显示装置的制作方法

1.本发明涉及一种显示装置。


背景技术：

2.近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机电致发光(electro luminescence，以下，称为“el”)元件的自发光型的有机el显示装置备受关注。这种有机el显示装置例如具备:底基板；设置在底基板上的薄膜晶体管(thin film transistor，以下也称为“tft”)层；设置在tft层上的有机el元件层；和以覆盖有机el元件层的方式设置的密封膜。在此，tft层例如具备设置于底基板上的多个tft和以覆盖各tft的方式设置的平坦化膜。另外，有机el元件层例如具备:多个第一电极，设置在平坦化膜上，分别与tft层的对应的tft电连接；有机el层，设置在各第一电极上；以及第二电极，设置成覆盖各有机el层。
3.例如，在专利文献1中，公开了具备作为底基板设置的树脂层、设置在树脂层上的tft层、在tft层上作为有机el元件层设置的自发光元件层的显示装置。现有技术文献专利文献
4.专利文献1:特开2017-44921号公报


技术实现要素：

发明要解决的问题
5.另外，提出了如下结构:由下层侧的第一平坦化膜和上层侧的第二平坦化膜构成tft层的平坦化膜，在第一平坦化膜和第二平坦化膜之间设置连接布线，将tft和第一电极经由连接布线电连接。这种情况下，为了在第一平坦化膜上形成连接布线，通过干蚀刻对形成于第一平坦化膜上的金属膜进行图案化时，第一平坦化膜的表面也被蚀刻，因此有可能污染干蚀刻装置的腔室内。因此，提出了在第一平坦化膜上设置由无机绝缘膜构成的层间绝缘膜，在该层间绝缘膜上设置连接布线，抑制第一平坦化膜的表面露出的结构。在此，在第一平坦化膜上，以到达tft的被连接布线的方式设置有通孔。另外，在层间绝缘膜设有接触孔，以使从通孔露出的被连接布线露出。然而，在俯视下将接触孔配置于通孔的外侧的情况下，由于形成接触孔时的干蚀刻而对通孔进行侧蚀刻，因此通孔的侧面以倒锥状倾斜地形成。于是，连接布线在通孔内由于台阶而容易断线，因此发生连接布线的导通不良。另外，在俯视下将接触孔配置于通孔的内侧的情况下，由于树脂制的第一平坦化膜比较厚，因此形成接触孔时的抗蚀图案无法形成为规定形状。于是，由于接触孔可能不到达被连接布线，因此发生连接布线的导通不良。
6.本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于，在依次设置有被连接布线、平坦化膜、层间绝缘膜以及连接布线的层叠结构中，抑制被连接布线与连接布线之间的导通不良的产生。解决问题的方案
7.为了达到上述目的，本发明涉及的显示装置，具备；底基板；薄膜晶体管层，其具有半导体层、第一布线层以及配置在该半导体层与该第一布线层之间的栅极绝缘膜，该薄膜晶体管层设置在所述底基板上，依次层叠有所述第一布线层、第一层间绝缘膜、第二布线层、第一平坦化膜、第二层间绝缘膜、第三布线层及第二平坦化膜；发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，与矩阵状配置而构成显示区域的多个子像素对应地依次层叠多个第一电极、多个发光层以及共用的第二电极；多个栅极线，其在上述显示区域中，以沿行方向相互平行地延伸的方式设置为所述第一布线层；多个源极线，其在上述显示区域中，以沿列方向相互平行地延伸的方式设置为所述第二布线层；第一连接布线，其在所述显示区域设置为所述第三布线层，通过在所述第二平坦化膜形成的第一通孔与所述各子像素的所述第一电极电连接；以及第二连接布线，其在所述显示区域设置为所述第二布线层，通过在所述各子像素中形成于所述第一平坦化膜的第二贯通孔与所述第一连接布线电连接，在所述第二层间绝缘膜中设置有接触开口部，该接触开口部贯通所述第二层间绝缘膜而与所述第一连接布线重叠，并且在俯视时周缘包围所述第一通孔和所述第二通孔。发明效果
8.根据本发明，由于在第二层间绝缘膜中设置有接触开口部，该接触开口部与第一连接布线重叠并且在俯视下周缘包围第一通孔和第二通孔，因此在依次设置有被连接布线、平坦化膜、层间绝缘膜和连接布线的层叠结构中，能够抑制被连接布线和连接布线之间的导通不良的发生。
附图说明
9.图1是示出本发明的第一实施方式涉及的有机el显示装置的概略构成的俯视图。图2是本发明的第一实施方式涉及的有机el显示装置的显示区域的俯视图。图3是本发明的第一实施方式涉及的有机el显示装置的显示区域中配置的第一布线层的俯视图。图4是本发明的第一实施方式涉及的有机el显示装置的显示区域中配置的第四布线层的俯视图。图5是本发明的第一实施方式涉及的有机el显示装置的显示区域中配置的第二布线层的俯视图。图6是本发明的第一实施方式涉及的有机el显示装置的显示区域中配置的第三布线层的俯视图。图7是构成本发明第一实施方式涉及的有机el显示装置的tft层的俯视图。图8是构成本发明第一实施方式涉及的有机el显示装置的tft层的等效电路图。图9是沿着图7中的ix-ix线的有机el显示装置的剖视图。图10是表示放大图7中的区域rd并构成有机el显示装置的有机el元件层的第一电极的俯视图。图11是沿着图10中的xi-xi线的tft层的剖视图。图12是沿着图10中的xii-xii线的tft层的剖视图。图13是示出构成本发明的第一实施方式涉及的有机el显示装置的有机el层的剖视图。
图14是将图1中的区域rx放大后的俯视图。图15是将图1中的区域ry放大后的俯视图。图16是沿着图15中的xvi-xvi线的tft层30a的剖视图。图17是示出本发明的第一实施方式涉及的有机el显示装置的变形例的相当于图13的图。
具体实施方式
10.以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。另外，本发明并不限定于以下的各实施方式。
