一种SO-8封装场效应管通用反偏老炼板的制作方法

一种so-8封装场效应管通用反偏老炼板
技术领域
1.本技术涉及可靠性筛选测试技术领域，尤其涉及一种so-8封装场效应管通用反偏老炼板。


背景技术：

2.老炼试验能够缩短器件早期失效的时间，充分暴露器件绝大部分的失效机理，是提高器件使用可靠性的有效措施。so-8封装场效应管具体可分为四类，如图1所示，分别为：单pmos型、单nmos型、双pmos型和双nmos型。在对so-8封装场效应管进行老炼试验时，需要进行高温栅偏和高温源偏两种反偏试验。再结合上述的四类so-8封装场效应管，可以看出为了能够满足针对so-8封装场效应管的老炼试验，需要准备八种对应的老炼板，八种老炼板的电路原理图如图2和图3所示。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术的目的在于提出一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的so-8封装效应管通用反偏老炼板。
4.基于上述目的，本技术提供了so-8封装场效应管通用反偏老炼板，包括：老炼母板和多个老炼子板；所述老炼母板被配置为与试验电源电性连接，所述老炼母板设置有器件插座、连接卡槽、保险管和栅极电阻；所述器件插座被配置为安装所述so-8封装场效应管；所述连接卡槽设置有包括与所述器件插座电性连接的第一卡槽引线至第八卡槽引线，所述第一卡槽引线至所述第八卡槽引线被配置为分别与所述so-8封装场效应管的第一引脚至第八引脚电性连接；所述连接卡槽还设置有与所述栅极电阻和所述试验电源串联的第九卡槽引线、与所述保险管和所述试验电源串联的第十卡槽引线，以及被配置为接地端的第十一卡槽引线；每个所述老炼子板上设置有连接关系电路，所述老炼子板能安装于所述连接卡槽，以使所述连接关系电路与所述第一卡槽引线至所述第十一卡槽引线电性连接，形成对应的试验电路。
5.可选的，多个所述老炼子板包括：单nmos栅偏试验子板，被配置为使所述第一卡槽引线、所述第二卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第四卡槽引线和所述第九卡槽引线串联连接，使所述第十卡槽引线形成断路；单pmos栅偏试验子板，被配置为使所述第一卡槽引线、所述第二卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第九卡槽引线串联连接，使所述第四卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第十卡槽引线形成断路。
6.可选的，多个所述老炼子板包括：双nmos栅偏试验子板，被配置为使所述第一卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第二卡槽引线、所述第四卡槽引线和所述第九卡槽引线串联连接，使所述第十卡槽引线形成断路；双pmos栅偏试验子板，被配
置为使所述第一卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第九卡槽引线串联连接，使所述第二卡槽引线、所述第四卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第十卡槽引线形成断路。
7.可选的，多个所述老炼子板包括：nmos源偏试验子板，被配置为使所述第一卡槽引线、所述第二卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第四卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第十卡槽引线串联连接，使所述第九卡槽引线形成断路；pmos源偏试验子板，被配置为使所述第一卡槽引线、所述第二卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第四卡槽引线和所述第十卡槽引线串联连接，使所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第九卡槽引线形成断路。
8.可选的，所述老炼母板设置有多个并联连接的所述器件插座，每个所述器件插座对应有一个所述连接卡槽。
9.可选的，多个所述器件插座沿第一方向排列，所述第一方向与散热风向垂直。
10.可选的，所述老炼母板还设置有与所述试验电源串联连接的负载电阻，所述负载电阻立式安装于所述老炼母板。
11.可选的，所述器件插座采用抱式簧片夹持固定所述so-8封装场效应管的引脚。
12.可选的，所述栅极电阻的额定电阻为11kω至13kω。
13.可选的，所述保险管的额定电压为250v，额定电流为0.1a可选的。
14.从上面所述可以看出，本技术提供的so-8封装场效应管通用反偏老炼板，在老炼母板上设置so-8封装场效应管反偏试验能够用到的所有器件，再通过可拆装更换的老炼子板使器件之间连接组成所需试验电路。此结构使得老炼母板能够用于对所有类型的so-8封装场效应管进行反偏试验，而具体的是对哪类so-8封装场效应管进行哪种试验，则是通过更换与老炼母板插接的老炼子板实现。由于老板子板上只是设置连接关系电路，并不包含器件，因此制造成本相对较低。此外，当需要对同一so-8封装场效应管先进行栅偏试验，再进行源偏试验时，在栅偏试验完成后直接更换源偏试验需要的老炼子板即可，省去重新拆装so-8封装场效应管的过程，减少了试验工作量，有助于提供试验效率，缩短试验时间。
附图说明
15.为了更清楚地说明本技术或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1为so-8封装场效应管的结构示意图；
