有机电致发光材料和装置的制作方法

有机电致发光材料和装置
1.相关申请的交叉参考
2.本技术根据35u.s.c.
§
119(e)要求2021年1月29日提交的美国临时申请第63/143,259号的优先权，其全部内容以引入的方式并入本文中。
技术领域
3.本公开大体上涉及有机金属化合物和调配物和其各种用途，包括在如有机发光二极管和相关电子装置的装置中作为发射体。


背景技术：

4.出于各种原因，利用有机材料的光电装置变得越来越受欢迎。用于制造所述装置的许多材料相对较为便宜，因此有机光电装置具有优于无机装置的成本优势的潜力。另外，有机材料的固有性质(例如其柔性)可以使其较适用于特定应用，如在柔性衬底上的制造。有机光电装置的实例包括有机发光二极管/装置(oled)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光电检测器。对于oled，有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。
5.oled利用有机薄膜，其在电压施加于装置上时会发射光。oled正成为用于如平板显示器、照明和背光的应用中的日益受关注的技术。
6.磷光发射分子的一个应用是全色显示器。针对此类显示器的行业标准需要适合于发射特定颜色(称为“饱和”色)的像素。具体来说，这些标准需要饱和红色、绿色和蓝色像素。或者，oled可经设计以发射白光。在常规液晶显示器中，使用吸收滤光器过滤来自白色背光的发射以产生红色、绿色和蓝色发射。相同技术也可以用于oled。白色oled可以是单发射层(eml)装置或堆叠结构。可以使用所属领域中所熟知的cie坐标来测量色彩。


技术实现要素：

7.在一个方面，本公开提供一种oled，其包含：阳极；阴极；以及安置于所述阳极与所述阴极之间的发射区域，其中：所述发射区域包含第一化合物和第二化合物；所述第一化合物能够能量转移到所述第二化合物；其中所述第一化合物能够在室温下充当oled中的磷光发射体；所述第二化合物符合以下两个条件中的至少一个：(1)所述第二化合物能够在室温下充当oled中的tadf发射体，以及(2)所述第二化合物能够在室温下充当oled中的荧光发射体；且所述第二化合物包含至少一个氘原子。
8.在另一个方面，本公开提供一种调配物，其包含：第一化合物；和第二化合物；其中：所述第一化合物能够能量转移到所述第二化合物；所述第一化合物能够在室温下充当oled中的磷光发射体；所述第二化合物符合以下两个条件中的至少一个：(1)所述第二化合物能够在室温下充当oled中的tadf发射体，以及(2)所述第二化合物能够在室温下充当oled中的荧光发射体；且所述第一化合物和所述第二化合物中的至少一个包含至少一个氘原子。
9.在另一方面，本公开提供一种选自由以下组成的群组的化学结构：单体、聚合物、
大分子和超分子，其中所述化学结构包含：第一基团、其单价或多价变体；第二基团、其单价或多价变体；并且其中所述第一基团能够能量转移到所述第二基团；其中当所述第一基团单独作为化合物存在时，所述第一基团能够在室温下充当oled中的磷光发射体；其中所述第二基团符合以下两个条件中的至少一个：(1)当所述第二基团单独作为化合物存在时，所述第二基团能够在室温下充当oled中的tadf发射体，以及(2)当所述第二基团单独作为化合物存在时，所述第二基团能够在室温下充当oled中的荧光发射体；以及所述第一基团和所述第二基团中的至少一个包含至少一个氘原子。
10.还公开预混合共蒸发源，其为第一化合物与第二化合物的混合物；其中：所述共蒸发源为用于真空沉积工艺或ovjp工艺的共蒸发源；所述第一化合物能够能量转移到所述第二化合物；所述第一化合物能够在室温下充当oled中的磷光发射体；所述第二化合物符合以下两个条件中的至少一个：(1)所述第二化合物能够在室温下充当oled中的tadf发射体；以及(2)所述第二化合物能够在室温下充当oled中的荧光发射体；以及所述第一化合物和所述第二化合物中的至少一个包含至少一个氘原子；所述第一化合物的蒸发温度temp1为150到350℃；所述第二化合物的蒸发温度temp2为150到350℃；temp1-temp2的绝对值小于20℃；所述第一化合物在所述混合物中具有浓度c1，并且在通过在真空沉积工具中以1
×
10-6
托到1
×
10-9
托之间的恒定压力、以沉积速率在与被蒸发的混合物相距预定距离地定位的表面上蒸发混合物形成的膜中具有浓度c2；并且(c1-c2)/c1的绝对值小于5％。
11.还公开了一种制造oled的方法，所述方法包含：提供上面安置第一电极的衬底；通过在高真空沉积工具中以1
×
10-6
托到1
×
10-9
托之间的腔室基础压力蒸发预混合共蒸发源在所述第一电极上方沉积第一有机层，其中所述预混合共蒸发源是第一化合物和第二化合物的混合物；以及在所述第一有机层上方沉积第二电极；其中所述第一化合物和所述第二化合物为本文所述的那些。
