磁场增强装置的制作方法

1.本技术涉及磁共振成像技术领域，特别是涉及一种磁场增强装置。


背景技术：

2.mri(magnetic resonance imaging，核磁共振成像技术)为非介入探测方式，是医药、生物、神经科学领域的一项重要的基础诊断技术。传统mri设备传输的信号强度主要取决于静磁场b0的强度，采用高磁场甚至超高磁场系统可以提高图像的信噪比、分辨率和缩短扫描时间。但是，静磁场强度的增加会带来如下三个问题：1)射频(rf)场非均匀性增大，调谐难度增加；2)人体组织产热增加，带来安全隐患，患者还容易出现眩晕和呕吐等不良反应：3)购置成本大幅度增加，对大多数小规模医院来说是一种负担。因此，如何采用尽量小的静磁场强度同时能够获得高的成像质量成为mri技术中一个至关重要的问题。
3.超构材料的出现为mri成像质量和效率的提高，提供了一种新颖的更有效的方法。超构材料具有许多天然材料所不具备的特殊性质。通过电磁波与超构材料的金属或电介质基元间的相互作用及基元间的耦合效应，可以实现对电磁波传播路径与电磁场场强分布的控制。其中，具体工作原理是利用超构材料形成的结构中的电磁谐振，实现呈各向异性和梯度分布等电磁参数的调节。并且，通过对超构材料的几何尺寸、形状和介电常数等参数的设计，能够实现对不同频点的谐振增强。
4.传统的磁场增强组件包括电介质板和分别位于电介质板正面和背面的第一电极和第二电极。第二电极在电介质板上的正投影位于第一电极在电介质板上正投影的两端，以构成平行板电容器。
5.传统的磁场增强组件的结构中形成的平行板电容器均位于条形电极形成的传输线上，使得多个传统磁场增强组件连接形成的结构，等效成电路之后为多个平行板电容器并联关系。多个传统磁场增强组件连接形成的结构的等效电容，接近于多个平行板电容器的电容相加。由于电容与频率成反比，在高场或者超高场mri系统(3t及其以上)时，频率增大，多个传统磁场增强组件连接形成的结构的等效电容变小。等效电容变小，需要多个平行板电容器的电容也相应地变小。由于多个传统磁场增强组件连接形成的结构的等效电容，接近于多个平行板电容器的电容相加，导致多个平行板电容器的电容需要很小的电容值。
6.因此，多个平行板电容器的电容值过小，会使得多个传统磁场增强组件连接形成的结构的谐振频率波动较大，导致谐振频率的稳定性变差。


技术实现要素：

7.基于此，针对上述问题，有必要提供一种磁场增强装置。
8.本技术提供一种磁场增强装置。所述磁场增强装置包括多个磁场增强组件。每个所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层以及第三电极层。所述第一电介质层具有相对设置的第一端与第二端。所述第一电介质层还具有一个第一表面，由所述第一端到所述第二端延伸。
9.由所述第一端到所述第二端方向上，所述第一表面包括第一电容区、传导区和第二电容区。所述传导区位于所述第一电容区和所述第二电容区之间。所述第一电容区靠近所述第一端。所述第二电容区靠近所述第二端。
10.所述第一电极层设置于所述第一表面。所述第一电极层由所述第一端延伸至所述第二端。所述第一电极层的两端分别向所述第一电容区和所述第二电容区延伸。所述第二电极层设置于所述第一表面。所述第二电极层位于所述第一电容区。所述第二电极层与所述第一电极层位于所述第一电容区的部分间隔设置。
11.所述第三电极层设置于所述第一表面。所述第三电极层位于所述第二电容区。所述第三电极层与所述第一电极层位于所述第二电容区的部分间隔设置。
12.每个所述磁场增强组件由所述第一端至所述第二端延伸。所述多个磁场增强组件间隔设置，并包围形成一个磁场增强空间。所述磁场增强空间用于放置被测部位，进而对所述被测部位的磁场增强。
13.所述磁场增强装置还包括多个第一谐振电容。所述多个第一谐振电容靠近所述第一端设置。一个所述第一谐振电容与一个所述磁场增强组件对应设置。每个所述第一谐振电容的一端与所述第二电极层电连接。每个所述第一谐振电容的另一端与所述第一电极层位于所述第一电容区的部分电连接。相邻两个所述磁场增强组件的所述第二电极层与所述第一电极层位于所述第一电容区的部分连接。也就是，相邻两个所述磁场增强组件中，一个所述磁场增强组件的所述第二电极层与另一个所述磁场增强组件的所述第一电极层位于所述第一电容区的部分连接。在所述第一端一侧，所述多个磁场增强组件通过每个所述磁场增强组件中的所述第二电极层和所述第一电极层位于所述第一电容区的部分连接。
14.当所述磁场增强装置设置于磁场环境时，会产生感应电流。在所述第一端一侧，感应电流会依次经过所述第二电极层、所述第一谐振电容的两端、所述第一电极层位于所述第一电容区的部分、相邻所述磁场增强组件的所述第二电极层、所述第一谐振电容的两端、所述第一电极层位于所述第一电容区的部分等。当等效成电路图时，所述多个第一谐振电容逐个依次串联连接。
15.所述磁场增强装置还包括多个第二谐振电容。所述多个第二谐振电容靠近所述第二端设置。一个所述第二谐振电容与一个所述磁场增强组件对应设置。每个所述第二谐振电容的一端与所述第三电极层电连接，每个所述第二谐振电容的另一端与所述第一电极层位于所述第二电容区的部分电连接。相邻两个所述磁场增强组件的所述第三电极层与所述第一电极层位于所述第二电容区的部分连接。也就是，相邻两个所述磁场增强组件中，一个所述磁场增强组件的所述第三电极层与另一个所述磁场增强组件的所述第一电极层位于所述第二电容区的部分连接。在所述第二端一侧，所述多个磁场增强组件通过每个所述磁场增强组件中的所述第三电极层和所述第一电极层位于所述第二电容区的部分连接。
16.当所述磁场增强装置设置于磁场环境时，会产生感应电流。在所述第二端一侧，感应电流会依次经过所述第三电极层、所述第二谐振电容的两端、所述第一电极层位于所述第二电容区的部分、相邻所述磁场增强组件的所述第三电极层、所述第二谐振电容的两端、所述第一电极层位于所述第二电容区的部分等。当等效成电路图时，所述多个第二谐振电容逐个依次串联连接。
17.所述第一电极层、所述第二电极层以及所述第三电极层都设置于所述第一表面。