11.《第一实施方式》图1至图17示出本发明涉及的显示装置的第一实施方式。此外，在以下各实施方式中，作为包括发光元件的显示装置，示例了包括有机el元件的有机el显示装置。在此，图1是示出本实施方式的有机el显示装置50a的平面图。此外，图2是有机el显示装置50a的显示区域d的俯视图。此外，图3、图4、图5和图6是有机el显示装置50a的显示区域d中配置的第一布线层14、第四布线层16、第二布线层18以及第三布线层21的俯视图。此外，图7是构成有机el显示装置50的tft层30a的俯视图。此外，图8是tft层30a的等效电路图。另外，图9是沿着图7中的ix-ix线的有机el显示装置50a的剖视图。图10是表示放大图7中的区域rd并构成有机el显示装置50a的有机el元件层40的第一电极31的俯视图。此外，图11和图12是沿着图10中的xi－xi线以及xii－xii线的tft层30a的剖视图。图13是构成有机el显示装置50a的有机el层33的剖面图。另外，图14以及图15是将图1中的区域rx以及区域ry放大后的俯视图。此外，图16是沿着图15中的xvi-xvi线的tft层30a的剖视图。此外，图17是有机el显示装置的变形例的相当于图14的图。
12.如图1所示，有机el显示装置50a包括例如设置为矩形状并进行图像显示的显示区域d、设置在显示区域d周围并设置为矩形框状的边框区域f。另外，在本实施方式中，例示了矩形的显示区域d，但该矩形还包括例如边为圆弧状的形状、角部为圆弧状的形状、边的一部分有切口的形状等大致矩形。
13.如图2所示，在显示区域d中，多个子像素p呈矩阵状排列。此外，在显示区域d中，如图2所示，例如设置为具有用于进行红色的显示的红色发光区域er的子像素p、具有用于进行绿色的显示的绿色发光区域eg的子像素p以及具有用于进行蓝色的显示的蓝色发光区域eb的子像素p彼此相邻。另外，在显示区域d中，例如由具有红色发光区域er、绿色发光区域eg及蓝色发光区域eb的相邻的三个子像素p构成一个像素。
14.在边框区域f的图1中下端部处，端子部t设置成在一个方向(图中的x方向)上延伸。此外，如图1所示，在边框区域f中，在显示区域d和端子部t之间，以沿一个方向(图中的x方向)延伸的方式设置有例如能够以图中的x方向为折弯的轴折弯180
°
(u字状)的折弯部b。另外，在边框区域f中，如图1所示，在后述的第一平坦化膜19a和第二平坦化膜22a中，设置成在俯视下大致c状的槽g贯穿第一平坦化膜19和第二平坦化膜22。在此，如图1所示，槽g以俯视时端子部t侧开口的方式形成为大致c字状。
15.如图9所示，有机el显示装置50a包括：树脂基板层10，其作为底基板；tft层30a，其设置在树脂基板层10上；有机el元件层40，其作为构成发光元件层设置在tft层30a上；以及
密封膜45，其设置为覆盖有机el元件层40。
16.树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。
17.如图9所示，tft层30a具备在树脂基板层10上依次层叠的底涂层膜11、半导体层12a、栅极绝缘膜13、第一布线层14、下层侧第一层间绝缘膜15、第四布线层16、上层侧第一层间绝缘膜17、第二布线层18、第一平坦化膜19、第二层间绝缘膜20a、第三布线层21及第二平坦化膜22。此外，如图7及图8所示，tft层30a具备在底涂层膜11上按每个子像素p设置的第一初始化tft9a、阈值电压补偿tft9b、写入控制tft9c、驱动tft9d、电源供给tft9e、发光控制tft9f、第二初始化tft9g及电容器9h。另外，如图2及图3所示，tft层30a具备在显示区域d以在行方向(图中的x方向)相互平行地延伸的方式设置作为第一布线层14的设于栅极绝缘膜13上的多个栅极线14g。进一步，如图2及图3所示，tft层30a具备在显示区域d中以在行方向(图中的x方向)上相互平行地延伸的方式设置作为第一布线层14的设于栅极绝缘膜13上的多个发光控制线14e。另外，如图2及图3所示，各发光控制线14e设置为与各栅极线14g相邻。另外，如图2及图4所示，tft层30a具备在显示区域d中以在行方向(图中的x方向)上相互平行地延伸的方式作为第四布线层16而设置于下层侧第一层间绝缘膜15上的多个初始化电源线16i。进一步，如图2及图4所示，tft层30a具备在显示区域d中以在行方向(图中的x方向)上相互平行地延伸的方式作为第四布线层16而设置于下层侧第一层间绝缘膜15上的多个第三电源线16c。此外，如图4所示，各第三电源线16c设置为与各初始化电源线16i相邻。另外，如图2及图5所示，tft层30a具备在显示区域d以沿列方向(图中的y方向)相互平行地延伸的方式作为第二布线层18设于上层侧第一层间绝缘膜17上的多个源极线18f。进而，如图2及图5所示，tft层30a具备在显示区域d中以沿着列方向(图中的y方向)相互平行地延伸的方式作为第二布线层18设于上层侧第一层间绝缘膜17上的多个第二电源线18g。另外，如图2以及图5所示，各第二电源线18g设置为与源极线18f相邻。而且，如图16所示，多个第二电源线18g和多个第三电源线16c在各子像素p中经由形成于上层侧第一层间绝缘膜17的第八接触孔hh电连接。另外，如图6所示那样，tft层30a具备以沿着列方向(图中的y方向)相互平行地延伸的方式作为第三布线层21设于上层侧第二层间绝缘膜20a上的多个第一电源线21aa。此外，如图10以及图12所示，多个第一电源线21aa与多个第二电源线18g在各子像素p中经由形成于第一平坦化膜19的第三通孔hk电连接。进一步，如图6所示那样，tft层30a具备在行方向(图中的x方向)上相互平行地延伸作为第三布线层21设置在第二层间绝缘膜20a上的多个其他第一电源线21aa。此外，如图6所示，多个第一电源线21a及多个其他第一电源线21a呈格子状地一体设置。