12.在又一方面，本公开提供一种消费型产品，其包含本文所公开的oled。
附图说明
13.图1展示一种有机发光装置。
14.图2展示不具有独立电子传输层的倒置式有机发光装置。
具体实施方式
15.a.术语
16.除非另外规定，否则本文所用的以下术语定义如下：
17.如本文所用，术语“有机”包括可以用于制造有机光电装置的聚合材料和小分子有机材料。“小分子”是指并非聚合物的任何有机材料，并且“小分子”可能实际上相当大。在一些情况下，小分子可以包括重复单元。举例来说，使用长链烷基作为取代基并不会将某一分子从“小分子”类别中去除。小分子还可以并入聚合物中，例如作为聚合物主链上的侧接基团或作为主链的一部分。小分子还可以充当树枝状聚合物的核心部分，所述树枝状聚合物由一系列构建在核心部分上的化学壳层组成。树枝状聚合物的核心部分可以是荧光或磷光小分子发射体。树枝状聚合物可以是“小分子”，并且认为当前在oled领域中使用的所有树枝状聚合物都是小分子。
18.如本文所用，“顶部”意指离衬底最远，而“底部”意指最靠近衬底。在第一层被描述为“安置于”第二层“上方”的情况下，第一层被安置于离基板较远处。除非规定第一层“与”第二层“接触”，否则第一与第二层之间可以存在其它层。举例来说，即使阴极和阳极之间存在各种有机层，仍可以将阴极描述为“安置于”阳极“上方”。
19.如本文所用，“溶液可处理”意指能够以溶液或悬浮液的形式在液体介质中溶解、分散或传输和/或从液体介质沉积。
20.当认为配体直接促成发射材料的光敏性质时，所述配体可以被称为“光敏性的”。当认为配体并不促成发射材料的光敏性质时，所述配体可以被称为“辅助性的”，但辅助性配体可以改变光敏性配体的性质。
21.如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一能级较接近真空能级，那么第一“最高占用分子轨道”(highest occupied molecular orbital，homo)或“最低未占用分子轨道”(lowest unoccupied molecular orbital，lumo)能级“大于”或“高于”第二homo或lumo能级。由于将电离电位(ip)测量为相对于真空能级的负能量，因此较高homo能级对应于具有较小绝对值的ip(较不负(less negative)的ip)。类似地，较高lumo能级对应于具有较小绝对值的电子亲和性(ea)(较不负的ea)。在顶部是真空能级的常规能级图上，材料的lumo能级高于相同材料的homo能级。“较高”homo或lumo能级表现为比“较低”homo或lumo能级更靠近这个图的顶部。
22.如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一功函数具有较高绝对值，那么第一功函数“大于”或“高于”第二功函数。因为通常将功函数测量为相对于真空能级的负数，所以这意指“较高”功函数是更负的(more negative)。在顶部是真空能级的常规能级图上，“较高”功函数经说明为在向下方向上离真空能级较远。因此，homo和lumo能级的定义遵循与功函数不同的定则。
23.术语“卤”、“卤素”和“卤基”可互换地使用并且指氟、氯、溴和碘。
24.术语“酰基”是指被取代的羰基(c(o)-rs)。
25.术语“酯”是指被取代的氧基羰基(-o-c(o)-rs或-c(o)-o-rs)基团。
26.术语“醚”是指-ors基团。
27.术语“硫基”或“硫醚”可互换地使用并且指-srs基团。
28.术语“氧硒基(selenyl)”是指-sers基团。
29.术语“亚磺酰基”是指-s(o)-rs基团。
30.术语“磺酰基”是指-so
2-rs基团。
31.术语“膦基”是指-p(rs)3基团，其中每个rs可以相同或不同。
32.术语“硅烷基”是指-si(rs)3基团，其中每个rs可以相同或不同。
33.术语“锗烷基(germyl)”是指-ge(rs)3基团，其中每个rs可以相同或不同。
34.术语“硼烷基”是指-b(rs)2基团或其路易斯加合物(lewis adduct)-b(rs)3基团，其中rs可以相同或不同。
35.在上述每一个中，rs可以是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基和其组合。优选的rs选自由以下组成的群组：烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合。
36.术语“烷基”是指并且包括直链和支链烷基。优选的烷基是含有一到十五个碳原子的烷基，并且包括甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基等。另外，烷基可以任选地被取代。
