从SOI结构移除氧化物膜的方法及制备SOI结构的方法与流程

技术特征：
1.一种用于从绝缘层上硅结构移除氧化物膜的方法，其包括：提供绝缘层上硅结构，所述绝缘层上硅结构具有把手结构、硅顶层，及经安置于所述把手结构与所述硅层之间的电介质层，所述绝缘层上硅结构具有在所述绝缘层上硅结构的顶面上的氧化物膜，所述绝缘层上硅结构具有从所述绝缘层上硅结构的中心延伸到周向边缘的半径r；将蚀刻溶液引导到所述绝缘层上硅结构的所述顶面的中心区域，同时自旋所述绝缘层上硅结构；及将蚀刻溶液引导到所述绝缘层上硅结构的所述顶面的边缘区域，同时自旋所述绝缘层上硅结构，所述边缘区域从中心区域向外径向地安置。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述中心区域从所述绝缘层上硅结构的所述中心延伸到0.1*r。3.根据权利要求1所述的方法，其中将蚀刻溶液引导到所述绝缘层上硅结构的所述顶面的中心区域包括将所述蚀刻溶液引导到所述绝缘层上硅结构的所述中心。4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中所述边缘区域从与所述绝缘层上硅结构的所述中心相距0.66*r的距离处开始且延伸到所述绝缘层上硅结构的所述周向边缘。5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中所述边缘区域从与所述绝缘层上硅结构的所述中心相距0.80*r的距离处开始且延伸到所述绝缘层上硅结构的所述周向边缘。6.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中所述边缘区域从与所述绝缘层上硅结构的所述中心相距0.85*r的距离处开始且延伸到所述绝缘层上硅结构的所述周向边缘。7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，所述蚀刻溶液包括氢氟酸及乙酸，其中所述蚀刻溶液中的氟化氢酸(基于49％基础)与乙酸(冰)的比率小于1:1、小于3:2、小于2:1、小于3:1或6:1，或更小。8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其中当将所述蚀刻溶液从所述中心区域重新引导到所述边缘区域时，停止蚀刻溶液的流动。9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的方法，其中以600ml/min或更小的速率将所述蚀刻溶液引导到所述绝缘层上硅结构的所述顶面的所述中心区域。10.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的方法，其中以600ml/min或更小的速率将所述蚀刻溶液引导到所述绝缘层上硅结构的所述顶面的所述边缘区域。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述蚀刻溶液包括氢氟酸及乙酸，其中所述蚀刻溶液中的氟化氢酸(基于49％基础)与乙酸(冰)的比率小于1:1、小于3:2、小于2:1、小于3:1或6:1，或更小。12.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的方法，其中以600ml/min或更小的速率将所述蚀刻溶液引导到所述绝缘层上硅结构的所述顶面的所述中心区域，且以600ml/min或更小的速率将所述蚀刻溶液引导到所述绝缘层上硅结构的所述顶面的所述边缘区域。13.根据权利要求1到12中任一权利要求所述的方法，其中将所述蚀刻溶液引导到所述绝缘层上硅结构的所述顶面的所述中心区域，持续0.5秒到10秒。