在此，第一布线层14、第四布线层16、第二布线层18及第三布线层21例如由钼(mo)、钛(ti)、铝(al)、铜(cu)、钨(w)等金属单层膜或mo(上层)/al(中层)/mo(下层)、ti/al/ti、al(上层)/ti(下层)、cu/mo、cu/ti等金属层叠膜形成。另外，第一布线层14及第四布线层16优选形成为彼此相同的材料。另外，第二布线层18及第三布线层21优选形成为彼此相同的材料。此外，底涂层膜11、栅极绝缘膜13、下层侧第一层间绝缘膜15、上下层侧第二层间绝缘膜17以及第二层间绝缘膜20a，例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。另外，半导体层12a例如由低温多晶硅膜或in-ga-zn-o类的氧化物半导体膜等构成。另外，第一平坦化膜19、第二平坦化膜22以及后述的边缘罩，例如由聚酰亚胺树脂等有机树脂材料构成。此外，在本实施方式中，例示了在下层侧第一层间绝缘膜15及上层侧第一层间绝缘膜17之间设置有第四布线层16的
构成，但也可以省略第四布线层16(及上层侧第一层间绝缘膜17)。
18.第一初始化tft9a、阈值电压补偿tft9b、写入控制tft9c、驱动tft9d、电源供给tft9e、发光控制tft9f及第二初始化tft9g分别具备相互分离地配置的第一端子(参照图8中的na)及第二端子(参照图8中的nb)、以及用于控制第一端子及第二端子之间的导通的控制端子。此外，各tft9a～9g的第一端子及第二端子是半导体层12a的导体区域。
19.如图8所示，第一初始化tft9a在各子像素p中，其控制端子与对应的栅极线14g电连接，其第一端子电极与后述的电容器9h的栅极14a电连接，其第二端子电极与对应的初始化电源线16i电连接。此外，如图7所示，第一初始化tft9a的控制端子是与栅极线14g的半导体层12a重叠的两个部分。此外，如图7及图9所示，第一初始化tft9a的第一端子经由形成于栅极绝缘膜13、下层侧第一层间绝缘膜15及上层侧第一层间绝缘膜17的第三接触孔hc、第三连接布线18e以及形成于下层侧第一层间绝缘膜15及上层侧第一层间绝缘膜17的第一接触孔ha，与电容器9h的栅极14a电连接。此外，如图7所示，第一初始化tft9a的第二端子经由形成于栅极绝缘膜13、下层侧第一层间绝缘膜15以及上层侧第一层间绝缘膜17的第四接触孔hd、第四连接布线18k以及形成于上层侧第一层间绝缘膜17的第五接触孔he，与初始化电源线16i电连接。在此，第一初始化tft9a构成为通过将初始化电源线16i的电压施加于电容器9h，使得施加于驱动tft9d的控制端子的电压初始化。另外，第一初始化tft9a与栅极线14g(n-1)电连接，该栅极线14g(n-1)在与阈值电压补偿tft9b及写入控制tft9c的各控制端子电连接的栅极线14g(n)之前被扫描。
20.如图8所示，阈值电压补偿tft9b在各子像素p中，其控制端子与对应的栅极线14g电连接，其第一端子与驱动tft9d的第二端子电连接，其第二端子与驱动tft9d的控制端子电连接。此外，如图7所示，阈值电压补偿tft9b的控制端子是与栅极线14g的半导体层12a重叠的两个部分。另外，如图7所示，阈值电压补偿tft9b的第一端子与驱动tft9d的第二端子一体地形成，与驱动tft9d的第二端子电连接。此外，如图7所示，阈值电压补偿tft9b的第二端子经由第三接触孔hc、第三连接布线18e及第一接触孔ha与驱动tft9d的栅极14a电连接。此处，阈值电压补偿tft9b构成为，根据栅极线14g的选择，使驱动tft9d成为二极管连接状态，补偿驱动tft9d的阈值电压。
21.如图8所示，写入控制tft9c在各子像素p中，其控制端子与对应的栅极线14g电连接，其第一端子与对应的源线18f电连接，其第二端子与驱动tft9d的第一端子电连接。此外，如图7所示，写入控制tft9c的控制端子是与栅极线14g的半导体层12a重叠的部分。此外，如图7所示，写入控制tft9c的第一端子经由形成于栅极绝缘膜13、下层侧第一层间绝缘膜15以及上层侧第一层间绝缘膜17的第六接触孔hf与源极线18f电连接。此外，如图7所示，写入控制tft9c的第二端子与驱动tft9d的第一端子一体地形成，与驱动tft9d的第一端子电连接。在此，写入控制tft9c构成为根据栅极线14g的选择将源极线18f的电压施加于驱动tft9d的第一端子。
22.如图8所示，驱动tft9d在各子像素p中，其控制端子与第一初始化tft9a的第一端子及阈值电压补偿tft9b的第二端子电连接，其第一端子与写入控制tft9c及电源供给tft9e的各第二端子电连接，其第二端子与阈值电压补偿tft9b及发光控制tft9f的各第一端子电连接。在此，驱动tft9d构成为将与施加在其控制端子与其第一端子之间的电压对应的驱动电流施加在发光控制tft9f的第一端子上，以控制有机el元件35的电流量。
23.更具体而言，如图7及图9所示，驱动tft9d具备在底涂层膜11上依次设置的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极(控制端子)14a、下层侧第一层间绝缘膜15以及上层侧第一层间绝缘膜17。在此，如图7及图9所示，半导体层12a设置为在底涂层膜11上弯曲的形状。另外，半导体层12a具备以俯视时与栅极14a重叠的方式设置的本征区域以及以夹着该本征区域的方式设置的一对导体区域。此外，如图7所示，上述本征区域的中间部分在俯视观察时设置为大致v字形状。另外，如图7所示，半导体层12a的一个导体区域设置为第一端子与写入控制tft9c和电源供给tft9e的各第二端子一体地形成，与写入控制tft9c和电源供给tft9e的各第二端子电连接。另外，如图7所示，半导体层12a的另一个导体区域设置为第二端子与阈值电压补偿tft9b及发光控制tft9f的各第一端子一体地形成，与阈值电压补偿tft9b及发光控制tft9f的各第一端子电连接。此外，如图9所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12a的方式设置。另外，如图7及图9所示，栅极14a作为第一布线层14在栅极绝缘膜13上以与半导体层12a的本征区域重叠的方式在俯视时呈矩形的岛状设置。另外，如图9所示，下层侧第一层间绝缘膜15以覆盖栅极14a的方式设置。另外，如图9所示，上层侧第一层间绝缘膜17隔着第三电源线16c设置在下层侧第一层间绝缘膜15上。