37.术语“环烷基”是指并且包括单环、多环和螺烷基。优选的环烷基为含有3到12个环碳原子的环烷基，并且包括环丙基、环戊基、环己基、双环[3.1.1]庚基、螺[4.5]癸基、螺[5.5]十一烷基、金刚烷基等。另外，环烷基可以任选地被取代。
[0038]
术语“杂烷基”或“杂环烷基”分别指烷基或环烷基，其具有至少一个被杂原子置换的碳原子。任选地，所述至少一个杂原子选自o、s、n、p、b、si和se，优选地o、s或n。另外，杂烷基或杂环烷基可以任选地被取代。
[0039]
术语“烯基”是指并且包括直链和支链烯基。烯基基本上是在烷基链中包括至少一个碳-碳双键的烷基。环烯基基本上是在环烷基环中包括至少一个碳-碳双键的环烷基。如本文所用的术语“杂烯基”是指至少一个碳原子被杂原子置换的烯基。任选地，所述至少一个杂原子选自o、s、n、p、b、si和se，优选地o、s或n。优选的烯基、环烯基或杂烯基是含有二到十五个碳原子的那些。另外，烯基、环烯基或杂烯基可以任选地被取代。
[0040]
术语“炔基”是指并且包括直链和支链炔基。炔基本质上是在烷基链中包括至少一个碳-碳三键的烷基。优选的炔基是含有二到十五个碳原子的炔基。另外，炔基可以任选地被取代。
[0041]
术语“芳烷基”或“芳基烷基”可互换地使用并且是指被芳基取代的烷基。另外，芳烷基可以任选地被取代。
[0042]
术语“杂环基”是指并且包括含有至少一个杂原子的芳香族和非芳香族环状基团。任选地，所述至少一个杂原子选自o、s、n、p、b、si和se，优选地o、s或n。芳香族杂环基可与杂芳基互换使用。优选的非芳香族杂环基是含有包括至少一个杂原子的3到7个环原子的杂环基，并且包括环胺，如吗啉基、哌啶基、吡咯烷基等，和环醚/硫醚，如四氢呋喃、四氢吡喃、四氢噻吩等。另外，杂环基可以是任选被取代的。
[0043]
术语“芳基”是指并且包括单环芳香族烃基和多环芳香族环系统。多环可以具有其中两个碳为两个邻接环(所述环是“稠合的”)共用的两个或更多个环，其中所述环中的至少一个是芳香族烃基，例如其它环可以是环烷基、环烯基、芳基、杂环和/或杂芳基。优选的芳基是含有六到三十个碳原子、优选六到二十个碳原子、更优选六到十二个碳原子的芳基。尤其优选的是具有六个碳、十个碳或十二个碳的芳基。合适的芳基包括苯基、联苯、联三苯、三亚苯、四亚苯、萘、蒽、萉、菲、芴、芘、苝和薁，优选苯基、联苯、联三苯、三亚苯、芴和萘。另外，芳基可以任选地被取代。
[0044]
术语“杂芳基”是指并且包括了包括至少一个杂原子的单环芳香族基团和多环芳香族环系统。杂原子包括但不限于o、s、n、p、b、si和se。在许多情况下，o、s或n是优选的杂原子。单环杂芳香族系统优选是具有5或6个环原子的单环，并且环可以具有一到六个杂原子。杂多环系统可以具有其中两个原子为两个邻接环(所述环是“稠合的”)共用的两个或更多个环，其中所述环中的至少一个是杂芳基，例如其它环可以是环烷基、环烯基、芳基、杂环和/或杂芳基。杂多环芳香族环系统可以在多环芳香族环系统的每个环上具有一到六个杂原子。优选的杂芳基是含有三到三十个碳原子、优选三到二十个碳原子、更优选三到十二个
碳原子的杂芳基。合适的杂芳基包括二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、氧杂蒽(xanthene)、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶，优选二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、咪唑、吡啶、三嗪、苯并咪唑、1,2-氮杂硼烷、1,3-氮杂硼烷、1,4-氮杂硼烷、硼氮炔和其氮杂类似物。另外，杂芳基可以任选地被取代。
[0045]
在上面列出的芳基和杂芳基中，三亚苯、萘、蒽、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、咪唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪和苯并咪唑以及其各自对应的氮杂类似物尤其受到关注。
[0046]
如本文所用的术语烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳烷基、杂环基、芳基和杂芳基独立地为未取代的或独立地被一或多个一般取代基取代。
[0047]
在许多情况下，一般取代基选自由以下组成的群组：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、氧硒基、硼烷基和其组合。
[0048]
