阻隔膜、以及使用了该阻隔膜的波长转换片、背光源和液晶显示装置的制作方法

技术特征：
1.一种波长转换片用的阻隔膜，其在透光性基材上依次具有无机氧化物层a、有机被覆层b、无机氧化物层c和有机被覆层d，将所述透光性基材、所述无机氧化物层a、所述有机被覆层b、所述无机氧化物层c和所述有机被覆层d的折射率分别定义为n0、n
a
、n
b
、n
c
和n
d
，将所述透光性基材、所述无机氧化物层a、所述有机被覆层b、所述无机氧化物层c和所述有机被覆层d的厚度分别定义为t0、t
a
、t
b
、t
c
和t
d
时，n
a
和n
c
大于n
b
和n
d
，并且，所述无机氧化物层a与所述有机被覆层b的界面的反射率大于所述透光性基材与所述无机氧化物层a的界面的反射率，进而，下述式1所示的d1表示x
±
0.10的范围，其中，x为2～13的整数，(式1)d1＝n
b
×
t
b
/112.5nm n
d
×
t
d
/112.5nm。2.如权利要求1所述的阻隔膜，其中，上述式1所示的d1表示x
±
0.10的范围，其中，x为3～13的奇数的整数。3.如权利要求1所述的阻隔膜，其中，上述式1所示的d1表示x～x 0.10的范围，其中，x为3～13的奇数的整数。4.如权利要求1所述的阻隔膜，其中，在所述有机被覆层d的与所述无机氧化物层c相反一侧具有底涂层e，将所述底涂层e的折射率定义为n
e
、将所述底涂层e的厚度定义为t
e
时，下述式2所示的d2表示y
±
0.10的范围，其中，y为4～27的整数，(式2)d2＝n
b
×
t
b
/112.5nm n
d
×
t
d
/112.5nm n
e
×
t
e
/112.5nm。5.如权利要求4所述的阻隔膜，其中，上述式2所示的d2表示y
±
0.10的范围，其中，y为5～27的奇数的整数。6.如权利要求4所述的阻隔膜，其中，上述式2所示的d2表示y～y 0.10的范围，其中，y为5～27的奇数的整数。7.如权利要求4～6中任一项所述的阻隔膜，其中，n
e
/n
d
为0.95以上1.05以下。8.如权利要求4～7中任一项所述的阻隔膜，其中，t
e
为70nm以上1000nm以下。9.如权利要求1～8中任一项所述的阻隔膜，其中，t
a
和t
c
分别为6nm以上25nm以下。10.如权利要求1～9中任一项所述的阻隔膜，其中，t
b
和t
d
分别为70nm以上480nm以下。11.如权利要求1～10中任一项所述的阻隔膜，其中，t0为5μm以上。12.如权利要求1～11中任一项所述的阻隔膜，其中，所述无机氧化物层a和所述无机氧化物层c包含氧化铝。13.如权利要求1～12中任一项所述的阻隔膜，其中，所述有机被覆层b和所述有机被覆层d包含聚乙烯醇。14.一种波长转换片，其为具有包含量子点的量子点含有层和层积在所述量子点含有层的两侧的阻隔膜的波长转换片，其中，按照作为所述阻隔膜的权利要求1～13中任一项所述的阻隔膜的与透光性基材相反一侧的面朝向所述量子点含有层侧的方式进行了层积。15.如权利要求14所述的波长转换片，其中，所述阻隔膜为权利要求1～3中任一项所述
的阻隔膜，所述阻隔膜的与所述量子点含有层相接的层为所述有机被覆层d，将所述量子点含有层的折射率定义为n
z
时，满足下述(i-1)，(i-1)n
d
>n
z
，并且，上述式1所示的d1表示x
±
0.10的范围，其中，x为3～13的奇数的整数。16.如权利要求14所述的波长转换片，其中，所述阻隔膜为权利要求4～8中任一项所述的阻隔膜，所述阻隔膜的与所述量子点含有层相接的层为所述底涂层e，将所述量子点含有层的折射率定义为n
z
时，满足下述(ii-1)，(ii-1)n
e
>n
z
，并且，上述式2所示的d2表示y
±
0.10的范围，其中，y为5～27的奇数的整数。17.一种背光源，其中，背光源具备放出一次光的至少1个光源、与所述光源相邻配置的用于导光或漫射的光学板、和配置于所述光学板的光出射侧的波长转换片，该背光源中，所述波长转换片为权利要求14～16中任一项所述的波长转换片。18.一种液晶显示装置，其为具备背光源和液晶面板的液晶显示装置，其中，所述背光源为权利要求17所述的背光源。

技术总结
提供一种阻隔膜，其在适用于波长转换片时能够抑制色调的变化。一种波长转换片用的阻隔膜，其在透光性基材上依次具有无机氧化物层A、有机被覆层B、无机氧化物层C和有机被覆层D，将上述无机氧化物层A、上述有机被覆层B、上述无机氧化物层C和上述有机被覆层D的折射率分别定义为n


技术研发人员：中岛达司 原田龙太郎 坂本武士 田村修一 春木晓人 山西祥多 安井凉马
受保护的技术使用者：大日本印刷株式会社
技术研发日：2021.08.03
技术公布日：2022/8/19