24.如图8所示，电源供给tft9e在各子像素p中，其控制端子与对应的发光控制线14e电连接，其第一端子与对应的第二电源线18g电连接，其第二端子与驱动tft9d的第一端子电连接。此外，如图7所示，电源供给tft9e的控制端子是与发光控制线14e的半导体层12a重叠的部分。此外，如图7所示，电源供给tft9e的第一端子经由形成于栅极绝缘膜13、下层侧第一层间绝缘膜及上层侧第一层间绝缘膜17的第二接触孔hb，与第二电源线18g电连接。此外，如图7所示，电源供给tft9e的第二端子与驱动tft9d的第一端子一体地形成，与驱动tft9d的第一端子电连接。在此，电源供给tft9e构成为根据发光控制线14e的选择，将电源线18g的电压施加于驱动tft9d的第一端子。
25.如图8所示，发光控制tft9f在各子像素p中，其控制端子与对应的发光控制线14e电连接，其第一端子与驱动tft9d的第二端子电连接，其第二端子与后述的有机el元件35的第一电极31电连接。此外，如图7所示，发光控制tft9f的控制端子是与发光控制线14e的半导体层12a重叠的部分。此外，如图7所示，发光控制tft9f的第一端子与驱动tft9d的第二端子一体地形成，与驱动tft9d的第二端子电连接。另外，如图7所示，发光控制tft9f的第二端子经由形成于栅极绝缘膜13、下层侧第一层间绝缘膜15及上层侧第一层间绝缘膜17的第七接触孔hg以及作为第二布线层18设置的第二连接布线18j，与有机el元件35的第一电极31电连接。在此，发光控制tft9f构成为根据发光控制线14e的选择向有机el元件35施加所述驱动电流。
26.如图8所示，第二初始化tft9g在各像素p中，其控制端子与对应的栅极线14g电连接，其第一端子与有机el元件35的第一电极31电连接，其第二端子与对应的初始化电源线16i电连接。此外，如图7所示，第二初始化tft9g的控制端子是与栅极线14g的半导体层12a重叠的两个部分。此外，如图7所示，第二初始化tft9g的第一端子与发光控制tft9f的第二端子一体地形成，与有机el元件35的第一电极31电连接。此外，如图7所示，第二初始化tft9g的第二端子经由第四接触孔hd、第四连接布线18k及第五接触孔he与初始化电源线16i电连接。在此，第二初始化tft9g构成为根据栅极线14g的选择将蓄积在有机el元件35的第一电极31上的电荷复位。
27.此外，在本实施方式中，示例了顶栅型的tft9a～tft9g，但tft9a～tft9g也可以为底栅型的tft。
28.在此，如图7以及图9所示，电容器9h包括：栅极14a；在栅极14a上设置的下层侧第一层间绝缘膜15；以及俯视时与栅极14a重叠的方式设置于下层侧第一层间绝缘膜15上的第三电源线16c。另外，如图7及图8所示，电容器9h在各子像素p中，其栅极14a与驱动tft9d的栅极14a—体形成，与第一初始化tft9a的第一端子及阈值电压补偿tft9b的第二端子电连接，第三电源线16c经由形成于上层侧第一层间绝缘膜17的第八接触孔hh与对应的第二电源线18g电连接。这里，电容器9h构成为在对应的栅极线14g为选择状态时以对应的源极线18f的电压进行蓄电，通过保持蓄电的电压，在对应的栅极线14g为非选择状态时维持施加于驱动tft9d的栅极14a的电压。此外，如图7所示，第三电源线16c遍及栅极14a的周端的整周设置到栅极14a的周端的外侧。此外，如图7以及图9所示，在第三电源线16c上，以俯视时与栅极14a重叠并且贯通第三电源线16c的方式设置有贯通孔a。另外，在第三电源线16c上，如图9所示，以覆盖第三电源线16c的方式设置有上层侧第一层间绝缘膜17。此外，如图7以及图9所示，栅极14a经由第一接触孔ha与作为第二布线层18设置的第三连接布线18e电连接。
29.有机el元件层40由矩阵状排列的多个有机el元件35构成，如图9所示，具有以在tft层30a上依次层叠的方式设置的多个第一电极31、多个有机el层33及第二电极34。
30.如图9与图10所示，多个第一电极31以与多个子像素相对应的方式呈矩阵状设置在第二平坦化膜22上。在此，如图11所示，在各子像素p中，第一电极31经由形成于第二平坦化膜22的第一通孔hi、作为第三布线层21设置的第一连接布线21b以及形成于第一平坦化膜19的第二通孔hj，与第二连接布线18j电连接。另外，如图10及图11所示，在第二层间绝缘膜20a中，贯通第二层间绝缘膜20a，与第一连接布线21b重叠，并且以俯视时周缘包围第一通孔h1及第二通孔hj的方式设置有接触开口部m。另外，如图10以及图12所示，在第二层间绝缘膜20a中，贯通第二层间绝缘膜20a，从显示区域d的一端到另一端以与各第一电源线21a重叠的方式设置有列狭缝sy。另外，如图10以及图11所示，在第二层间绝缘膜20a中，贯通第二层间绝缘膜20a，从显示区域d的一端到另一端以与各其他第一电源线21a重叠的方式设置有行狭缝sx。另外，第一电极31具有向有机el层33注入空穴(hole)的功能。此外，为了提高对有机el层33的空穴注入效率，第一电极31更优选由功函数大的材料形成。此处，作为构成第一电极31的材料，例如，例举出银(ag)、铝(al)、钒(v)、钴(co)、镍(ni)、钨(w)、金(au)、钛(ti)、钌(ru)、锰(mn)、铟(in)、(yb)、氟化锂(lif)、铂(pt)、钯(pd)、钼(mo)、铱(ir)、锡(sn)等金属材料。此外，构成第一电极31的材料也可以是例如砹(at)/氧化砹(ato2)等的合金。进一步地，构成第一电极31的材料例如也可以为氧化锡(sno)、氧化锌(zno)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)那样的导电性氧化物等。此外，第一电极31也可以通过层叠多个由上述材料构成的层来形成。另外，作为功函数大的化合物材料，例如可例举铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)等。另外，第一电极31的周端部被设置成对多个子像素p共用的格子状的边缘罩22覆盖。
