一种半导体的封装方法及封装结构与流程

技术特征：
1.一种半导体的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：在基底(5)上开设若干盲孔(8)和若干通孔(3)；在基底(5)底面贴装若干无源器件(4)和若干第二芯片(15)；在基底(5)顶面上贴装若干第一芯片(1)、saw滤波器(2)和若干无源器件(4)，在每个saw滤波器(2)下方设置有idt功能区域(6)；在基底(5)顶面上方包裹一层光敏感材料膜(7)，使每个saw滤波器(2)底部形成空腔(9)结构；去除顶面通孔(3)上的光敏感材料膜(7)使通孔(3)重新外露；采用塑封工艺处理基底(5)，塑封完成后，转序切割成单颗产品；在每个单颗产品的顶面进行金属镀膜形成金属镀层(12)。2.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，在基底(5)顶面上贴装元器件时，先在基底(5)底面下方安装一个固定盖(14)。3.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述盲孔(8)设置在基底(5)的顶面和底面用于放置第一芯片(1)、第二芯片(15)或saw滤波器(2)，所述通孔(3)设置在基底(5)的两侧边缘位置，用于在塑封工艺处理基底(5)时，使塑封料(13)溢流在基底(5)两侧。4.根据权利要求2所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述固定盖(14)为u形，底面水平，两侧宽度与基底(5)相同。5.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述光敏感材料膜(7)采用真空层压覆膜工艺安装。6.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述光敏感材料膜(7)由聚酰亚胺制成。7.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，在单颗产品的顶面进行金属镀膜时采用pvd金属镀膜工艺。8.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述金属镀层(12)为不锈钢、铝或铜。9.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述基底(5)由低温共烧陶瓷工艺制成。10.一种半导体的封装结构，基于权利要求1-9任一项所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，包括基底(5)，所述基底(5)两侧设有若干通孔(3)，所述基底(5)顶面和底面设有若干盲孔(8)，所述基底(5)底面设有若干第二芯片(15)和无源器件(4)，所述基底(5)顶面设有若干第一芯片(1)、无源器件(4)和saw滤波器(2)，每个saw滤波器(2)下方均设有idt功能区域(6)；所述顶面上方包裹一层光敏感材料膜(7)，所述每个idt功能区域(6)下方都设有空腔(9)，所述基底(5)包裹在塑封料(13)中，所述基底(5)顶面上方设有金属镀层(12)。

技术总结
本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种半导体的封装方法及封装结构。包括以下步骤：在基底上开设若干盲孔和若干通孔；在基底底面贴装若干无源器件和若干第二芯片；在基底顶面上贴装若干第一芯片、SAW滤波器和若干无源器件，在每个SAW滤波器下方都安装一个IDT功能区域；在顶面上方包裹一层光敏感材料膜，使每个SAW滤波器底部形成空腔结构；去除顶面通孔上的光敏感材料膜使通孔重新外露；采用塑封工艺处理基底，塑封完成后，去除固定盖，转序切割成单颗产品；在每个单颗产品的顶面进行金属镀膜形成金属镀层。本发明通过在基底顶面的塑封体表面进行金属镀层工艺，可屏蔽不同频段电磁波之间的相互干扰，提高工作稳定性。提高工作稳定性。提高工作稳定性。


技术研发人员：巫碧勤 陈兴隆 庞宝龙
受保护的技术使用者：华天科技（南京）有限公司
技术研发日：2022.04.18
技术公布日：2022/7/29