所述第一电极层、所述第二电极层以及所述第三电极层设置在了同一表面，彼此之间没有形成平行板电容器。所述第一电极层、所述第二电极层以及所述第三电极层都间隔设置，彼此之间没有连接。在所述第一电容区中，所述第二电极层与所述第一电极层间隔设置于同一表面。所述第一谐振电容的两端分别与所述第二电极层和所述第一电极层电连接。在所述第二电容区中，所述第二谐振电容的两端分别与所述第三电极层和所述第一电极层电连接。
18.当所述多个磁场增强组件连接，并放入磁场环境中时，所述多个第一谐振电容逐个依次串联连接。所述多个第二谐振电容逐个依次串联连接。当高场或者超高场mri系统(3t及其以上)的工作频率和所述磁场增强装置的谐振频率相同时，所述磁场增强装置可以对磁场增强。
19.由于电容与频率成反比，在高场或者超高场mri系统(3t及其以上)时，频率较大，多个传统磁场增强组件连接形成的结构的等效电容需要偏小。然而，所述多个第一谐振电容串联连接会使得所述多个第一谐振电容形成的等效电容变小。所述多个第二谐振电容串联连接会使得所述多个第二谐振电容形成的等效电容变小。当将所述磁场增强装置的谐振频率中的电容值分配给所述多个第一谐振电容和所述多个第二谐振电容时，所述多个第一谐振电容和所述多个第二谐振电容的电容值可以采用大电容值，避免了采用过小电容值的电容器。采用大电容值的电容器使得所述磁场增强装置形成的结构的谐振频率波动较小，提高了谐振频率的稳定性，更加适合用于高场mri。
附图说明
20.为了更清楚地说明本技术实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1为本技术提供的图一个实施例中磁场增强组件的爆炸结构示意图；
22.图2为本技术提供的一个实施例中磁场增强装置的结构示意图；
23.图3为本技术提供的一个实施例中磁场增强组件的俯视图；
24.图4为本技术提供的一个实施例中磁场增强装置的等效电路图；
25.图5为本技术提供的一个实施例中磁场增强组件的俯视图；
26.图6为本技术提供的一个实施例中磁场增强装置的结构示意图；
27.图7为本技术提供的一个实施例中磁场增强组件的俯视图；
28.图8为本技术提供的一个实施例中磁场增强组件的俯视图；
29.图9为本技术提供的一个实施例中磁场增强组件的俯视图；
30.图10为本技术提供的一个实施例中磁场增强装置的结构示意图；
31.图11为本技术提供的一个实施例中磁场增强装置的结构示意图；
32.图12为本技术提供的图11中磁场增强组件、第三导电结构、第四导电结构、第一谐振电容以及第二谐振电容的连接结构示意图；
33.图13为本技术提供的一个实施例中磁场增强组件的俯视图；
34.图14为本技术提供的一个实施例中磁场增强组件的侧视图；
35.图15为本技术提供的一个实施例中磁场增强组件的第一端的侧视图；
36.图16为本技术提供的一个实施例中磁场增强组件的第二端的侧视图；
37.图17为本技术提供的一个实施例中磁场增强组件的侧视图；
38.图18为本技术提供的一个实施例中磁场增强装置的结构示意图；
39.图19为本技术提供的一个实施例中磁场增强装置的结构示意图；
40.图20为本技术提供的一个实施例中磁场增强装置与传统结构的谐振频率的对比图；
41.图21为本技术提供的一个实施例中磁场增强装置的磁场分布。
42.附图标记说明：
43.磁场增强装置20、磁场增强组件10、第一电介质层100、第一电极层110、第二电极层 120、第三电极层130、第一端103、第二端104、第一表面101、第二表面102、第一电容区 11、传导区13、第二电容区12、磁场增强空间105、第一谐振电容911、第二谐振电容921、第一导电结构519、第二导电结构529、第五二极管461、第六二极管462、第五外接电容445、第一耗尽型mos管231、第二耗尽型mos管232、第三导电结构539、第四导电结构549、第一电感241、第三二极管213、第四二极管214、筒形支撑结构50、第三端51、第四端53、内表面521、外表面522、检测空间509、第四电极层140、第一结构电容151、第二结构电容152、第一外接电容440、第一二极管431、第二二极管432。
具体实施方式
44.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本技术的公开内容更加透彻全面。
45.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。
46.可以理解，本技术所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本技术的范围的情况下，可以将第一电阻称为第二电阻，且类似地，可将第二电阻称为第一电阻。第一电阻和第二电阻两者都是电阻，但其不是同一电阻。
47.可以理解，以下实施例中的“连接”，如果被连接的电路、模块、单元等相互之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
48.在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
49.请参见图1，本技术提供一种磁场增强装置20。所述磁场增强装置20包括多个磁场增强组件10。每个所述磁场增强组件10包括第一电介质层100、第一电极层110、第二电极层120 以及第三电极层130。所述第一电介质层100具有相对设置的第一端103与第二端104。
所述第一电介质层100还具有一个第一表面101，由所述第一端103到所述第二端104延伸。
50.由所述第一端103到所述第二端104方向上，所述第一表面101包括第一电容区11、传导区13和第二电容区12。所述传导区13位于所述第一电容区11和所述第二电容区12之间。所述第一电容区11靠近所述第一端103。所述第二电容区12靠近所述第二端104。
51.所述第一电极层110设置于所述第一表面101。所述第一电极层110由所述第一端103 延伸至所述第二端104。所述第一电极层110的两端分别向所述第一电容区11和所述第二电容区12延伸。所述第二电极层120设置于所述第一表面101。所述第二电极层120位于所述第一电容区11。所述第二电极层120与所述第一电极层110位于所述第一电容区11的部分间隔设置。
