一种可双向自动追踪的修调集成电路的制作方法

1.本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种可双向自动追踪的修调集成电路。


背景技术：

2.在集成电路内部值校正中，通常需要用到中测（chip probing，cp）修调。在测试到内部基准值后，通过在中测中的激光或者大电流烧毁fuse实现参数修调。在修调之前，需要先对芯片进行测试，以读取内部基准值。在测试过程中，通常需要测试出实际值，并通过计算得到需要修调的目标值的修调比特位，再进行修调校正。
3.锂电池保护芯片在测试时，通常需要采用电压扫描的方式进行测试。为了保证产品有较高的良率，通常需要较大的修调范围。因此修调之前会对电路进行一个较大范围的扫描。为了确保扫描的过程中测试出准确的值，需要扫描每一个档位时，都等待电路稳定之后再测试。
4.集成电路的内部基准修调通常用cp来实现。需要对整片集成电路（integrated circuit，ic）芯片进行扫描测试、计算修调值、灌注信号烧断三个步骤。在修调之前，需要先对芯片进行测试，以读取内部基准值。在测试过程中，通常采用电压扫描的方式进行。为了确保扫描的过程中测试出准确的值，扫描每一个档位都需要等待电路稳定后再测试。而修调的精度越高，扫描的步径越多，需要的测试时间越长。这样就会就导致测试时间较长，增加测试成本。且通常修调步进为设计值，设计值与真实值之间由于集成电路工艺和器件寄生参数的影响，可能存在偏差，导致高精度的修调会有误差。


