实现无缝高质量填隙的方法与流程

技术特征：
1.一种方法，其包括：使用含氢氧化化学品将氧化物填隙材料沉积到衬底的层的图案化特征中，其中所沉积的所述氧化物填隙材料在所述图案化特征内具有多个接缝；以及在含氢化合物和/或含氧化合物的存在下对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理，从而减小所述接缝的范围。2.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述氧化物填隙材料是通过原子层沉积(ald)工艺来执行的。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述ald工艺包括以下操作的一个或多个循环：使氧化物填隙前体流动，以及使包含h2和o2的氧化化学品流动。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述氧化化学品还包括n2o、co2、h2o或其组合。5.根据权利要求3所述的方法，其中，当使所述氧化化学品流动时，h2和o2之间的体积流率比介于约1:10和约1:1之间。6.根据权利要求3所述的方法，其中所述氧化物填隙前体包括氨基硅烷、卤代硅烷、烷基硅烷、硅烷或其组合。7.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述氧化物填隙材料是通过化学气相沉积工艺来执行的。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化物填隙材料是氧化硅。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化特征的深宽比介于约5:1和约80:1之间。10.根据权利要求1所述的方法，其中对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在至少约400℃的温度下执行的。11.根据权利要求1所述的方法，其中对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在介于约400℃和约850℃之间的温度下执行的。12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在形成h2o的条件下执行的。13.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理是在h2和o2的存在下执行的。14.根据权利要求13所述的方法，其中在对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理期间h2比o2的体积比介于约10:1和约1:1之间。15.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述含氧化合物包括n2o、co2、h2o或其组合。16.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述含氢化合物包括质子酸。17.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中在对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理之前所沉积的所述氧化物填隙材料内的氢百分比为至少约0.1％。18.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中，所述层包括多晶硅-sio2、w-sio2、sin-sio2、sino-sio2、sico-sio2、sic-sio2、ta-sio2、ta、hf、zr、ge、geo2、al2o3、tio2、nio、coo、co2o、moo3、hfo、tao或其组合。19.一种方法，其包括：
在第一层内接收具有图案化特征的衬底；将氧化物填隙材料沉积到所述图案化特征中；以及在含氢化合物和/或含氧化合物的存在下对所沉积的所述氧化物填隙材料进行热处理。20.一种方法，其包括：在热处理衬底之前，通过原子层沉积(ald)工艺将氧化物填隙材料沉积到所述衬底的图案化特征中，其中所述ald工艺包括以下操作的一个或多个循环：使填隙前体流动，并且使包含h2和o2的氧化化学品流动。21.一种方法，其包括：接收具有填充有氧化物填隙材料的图案化第一层的衬底，所述氧化物填隙材料内具有接缝；在含氢化合物和/或含氧化合物的存在下对所述氧化物填隙材料进行热处理，从而减小所述接缝的范围。22.根据权利要求21所述的方法，其中所述氧化物填隙材料是使用含氢氧化物化学品沉积的。

技术总结
本发明描述了用于将材料沉积成高深宽比特征的方法和装置。方法涉及使用含氢氧化化学品沉积氧化物材料。方法还可以涉及在氢气存在下对所沉积的氧化物材料进行热处理以去除所沉积的氧化物材料内的接缝。沉积的氧化物材料内的接缝。沉积的氧化物材料内的接缝。


技术研发人员：道格拉斯
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2020.10.29
技术公布日：2022/8/5