带纳米线的膜及纳米线的制造方法与流程

技术特征：
1.一种带纳米线的膜，其具备由结晶性树脂构成的基材、和在所述基材上直接生长的由金属氧化物构成的纳米线，其中，在所述基材的表面形成有微细的凹凸结构、且所述纳米线从该凹凸结构直接生长。2.根据权利要求1所述的带纳米线的膜，其中，所述凹凸结构形成为尺寸为微米以下、深度为纳米级的形状。3.根据权利要求1或2所述的带纳米线的膜，其中，所述结晶性树脂由聚酰亚胺或聚酯构成。4.一种带纳米线的膜，其具备由非晶态的树脂构成的基材、和在所述基材上直接生长的由金属氧化物构成的纳米线，其中，在所述基材的表面形成间距为2nm～100nm、深度为5nm～30nm的微细的凹凸结构，所述纳米线从该凹凸结构直接生长。5.根据权利要求4所述的带纳米线的膜，其中，所述非晶态的树脂由聚碳酸酯或聚苯乙烯构成。6.根据权利要求1～5中任一项所述的带纳米线的膜，其中，所述纳米线由氧化锌或氧化钛构成。7.一种纳米线的制造方法，其中，所述制造方法包括：工序(a)，准备由结晶性树脂构成的基材；工序(b)，在所述基材的表面形成微细的凹凸结构；和工序(c)，使所述基材浸渍于水热合成溶液，使由金属氧化物构成的纳米线在形成于所述基材的表面的所述凹凸结构上直接生长。8.根据权利要求7所述的纳米线的制造方法，其中，所述工序(b)由对所述基材进行表面处理的工序构成。9.根据权利要求7或8所述的纳米线的制造方法，其中，在所述工序(b)中，所述凹凸结构形成为尺寸为微米以下、深度为纳米级的形状。10.根据权利要求7～9中任一项所述的纳米线的制造方法，其中，所述结晶性树脂由聚酰亚胺或聚酯构成。11.根据权利要求7～10中任一项所述的纳米线的制造方法，其中，所述纳米线由氧化锌或氧化钛构成。12.一种纳米线的制造方法，其中，所述制造方法包括：工序(a)，准备由非晶态的树脂构成的基材；工序(b)，在所述基材的表面形成间距为2nm～100nm、深度为5nm～30nm的微细的凹凸结构；和工序(c)，使所述基材浸渍于水热合成溶液中，使由金属氧化物构成的纳米线在形成于所述基材的表面的所述凹凸结构上直接生长。13.根据权利要求12所述的纳米线的制造方法，其中，所述工序(b)由对所述基材进行表面处理的工序构成。14.根据权利要求12或13所述的纳米线的制造方法，其中，所述非晶态的树脂由聚碳酸酯或聚苯乙烯或环烯烃构成。15.根据权利要求12～14中任一项所述的纳米线的制造方法，其中，所述纳米线由氧化锌或氧化钛构成。

技术总结
本发明提供在基材上直接生长有纳米线的带纳米线的膜、以及使纳米线在基材上直接生长的纳米线的制造方法。具体而言，带纳米线的膜具备由结晶性树脂构成的基材和在基材上直接生长的由金属氧化物构成的纳米线，在基材的表面形成微细的凹凸结构，使纳米线从该凹凸结构直接生长。另外，具备由非晶态的树脂构成的基材、和在基材上直接生长的由金属氧化物构成的纳米线，在基材的表面形成间距为2～100nm、深度为5～30nm的微细的凹凸结构，使纳米线从该凹凸结构直接生长。凹凸结构直接生长。凹凸结构直接生长。


技术研发人员：池田宗和 平田肇
受保护的技术使用者：东丽工程株式会社
技术研发日：2020.12.14
技术公布日：2022/8/12