用于电光装置的可转移透光电极膜的制作方法

技术特征：
1.一种电光装置，包括：第一基板层；导电膜，包括第一粘合剂层和第一电极层，其中所述第一电极层包括导电材料并具有第一表面和第二表面；具有第一表面和第二表面的电光材料层；以及第二电极层；其中所述第一电极层的第一表面与所述第一粘合剂层接触，其中所述第一电极层的第二表面与所述电光材料层的第一表面接触，并且其中，所述导电膜不顺应所述电光材料层的第一表面的表面粗糙度。2.根据权利要求1所述的电光装置，其中，所述导电膜是透光的。3.根据权利要求1所述的电光装置，其中，所述导电膜是柔性的。4.根据权利要求1所述的电光装置，其中，所述电光装置是柔性的。5.根据权利要求1所述的电光装置，其中，所述第一基板是释放片。6.根据权利要求1所述的电光装置，还包括第二基板层，其中，所述第二电极层介于所述电光材料层和所述第二基板层之间。7.根据权利要求6所述的电光装置，其中，所述第二基板层是通过第二粘合剂层附接至所述第二电极的第二释放片。8.根据权利要求1所述的电光装置，其中，所述导电膜的所述第一粘合剂层具有在10-3
hz的频率和70℃的温度下测量的至少104pa的储能模量g'。9.根据权利要求1所述的电光装置，其中，所述第一基板层、所述第一粘合剂层、所述第一电极层、所述电光材料层、和所述第二电极层被依次布置。10.根据权利要求1所述的电光装置，其中，所述电光材料层包括多个微囊体。11.根据权利要求1所述的电光装置，其中，所述第一电极层的导电材料选自由导电聚合物、导电粒子和金属材料组成的组。12.根据权利要求11所述的电光装置，其中，所述第一电极层的导电聚合物选自由聚(3,4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(pedot-pss)、聚乙炔、聚苯硫醚、聚苯撑乙烯、及其组合组成的组。13.根据权利要求11所述的电光装置，其中，所述第一电极层的导电粒子选自由导电炭黑、单壁碳纳米管、多壁碳纳米管、石墨烯、导电金属氧化物粒子、及其组合组成的组。14.根据权利要求11所述的电光装置，其中，所述第一电极层的金属材料选自由金属粒子、金属纳米粒子、金属线、金属纳米线、金属纤维、金属纳米纤维、金属薄片和金属盘、及其组合组成的组。15.根据权利要求14所述的电光装置，其中，所述金属粒子、金属纳米粒子、金属线、金属纳米线、金属纤维、金属纳米纤维、金属薄片和金属盘金属包括选自由银、铜、锌、金、铂、钴、镍、铁、锰及其组合组成的组的金属元素。16.根据权利要求1所述的电光装置，其中，所述电光材料层包括封装的电泳介质，所述封装的电泳介质包括内相以及聚合物粘结剂，所述内相包括非极性液体和多个分散的带电颜料粒子。17.根据权利要求16所述的电光装置，其中，所述电泳介质被封装在具有从大约30μm到
大约120μm的平均囊体直径的多个囊体中。18.根据权利要求1所述的电光装置，其中，所述第一粘合剂层还与所述电光材料层接触。19.一种制造电光装置的方法，包括以下步骤：通过(a)将包含导电材料的导电分散体涂布到第一释放片上，以及(b)干燥所述导电分散体以在所述第一释放片上产生第一电极层，来制备包括第一电极层的导电片；通过(a)将第一粘合剂组合物涂布到第一基板层上以及(b)干燥或固化所述第一粘合剂组合物以形成第一粘合剂层来制备基板片；通过将所述导电片转移到所述基板片上来制备导电网，其中所述导电片的第一电极层与所述基板片的第一粘合剂层接触，并且其中所述第一粘合剂层和所述第一电极层构成导电膜；通过将电光介质涂布到第二电极层上以在所述第二电极层上形成电光材料层来制备电光模块前体；将所述导电网的第一电极层与所述电光模块前体的电光材料层接触，其中所述导电膜不顺应所述电光材料层的表面粗糙度。20.一种制造电光装置的方法，包括以下步骤：通过(a)将第一粘合剂组合物涂布到第一基板层上以及(b)干燥或固化所述第一粘合剂组合物以在所述第一基板层上形成第一粘合剂层来制备基板片；通过(a)将包含导电材料的导电分散体涂布到所述第一粘合剂层上以及(b)干燥所述导电分散体以形成第一电极层来制备导电带，其中所述第一电极层和所述第一粘合剂层构成粘合剂膜；通过将电光介质涂布到第二电极层上以在所述第二电极层上形成电光材料层来制备电光模块前体；将所述导电带的第一电极层与所述电光模块前体的电光材料层接触，其中所述导电膜不顺应所述电光材料层的表面粗糙度。

技术总结
公开了一种电光装置及其制造方法，包括第一基板层、包括第一粘合剂层和第一电极层的导电膜、电光材料层和第二电极层。与电光材料层接触的第一电极层包括导电材料，例如导电粒子、金属材料或导电聚合物。第一粘合剂层具有高储能模量，并且在电光装置的制造、存储和操作条件下不表现出塑性流动。导电膜不顺应电光材料层的第一表面的表面粗糙度。导电膜可以被设计为薄的、柔性的和透明的。所得到的电光装置即使在电光材料层具有间隙形式的缺陷的情况下也表现出出色的电光性能。况下也表现出出色的电光性能。况下也表现出出色的电光性能。


技术研发人员：N
受保护的技术使用者：伊英克公司
技术研发日：2020.12.07
技术公布日：2022/8/2