52.所述第三电极层130设置于所述第一表面101。所述第三电极层130位于所述第二电容区12。所述第三电极层130与所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分间隔设置。
53.请参见图2，每个所述磁场增强组件10由所述第一端103至所述第二端104延伸。所述多个磁场增强组件10间隔设置，并包围形成一个磁场增强空间105。所述磁场增强空间105 用于放置被测部位，进而对所述被测部位的磁场进行增强。
54.请参见图3，所述磁场增强装置20还包括多个第一谐振电容911。所述多个第一谐振电容911靠近所述第一端103设置。一个所述第一谐振电容911与一个所述磁场增强组件10对应设置。每个所述第一谐振电容911的一端与所述第二电极层120电连接。每个所述第一谐振电容911的另一端与所述第一电极层110位于所述第一电容区11的部分电连接。相邻两个所述磁场增强组件10的所述第二电极层120与所述第一电极层110位于所述第一电容区11 的部分连接。也就是，相邻两个所述磁场增强组件10中，一个所述磁场增强组件10的所述第二电极层120与另一个所述磁场增强组件10的所述第一电极层110位于所述第一电容区 11的部分连接。在所述第一端103一侧，所述多个磁场增强组件10通过每个所述磁场增强组件10中的所述第二电极层120和所述第一电极层110位于所述第一电容区11的部分连接。
55.当所述磁场增强装置20设置于磁场环境时，会产生感应电流。在所述第一端103一侧，感应电流会依次经过所述第二电极层120、所述第一谐振电容911的两端、所述第一电极层 110位于所述第一电容区11的部分、相邻所述磁场增强组件10的所述第二电极层120、所述第一谐振电容911的两端、所述第一电极层110位于所述第一电容区11的部分等。请参见图 4，当等效成电路图时，所述多个第一谐振电容911逐个依次串联连接。
56.所述磁场增强装置20还包括多个第二谐振电容921。所述多个第二谐振电容921靠近所述第二端104设置。一个所述第二谐振电容921与一个所述磁场增强组件10对应设置。每个所述第二谐振电容921的一端与所述第三电极层130电连接，每个所述第二谐振电容921的另一端与所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分电连接。相邻两个所述磁场增强组件10的所述第三电极层130与所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分连接。也就是，相邻两个所述磁场增强组件10中，一个所述磁场增强组件10的所述第三电极层130 与另一个所述磁场增强组件10的所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分连接。在所述第二端104一侧，所述多个磁场增强组件10通过每个所述磁场增强组件10中的所述第三电极层130和所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分连接。
57.当所述磁场增强装置20设置于磁场环境时，会产生感应电流。在所述第二端104一侧，感应电流会依次经过所述第三电极层130、所述第二谐振电容921的两端、所述第一电极层 110位于所述第二电容区12的部分、相邻所述磁场增强组件10的所述第三电极层130、所述第二谐振电容921的两端、所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分等。请参见图 4，当等效成电路图时，所述多个第二谐振电容921逐个依次串联连接。
58.所述第一电极层110、所述第二电极层120以及所述第三电极层130都设置于所述第一表面101。所述第一电极层110、所述第二电极层120以及所述第三电极层130设置在了同一表面，彼此之间没有形成平行板电容器。所述第一电极层110、所述第二电极层120以及所述第三电极层130都间隔设置，彼此之间没有连接。在所述第一电容区11中，所述第二电极层120与所述第一电极层110间隔设置于同一表面。所述第一谐振电容911的两端分别与所述第二电极层120和所述第一电极层110电连接。在所述第二电容区12中，所述第二谐振电容921的两端分别与所述第三电极层130和所述第一电极层110电连接。
59.当所述多个磁场增强组件10连接，并放入磁场环境中时，所述多个第一谐振电容911逐个依次串联连接。所述多个第二谐振电容921逐个依次串联连接。当高场或者超高场mri系统(3t及其以上)的工作频率和所述磁场增强装置20的谐振频率相同时，所述磁场增强装置20可以对磁场进行增强。
60.由于电容与频率成反比，在高场或者超高场mri系统(3t及其以上)时，频率较大，会使得多个传统磁场增强组件连接形成的结构的等效电容需要偏小。然而，所述多个第一谐振电容911串联连接会使得所述多个第一谐振电容911形成的等效电容变小。所述多个第二谐振电容921串联连接会使得所述多个第二谐振电容921形成的等效电容变小。当将所述磁场增强装置20的谐振频率中的电容值分配给所述多个第一谐振电容911和所述多个第二谐振电容921时，所述多个第一谐振电容911和所述多个第二谐振电容921的电容值可以采用大电容值，避免了采用过小电容值的电容器。采用大电容值的电容器使得所述磁场增强装置20 的谐振频率波动较小，提高了谐振频率的稳定性，更加适合用于高场mri。
61.所述磁场增强装置20为高频mri图像增强超构表面器件。所述高频mri图像增强超构表面器件使得高频工作下的超构表面具有较大的电容值，避免了采用过小电容值的电容。所述高频mri图像增强超构表面器件，避免了采用过小电容值的电容，增加了所述高频mri 图像增强超构表面器件在高频工作条件下的可调性和谐振频率稳定性。
62.所述高频mri图像增强超构表面器件，采用大电容值的电容使得所述高频mri图像增强超构表面器件的谐振频率波动较小。所述高频mri图像增强超构表面器件，采用大电容值的电容，提高了所述高频mri图像增强超构表面器件的谐振频率的稳定性，更加适合用于高场mri。
63.在一个实施例中，所述第一电极层110、所述第二电极层120以及所述第三电极层130 的材料可以为铜、银、金等无磁性金属。所述第一电介质层100的材料可以为耐燃材料等级为fr4的材料、聚亚苯基氧化物(ppe)等耐高温的热塑性树脂或者rogers 4003c材料等。