在一些情况下，优选的一般取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、杂烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、芳基、杂芳基、腈、异腈、硫基、硼烷基和其组合。
[0049]
在一些情况下，更优选的一般取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、硼烷基、芳基、杂芳基、硫基和其组合。
[0050]
在其它情况下，最优选的一般取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合。
[0051]
术语“被取代的”和“取代”是指除h以外的取代基键结到相关位置，例如碳或氮。举例来说，当r1表示单取代时，则一个r1必须不是h(即，取代)。类似地，当r1表示二取代时，则两个r1必须不是h。类似地，当r1表示零或无取代时，r1例如可以是环原子可用价数的氢，如苯的碳原子和吡咯中的氮原子，或对于具有完全饱和价数的环原子仅表示无，例如吡啶中的氮原子。环结构中可能的最大取代数目将取决于环原子中可用价数的总数目。
[0052]
如本文所使用，“其组合”表示适用清单的一或多个成员被组合以形成本领域普通技术人员能够从适用清单中设想的已知或化学稳定的布置。举例来说，烷基和氘可以组合形成部分或完全氘化的烷基；卤素和烷基可以组合形成卤代烷基取代基；并且卤素、烷基和芳基可以组合形成卤代芳烷基。在一个实例中，术语取代包括两到四个列出的基团的组合。在另一个实例中，术语取代包括两到三个基团的组合。在又一实例中，术语取代包括两个基团的组合。取代基的优选组合是含有多达五十个不是氢或氘的原子的组合，或包括多达四十个不是氢或氘的原子的组合，或包括多达三十个不是氢或氘的原子的组合。在许多情况下，取代基的优选组合将包括多达二十个不是氢或氘的原子。
[0053]
本文所述的片段，即氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并噻吩等中的“氮杂”名称意指
相应芳香族环中的c-h基团中的一或多个可以被氮原子置换，例如并且无任何限制性，氮杂三亚苯涵盖二苯并[f,h]喹喔啉和二苯并[f,h]喹啉。所属领域的一般技术人员可以容易地预想上文所述的氮杂-衍生物的其它氮类似物，并且所有此类类似物都意图由如本文所阐述的术语涵盖。
[0054]
如本文所用，“氘”是指氢的同位素。氘代化合物可以使用本领域已知的方法容易地制备。举例来说，美国专利第8,557,400号、专利公开第wo 2006/095951号和美国专利申请公开第us 2011/0037057号(其以全文引用的方式并入本文中)描述了氘取代的有机金属络合物的制备。进一步参考鄢明(ming yan)等人,四面体(tetrahedron)2015,71,1425-30和阿兹罗特(atzrodt)等人,德国应用化学(angew.chem.int.ed.)(综述)2007,46,7744-65(其以全文引用的方式并入)分别描述了苄基胺中亚甲基氢的氘化和用氘置换芳香族环氢的有效途径。
[0055]
应理解，当将分子片段描述为取代基或另外连接到另一部分时，其名称可以如同其是片段(例如苯基、亚苯基、萘基、二苯并呋喃基)一般或如同其是整个分子(例如苯、萘、二苯并呋喃)一般书写。如本文所用，这些不同的命名取代基或连接片段的方式被视为等效的。
[0056]
在一些情况下，一对相邻取代基可以任选地接合或稠合成环。优选的环是五、六或七元碳环或杂环，包括由所述一对取代基形成的环的一部分为饱和以及由所述一对取代基形成的环的一部分为不饱和的两种情况。如本文所用，“相邻”意味着所涉及的两个取代基可以在相同环上彼此紧接，或在具有两个最接近的可用可取代位置(如联苯中的2、2'位置或萘中的1、8位置)的两个邻近环上，只要其可以形成稳定稠合环系统即可。
[0057]
b.本公开的化合物
[0058]
还公开了一种选自由以下组成的群组的化学结构：单体、聚合物、大分子和超分子，其中所述化学结构包含：第一基团、其单价或多价变体；第二基团、其单价或多价变体；并且其中所述第一基团能够能量转移到所述第二基团；其中当所述第一基团单独作为化合物存在时，所述第一基团能够在室温下充当oled中的磷光发射体；其中所述第二基团符合以下条件中的至少一个：
[0059]
(1)当所述第二基团单独作为化合物存在时，所述第二基团能够在室温下充当oled中的tadf发射体；以及
[0060]
(2)当所述第二基团单独作为化合物存在时，所述第二基团能够在室温下充当oled中的荧光发射体；以及
[0061]
其中所述第一基团和所述第二基团中的至少一个包含至少一个氘原子。
[0062]
c.本公开的oled和装置
[0063]
