腔室清洗方法与流程

技术特征：
1.一种腔室清洗方法，其中一薄膜沉积于所述腔室中，所述方法包含：以在所述腔室中电浆化的一第一气体执行所述腔室的主要清洗；以及将在所述腔室外电浆化的一第二气体提供至所述腔室内以活化电浆化的所述第一气体，从而执行所述腔室的次要清洗，其中，所述第二气体包含不与所述第一气体反应的一气体。2.如请求项1所述的腔室清洗方法，其中，所述腔室的所述主要清洗是通过在所述腔室内产生直接电浆来执行，且所述腔室的所述次要清洗是通过将远距电浆提供至所述腔室内来执行。3.如请求项1所述的腔室清洗方法，其中，所述第一气体包含一氯成分，且所述第二气体包含氮气、氩气、氦气及氧气中至少一者。4.如请求项1所述的腔室清洗方法，其中，用于注入所述第一气体的一气体注入单元系安装于所述腔室内，且所述腔室的所述主要清洗及所述次要清洗是通过将所述气体注入单元的一温度控制至摄氏两百度以上来执行。5.如请求项4所述的腔室清洗方法，其中，所述腔室的所述主要清洗包含：在所述腔室内将一第一成分气体及一第二成分气体彼此分离以提供分离的所述第一成分气体及所述第二成分气体；在所述腔室内将所述第一成分气体及所述第二成分气体电浆化以进行反应，从而产生电浆化的所述第一气体；以及在所述腔室内以电浆化的所述第一气体主要地去除多个副产物。6.如请求项5所述的腔室清洗方法，其中，在电浆化的所述第一气体的产生中，所述第一成分气体在所述气体注入单元外电浆化，且所述第二成分气体在所述气体注入单元内电浆化。7.如请求项6所述的腔室清洗方法，其中，电浆化的所述第一成分气体及所述第二成分气体在所述气体注入单元外彼此反应。8.如请求项3所述的腔室清洗方法，更包含在所述腔室的所述次要清洗之后，去除残留在所述腔室的所述氯成分。9.如请求项1所述的腔室清洗方法，其中，所述薄膜及在所述腔室内的多个副产物包含金属氧化物。

技术总结
本公开是关于一种腔室清洗方法，特别是关于一种能够清洗在基板上沉积薄膜的步骤中受污染的腔室的清洗方法。根据一实施例的腔室清洗方法，其中一薄膜沉积于该腔室中，该方法包含：以在该腔室中电浆化的一第一气体主要地清洗该腔室，以及将在该腔室外电浆化的一第二气体提供至该腔室内以活化电浆化的该第一气体，从而次要地清洗该腔室。该第二气体包含不与该第一气体反应的气体。第一气体反应的气体。第一气体反应的气体。


技术研发人员：曹源泰
受保护的技术使用者：周星工程股份有限公司
技术研发日：2021.01.08
技术公布日：2022/8/19