31.如图9所示，多个有机el层33配置在各第一电极31上，并且以与多个子像素p对应的方式作为发光层设置成矩阵状。在此，如图13所示，各有机el层33包括依次设置在第一电极31上的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4及电子注入层5。
32.空穴注入层1还被称为阳极缓冲层，其使第一电极31和有机el层33的能级接近，具有改善从第一电极31对有机el层33的空穴注入效率的功能。在此，作为构成空穴注入层1的材料，例如可举出三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物等。
33.空穴输送层2具有提高空穴从第一电极31向有机el层33的输送效率的功能。作为空穴传输层2的材料，例如可举出卟啉衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚-p-苯乙炔、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、胺取代的查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
34.有机发光层3是在对第一电极31及第二电极34施加电压时，从第一电极31及第二电极34分别注入空穴及电子，并且空穴和电子再结合的区域。在此，有机发光层3由发光效率高的材料形成。而且，作为构成有机发光层3的材料，例如，可列举出金属轻基哇琳酬化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙胺衍生物、双苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、茈衍生物、紫环酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯乙炔、聚硅烷等。
[0035]
电子输送层4具有使电子高效率地迁移至有机发光层3的功能。在此，作为构成电子输送层4的材料，例如可举出噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、二苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属轻基哇琳酬化合物等作为有机化合物。
[0036]
电子注入层5接近第二电极34和有机el层33的能级，具有提高从第二电极34向有机el层33注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低有机el元件35的驱动电压。此外，电子注入层5还被称为阴极缓冲层。此处，作为构成电子注入层5的材料，例如可举出氟化锂(lif)、氟化镁(mgf2)、氟化钙(caf2)、氟化锶(srf2)、氟化钡(baf2)那样的无机碱化合物、氧化铝(al2o3)、氧化锶(sro)等。
[0037]
如图9所示，第二电极34对多个子像素p共用并以覆盖各有机el层33和边缘罩的方式设置。另外，第二电极34具有向各有机el层33注入电子的功能。另外，为了提高对有机el层33的电子注入效率，第二电极34更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极34的材料，例如可举出银(ag)、铝(al)、钒(v)、钙(ca)、钛(ti)、钇(y)、钠(na)、锰(mn)、铟(in)、镁(mg)、锂(li)、镱(yb)、氟化锂(lif)等。另外，第二电极34例如也可以由镁(mg)/铜(cu)、镁(mg)/银(ag)、钠(na)/钾(k)、砹(at)/氧化砹(ato2)、锂(li)/铝(al)、锂(li)/钙(ca)/铝(al)、氟化锂(lif)/钙(ca)/铝(al)等合金形成。另外，第二电极34例如也可以由氧化锡(sno)、氧化锌(zno)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)等导电性氧化物形成。另外，第二电极34例如也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。此外，作为功函数小的材料，例如可举出镁(mg)、锂(li)、氟化锂(lif)、镁(mg)/铜(cu)、镁(mg)/银(ag)、钠(na)/钾(k)、锂(li)/铝(al)、锂(li)/钙(ca)/铝(al)、氟化锂(lif)/钙(ca)/铝(al)等。
[0038]
如图9所示，密封膜45包括：以覆盖第二电极34的方式设置，且依次设置在第二电极34上的第一无机密封膜41、有机密封膜42以及第二无机密封膜43，并具有保护有机el元件35的有机el层33免受水分、氧影响的功能。此处，第一无机密封膜41和第二无机密封膜43例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜构成。另外，有机密封膜42例如由丙烯酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等有机树脂材料构成。