本文公开了一种oled架构，其并入有以下的组合：作为具有磷光能力的材料的第一化合物和作为具有tadf发射能力的材料的第二化合物和/或能够在室温下充当oled中的荧光发射体的材料。装置内电产生的单重态激子和三重态激子可由第一化合物收集，随后可能量转移到可在室温下充当tadf发射体或在室温下充当荧光发射体的第二化合物。最终从荧光发射体主要发射的此系统可具有类似于荧光发射系统的短瞬时时间，同时还有效地收集所有或大部分的电产生的单重态激子和三重态激子。然而，由于三重态激子到tadf/荧光受体的寄生德克斯特能量转移(parasitic dexter energy transfer)，这些装置无法实
现其完全性能潜力。这些tadf/荧光受体通常具有较长的三重激发态，其提供充分的时间在其激发态中发生非所要的降解反应。为了减缓呈长期三重激发态的受体材料的降解路径，将相关部分氘化以减缓所关注的反应路径。
[0064]
在一个方面，本公开提供一种oled，其包含：阳极、阴极，以及安置于所述阳极与所述阴极之间的发射区域，其中所述发射区域包含第一化合物和第二化合物。第一化合物为能够能量转移到第二化合物的磷光体。所述第一化合物能够在室温下充当oled中的磷光发射体。所述第二化合物符合以下条件中的至少一个：(1)所述第二化合物能够在室温下充当oled中的tadf发射体；以及(2)所述第二化合物能够在室温下充当oled中的荧光发射体。第二化合物还包含至少一个氘原子。
[0065]
在oled的一些实施例中，所述第一化合物包含至少一个氘原子。
[0066]
在oled的一些实施例中，所述至少一个氘原子在芳基或杂芳环上。
[0067]
在oled的一些实施例中，所述至少一个氘原子在选自由以下组成的群组的基团上：烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、醚、酯、硫基、膦基、硼烷基和其组合。在一些实施例中，所述至少一个氘原子在烷基或环烷基上。
[0068]
在一些实施例中，所述第一化合物部分氘化。在一些实施例中，所述第一化合物完全氘化。在一些实施例中，所述第二化合物部分氘化。在一些实施例中，所述第二化合物完全氘化。在一些实施例中，所述第二化合物部分或完全氘化，且所述第一化合物未氘化。在一些实施例中，所述第一化合物和所述第二化合物都部分或完全氘化。
[0069]
在一些实施例中，所述oled可依序包含阳极、空穴传输层(htl)、所描述的发射区域、电子传输层(etl)和阴极。在一些实施例中，第一和第二化合物在所述发射区域内的两个个别层中。在所述实例中，两个个别层可以相对于htl和etl的任一顺序位于发射区域中，使得在一些实施例中，含有第一化合物的层比含有第二化合物的层更接近htl。在一些其它实施例中，含有第一化合物的层可比含有第二化合物的层更接近etl。在一些实施例中，第一和第二化合物可以混合物形式在一个沉积层中。混合物可为均匀混合物，或混合物中的化合物可在层的厚度中呈分级的浓度。浓度分级可为线性、正弦等。除第一化合物和第二化合物以外，还可存在一或多种也混合到混合物中的主体化合物。
[0070]
在跨越oled(即，跨越阴极和阳极)施加电压时，本公开的oled发射包含来自第二化合物的s1能量的发射组分作为主要发射源的发光发射。在一些实施例中，至少65％的来自oled的发射以至少10cd/m2的亮度从第二化合物产生。在一些实施例中，至少75％的来自oled的发射以至少10cd/m2的亮度从第二化合物产生。在一些实施例中，至少85％的来自oled的发射以至少10cd/m2的亮度从第二化合物产生。在一些实施例中，至少95％的来自oled的发射以至少10cd/m2的亮度从第二化合物产生。
[0071]
在oled的一些实施例中，第一化合物的t1能量高于第二化合物的t1能量。在oled的一些实施例中，第二化合物的s1能量低于第一化合物的s1能量。
[0072]
在oled的一些实施例中，所述第二化合物能够在室温下充当oled中的tadf发射体。在一些实施例中，第二化合物的s
1-t1能隙小于300mev。在一些实施例中，第二化合物的s
1-t1能隙小于250mev。在一些实施例中，第二化合物的s
1-t1能隙小于200mev。在一些实施例中，第二化合物的s
1-t1能隙小于150mev。在一些实施例中，第二化合物的s
1-t1能隙小于
100mev。
[0073]
在oled的一些实施例中，所述第二化合物在室温下充当所述oled中的发射体。在oled的一些实施例中，所述发射区域进一步包含第三化合物；其中所述第二化合物能够进一步能量转移到所述第三化合物；并且其中所述第三化合物为在室温下充当所述oled中的发射体的荧光化合物。
[0074]
在oled的一些实施例中，所述第三化合物部分或完全氘化。
[0075]
在oled的一些实施例中，所述第二化合物能够在室温下充当oled中的荧光发射体。在oled的一些实施例中，所述第二化合物在室温下充当所述oled中的发射体。
[0076]