14.根据权利要求1到12中任一权利要求所述的方法，其中将所述蚀刻溶液引导到所述绝缘层上硅结构的所述顶面的所述边缘区域，持续10秒到20分钟。15.根据权利要求1到14中任一权利要求所述的方法，其中经引导到所述中心区域的所述蚀刻溶液具有与经引导到所述边缘区域的所述蚀刻溶液相同的浓度。16.根据权利要求1到14中任一权利要求所述的方法，其中经引导到所述中心区域的所述蚀刻溶液具有不同于经引导到所述边缘区域的所述蚀刻溶液的浓度。17.根据权利要求1到16中任一权利要求所述的方法，其中经引导到所述中心区域的所述蚀刻溶液及经引导到所述边缘区域的所述蚀刻溶液各自包括氟化氢及乙酸。18.根据权利要求1到17中任一权利要求所述的方法，其包括移动转臂，通过所述转臂将所述蚀刻溶液排出以将蚀刻溶液从所述中心区域重新引导到所述边缘区域。19.一种用于制备绝缘层上硅结构的方法，所述绝缘层上硅结构包括硅顶层、把手结构，及经安置于所述硅顶层与把手结构之间的电介质层，方法包括：将离子植入到施体结构中以形成所述施体结构中的裂解平面；提供把手结构；在接合之前，将电介质层形成于所述施体结构及把手结构中的至少一者上；将所述施体结构接合到所述把手结构以形成接合晶片结构，其包括所述施体结构、把手结构，及经安置于所述把手结构与所述施体结构之间的电介质层；在所述裂解平面处裂解所述接合晶片结构，使得所述施体结构的一部分保持结合到所述把手结构作为硅顶层，所述裂解形成包括所述把手结构、硅顶层，及经安置于所述把手层与硅顶层之间的电介质层的绝缘层上硅结构；退火所述绝缘层上硅结构，氧化物在所述退火期间形成于所述绝缘层上硅结构的至少顶面上；将所述绝缘层上硅结构的所述顶面的中心区域与蚀刻溶液接触，同时自旋所述绝缘层上硅结构；及将所述绝缘层上硅结构的所述顶面的边缘区域与所述蚀刻溶液接触，同时自旋所述绝缘层上硅结构；及在接触所述绝缘层上硅结构的所述顶面的所述中心区域及所述边缘区域之后，将外延硅层沉积于所述硅顶层上。20.根据权利要求19所述的方法，其包括在接合之前，在所述把手结构上形成电介质层。21.根据权利要求19或权利要求20所述的方法，其中所述中心区域从所述绝缘层上硅结构的所述中心延伸到0.1*r。22.根据权利要求19或权利要求20所述的方法，其中将蚀刻溶液引导到所述绝缘层上硅结构的所述顶面的中心区域包括将所述蚀刻溶液引导到所述绝缘层上硅结构的所述中心。23.根据权利要求19到22中任一权利要求所述的方法，其中所述边缘区域从与所述绝缘层上硅结构的所述中心相距0.66*r的距离处开始且延伸到所述绝缘层上硅结构的所述周向边缘。23.根据权利要求19到22中任一权利要求所述的方法，其中所述边缘区域从与所述绝
缘层上硅结构的所述中心相距0.80*r的距离处开始且延伸到所述绝缘层上硅结构的所述周向边缘。24.根据权利要求19到22中任一权利要求所述的方法，其中所述边缘区域从与所述绝缘层上硅结构的所述中心相距0.85*r的距离处开始且延伸到所述绝缘层上硅结构的所述周向边缘。25.根据权利要求19到24中任一权利要求所述的方法，所述蚀刻溶液包括氢氟酸及乙酸，其中所述蚀刻溶液中的氟化氢酸(基于49％基础)与乙酸(冰)的比率小于1:1、小于3:2、小于2:1、小于3:1或6:1，或更小。26.根据权利要求19到25中任一权利要求所述的方法，其中当将所述蚀刻溶液从所述中心区域重新引导到所述边缘区域时，停止蚀刻溶液的流动。

技术总结
本发明公开从绝缘层上硅结构移除氧化物膜的方法。可在沉积外延硅增厚层之前，从SOI结构剥离所述氧化物。可通过朝向所述SOI结构的中心区域施配蚀刻溶液且向所述结构的边缘区域施配蚀刻溶液来移除所述氧化物膜。域施配蚀刻溶液来移除所述氧化物膜。域施配蚀刻溶液来移除所述氧化物膜。


技术研发人员：C
受保护的技术使用者：环球晶圆股份有限公司
技术研发日：2020.11.30
技术公布日：2022/8/26