一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

具有高透明度和高击穿电压的钝化透明压电器件的制作方法

2022-08-21 20:43:37 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.压电器件(2),包括:-透明衬底(4);-透明衬底(4)上的透明压电层(8);-透明压电层(8)上的叉指电极(12)的透明导电层(10);其特征在于,所述压电器件(2)还包括:-直接布置在透明压电层(8)上的透明介电层(16),该透明介电层(16)与叉指电极(12)接触,并且具有大于3兆伏/米的介电强度;并且:透明介电层(16)在400纳米至700纳米波长范围内的折射率低于透明压电层(8)在所述波长范围内的折射率;和/或透明介电层(16)覆盖叉指电极(12)的透明导电层(10),并且其在400纳米至700纳米波长范围内的折射率低于叉指电极(12)的透明导电层(10)在所述波长范围内的折射率。2.如权利要求1所述的压电器件(2),其中所述叉指电极(12)的每个电极(12)包括与所述叉指电极(12)的另一个电极的对应部分(14)相邻的部分(14),以在所述部分(14)和对应部分(14)之间形成间隙,所述透明介电层(16)在所述叉指电极之间延伸并桥接所述叉指电极。3.如权利要求1和2之一所述的压电器件(2),其中所述透明介电层(16)在叉指电极(12)之间表现出的平均厚度是所述叉指电极(12)的平均厚度的至少80%。4.如权利要求1至3中任一项所述的压电器件(2),其中所述叉指电极(12)的透明导电层(10)在所述波长范围内的折射率低于所述透明压电层(8)在所述波长范围内的折射率。5.如权利要求1至4中任一项所述的压电器件(2),其中所述透明介电层(16)的厚度小于5微米和/或大于0.2微米,优选等于1微米。6.如权利要求1至5中任一项所述的压电器件(2),其中所述透明介电层(16)是由选自双酚a酚醛环氧树脂、二氧化硅、氮化硅、sio
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、氧化铝、二氧化铪、二氧化锆的材料组成的。7.如权利要求1至6中任一项所述的压电器件(2),其中所述叉指电极(12)的透明层(10)包括两组共面的叉指电极,每组叉指电极是一个电极,每个电极具有多个叉指形的指。8.如权利要求1至7中任一项所述的压电器件(2),其中所述压电器件还包括垫(18),每个垫(18)连接至叉指电极(12)的透明层(10)的电极(12),所述垫(18)没有透明介电层(16)。9.如权利要求1至8中任一项所述的压电器件(2),其中所述叉指电极(12)的透明层(10)是由导电透明氧化物组成的。10.如权利要求9所述的压电器件(2),其中所述导电透明氧化物是氧化铟锡(ito)、或氧化氟锡(fto)、或掺铝氧化锌(azo)、或氧化镓铟锡(gito)、或氧化锌铟锡(zito)、或氧化镓铟(gio),或氧化锌铟(zio)。11.如权利要求1至11中任一项所述的压电器件(2),其中所述透明阻挡层施加在所述透明衬底与所述透明压电层之间,所述透明阻挡层(6)是由氧化镁;二氧化钛;二氧化铪;二氧化锆组成的。12.如权利要求1至11中任一项所述的压电器件(2),其中所述透明压电层(8)是由pb(zr,ti)o3(pzt)、(k,na)nbo3、(ba,cr)(zr,ti)o3、(bi
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3-batio3、氮化铝、掺钪氮化铝、bifeo3、掺镧bifeo3、掺锰bifeo3、或它们的任何组合制成的。
13.如权利要求1至12中任一项所述的压电器件(2),其中所述透明压电层(8)具有代表透明衬底(4)的表面的100%的表面。14.制造透明压电器件(2)的方法,包括以下步骤:-提供透明衬底(4);-在透明衬底(4)上沉积透明压电层(8);-在透明压电层(8)上沉积叉指电极(12)的透明层(10),其特征在于,所述方法还包括在叉指电极(12)之间直接在透明压电层(8)上沉积具有高于3兆伏/毫米的介电强度的透明介电层(16)并使该透明介电层(16)与叉指电极(12)接触的步骤;并且其中:透明介电层(16)在400纳米至700纳米波长范围内的折射率低于透明压电层(8)在所述波长范围内的折射率;和/或透明介电层(16)覆盖叉指电极(12)的透明导电层(10),并且其在400纳米至700纳米波长范围内的折射率低于叉指电极(12)的透明导电层(10)在所述波长范围内的折射率。15.根据权利要求14所述的方法,其中所述压电器件(2)是如权利要求1至13中任一项所述的压电器件。16.如权利要求14和15中任一项所述的方法,其中所述在透明压电层(8)上在叉指电极(12)之间沉积透明介电层(16)的步骤是通过旋涂进行的。17.如权利要求14至16中任一项所述的方法,其中所述方法还包括在沉积透明介电层(16)的步骤之后通过光刻对透明介电层(16)图案化的步骤。

技术总结
本发明涉及一种压电器件(2),该压电器件(2)包括透明衬底(4);衬底(4)上的透明阻挡层(6);透明阻挡层(6)上的透明压电层(8);透明压电层(8)上的叉指电极(12)的透明层(10);其中所述压电器件(2)还包括至少布置在叉指电极(12)的透明层(10)的相继的指之间的压电层部分上的透明介电层(16),所述透明介电层(16)的折射率低于叉指电极(12)的透明层(10)的折射率,并且其介电强度高于3兆伏/米。并且其介电强度高于3兆伏/米。并且其介电强度高于3兆伏/米。


技术研发人员:E.德费 S.吉罗德 S.格林塞克 A.马朱布
受保护的技术使用者:卢森堡科学技术研究院
技术研发日:2021.01.22
技术公布日:2022/8/19
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