17.图2为so-8封装场效应管栅偏试验的电路原理示意图；
18.图3为so-8封装场效应管源偏试验的电路原理示意图；
19.图4为本技术实施例的so-8封装场效应管通用反偏老炼板的老炼母板的在安装so-8封装场效应管后的电路示意图；
20.图5为本技术实施例的so-8封装场效应管通用反偏老炼板的一种老炼子板的电路示意图；
21.图6为图5中的老炼子板与老炼母板连接后组成的试验电路示意图；
22.图7至图11为本技术实施例的so-8封装场效应管通用反偏老炼板的另外的老炼子板的电路示意图；
23.图12为本技术实施例的so-8封装场效应管通用反偏老炼板的老炼母板的设计示意图。
具体实施方式
24.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本技术进一步详细说明。
25.应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。
26.同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。
27.以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，绝不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。
28.需要说明的是，除非另外定义，本技术实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
29.如背景技术部分所述，为了能够满足针对so-8封装场效应管的老炼试验，需要准备八种对应的老炼板，制造成本较高。同时，申请人通过研究发现，在四类so-8封装场效应管中，有些种类的使用频率较高，而有些的使用频率则较低，这就导致即使投入大量成本设计制造了上述八种老炼板，有一些老炼板会长时间处于闲置状态，较为浪费。
30.此外，对于同一批次购进或生产的so-8封装场效应管，最好能在同样的试验条件下进行老炼试验，这就要求在同一老炼板上最好能够实现对数量较多且不同类型的so-8封装场效应管同时进行反偏试验。
31.有鉴于此，如图4至图11所示，本技术实施例提供了一种so-8封装场效应管通用反偏老炼板，包括：老炼母板和多个老炼子板；老炼母板，被配置为与试验电源vcc电性连接，老炼母板设置有器件插座、连接卡槽、保险管和栅极电阻；器件插座，被配置为安装so-8封装场效应管；连接卡槽，设置有包括与器件插座电性连接的第一卡槽引线至第八卡槽引线，第一卡槽引线至第八卡槽引线被配置为分别与so-8封装场效应管的第一引脚至第八引脚电性连接；连接卡槽还设置有与栅极电阻和试验电源vcc串联的第九卡槽引线、与保险管和试验电源vcc串联的第十卡槽引线，以及被配置为接地端的第十一卡槽引线；每个老炼子板上设置有连接关系电路，老炼子板能安装于连接卡槽，以使连接关系电路与第一卡槽引线至第十一卡槽引线电性连接，形成对应的试验电路。
32.需要说明的是，图4和图6中的老炼母板仅作为示例，用以展示说明本实施例的老炼板的其中一个试验电路中各个器件的连接关系，并不代表本实施例的老炼板的实际电路布局。
33.可选的，栅极电阻的一端与连接卡槽电性连接，另一端和保险管并联后再与试验电源vcc电性连接。
34.试验电路中的栅极电阻能够限制试验电流，保证试验电路更加稳定可靠。
35.试验电路中的保险管能够在试验漏电流变大时通过熔断的方式保护试验电路中的其他电器件。
36.可选的，器件插座焊接于老炼母板，并通过引线实现与连接卡槽的电性连接。
37.可选的，第十一卡槽引线与老炼母板上金手指的gnd端连接形成接地端。
38.试验前，先按照老炼母板标识的极性方向将待测试的so-8封装场效应管安装于器件插座，以使so-8封装场效应管的第一引脚与第一卡槽引线电性连接、第二引脚与第二卡槽引线电性连接
……
以此类推。之后，依照已安装的so-8封装场效应管的类别(如单pmos型、单nmos型、双pmos型或双nmos型)以及试验方式(栅偏试验或源偏试验)进行综合考虑，选择合适的老炼子板，将其插入连接卡槽。第一卡槽引线至第十一卡槽引线与老炼子板上的连接关系电路电性连接，形成能够对待测so-8封装场效应管进行预设反偏试验的试验电路。
39.换句话说，连接卡槽上的第一卡槽引线至第十一卡槽引线所连接的器件是固定的，上述器件为对so-8封装场效应管进行源偏试验和栅偏试验所用到的所有器件。而老炼子板在安装于连接卡槽时，连接关系电路完成对上述器件的选择，以及将选中的器件进行规律连接，进而形成完整的试验电路。
40.本实施例提供的so-8封装场效应管通用反偏老炼板，在老炼母板上设置so-8封装场效应管反偏试验能够用到的所有器件，再通过可拆装更换的老炼子板使器件之间连接组成所需试验电路。此结构使得老炼母板能够用于对所有类型的so-8封装场效应管进行反偏试验，而具体的是对哪类so-8封装场效应管进行哪种试验，则是通过更换与老炼母板插接的老炼子板实现。由于老板子板上只是设置连接关系电路，并不包含器件，因此制造成本相对较低。此外，当需要对同一so-8封装场效应管先进行栅偏试验，再进行源偏试验时，在栅偏试验完成后直接更换源偏试验需要的老炼子板即可，省去重新拆装so-8封装场效应管的过程，减少了试验工作量，有助于提供试验效率，缩短试验时间。
41.如图5、图7至图11所示，一些实施例中，多个老炼子板包括：
42.单nmos栅偏试验子板，被配置为使第一卡槽引线、第二卡槽引线、第三卡槽引线、第五卡槽引线、第六卡槽引线、第七卡槽引线、第八卡槽引线和第十一卡槽引线串联连接，使第四卡槽引线和第九卡槽引线串联连接，使第十卡槽引线形成断路，如图5。安装于老炼母板时，用于对单nmos类型的so-8封装场效应管进行栅偏试验，所形成的试验电路如图6所示(其他反偏试验电路可由老炼母板电路图结合相应的老炼子板电路图得到，说明书附图中不再一一展示)。