在oled的一些实施例中，所述第一化合物能够在室温下在oled中发射三重激发态到单重基态的光。在oled的一些实施例中，所述第一化合物是具有金属-碳键的金属配位络合物。在oled的一些实施例中，所述第一化合物是具有金属-氮键的金属配位络合物。
[0077]
在oled的一些实施例中，金属配位络合物中的金属选自由以下组成的群组：ir、rh、re、ru、os、pt、au和cu。在oled的一些实施例中，所述金属是ir。在oled的一些实施例中，所述金属是pt。
[0078]
在oled的一些实施例中，所述第一化合物具有式m(l1)
x
(l2)y(l3)z；
[0079]
其中l1、l2和l3可以相同或不同；
[0080]
其中x是1、2或3；
[0081]
其中y是0、1或2；
[0082]
其中z是0、1或2；
[0083]
其中x y z是所述金属m的氧化态；
[0084]
其中每个l1、l2和l3独立地选自由以下组成的群组：
[0085][0086]
[0087]
其中l2和l3也可为
[0088]
其中每个y1到y
13
独立地选自由碳和氮组成的群组；
[0089]
其中y'选自由以下组成的群组：bre、nre、pre、o、s、se、c＝o、s＝o、so2、crerf、sirerf和gererf；
[0090]
其中re和rf可以稠合或接合以形成环；
[0091]
其中每个ra、rb、rc和rd可以独立地表示单取代到最大可能数目的取代或无取代；
[0092]
其中每个ra、rb、rc、rd、re和rf独立地为氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硼烷基以及其组合；以及
[0093]
其中任何两个相邻的ra、rb、rc和rd取代基可稠合或接合以形成环或形成多齿配体。
[0094]
在oled的一些实施例中，其中所述第一化合物具有式m(l1)
x
(l2)y(l3)z，所述第一化合物具有选自由以下组成的群组的式：ir(la)3、ir(la)(lb)2、ir(la)2(lb)、ir(la)2(lc)、ir(la)(lb)(lc)和pt(la)(lb)；
[0095]
其中la、lb和lc在所述ir化合物中彼此不同；
[0096]
其中la和lb在所述pt化合物中可相同或不同；以及
[0097]
其中la和lb可以连接以在所述pt化合物中形成四齿配体。
[0098]
在oled的一些实施例中，所述第一化合物具有式m(l1)
x
(l2)y(l3)z，ra、rb、rc、rd、re和rf中的至少一个部分或完全氘化。
[0099]
在oled的一些实施例中，其中所述第二化合物能够在室温下充当oled中的tadf发射体，所述第二化合物包含至少一个供体基团和至少一个受体基团。在一些实施例中，所述第二化合物为金属络合物。在一些实施例中，所述第二化合物为非金属络合物。在一些实施例中，第二化合物为cu、ag或au络合物。
[0100]
在oled的一些实施例中，其中所述第二化合物能够在室温下充当oled中的tadf发射体，所述第二化合物包含选自由以下组成的群组的化学部分中的至少一个：
[0101][0102]
其中x选自由以下组成的群组：o、s、se和nr；
[0103]
其中每个r可以相同或不同并且每个r独立地是受体基团、键结到受体基团的有机连接基团或选自由以下组成的群组的端基：烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、芳基、杂芳基和其组合；以及
[0104]
其中每个r'可以相同或不同，且每个r'独立地选自由以下组成的群组：烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合。
[0105]
在oled的一些实施例中，其中所述第二化合物能够在室温下充当oled中的tadf发射体，所述第二化合物包含选自由以下组成的群组的化学部分中的至少一个：腈、异腈、硼烷、氟化物、吡啶、嘧啶、吡嗪、三嗪、氮杂-咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-三亚苯、咪唑、吡唑、噁唑、噻唑、异噁唑、异噻唑、三唑、噻二唑和噁二唑。
[0106]
在oled的一些实施例中，其中所述第二化合物能够在室温下充当oled中的荧光发射体，所述第二化合物包含至少一个选自由以下组成的群组的有机基团：
[0107][0107]
和其氮杂类似物；
[0108]
其中a选自由以下组成的群组：o、s、se、nr'和cr'r"；
[0109]
其中每个r'可以相同或不同，且每个r'独立地选自由以下组成的群组：烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合。
[0110]