[0039]
另外，如图1所示，有机el显示装置50a在边框区域f具备:以框状设置在沟槽g的外侧的第一阻挡壁wa和以框状设置在第一阻挡壁wa的周围的第二阻挡壁wb。
[0040]
第一阻挡壁wa及第二阻挡壁wb例如构成为通过以层叠由与第一平坦化膜19相同的材料形成于同一层的树脂层、与由与第二平坦化膜22相同的材料形成于同一层的树脂层的方式层叠多个树脂层。另外，第一阻挡壁wa以与密封膜45的有机密封膜42的周端部重叠的方式设置，以抑制成为有机密封膜42的油墨的扩散的方式构成。
[0041]
另外，如图1所示，有机el显示装置50a在边框区域f中，在沟槽g的内侧作为第二布线层18设置成框状，且沟槽g的开口的部分的两端部具备向端子部t延伸的第一边框布线18m。在此，第一边框布线18m构成为在端子部t输入高电压(elvdd)。另外，如图1所示，第一边框布线18m具备:第二主干布线18mx，其以与后述的第一主干布线21mx重叠的方式设置；以及其他第二主干布线18my，其以与后述的其他第一主干布线21my重叠的方式设置。此外，如图14所示，第二主干布线18mx在显示区域d侧分支为多个而构成为多个第二电源线18g。另外，第一主干布线21mx在边框区域f中以在行方向(图中的x方向)上延伸的方式设置为第三布线层21。此外，如图14所示，第一主干布线12mx在显示区域d侧分支为多个而构成多个第一电源线21aa。另外，如图14所示，在第二层间绝缘膜20a上以与第一主干布线12mx重叠的方式设置有主干狭缝smx。进而，如图14所示，第一主干布线21mx及第二主干布线18mx经由形成于第一平坦化膜19的第四通孔hn而相互电连接。另外，如图15所示，其他第一主干布线21my在边框区域f中以在列方向(图中的x方向)上延伸的方式设为第三布线层21。此外，如图15所示，其他第一主干布线12my在显示区域d侧分支为多个而构成多个其他第一电源线21ab。另外，如图15与图16所示，在第二层间绝缘膜20a上以与其他第一主干布线12my重叠的方式设置有主干狭缝smy。另外，如图5和图16所示，其他第一主干布线21my和其他第二主干布线18my经由形成于第一平坦化膜19的第五通孔ho而相互电连接。另外，如图15以及图16所示，其他第二主干布线18my经由形成于上层侧第一层间绝缘膜17的第十接触孔hp与第三电源线16c电连接。此外，在本实施方式中，例示了不由第四布线层16构成的干布线的结构，但也可以不使初始化电源线16i配置于边框区域f，在边框区域f中，以与其他第一主干布线21my重叠的方式作为第四布线层16设置第三干布线16m(参照图15中的双点划线)，将第三干布线16m在显示区域d侧分支为多个而构成多个第三电源线16c。另外，在本实施方式中，例示了设置有第一主干布线21mx、第二主干布线18mx、其他第一主干布线21my和其他第二主干布线18my的布线结构，但如图17所示，也可以省略第一主干布线21mx、第二主干布线18mx、(其他第一主干布线21my、其他第二主干布线18my)。
[0042]
另外，如图1所示，有机el显示装置50a在边框区域f具备第二边框布线18i，该第二边框布线18i在沟槽g的外侧作为第二布线层18设置为大致c状，两端部在端子部t延伸。在此，第二边框布线18i例如经由作为第三布线层21设置于沟槽g的导电层，与第二电极34电
连接，在端子部t输入低电源电压(elvss)。
[0043]
在上述结构的有机el显示装置50a中，在各子像素p中，首先，当选择对应的发光控制线14e并成为非激活状态时，有机el元件35成为非发光状态。在该非发光状态下，选择与(电连接于第一初始化tft9a与第二初始化tft9g)对应的栅极线14g，栅极信号经由该栅极线14g被输入到第一初始化tft9a，从而第一初始化tft9a与第二初始化tft9g成为导通状态，对应的初始化电源线16i的电压被施加于电容器9h，并且驱动tft9d成为导通状态。由此，电容器9h的电荷被放电，施加于驱动tft9d的控制端子(第一栅极)14a的电压被初始化。接着，通过选择(电连接于阈值电压补偿tft9b与写入控制tft9c)对应的栅极线14g成为激活状态，阈值电压补偿tft9b及写入控制tft9c成为导通状态，与经由对应的源极线18f传达的源极信号对应的规定电压经由二极管连接状态下的驱动tft9d写入电容器9h，经由对应的初始化电源线16i向有机el元件35的第一电极31施加初始化信号，在第一电极31蓄积的电荷被复位。然后，所对应的发光控制线14e被选择，电源供给tft9e和发光控制tft9f成为导通状态，与施加于驱动tft9d的控制端子(栅极)14a的电压相应的驱动电流从对应的电源线18g供给有机el元件35。这样，在有机el显示装置50a中，在各子像素p中，有机el元件35以对应于驱动电流的亮度发光，进行图像显示。
[0044]
接着，对本实施方式的有机el显示装置50a的制造方法进行说明。另外，本实施方式的有机el显示装置50a的制造方法具备tft层形成工序、有机el元件形成工序以及密封膜形成工序。
[0045]
《tft层形成工序》首先，例如通过例如等离子体cvd(chemical vapor deposition:化学气相沉积)法，在形成于玻璃基板上的树脂基板层10上将氧化硅膜等无机绝缘膜(厚度1000nm左右)成膜，从而形成底涂层膜11。
[0046]
接着，利用等离子体cvd法，在形成有底涂层膜11的基板整体上将例如非晶硅膜(厚度50nm左右)成膜，通过激光退火等使非晶硅膜结晶，形成多晶硅膜的半导体膜之后，对该半导体膜进行图案化形成半导体层12a。
[0047]
之后，通过例如等离子体cvd法在形成有半导体层12a等的基板整体上将氧化硅膜等无机绝缘膜(100nm左右)成膜，形成覆盖半导体层12a的栅极绝缘膜13。
[0048]