64.在一个实施例中，所述第一电极层110、所述第二电极层120以及所述第三电极层130 的材料相同，均为铜箔。
65.请参见图5，在一个实施例中，在所述第一电容区11中，所述第一谐振电容911设置
于所述第一表面101。在所述第二电容区12中，所述第二谐振电容921设置于所述第一表面101。
66.在所述第一电容区11中，所述第二电极层120与所述第一电极层110间隔设置。所述第二电极层120与所述第一电极层110的相对端口会形成一个第一空隙，并露出所述第一表面101。所述第一谐振电容911设置于第一空隙中的所述第一表面101。在所述第二电容区12 中，所述第三电极130与所述第一电极层110间隔设置。所述第三电极130与所述第一电极层110的相对端口会形成一个第二空隙，并露出所述第一表面101。所述第二谐振电容921 设置于第二空隙中的所述第一表面101。
67.所述第一谐振电容911设置于第一空隙中的所述第一表面101，所述第一谐振电容911 的两端可以采用较少的引线与所述第二电极层120和所述第一电极层110电连接。所述第二谐振电容921设置于第二空隙中的所述第一表面101，所述第二谐振电容921的两端可以采用较少的引线与所述第三电极130和所述第一电极层110电连接。由于连接电容的引线较少，可以避免引线引入过多的电感，对所述磁场增强装置20的谐振频率造成影响，使得所述磁场增强装置20的谐振频率波动较小，提高了谐振频率的稳定性，更加适合用于高场mri。
68.在一个实施例中，位于所述第三电容区13中的所述第一电极层110形成的磁场为所述磁场增强装置20的主要磁场。位于所述第三电容区13中的所述第一电极层110包围形成的空间为主要的磁场增强空间。所述第一谐振电容911与所述第二谐振电容921关于所述第三电容区13中的所述第一电极层110对称。所述第一谐振电容911与所述第二谐振电容921分别对称设置于所述第一端103和所述第二端104，使得所述磁场增强装置20形成的磁场更加均匀对称，更有利于对所述检测部位检测，提高mri设备的图像质量。所述第一谐振电容911 与所述第二谐振电容921分别对称设置于所述第一端103和所述第二端104，使得所述第一谐振电容911与所述第二谐振电容921远离所述磁场增强空间105，可以避免电容产生的电场对检测部位造成伤害。
69.请参见图6，在一个实施例中，所述磁场增强装置20还包括多个第一导电结构519和多个第二导电结构529。所述多个第一导电结构519靠近所述第一端103设置。每个所述第一导电结构519设置于相邻两个所述磁场增强组件10之间。每个所述第一导电结构519的两端分别与相邻两个所述磁场增强组件10的所述第二电极层120和所述第一电极层110位于所述第一电容区11的部分连接。也就是，一个所述第一导电结构519的一端与一个所述磁场增强组件10的所述第二电极层120连接。一个所述第一导电结构519的另一端与相邻所述磁场增强组件10的所述第一电极层110位于所述第一电容区11的部分连接。
70.在所述第一端103一侧，通过所述多个第一导电结构519将所述多个磁场增强组件10依次连接。感应电流会依次经过所述第二电极层120、所述第一谐振电容911的两端、所述第一电极层110位于所述第一电容区11的部分、所述第一导电结构519、相邻所述磁场增强组件10的所述第二电极层120、所述第一谐振电容911的两端、所述第一电极层110位于所述第一电容区11的部分、所述第一导电结构519等。当等效成电路图时，通过所述多个第一导电结构519将所述多个第一谐振电容911逐个依次串联连接。
71.所述多个第二导电结构529靠近所述第二端104设置。每个所述第二导电结构529设置于相邻两个所述磁场增强组件10之间。每个所述第二导电结构529的两端分别与相邻
两个所述磁场增强组件10的所述第三电极层130和所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分连接。也就是，一个所述第二导电结构529的一端与一个所述磁场增强组件10的所述第三电极层130连接。一个所述第一导电结构519的另一端与相邻所述磁场增强组件10的所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分连接。
72.在所述第二端104一侧，通过所述多个第二导电结构529将所述多个磁场增强组件10依次连接。感应电流会依次经过所述第三电极层130、所述第二谐振电容921的两端、所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分、所述第二导电结构529相邻所述磁场增强组件 10的所述第三电极层130、所述第二谐振电容921的两端、所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分、所述第二导电结构529等。当等效成电路图时，通过多个第二导电结构 529将所述多个第二谐振电容921逐个依次串联连接。
73.在一个实施例中，所述第一导电结构519和所述第二导电结构529具有导电功能。所述第一导电结构519和所述第二导电结构529的材料可以为金、银、铜等金属材料制成。
74.请参见图7，在一个实施例中，所述磁场增强装置20还包括第五二极管461、第六二极管462以及第五外接电容445。所述第五二极管461的阳极与所述第二电极层120电连接。所述第六二极管462的阴极与所述第二电极层120电连接。所述第五外接电容445的一端与位于所述第一电容区11的所述第一电极层110电连接，所述第五外接电容445的另一端分别与所述第五二极管461的阴极和所述第六二极管462的阳极电连接。
75.在mri系统中，以在射频接收阶段增强人体反馈信号的磁场强度。在mri系统的射频发射阶段，发射阶段的磁场能量是接收阶段的磁场能量的1000倍以上。发射阶段感应电压在几十伏到几百伏之间。接收阶段感应电压小于1v。
