一种光掩模曝光方法与流程

技术特征：
1.一种光掩模曝光方法，其特征在于，所述方法包括：对预处理图形进行图形识别；根据图形尺寸将所述预处理图形分为第一图形区和第二图形区，所述第一图形区为大尺寸图形，所述第二图形区为精密图形；将所述第一图形区和所述第二图形区进行切割；对所述第一图形区通过不铺满以及无重叠的方式进行曝光；对所述第二图形区进行精密曝光。2.根据权利要求1所述的光掩模曝光方法，其特征在于，所述不铺满以及无重叠的方式包括：将所述第一图形区的图形按照曝光最小切割尺寸切割为多个曝光单元，各所述曝光单元之间留有间隔。3.根据权利要求2所述的光掩模曝光方法，其特征在于，所述曝光单元之间的间隔距离小于等于30纳米。4.根据权利要求1所述的光掩模曝光方法，其特征在于，所述图形尺寸大于4倍曝光最小切割尺寸的图形为大尺寸图形。5.根据权利要求1所述的光掩模曝光方法，其特征在于，对所述第一图形区和所述第二图形区进行切割时，在所述第二图形区的边界保留一定尺寸的第一图形区的图形。6.根据权利要求5所述的光掩模曝光方法，其特征在于，在所述第二图形区的边界保留的第一图形区的图形尺寸为曝光最小切割尺寸。7.根据权利要求2-4和权利要求6任一项所述的光掩模曝光方法，其特征在于，所述曝光最小切割尺寸为0.5微米、0.8微米或1微米。8.根据权利要求1所述的光掩模曝光方法，其特征在于，所述第一图形区采用单路程曝光的方式进行曝光。9.根据权利要求1所述的光掩模曝光方法，其特征在于，所述第二图形区采用多路程迭代的方式进行曝光，所述多路程迭代的方式包括二路重叠、三路重叠或四路重叠的方式。10.根据权利要求1所述的光掩模曝光方法，其特征在于，对所述第一图形区进行曝光和所述第二图形区进行曝光时分别采用不同的曝光机进行曝光。

技术总结
本申请提供了一种光掩模曝光方法，属于电子束曝光技术领域，该方法包括：对预处理图形进行图形识别；根据图形尺寸将所述预处理图形分为第一图形区和第二图形区，所述第一图形区为大尺寸图形，所述第二图形区为精密图形；将所述第一图形区和所述第二图形区进行切割；对所述第一图形区通过不铺满以及无重叠的方式进行曝光；对所述第二图形区进行精密曝光。通过本申请的处理方案，有效降低了曝光时间，并降低了生产成本。降低了生产成本。降低了生产成本。


技术研发人员：施维 郑怀志
受保护的技术使用者：广州新锐光掩模科技有限公司
技术研发日：2022.04.18
技术公布日：2022/7/29