此外，例如，通过飞溅法在形成栅极绝缘膜13的基板整体上依次将铝膜(厚度350nm左右)和氮化钼膜(厚度50nm左右)等成膜后，对这些金属层叠膜进行图案化，形成栅极线14g等的第一布线层14。
[0049]
接着，通过将第一布线层14作为掩模，掺杂杂质离子，由此在半导体层12a上形成本征区域和导体区域。
[0050]
然后，通过例如等离子体cvd法在具有本征区域和导体区域的半导体层12a等的基板整体将氧化硅膜等无机绝缘膜(厚度100nm左右)成膜，形成下层侧第一层间绝缘膜15。
[0051]
接着，在形成有下层侧第一层间绝缘膜15的基板整体，例如通过溅射法依次将铝膜(厚度350nm左右)和氮化钼膜(厚度50nm左右)等成膜，然后对该金属层叠膜进行图案化，形成第三电源线16c等的第四布线层16。
[0052]
进一步，通过例如等离子体cvd法在形成有第四布线层16的基板整体上将氧化硅膜等无机绝缘膜(厚度500nm左右)成膜，从而形成上层侧第一层间绝缘膜17。
[0053]
然后，通过将上层侧第一层间绝缘膜17、下层侧第一层间绝缘膜15及栅极绝缘膜13图案化而形成接触孔ha等。
[0054]
接着，例如利用溅射法在形成了接触孔ha等的基板整体上依次将钛膜(厚度30nm左右)、铝膜(厚度300nm左右)及钛膜(厚度50nm左右)等成膜后，对这些金属层叠膜进行图案化，形成源极线18f等的第二布线层18。
[0055]
最后，通过例如旋涂法或狭缝涂布法在形成有第二布线层18的基板整体涂布聚酰亚胺类的感光性树脂膜(厚度2μm左右)后，通过对其涂布膜进行预烘烤、曝光、显影及后烘烤，从而形成具有通孔hj等的第一平坦化膜19。
[0056]
之后，例如利用等离子体cvd法在形成有第一平坦化膜19的基板整体上将氧化硅膜等无机绝缘膜(厚度500nm左右)成膜后，对该无机绝缘膜进行图案化，从而形成第二层间绝缘膜20a。
[0057]
接着，例如利用溅射法在形成了第二层间绝缘膜20a的基板整体上依次将钛膜(厚度30nm左右)、铝膜(厚度300nm左右)及钛膜(厚度50nm左右)等成膜之后，对这些金属层叠膜进行图案化，形成第一电源线21a等的第三布线层21。
[0058]
最后，通过例如旋涂法或狭缝涂布法在形成有第三布线层21的基板整体上涂布聚酰亚胺类的感光性树脂膜(厚度2μm左右)后，通过对其涂布膜进行预烘烤、曝光、显影及后烘烤，从而形成具有通孔hi等的第二平坦化膜22。
[0059]
如上所述，能够制造tft层30a。
[0060]
＜有机el元件形成工序＞通过使用已知的方法，在上述tft层形成工序中所形成的tft层30a的第二平坦化膜上22形成第一电极31、边缘罩、有机el层33(空穴注入层1、空穴传输层2、有机发光层3、电子传输层4、电子注入层5)和第二电极34来形成有机el元件层40。
[0061]
《密封膜形成工序》在由上述有机el元件层形成工序中形成的有机el元件层40上，使用已知的方法形成密封膜45(第一密封无机绝缘膜41、密封有机膜42、第二密封无机绝缘膜43)。最后，在形成有密封膜45的基板表面上贴附保护片(未图示)之后，通过从树脂基板层10的玻璃基板侧照射激光，从而使玻璃基板从树脂基板层10的下表面剥离，进一步地，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的下表面贴附保护片(未图示)。
[0062]
如上所述，能够制造本实施方式的有机el显示装置50a。
[0063]
如上所述，根据本实施方式的有机el显示装置50a，在第二层间绝缘膜20a中，贯通第二层间绝缘膜20a，与第一连接布线21b重叠，并且以俯视时周缘包围第一通孔hi以及第二通孔hj的方式设置有接触开口部m。由此，即使第一连接布线21b在接触开口部m的周缘部因台阶而断裂，第一连接布线21b也不会在第一通孔hi和第二通孔hj之间断裂，因此能够确保第一通孔hi和第二通孔hj之间的导通。另外，由于接触开口部m在俯视时比第一通孔hi以及第二通孔hj大，因此能够使第一连接布线21b可靠地与第二连接布线18j接触。因此，在依次设置有第二连接布线18j(被连接布线)、第一平坦化膜19、第二层间绝缘膜20a以及第一连接布线21b(连接布线)的层叠结构中，能够抑制第二连接布线18j与第一连接布线21b的导通不良的发生。
[0064]
另外，根据本实施方式的有机el显示装置50a，由于设于第二层间绝缘膜20a的接
触开口部m的周缘包围第一通孔hi及第二通孔hj，因此在制造工序中，能够容易地将第一平坦化膜19所包含的水分等向外部排出，能够提高有机el元件35的可靠性。
[0065]
《其他实施方式》在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层的五层层叠构造的有机el层，但有机el层例如也可以为空穴注入层兼空穴输送层、发光层及电子输送层兼电子注入层的三层层叠构造。
[0066]
此外，在上述实施方式中，例示了将第一电极设为阳极、第二电极设为阴极的有机el显示装置，但本发明还能够应用于使有机el层的层叠构造反转，且将第一电极设为阴极，将第二电极设为阳极的有机el显示装置。
[0067]
此外，在上述实施方式中，作为显示装置以有机el显示装置为例进行了说明，但本发明可以适用于包括由电流驱动的多个发光元件的显示装置。例如，可以适用于包括使用了含量子点层的发光元件的qled(quantum-dot light emitting diode，量子点发光二极管)的显示装置。
[0068]
如以上说明，本发明可用于柔性的有机el显示装置。
[0069]
附图标记说明d
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显示区域hh
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第八接触孔hi
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第一通孔hj
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第二通孔hk
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第三通孔m
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接触开口部p
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子像素smx
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主干狭缝smy
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其他主干狭缝sx
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行狭缝sy
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列狭缝10
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树脂基板层(底基板)12a
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半导体层13
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栅极绝缘膜14
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第一布线层14g
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栅极线15
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下层侧第一层间绝缘层16
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第四布线层16c
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第三电源线16m
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第三主干布线17
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上层侧第一层间绝缘层18
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第二布线层18f
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源极线18g
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第二电源线
18j
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第二连接布线18mx
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第二主干布线18my
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其他第二主干布线19
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第一平坦化膜20a，20ba，20bb，20ca，20cb
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第二层间绝缘膜21
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第三布线层21aa
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第一电源线21ab
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其他第一电源线21b
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第一连接布线21mx
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第一主干布线21my
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其他第一主干布线22
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第二平坦化膜30a，30b，30c
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tft层31
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第一电极33
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有机发光层(发光层)34
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第二电极40
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有机el元件层(发光元件层)50a
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有机el显示装置