76.所述第五二极管461和所述第六二极管462反向并联连接。在射频发射阶段，射频线圈发射射频发射信号，磁场的场强较大。所述磁场增强组件10产生的感应电压较大。加载在所述第五二极管461和所述第六二极管462两端的电压正反交替。加载的电压超过所述第五二极管461和所述第六二极管462的开启电压，所述第五二极管461和所述第六二极管462导通。所述第五外接电容445与所述第一谐振电容911并联，发生并联谐振，使得所在电路处于高阻状态。射频信号发射阶段，相邻两个所述磁场增强组件10之间几乎没有电流流通。所述第一谐振电容911分别与相邻两个所述磁场增强组件10断开连接，没有电流通过，处于失谐状态。所述磁场增强装置20产生的磁场减弱，进而减小所述磁场增强装置20对射频信号发射阶段磁场的影响，从而减小检测图像的伪影，提高检测图像的清晰度。
77.在射频接收阶段，检测部位发射反馈信号，磁场的场强较小。所述磁场增强组件10产生的感应电压较小。加载的电压不能达到所述第五二极管461和所述第六二极管462的开启电压，所述第五二极管461和所述第六二极管462不导通。所述第一谐振电容911分别与相邻两个所述磁场增强组件10电连接，有电流通过。所述磁场增强装置20处于谐振状态，起到增强磁场的作用。
78.在一个实施例中，所述磁场增强装置20还包括第六外接电容4451、第一外接二极管4611 以及第二外接二极管4622。所述第六外接电容4451、所述第一外接二极管4611以及所述第二外接二极管4622分别和所述第二谐振电容921的连接关系，与所述第五二极管461、所述第六二极管462以及所述第五外接电容445分别和所述第一谐振电容911的连接关系相同，工作原理也相同，可参见上述实施例中的描述。
79.射频信号发射阶段，所述第二谐振电容921分别与相邻两个所述磁场增强组件10断开连接，没有电流通过，处于失谐状态。所述磁场增强装置20产生的磁场减弱，进而减小所述磁场增强装置20对射频信号发射阶段磁场的影响，从而减小检测图像的伪影，提高检测图像的清晰度。在射频接收阶段，所述第二谐振电容921分别与相邻两个所述磁场增强组件10电连接，有电流通过。所述磁场增强装置20处于谐振状态，起到增强磁场的作用。
80.请参见图8，在一个实施例中，所述磁场增强装置20还包括第一耗尽型mos管231与第二耗尽型mos管232。所述第一耗尽型mos管231的源极与位于所述第一电容区11的所述第一电极层110电连接，所述第一耗尽型mos管231的栅极和漏极电连接。所述第二耗尽型mos管232的栅极和漏极电连接。所述第二耗尽型mos管232的栅极和漏极与所述第一耗尽型mos管231的栅极和漏极电连接。所述第一谐振电容911的一端与所述第二耗尽型 mos管232的源极电连接。所述第一谐振电容911的另一端与所述第二电极层120电连接。
81.所述第一耗尽型mos管231与所述第二耗尽型mos管232反向串联连接，能够控制所述第一电极层110与所述第二电极层120在射频发射阶段断开，且在射频接收阶段连接。通过所述第一耗尽型mos管231与所述第二耗尽型mos管232反向串联连接，可以适应于 mri设备中的交流环境。所述第一耗尽型mos管231与所述第二耗尽型mos管232反向串联连接，能够确保在射频发射阶段的所述第一耗尽型mos管231和所述第二耗尽型mos管 232中有一个发生截止，使得所述第一谐振电容911所在电路处于断路，并没有与所述第二电极层120和所述第一电极层110电连接。
82.所述第一耗尽型mos管231与所述第二耗尽型mos管232具有低压导通，高压截止的特性。并且，所述第一耗尽型mos管231与所述第二耗尽型mos管232，在室温下的夹断电压在1v左右，断开时间和恢复时间都在纳秒量级。mri设备中射频发射阶段和射频接收阶段在时间顺序上有几十毫秒到几千毫秒的差别，可以快速实现所述第一耗尽型mos管231 与所述第二耗尽型mos管232的导通和断开。射频发射阶段和射频接收阶段的射频功率相差3个数量级。射频发射阶段线圈中的感应电压在几v到几百v之间，具体数值与所选的序列和翻转角有关。
83.在射频发射阶段，感应电压较大，所述第一耗尽型mos管231与所述第二耗尽型mos 管232处于断开状态，所述第一谐振电容911所在电路处于断路，并没有与所述第二电极层120和所述第一电极层110电连接。所述磁场增强装置20处于失谐状态。所述磁场增强装置 20中不存在电流，不产生会干扰射频的感应磁场。在射频接收阶段，所述第一耗尽型mos 管231与所述第二耗尽型mos管232导通，所述第一谐振电容911所在电路处于导通状态，两端分别与所述第二电极层120和所述第一电极层110电连接。所述磁场增强装置20能够呈现谐振状态，大幅度增强信号场，增强图像信噪比。
84.在一个实施例中，所述磁场增强装置20还包括第三耗尽型mos管2311与第四耗尽型 mos管2321。所述第三耗尽型mos管2311的源极与位于所述第一电容区11的所述第一电极层110电连接。所述第三耗尽型mos管2311的栅极和漏极电连接。所述第四耗尽型mos 管2321的栅极和漏极电连接。所述第四耗尽型mos管2321的栅极和漏极与所述第三耗尽型mos管2311的栅极和漏极电连接。所述第二谐振电容921的一端与所述第四耗尽型mos 管2321的源极电连接。所述第二谐振电容921的另一端与所述第三电极层130电连接。
85.所述第三耗尽型mos管2311、所述第四耗尽型mos管2321以及所述第二谐振电容
921 的连接关系，和所述第一耗尽型mos管231与所述第二耗尽型mos管232以及第一谐振电容911的连接关系相同，其工作原理也相同，具体可参见上述实施例。
86.通过所述第三耗尽型mos管2311、所述第四耗尽型mos管2321、所述第二谐振电容 921的连接关系、所述第一耗尽型mos管231、所述第二耗尽型mos管232以及第一谐振电容911形成了对称结构，可以进一步使得磁场更加均匀对称，有利于成像。
87.在一个实施例中，所述第三电极层130与所述第二电极层120不共线。所述第三电极层 130与所述第二电极层120分别设置于所述第一表面101的几何对角线上。