43.单pmos栅偏试验子板，被配置为使第一卡槽引线、第二卡槽引线、第三卡槽引线、第五卡槽引线、第六卡槽引线、第七卡槽引线、第八卡槽引线和第九卡槽引线串联连接，使第四卡槽引线和第十一卡槽引线串联连接，使第十卡槽引线形成断路，如图7。安装于老炼
母板时，用于对单pmos类型的so-8封装场效应管进行栅偏试验。
44.双nmos栅偏试验子板，被配置为使第一卡槽引线、第三卡槽引线、第五卡槽引线、第六卡槽引线、第七卡槽引线、第八卡槽引线和第十一卡槽引线串联连接，使第二卡槽引线、第四卡槽引线和第九卡槽引线串联连接，使第十卡槽引线形成断路，如图8。安装于老炼母板时，用于对双nmos类型的so-8封装场效应管进行栅偏试验。
45.双pmos栅偏试验子板，被配置为使第一卡槽引线、第三卡槽引线、第五卡槽引线、第六卡槽引线、第七卡槽引线、第八卡槽引线和第九卡槽引线串联连接，使第二卡槽引线、第四卡槽引线和第十一卡槽引线串联连接，使第十卡槽引线形成断路，如图9。安装于老炼母板时，用于对双pmos类型的so-8封装场效应管进行栅偏试验。
46.nmos源偏试验子板，被配置为使第一卡槽引线、第二卡槽引线、第三卡槽引线、第四卡槽引线和第十一卡槽引线串联连接，使第五卡槽引线、第六卡槽引线、第七卡槽引线、第八卡槽引线和第十卡槽引线串联连接，使第九卡槽引线形成断路，如图10。安装于老炼母板时，用于对单nmos类型或双nmos的so-8封装场效应管进行源偏试验。
47.pmos源偏试验子板，被配置为使第一卡槽引线、第二卡槽引线、第三卡槽引线、第四卡槽引线和第十卡槽引线串联连接，使第五卡槽引线、第六卡槽引线、第七卡槽引线、第八卡槽引线和第十一卡槽引线串联连接，使第九卡槽引线形成断路，如图11。安装于老炼母板时，用于对单pmos类型或双pmos的so-8封装场效应管进行源偏试验。
48.如图12所示，一些实施例中，老炼母板设置有多个并联连接的器件插座，每个器件插座对应有一个连接卡槽。
49.可选的，老炼母板上设有80个器件插座，即本实施例的老炼板可同时进行1至80之间任意数量的so-8封装场效应管的反偏试验。一方面能够提高试验效率，缩短整体的试验周期。另一方面能够实现在相同条件下，对较大批量的相同或不同的so-8封装场效应管进行反偏试验。
50.如图12所示，一些实施例中，多个器件插座沿第一方向排列，第一方向与散热风向垂直。
51.在本实施例的老炼板进行反偏试验时，由于每一个试验电路上包含的器件都是一组发热源。器件插座沿垂直于散热风向的方向排布，能够有效增大试验电路中各个器件的散热面积(即与散热风接触的面积)，有利于提高本实施例的老炼板整体的散热效果。
52.一些实施例中，老炼母板还设置有与试验电源vcc串联连接的负载电阻，负载电阻立式安装于老炼母板。
53.负载电阻立式安装，能够减小其在老炼母板上所占用的面积，有助于增大各个试验电路之间的间距，使散热风能够更顺畅的在老炼母板上流动，提高散热性能。
54.一些实施例中，器件插座采用抱式簧片夹持固定so-8封装场效应管的引脚。
55.采用抱式簧片夹持so-8封装场效应管引脚的方式，能够增加导热接触面积。同时，还可以增加焊盘、引线的宽度和厚度实现散热面积的增加。
56.一些实施例中，栅极电阻的额定电阻为11kω至13kω。
57.可选的，栅极电阻的额定电阻为12kω
±
5％。
58.一些实施例中，保险管的额定电压为250v，额定电流为0.1a。
59.需要说明的是，上述对本技术的一些实施例进行了描述。其它实施例在所附权利
要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于上述实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是有利的。
60.本技术中各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似的部分相互参见即可。
61.本技术的描述是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本技术限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显然的。选择和描述实施例是为了更好说明本技术的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本技术从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
62.所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本技术的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本技术的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本技术实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
63.尽管已经结合了本技术的具体实施例对本技术进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。
64.本技术实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本技术实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。