半绝缘性化合物半导体基板和半绝缘性化合物半导体单晶的制作方法

技术特征：
1.一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，其中，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的[01-1]、[0-1-1]、[0-11]和[011]的四个方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的[010]、[00-1]、[0-10]和[001]的四个方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下，其中，所述半绝缘性化合物半导体为砷化镓，并且所述半绝缘性化合物半导体基板具有直径为100mm以上的圆盘状的形状。2.根据权利要求1所述的半绝缘性化合物半导体基板，其中所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的[01-1]、[0-1-1]、[0-11]和[011]的四个方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的[010]、[00-1]、[0-10]和[001]的四个方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.07以上且0.1以下。3.根据权利要求1或2所述的半绝缘性化合物半导体基板，其中，所述半绝缘性化合物半导体为掺杂碳的砷化镓。4.根据权利要求3所述的半绝缘性化合物半导体基板，其中，所述半绝缘性化合物半导体基板具有0.6μm以下的表面平坦度。5.一种半绝缘性化合物半导体单晶，其包含半绝缘性化合物半导体，其中，所述半绝缘性化合物半导体单晶被构造为：在具有(100)的面取向的横截面上，沿从所述横截面的中心起的[01-1]、[0-1-1]、[0-11]和[011]的四个方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述横截面的中心起的[010]、[00-1]、[0-10]和[001]的四个方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下，其中，所述半绝缘性化合物半导体为砷化镓，并且所述半绝缘性化合物半导体单晶被构造为：所述横截面的最小宽度为100mm以上。6.根据权利要求5所述的半绝缘性化合物半导体单晶，其中所述半绝缘性化合物半导体单晶被构造为：在具有(100)的面取向的横截面上，沿从所述横截面的中心起的[01-1]、[0-1-1]、[0-11]和[011]的四个方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述横截面的中心起的[010]、[00-1]、[0-10]和[001]的四个方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.07以上且0.1以下。7.根据权利要求5或6所述的半绝缘性化合物半导体单晶，其中，所述半绝缘性化合物半导体为掺杂碳的砷化镓。

技术总结
本发明涉及半绝缘性化合物半导体基板和半绝缘性化合物半导体单晶。一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的<110>方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的<100>方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。自为0.1以下。自为0.1以下。


技术研发人员：桥尾克司 鸿池一晓 柳泽拓弥
受保护的技术使用者：住友电气工业株式会社
技术研发日：2017.09.21
技术公布日：2022/8/5