88.请参见图9，在一个实施例中，本技术提供一种磁场增强装置20。所述磁场增强装置20 包括多个磁场增强组件10。每个所述磁场增强组件10包括第一电介质层100、第一电极层 110。所述第一电介质层100具有相对设置的第一端103与第二端104。所述第一电介质层100 还具有一个第一表面101，由所述第一端103到所述第二端104延伸。由所述第一端103到所述第二端104方向上，所述第一表面101包括第一电容区11、传导区13和第二电容区12。所述传导区13位于所述第一电容区11和所述第二电容区12之间。所述第一电容区11靠近所述第一端103。所述第二电容区12靠近所述第二端104。
89.所述第一电极层110设置于所述第一表面101。第一电极层110由所述第一端103延伸至所述第二端104。第一电极层110覆盖所述第一表面101。每个所述磁场增强组件10由所述第一端103至所述第二端104延伸。
90.请参见图10，所述多个磁场增强组件10间隔设置。所述多个磁场增强组件10包围形成一个磁场增强空间105。
91.所述磁场增强装置20还包括多个第一谐振电容911和多个第二谐振电容921。所述多个第一谐振电容911靠近所述第一端103设置。每个所述第一谐振电容911设置于相邻两个所述磁场增强组件10之间。所述第一谐振电容911的两端分别与相邻两个所述磁场增强组件 10的位于所述第一电容区11的所述第一电极层110电连接。也就是，所述第一谐振电容911 的一端与一个所述磁场增强组件10的位于所述第一电容区11的所述第一电极层110电连接。所述第一谐振电容911的另一端与相邻的一个所述磁场增强组件10的位于所述第二电容区 12的所述第一电极层110电连接。
92.在所述第一端103一侧，所述多个磁场增强组件10通过所述多个第一谐振电容911连接。当所述磁场增强装置20设置于磁场环境时，会产生感应电流。在所述第一端103一侧，感应电流会依次经过所述第一电极层110位于所述第一电容区11的部分、所述第一谐振电容911 的两端、相邻所述磁场增强组件10的所述第一电极层110位于所述第一电容区11的部分、所述第一谐振电容911的两端等。请参见图4，当等效成电路图时，所述多个第一谐振电容 911逐个依次串联连接。
93.所述多个第二谐振电容921靠近所述第二端104设置。每个所述第二谐振电容921设置于相邻两个所述磁场增强组件10之间。所述第二谐振电容921的两端分别与相邻两个所述磁场增强组件10的位于所述第二电容区12的所述第一电极层110电连接。也就是，所述第二谐振电容921的一端与一个所述磁场增强组件10的位于所述第二电容区12的所述第一电极层110电连接。所述第二谐振电容921的另一端与相邻的一个所述磁场增强组件10的位于所述第二电容区12的所述第一电极层110电连接。
94.在所述第二端104一侧，所述多个磁场增强组件10通过所述多个第二谐振电容921
连接。当所述磁场增强装置20设置于磁场环境时，会产生感应电流。在所述第二端104一侧，感应电流会依次经过所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分、所述第二谐振电容921 的两端、相邻所述磁场增强组件10的所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分、所述第二谐振电容921的两端等。请参见图4，当等效成电路图时，所述多个第二谐振电容 921逐个依次串联连接。
95.第一电极层110覆盖所述第一表面101，没有形成平行板电容器。当所述多个磁场增强组件10连接，并放入磁场环境中时，所述多个第一谐振电容911逐个依次串联连接。所述多个第二谐振电容921逐个依次串联连接。
96.由于电容与频率成反比，在高场或者超高场mri系统(3t及其以上)时，频率较大，会使得多个传统磁场增强组件连接形成的结构的等效电容需要偏小。然而，所述多个第一谐振电容911串联连接会使得所述多个第一谐振电容911形成的等效电容变小。所述多个第二谐振电容921串联连接会使得所述多个第二谐振电容921形成的等效电容变小。当将所述磁场增强装置20的谐振频率中的电容值分配给所述多个第一谐振电容911和所述多个第二谐振电容921时，所述多个第一谐振电容911和所述多个第二谐振电容921的电容值可以采用大电容值，避免了采用过小电容值的电容器。采用大电容值的电容器使得所述磁场增强装置20 的谐振频率波动较小，提高了谐振频率的稳定性，更加适合用于高场mri。
97.请参见图11，在一个实施例中，所述磁场增强装置20还包括多个第三导电结构539与多个第四导电结构549。所述多个第三导电结构539靠近所述第一端103设置。所述多个第四导电结构549靠近所述第二端104设置。
98.在一个实施例中，所述第三导电结构539和所述第四导电结构549具有导电功能。所述第三导电结构539和所述第四导电结构549的材料可以为金、银、铜等金属材料制成。
99.请参见图12，每个所述第三导电结构539设置于每个所述第一电极层110远离所述第一电介质层100的表面。一个所述第三导电结构539与一个所述磁场增强组件10对应设置。每个所述第一谐振电容911的两端分别与相邻两个所述第三导电结构539电连接。也就是，一个所述第一谐振电容911的一端与一个所述第三导电结构539电连接。一个所述第一谐振电容911的另一端与相邻的一个所述第三导电结构539电连接。当等效成电路图时，通过所述多个第三导电结构539将所述多个第一谐振电容911依次串联连接。
100.每个所述第四导电结构549设置于每个所述第一电极层110远离所述第一电介质层100 的表面。一个所述第四导电结构549与一个所述磁场增强组件10对应设置。每个所述第二谐振电容921的两端分别与相邻两个所述第四导电结构549电连接。也就是，一个所述第二谐振电容921的一端与一个所述第四导电结构549电连接。一个所述第二谐振电容921的另一端与相邻的一个所述第四导电结构549电连接。当等效成电路图时，通过所述多个第四导电结构549将所述多个第二谐振电容921依次串联连接。
101.请参见图13，在一个实施例中，所述磁场增强装置20还包括第一电感241、第三二极管 213以及第四二极管214。所述第一电感241的一端与所述第一谐振电容911的一端电连接。所述第三二极管213的阳极与所述第一谐振电容911的另一端电连接。所述第三二极管213 的阴极与所述第一电感241的另一端电连接。所述第四二极管214的阴极与所述第一谐振电容911的另一端电连接。所述第四二极管214的阳极与所述第一电感241的另一端电连接。