在oled的一些实施例中，其中所述第二化合物能够在室温下充当oled中的荧光发射体，所述第二化合物选自由以下组成的群组：
[0111]
[0112][0112]
其中r1到r9各自独立地表示单取代到最大可能数目的取代或无取代；其中r1到r9各自独立地为氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷
基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硼烷基以及其组合；且其中r1到r9中的至少一个为氘。
[0113]
在本文所公开的oled的一些实施例中，所述发射区域进一步包含第一主体；其中所述第一主体在所述发射区域中的所有材料当中具有最高s1和t1能量，并且其中第一化合物和第二化合物为掺杂剂。在oled的一些实施例中，所述发射区域进一步包含第二主体，其中所述第二主体的s1和t1能量高于第一化合物和第二化合物。
[0114]
在oled的一些实施例中，其中所述发射区域进一步包含第一主体，所述主体包含至少一个选自由以下组成的群组的化学基团：三亚苯、咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮杂三亚苯、氮杂咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃和氮杂-二苯并硒吩。
[0115]
在oled的一些实施例中，其中所述发射区域进一步包含第二主体，所述发射区域进一步包含第三主体，其中所述第三主体的s1和t1能量高于第一化合物和第二化合物。在一些实施例中，所述发射区域进一步包含第四主体；其中所述第四主体的s1和t1能量高于第一化合物和第二化合物。
[0116]
在本文所公开的oled的一些实施例中，所述发射区域中所述第一化合物可在与所述第二化合物不同的层中，或所述第一化合物可在与所述第二化合物混合的层中；其中所述第一化合物在含有所述第一化合物的层中的浓度在1重量％到50重量％范围内。在一些实施例中，所述第一化合物的浓度在5重量％到40重量％范围内。在一些实施例中，所述第一化合物的浓度在10重量％到20重量％范围内。在一些实施例中，所述第一化合物的浓度在12重量％到15重量％范围内。
[0117]
在本文所公开的oled的一些实施例中，所述发射区域中所述第二化合物在与所述第一化合物不同的层中，或所述第二化合物可在与所述第一化合物混合的层中，其中所述第二化合物在含有所述第二化合物的层中的浓度在0.1重量％到10重量％范围内。在一些实施例中，所述第二化合物的浓度在0.5重量％到5重量％范围内。在一些实施例中，所述第二化合物的浓度在1重量％到3重量％范围内。
[0118]
在一些实施例中，发射区域可以进一步包含主体，其中所述主体包含含有三亚苯的苯并稠合噻吩或苯并稠合呋喃，其中主体中的任何取代基是独立地选自由以下组成的群组的非稠合取代基：c
nh2n 1
、oc
nh2n 1
、oar1、n(c
nh2n 1
)2、n(ar1)(ar2)、ch＝ch-c
nh2n 1
、c≡cc
nh2n 1
、ar1、ar
1-ar2、c
nh2n-ar1或无取代，其中n是1到10；且其中ar1和ar2独立地选自由以下组成的群组：苯、联苯、萘、三亚苯、咔唑和其杂芳香族类似物。
[0119]
在一些实施例中，所述发射区域可进一步包含主体，其中主体包含至少一个选自由以下组成的群组的化学基团：三亚苯、咔唑、吲哚并咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、5λ2-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、5,9-二氧杂-13b-硼烷萘并[3,2,1-de]蒽、三嗪、氮杂-三亚苯、氮杂-咔唑、氮杂-吲哚并咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-5λ2-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑和氮杂-(5,9-二氧杂-13b-硼烷萘并[3,2,1-de]蒽)。
[0120]
在一些实施例中，所述主体可以选自由以下组成的host群组：
[0121]
[0122][0123]
和其组合。
[0124]
在一些实施例中，所述发射区域可以进一步包含主体，其中所述主体包含金属络合物。
[0125]
在一些实施例中，如本文所述的化合物可以是敏化剂；其中装置可以进一步包含受体；并且其中所述受体可以选自由以下组成的群组：荧光发射体、延迟荧光发射体和其组合。
[0126]
d.调配物
[0127]
还公开了一种调配物，其包含本文中所再次公开的第一化合物和第二化合物。
[0128]
e.预混合(vte)共蒸发源混合物