技术实现要素：

5.本技术提供了一种可双向自动追踪的修调集成电路，能够通过校正计数器模块向上或向下快速的修调出需要的目标值。避免现有技术中，在修调计算时由于内部失配引起的误差，且能够避免现有技术中只能向一个方向追踪修调。
6.有鉴于此，本技术第一方面提供了一种可双向自动追踪的修调集成电路。该可双向自动追踪的修调集成电路包括：带隙基准模块10，所述带隙基准模块10用于产生带隙基准电压；电压缓冲器20，所述电压缓冲器20的正输入端与所述带隙基准模块10相连，所述电压缓冲器20的负输入端、输出端分别与内部修调电阻串30的第一端相连；所述内部修调电阻串30，所述内部修调电阻串30的第二端接地；校正计数器模块40，所述校正计数器模块40第一端与所述内部修调电阻串30的第一端相连，所述校正计数器模块40的第二端接收第一内部信号，所述校正计数器模块40的第三端连接所述内部修调电阻串30的滑动端，所述校正计数器模块40用于向上或向下修调出需要的目标值。
7.可选的，结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述校正计数器模块40，具体可以包括：比较器模块41、校正逻辑及修调模块42，所述比较器模块41的输出端与所述校正逻辑及修调模块42的第一端连接，其中，所述校正计数器模块40第一端与所述内部修调电阻串30的第一端相连具体包括：所述比较器模块41的正输入端与所述内部修调电阻串30的
第一端相连；所述校正计数器模块40的第二端接收第一内部信号具体包括：所述比较器模块41的负输入端连接所述第一内部信号；所述校正计数器模块40的第三端连接所述内部修调电阻串30的滑动端具体包括：所述校正逻辑及修调模块42的第二端连接所述内部修调电阻串30的滑动端。
8.可选的，结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述比较器模块41的输出端连接到t1端口，所述校正逻辑及修调模块42的第三端连接t0端口。
9.可选的，结合第一方面，在一种可能的实现方式中，当开始对t0端口灌注信号时，若初始t1为高电平，则所述校正逻辑及修调模块42将计时器设定为倒计时，内部基准值被逐步抬高，直至比较器模块41翻转。
10.可选的，结合第一方面，在一种可能的实现方式中，当所述比较器模块41翻转时，t1端的信号将所述校正逻辑及修调模块42锁住，来自t0端口的信号不再灌注到所述校正逻辑及修调模块42中。
11.可选的，结合第一方面，在一种可能的实现方式中，当比较器模块41翻转时，读取t0灌注的时钟信号个数，并转换成二进制即为对应的修调位的修调值。
12.可选的，结合第一方面，在一种可能的实现方式中，当开始对t0端口灌注信号时，若初始t1为低电平，则所述校正逻辑及修调模块42将计时器设定为向上数，内部基准值被逐步降低，并在t0端灌注方波信号。
13.可选的，结合第一方面，在一种可能的实现方式中，当向t0端灌注方波信号时，同时检测t1端电压，当t1端由低电平转为高电平时，读取t0端口灌注的时钟信号个数，并转换成二进制，即为精修调需要烧录的修调值。
14.本技术提供的这种可双向自动追踪的修调集成电路可以应用于集成电路上，对于离散性较大的产品应用中，能够向上或者向下快速的修调出需要的目标值；对于需要精准修调的产品应用中，能够摆脱内部器件的失配引起的误差。当前有许多集成电路受到电路架构影响，除了要占用中测资源，还可能因为内部器件的失配而导致修调后的芯片参数发生偏差，从而降低成品良率。本发明在确保能够向上或者向下快速的修调出需要的目标值，能够精确的修调到需要的目标值。缩短了产品测试周期，提高了成品良率。
附图说明
15.图1为本技术实施例中一种可双向自动追踪的修调集成电路的结构示意图；图2为本技术实施例中一种可双向自动追踪的修调集成电路的部分结构示意图；图3为本技术实施例中一种可双向自动追踪的修调集成电路的部分结构示意图；图4为本技术实施例中一种可双向自动追踪的修调集成电路的部分结构示意图。
具体实施方式
16.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
17.本技术中出现的术语“和/或”，可以是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存
在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本技术中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
18.本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或模块的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或模块，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或模块。
19.在现有技术中，集成电路的内部基准修调通常用cp来实现。需要对整片ic芯片进行扫描测试、计算修调值、灌注信号烧断三个步骤。在修调之前，需要先对芯片进行测试，以读取内部基准值。在测试过程中，通常采用电压扫描的方式进行。为了确保扫描的过程中测试出准确的值，扫描每一个档位都需要等待电路稳定后再测试。而修调的精度越高，扫描的步径越多，需要的测试时间越长。这样就会就导致测试时间较长，增加测试成本。且通常修调步进为设计值，设计值与真实值之间由于集成电路工艺和器件寄生参数的影响，可能存在偏差，导致高精度的修调会有误差。
20.本发明通过检测内部比较器翻转来确定实际修调的值，而且将初始修调值做在中间点，即可以向上追踪修调值，也可以向下追踪修调值。以避免现有技术中，在修调计算时，由于内部失配引起的误差，且能够避免现有技术中，只能向一个方向追踪修调。
21.具体的，请参见图1，本技术提供的可双向自动追踪的修调集成电路包括：带隙基准模块（bandgap）10，用于产生带隙基准电压；电压缓冲器20的正输入端与所述带隙基准模块10相连，所述电压缓冲器20的负输入端、输出端分别与内部修调电阻串30的第一端相连。该内部修调电阻串（trimming res）30的第二端接地。该电压缓冲器20与该内部修调电阻串30构成完整的线性稳压器（ldo）。
22.校正计数器模块（calibrated up-counter）40的第一端（左下端）与所述内部修调电阻串30的第一端相连，所述校正计数器模块40的第二端（左上端）接收第一内部信号，所述校正计数器模块40的第三端（右端）连接所述内部修调电阻串30的滑动端，所述校正计数器模块40用于向上或向下修调出需要的目标值。
23.更进一步的，请参见图1，校正计数器模块40具体可以包括：比较器模块（comparator）41、校正逻辑及修调模块（logic&trim）42。该比较器模块41的输出端与所述校正逻辑及修调模块42的第一端（左下端）连接。
24.其中，前述校正计数器模块40第一端与所述内部修调电阻串30的第一端相连具体包括：所述比较器模块41的正输入端与所述内部修调电阻串的第一端相连。
25.前述校正计数器模块40的第二端接收第一内部信号具体包括：所述比较器模块41的负输入端连接所述第一内部信号。
26.前述校正计数器模块40的第三端连接所述内部修调电阻串30的滑动端具体包括：所述校正逻辑及修调模块42的第二端（右端）连接所述内部修调电阻串30的滑动端。
27.所述比较器模块41的输出端连接到t1端口，所述校正逻辑及修调模块42的第三端（左上端）连接t0端口。
28.具体的，请参见图2，图2为内部修调电阻串30的具体电路图。图3为内部校正逻辑模块的具体电路图。其中，vref、vin、por、clk均为内部信号。t0信号与t1信号来自于图4。
29.本技术提供的这种可双向自动追踪的修调集成电路中，当开始对t0端口灌注信号时，若初始t1为高电平，表示此时内部基准电压在目标基准电压之下。则所述校正逻辑及修调模块42将计时器设定为倒计时（down count），内部基准值被逐步抬高（逻辑值与基准值相反），直至比较器模块41翻转，表示内部基准已经被修调到实际需求值。
30.当所述比较器模块翻转时，t1端的信号将所述校正逻辑及修调模块42锁住，来自t0端口的信号不再灌注到校正逻辑及修调模块42中。当比较器模块41翻转时，读取t0灌注的时钟信号个数，并转换成二进制即为对应的修调位的修调值。
31.本技术提供的这种可双向自动追踪的修调集成电路中，当开始对t0端口灌注信号时，若初始t1为低电平，表示此时内部基准电压在目标基准电压之下。则所述校正逻辑及修调模块42将计时器设定为向上数（up count）。内部基准值被逐步降低，并在t0端灌注方波信号。
32.当向t0端灌注方波信号时，同时检测t1端电压，当t1端由低电平转为高电平时，读取t0端口灌注的时钟信号个数，并转换成二进制，即为精修调需要烧录的修调（trimming）值。
33.本发明的有益效果是，应用于集成电路上，对于离散性较大的产品应用中，能够向上或者向下快速的修调出需要的目标值；对于需要精准修调的产品应用中，能够摆脱内部器件的失配引起的误差。当前有许多集成电路受到电路架构影响，除了要占用中测资源，还可能因为内部器件的失配而导致修调后的芯片参数发生偏差，从而降低成品良率。本发明在确保能够向上或者向下快速的修调出需要的目标值，能够精确的修调到需要的目标值。缩短了产品测试周期，提高了成品良率。
34.所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统，装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
35.在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的方法，在没有超过本技术的精神和范围内，可以通过其他的方式实现。当前的实施例只是一种示范性的例子，不应该作为限制，所给出的具体内容不应该限制本技术的目的。例如，一些特征可以忽略，或不执行。
36.本技术方案所公开的技术手段不仅限于上述实施方式所公开的技术手段，还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本技术的保护范围。
37.以上对本技术实施例所提供的一种可双向自动追踪的修调集成电路进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。