102.在mri系统中，以在射频接收阶段增强人体反馈信号的磁场强度。在mri系统的射频发射阶段，发射阶段的磁场能量是接收阶段的磁场能量的1000倍以上。发射阶段感应电压在几十伏到几百伏之间。接收阶段感应电压小于1v。
103.所述第三二极管213和所述第四二极管214反向并联连接。在射频发射阶段，射频线圈发射射频发射信号，磁场的场强较大。所述磁场增强组件10产生的感应电压较大。加载在所述第三二极管213和所述第四二极管214两端的电压正反交替。加载的电压超过所述第三二极管213和所述第四二极管214的开启电压，所述第三二极管213和所述第四二极管214导通。所述第三电容223与所述第一电感241并联，使得所述第一谐振电容911、所述第三二极管213、所述第四二极管214以及所述第一电感241形成的电路处于高阻状态。射频信号发射阶段，相邻两个所述磁场增强组件10之间几乎没有电流流通。所述第一谐振电容911分别与相邻两个所述磁场增强组件10的所述第一电极层110断开连接，几乎没有电流通过。所述磁场增强装置20产生的磁场减弱，进而减小所述磁场增强装置20对射频信号发射阶段磁场的影响，从而减小检测图像的伪影，提高检测图像的清晰度。
104.在射频接收阶段，检测部位发射反馈信号，磁场的场强较小。所述磁场增强组件10产生的感应电压较小。加载的电压不能达到所述第三二极管213和所述第四二极管214的开启电压，所述第三二极管213和所述第四二极管214不导通。所述第一谐振电容911分别与相邻两个所述磁场增强组件10的所述第一电极层110电连接，有电流通过。所述磁场增强装置 20处于谐振状态，起到增强磁场的作用。
105.在一个实施例中，所述磁场增强装置20还包括第七二极管2131、第八二极管2141以及第二电感4411。所述第七二极管2131、所述第八二极管2141以及所述第二电感4411分别和所述第二谐振电容921的连接关系，与所述第一电感241、所述第三二极管213以及所述第四二极管214分别和所述第一谐振电容911的连接关系相同，工作原理也相同，可参考上述实施例的描述。在射频发生阶段，所述第二谐振电容921分别与相邻两个所述磁场增强组件 10的所述第一电极层110断开连接，没有电流通过，处于失谐状态。在射频接收阶段，所述第二谐振电容921分别与相邻两个所述磁场增强组件10的所述第一电极层110电连接，有电流通过。所述磁场增强装置20处于谐振状态，起到增强磁场的作用。
106.请参见图14，在一个实施例中，本技术提供一种磁场增强装置20。所述磁场增强装置 20包括多个磁场增强组件10。每个所述磁场增强组件10包括第一电介质层100、第一电极层110、第二电极层120以及第四电极层140。所述第一电介质层100具有相对设置的第一端 103与第二端104。所述第一电介质层100具有相对设置的第一表面101和第二表面102，由所述第一端103到所述第二端104延伸。
107.所述第一表面101包括第一电容区11、传导区13和第二电容区12。所述传导区13位于所述第一电容区11和所述第二电容区12之间。所述第一电容区11靠近所述第一端103。所述第二电容区12靠近所述第二端104。所述第一电极层110设置于所述第一表面101，由所述第一端103延伸至所述第二端104，并覆盖所述第一表面101。
108.所述第二电极层120设置于所述第二表面102。所述第二电极层120位于所述第二电容区12。所述第二电极层120在所述第一电介质层100的正投影位于所述第一电极层110在所述第一电介质层100的正投影中，形成第二结构电容152。
109.所述第四电极层140设置于所述第二表面102。所述第四电极层140与所述第二电
极层 120间隔设置。所述第四电极层140位于所述第一电容区11。所述第四电极层140在所述第一电介质层100的正投影位于所述第一电极层110在所述第一电介质层100的正投影中，形成第一结构电容151。
110.每个所述磁场增强组件10由所述第一端103至所述第二端104延伸。所述多个磁场增强组件10间隔设置，并包围形成一个磁场增强空间105。
111.请参见图15，在所述第一电容区11中，相邻两个所述磁场增强组件10的所述第一电极层110与所述第四电极层140连接。
112.当所述磁场增强装置20设置于磁场环境时，会产生感应电流。在所述第一端103一侧，通过所述第一电极层110与所述第四电极层140连接，将相邻两个所述第一结构电容151连接。感应电流会依次逐个经过所述第一结构电容151。当等效成电路图时，所述多个第一结构电容151逐个依次串联连接。
113.请参见图16，在所述第二电容区12中，相邻两个所述磁场增强组件10的所述第一电极层110与所述第二电极层120连接。
114.当所述磁场增强装置20设置于磁场环境时，会产生感应电流。在所述第二端104一侧，通过所述第一电极层110与所述第二电极层120连接，将相邻两个所述第二结构电容152连接。感应电流会依次逐个经过所述第二结构电容152。当等效成电路图时，所述多个第二结构电容152逐个依次串联连接。
115.当所述多个磁场增强组件10连接，并放入磁场环境中时，所述多个第一结构电容151逐个依次串联连接。所述多个第二结构电容152逐个依次串联连接。当高场或者超高场mri系统(3t及其以上)的工作频率和所述磁场增强装置20的谐振频率相同时，所述磁场增强装置20可以对磁场进行增强。
116.由于电容与频率成反比，在高场或者超高场mri系统(3t及其以上)时，频率较大，会使得多个传统磁场增强组件连接形成的结构的等效电容需要偏小。然而，所述多个第一结构电容151逐个依次串联连接，会使得所述多个第一结构电容151形成的等效电容变小。所述多个第二结构电容152逐个依次串联连接，会使得所述多个第二结构电容152形成的等效电容变小。所述多个第二结构电容152和所述多个第一结构电容151可以形成较大电容值的结构，使得所述磁场增强装置20的谐振频率波动较小，提高了谐振频率的稳定性，更加适合用于高场mri。
