制作导电迹线的方法及所得结构与流程

技术特征：
1.一种形成导电迹线的方法，所述方法包括：形成延伸于衬底的平面表面的一部分上方的晶种材料；在所述晶种材料上方形成经图案化掩模材料以界定沟槽，从而使所述晶种材料的位于所述沟槽内的部分被暴露；在所述沟槽中的所述经暴露晶种材料上方沉积导电材料以形成导电迹线；通过干法蚀刻工艺移除所述经图案化掩模材料的至少一部分以在所述经图案化掩模材料与所述导电迹线之间形成间隙；在移除所述经图案化掩模材料的所述至少一部分之后，在所述导电迹线的侧表面及上部表面上方直接形成阻挡层以完全填充所述间隙；在形成所述阻挡层之后，移除所述经图案化掩模材料的剩余部分；及移除所述晶种材料的经暴露部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中：移除所述经图案化掩模材料的至少一部分包括：至少从所述经图案化掩模材料的邻近所述导电迹线的侧表面的侧表面移除一定深度的所述经图案化掩模材料，以在所述经图案化掩模材料与所述导电迹线之间形成所述间隙；及形成阻挡层包括：在邻近所述侧表面的所述间隙中且在所述导电迹线的上部表面上方形成阻挡层。3.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底的表面上方形成晶种材料包括：通过物理气相沉积而形成所述晶种材料铜的至少一部分。4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述沟槽中的所述经暴露晶种材料上方沉积导电材料以形成导电迹线包括：在所述沟槽中电镀铜。5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述沟槽中电镀铜包括：将所述导电迹线形成为展现所述侧表面及所述上部表面的不超过约2纳米(nm)rms的形貌变化。6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述导电迹线的侧表面及上部表面上方形成阻挡层包括：在所述侧表面及上部表面上方电镀镍、金、钽、钴、铟、tin、钒或其组合。7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括仅在所述导电迹线的所述上部表面中的至少一者的一部分上方电镀另一金属。8.根据权利要求3所述的方法，其中形成晶种材料进一步包括：在于钛上方形成所述晶种材料铜的所述至少一部分之前通过物理气相沉积而形成钛。9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述晶种材料上方形成及图案化掩模材料包括：形成及图案化光致抗蚀剂材料。10.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述晶种材料的经暴露部分包括：利用相对于所述阻挡层的材料对所述晶种材料的一或多种材料具有选择性的一或多种蚀刻剂来蚀刻所述晶种材料的所述经暴露部分。11.一种形成导电迹线的方法，所述方法包括：在衬底的表面上方形成铜晶种材料；在所述铜晶种材料上方形成及图案化正型光致抗蚀剂材料以界定延伸到所述铜晶种材料的沟槽；在所述沟槽中的经暴露铜晶种材料上方电化学沉积铜以形成导电迹线；
干法蚀刻所述经图案化正型光致抗蚀剂材料以至少从所述正型光致抗蚀剂材料的邻近所述导电迹线的侧表面的侧表面移除一定深度的所述正型光致抗蚀剂材料以使所述正型光致抗蚀剂材料相对于所述导电迹线的侧表面凹陷；在所述光致抗蚀剂材料的所述侧表面与所述导电迹线的所述邻近侧表面之间且在所述导电迹线的上部表面上方电化学直接沉积金属阻挡层；剥除剩余正型光致抗蚀剂材料以暴露所述铜晶种材料的部分；及蚀刻所述铜晶种材料的所述经暴露部分。12.根据权利要求11所述的方法，其中电化学沉积金属阻挡层包括：电化学沉积镍、金、钽、钴、铟、tin、钒或其组合。13.根据权利要求11所述的方法，其中蚀刻所述经图案化正型光致抗蚀剂材料包括反应性离子蚀刻。14.根据权利要求11所述的方法，其中在所述沟槽中电化学沉积铜包括：将所述导电迹线形成为展现所述侧表面及所述上部表面的不超过约2纳米(nm)rms的形貌变化。15.一种通过权利要求1-14中任一项所述的方法形成的结构，其包括：在晶种材料上的导电迹线；其中所述导电迹线被配置有矩形横截面，且包括铜芯，且所述铜芯的侧表面及所述铜芯的延伸于所述侧表面之间的第一表面被覆盖有金属阻挡层，其中沿着所述铜芯的所述侧表面延伸的所述金属阻挡层在所述铜芯的延伸于所述侧表面之间且与所述第一表面相对的第二表面处停止，且所述铜芯展现不超过约2纳米(nm)rms的所述侧表面的形貌变化。16.根据权利要求15所述的结构，其中所述金属阻挡层包括镍、金、钽、钴、铟、tin、钒或其组合。17.根据权利要求15所述的结构，其进一步包括：重布层rdl，所述rdl包括所述导电迹线及所述导电迹线之间的介电材料，以及至少一个半导体裸片，所述至少一个半导体裸片在所述rdl的一侧上电连接到所述导电迹线中的至少一些导电迹线。18.根据权利要求17述的结构，其进一步包括导电元件，所述导电元件在所述rdl的与所述至少一个半导体裸片相对的一侧上电连接到所述导电迹线中的至少一些导电迹线。19.根据权利要求15所述的结构，其中所述晶种材料的横向宽度小于所述铜芯的横向宽度。20.一种结构，其包括：导电迹线，其定位于衬底上方；晶种材料，其位于所述导电迹线与所述衬底之间；其中所述导电迹线包括配置有矩形横截面的铜芯，所述导电迹线具有光滑侧表面和光滑上表面，所述光滑侧表面具有镜面抛光，所述光滑上表面具有镜面抛光且在所述侧表面之间延伸，且所述晶种材料具有小于所述导电迹线的宽度的宽度；以及金属阻挡层，其在所述上表面上方且沿着所述铜芯的所述侧表面延伸，且停止在所述铜芯的下表面的在所述侧表面之间延伸且与所述第一表面相对的水平面上。21.根据权利要求20所述的结构，其中所述金属阻挡层包括镍、金、钽、钴、铟、tin、钒或其组合。
22.根据权利要求20所述的结构，其中所述铜芯的所述平滑上表面和所述平滑侧表面展现不超过约2纳米(nm)rms的形貌变化。23.根据权利要求20所述的结构，其中所述导电迹线和介电材料包括重布层rdl，且进一步包括至少一个半导体裸片，所述至少一个半导体裸片在所述rdl的一侧上电连接到所述导电迹线中的至少一些导电迹线。24.根据权利要求23所述的结构，其进一步包括导电元件，所述导电元件在所述rdl的与所述至少一个半导体裸片相对的一侧上电连接到所述导电迹线中的至少一些导电迹线。25.根据权利要求20所述的结构，其中所述晶种材料从所述铜芯的所述侧表面横向凹陷。

技术总结
本申请涉及一种制作导电迹线的方法及所得结构。一个实施例是一种形成导电迹线的方法，其包括：在衬底的表面上方形成晶种材料；在所述晶种材料上方形成经图案化掩模材料以界定沟槽，从而使所述晶种材料的位于所述沟槽内的部分被暴露；及在所述沟槽中的所述经暴露晶种材料上方沉积导电材料以形成导电迹线。移除所述经图案化掩模材料的至少一部分，在所述导电迹线的侧表面及上部表面上方形成阻挡层，且移除所述晶种材料的经暴露部分。还揭示导电迹线及并入有导电迹线的结构。线及并入有导电迹线的结构。线及并入有导电迹线的结构。


技术研发人员：克里斯托弗
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2018.12.12
技术公布日：2022/8/9