酸铁(iii)钠盐、溴化铁(ii)、溴化铁(iii)、氯化铁(ii)、氯化铁(iii)、柠檬酸铁(iii)、氟化铁(ii)、氟化铁(iii)、草酸铁(ii)、过氯酸铁(ii)、磷酸铁(iii)、硫酸铁(ii)、硫氰化钾、硫脲、四氟硅酸钾、六氟磷酸钾、四氟硼酸钾、氢氟酸、氟盐、氯酸、氯盐、及其混合物所组成的组。14.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述硬掩膜移除速率增强剂的含量为所述组合物的约0.0001重量％至约5重量％。15.如权利要求1所述的抛光组合物，其进一步包含：螯合剂，其选自于由乙二胺四乙酸、亚胺二乙酸、n-羟乙基-乙二胺三乙酸、氮基三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、羟乙基乙二胺三乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、环己二胺四乙酸、氮基三甲基膦酸、乙二胺四(亚甲基膦酸)、1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、及其组合所组成的组。16.如权利要求15所述的抛光组合物，其中，所述螯合剂的含量为所述组合物的约0.001重量％至约1重量％。17.如权利要求1所述的抛光组合物，其进一步包含氧化剂，其选自于由过氧化氢、原高碘酸、偏高碘酸、二中高碘酸、二原高碘酸、高碘酸铵、高碘酸钾、高碘酸钠、过硫酸铵、碘酸、碘酸盐、过氯酸、过氯酸盐、羟胺、羟胺盐、及其任意组合所组成的组。18.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述组合物包含：含量为所述组合物的约0.1重量％至约50重量％的所述磨料；含量为所述组合物的约0.01重量％至约10重量％的所述ph调整剂；含量为所述组合物的约0.002重量％至约4重量％的所述阻挡层移除速率增强剂；含量为所述组合物的约0.0005重量％至约5重量％的所述低k移除速率抑制剂；含量为所述组合物的约0.0001重量％至约1重量％的所述含唑腐蚀抑制剂；以及含量为所述组合物的约0.0001重量％至约5重量％的所述硬掩膜移除速率增强剂。19.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述组合物的ph为约7至约14。20.一种抛光组合物，其包含：磨料；ph调整剂；有机酸或其盐；非离子型表面活性剂；含唑腐蚀抑制剂；以及含铁盐。21.一种抛光基材的方法，其包含下述步骤：施加如权利要求1所述的抛光组合物至基材的表面，其中所述表面包含钌或硬掩膜材料；以及使衬垫与所述基材的表面接触，并相对于所述基材移动所述衬垫。

技术总结
一种抛光组合物，包括磨料；pH调整剂；阻挡层移除速率增强剂；低k移除速率抑制剂；含唑腐蚀抑制剂；以及硬掩膜移除速率增强剂。一种抛光基材的方法，包括以下步骤：施加本文所述的抛光组合物至基材的表面，其中该表面包含钌或硬掩膜材料；使衬垫与该基材的表面接触，并相对于该基材移动该衬垫。对于该基材移动该衬垫。


技术研发人员：黄亭凯 林大为 胡斌 温立清 梁燕南
受保护的技术使用者：富士胶片电子材料美国有限公司
技术研发日：2021.02.08
技术公布日：2022/8/26