117.在一个实施例中，所述磁场增强装置20还包括多个第五导电结构559和多个第六导电结构569。通过所述多个第五导电结构559将所述多个第一结构电容151依次串联连接。通过所述多个第六导电结构569将所述多个第二结构电容152依次串联连接。所述多个第五导电结构559和所述多个第六导电结构569具有导电功能。所述多个第五导电结构559和所述多个第六导电结构569的材料可以为金、银、铜等金属材料制成。
118.请参见图17，在一个实施例中，所述磁场增强装置20还包括第一外接电容440、第一二极管431以及第二二极管432。所述第一外接电容440的两端分别与所述第二电极层120和所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分电连接。所述第一二极管431的阳极与所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分电连接。所述第一二极管431的阴极与所述第二电极层120电连接。所述第二二极管432的阴极与所述第一电极层110位于所述第二电容区12的部分电连接。所述第二二极管432的阳极与所述第二电极层120电连接。
119.可以理解，所述第一二极管431和所述第二二极管432的导通电压可以在0伏到1伏。在一个实施例中，所述第一二极管431和所述第二二极管432的导通电压可以为0.8v。在所述第二电容区12中，所述第一二极管431和所述第二二极管432分别串联在所述第一电极层 110和所述第二电极层120之间，所述第一二极管431和所述第二二极管432反接。
120.由于射频的交流特性。所述第一电极层110和所述第二电极层120产生的感应电压也是交流电压。在射频发射阶段，由于所述第一电极层110和所述第二电极层120之间的电压差已经超过所述第一二极管431和所述第二二极管432的导通电压。因此无论所述第一电极层 110和所述第二电极层120哪个的电压高，所述第一二极管431和所述第二二极管432总有一个处于导通状态。因此将所述第一电极层110和所述第二电极层120电连接。所述第二结构电容302被短路。所述磁场增强装置20处于失谐状态。
121.而在射频接收阶段，由于所述第一电极层110和所述第二电极层120之间的电压差小于所述第一二极管431和所述第二二极管432的导通电压。因此无论所述第一电极层110和所述第二电极层120哪个的电压高，所述第一二极管431和所述第二二极管432均处于不导通的状态。所述磁场增强装置20处于谐振状态。
122.在一个实施例中，在所述第一电容区11中，所述第一电极层110和所述第四电极层140 也可以分别电连接所述第一外接电容440、所述第一二极管431以及所述第二二极管432，且连接关系相同。所述磁场增强装置20在所述第一端103和所述第二端104，形成对称结构，更有利于磁场均匀分布，提高了mri设备的成像质量。
123.在一个实施例中，上述实施例中的元件电容可以为固定电容，也可以为调节电容。当射频线圈的频率确定后，元件电容可以选择合适的固定电容，使得所述固定电容与其他结构电容和元件电容配合，使所述磁场增强装置20的谐振频率与所述射频线圈的频率相等，进而起到增强磁场的作用。当射频线圈的频率不确定时，元件电容可以采用可调电容。通过调节可调电容，调节谐振频率，以使得所述磁场增强装置20适用不同的工作环境。
124.请参见图18与图19，在一个实施例中，所述磁场增强装置20还包括筒形支撑结构50。所述筒形支撑结构50具有两个间隔相对的第三端51和第四端53。所述筒形支撑结构50具有间隔相对设置的内表面521和外表面522。所述内表面521包围形成一个检测空间509。所述多个磁场增强组件10间隔设置于所述外表面522。所述磁场增强组件10沿着所述第三端 51向所述第四端53延伸。
125.所述检测空间509可以用于容纳检测部位。所述检测部位可以为手臂、腿、腹部等。所述多个磁场增强组件10间隔的距离相等可以提高局部磁场的均匀性。多个所述磁场增强组件10可以等间隔设置于所述筒形支撑结构50的外表面522。
126.在一个实施例中，围绕所述筒形支撑结构50的外表面522间隔设置有多个限位结构550。在沿着所述第三端51到所述第四端53的方向，每一个所述磁场增强组件10分别对应所述第三端51的所述限位结构550和所述第四端53的所述限位结构550。通过所述第三端51和所述第四端53两端的所述限位结构550固定一个所述磁场增强组件10，进而将所述磁场增强组件10固定于所述筒形支撑结构50的。
127.在一个实施例中，所述限位结构530可以为通槽。所述通槽可以用于插入所述磁场增强组件10。所述两个通槽分别限制所述磁场增强组件10的两端。通过所述限位结构550可以将所述磁场增强组件10固定于所述筒形支撑结构50的外表面522。
128.在一个实施例中，所述磁场增强装置20可以包括12块所述磁场增强组件10，围绕所述轴线504等间隔排列于所述筒形支撑结构50的外表面522。
129.在一个实施例中，沿所述第一端103至所述第二端104的方向上，所述第一电极层110 的长度为100mm，所述第一电极层110的宽度为15mm。沿所述第一端103至所述第二端104 的方向上，所述第一导电结构519、所述第二导电结构529、所述第三导电结构539、所述第四导电结构549的宽度为10mm。所述磁场增强装置20的直径为100mm。
130.请参见图20，在一个实施例中，将传统结构和本技术的磁场增强装置，应用于7t mri 系统中可以看出：对于相同长度的磁场增强装置，为了满足7t mri系统的需求，传统结构需要的电容值为0.6pf，远小于目前常用电容的电容值。然而，本技术中磁场增强装置20需要的电容值为6pf，为市场常用电容值。相对于传统结构需要的电容值为0.6pf，当电容值增加1pf时，传统结构的谐振频率降低了75.5mhz。然而，本技术磁场增强装置20的谐振频率只降低了22.8mhz。因此，在高频段下，本技术磁场增强装置20的结构更稳定。磁场增强装置20具有谐振频率随电容相对缓慢的变化速率，使得结构的调谐更容易操作，更加适合用于高场mri。请参见图21，可以看出本技术磁场增强装置20在高频段下，仍然具有高度均匀的磁场分布。
131.在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。