[0129]
通常，展现良好寿命和效率的oled装置的发射层(eml)需要多于两种组分(例如3或4种组分)。为此目的，需要3或4种源材料来制造这种eml，与仅需要两种源的具有单个主体和发射体的标准双组分eml相比，这是非常复杂和昂贵的。典型地，为了制造需要多于两种组分的这种eml，每一组分使用个别蒸发源。由于eml组分的相对浓度对于装置性能很重要，所以在沉积期间个别地测量每种组分的沉积速率以监测相对浓度。这使得制造工艺复杂且昂贵。因此，当待沉积的层存在多于两种组分时，期望预混合两种或更多种组分的材料且将其从单一坩埚蒸发以便降低真空沉积工艺的复杂性。
[0130]
然而，共蒸发必须是稳定的，即所蒸发的膜的组成在真空沉积工艺期间应该保持恒定。任何组成变化都可能不利地影响装置性能。为了在真空下从化合物混合物获得稳定的共蒸发，将假设材料在相同条件下应具有相同的蒸发温度。然而，这可能不是唯一需要考虑的参数。当两种化合物混合在一起时，其可以与彼此相互作用并且其蒸发特性可能不同于其个别特性。另一方面，蒸发温度略有不同的材料可形成稳定的共蒸发混合物。因此，极难实现稳定的共蒸发混合物。材料的“蒸发温度”是在高真空沉积工具中，在1
×
10-6
托至1
×
10-9
托之间的腔室基础压力下，在位于距离被蒸发的材料的蒸发源(例如vte工具中的升华坩埚)设定距离的表面上以的沉积速率进行测量。如所属领域的普通技术人员所理解，预期本文所公开的各种测量值，如温度、压力、沉积速率等由于产生这些定量值的测量中预期的容差而具有标称变化。
[0131]
本公开描述公开一种包含两种或更多种有机化合物的混合物的新颖组合物，其可以在真空沉积工艺(例如vte)中用作稳定共蒸发源。除温度之外的许多因素可以促进蒸发，例如不同材料的混溶性、不同的相变。本发明人发现，当两种或更多种材料具有类似蒸发温度和类似质量损失速率或类似蒸气压时，两种或更多种材料可以一致地共蒸发。质量损失速率定义为随时间(分钟)损失的质量百分比，并且通过在组合物到达稳定蒸发状态之后对于每种化合物在相同实验条件下，在相同恒定既定温度下，如通过热重分析(tga)测量来测量损失前10％质量所花费的时间来测定。恒定既定温度是被选择以使得质量损失速率值在约0.05到0.50％/min之间的一个温度点。所属领域中的技术人员应理解，为了比较两个参数，实验条件应该是一致的。测量质量损失速率和蒸气压的方法在所属领域中是众所周知的并且可以例如见于布尔(bull)等人，材料科学(mater.sci.)2011,34,7中。
[0132]
寻找高性能混合物以实现稳定的单源共蒸发可能是一个繁琐的过程。寻找稳定混合物的过程将包括识别具有类似蒸发温度的化合物和监测所蒸发混合物的组成。通常的情况是，两种材料在随着蒸发的进行展示略微分离。令人遗憾的是，通过改变化学结构来调节蒸发温度通常由于化学、电和/或光学特性的变化而引起装置性能大大降低。化学结构改变
也比所需显著得多地影响蒸发温度，使得混合物不稳定。因此，可工作预混合共蒸发源的识别是有用的。
[0133]
本文公开一种预混合共蒸发源，其为第一化合物与第二化合物的混合物；其中所述共蒸发源为用于真空沉积工艺或ovjp工艺的共蒸发源。在预混合共蒸发源中，所述第一化合物能够能量转移到所述第二化合物；所述第一化合物能够在室温下充当oled中的磷光发射体；所述第二化合物符合以下条件中的至少一个：
[0134]
(1)所述第二化合物能够在室温下充当oled中的tadf发射体；以及
[0135]
(2)所述第二化合物能够在室温下充当oled中的荧光发射体；以及
[0136]
其中：所述第一化合物和所述第二化合物中的至少一个包含至少一个氘原子；所述第一化合物的蒸发温度temp1为150到350℃；所述第二化合物的蒸发温度temp2为150到350℃；temp1-temp2的绝对值小于20℃；所述第一化合物在所述混合物中具有浓度c1，并且在通过在真空沉积工具中以1
×
10-6
托到1
×
10-9
托之间的恒定压力、以托之间的恒定压力、以沉积速率在与被蒸发的混合物相距预定距离地定位的表面上蒸发混合物形成的膜中具有浓度c2；并且(c1-c2)/c1的绝对值小于5％。
[0137]
在预混合共蒸发源的一些实施例中，所述第一化合物的蒸发温度temp1为200℃到350℃，并且所述第二化合物的蒸发温度temp2为200℃到350℃。在预混合共蒸发源的一些实施例中，(c
1-c2)/c1的绝对值小于3％。
[0138]
在预混合共蒸发源的一些实施例中，所述第一化合物在1atm下在temp1下具有p1的蒸气压，并且所述第二化合物在1atm下在temp2下具有p2的蒸气压；其中p1/p2的比率在0.90:1到1.10:1范围内。
[0139]
在预混合共蒸发源的一些实施例中，所述第一化合物具有第一质量损失速率且所述第二化合物具有第二质量损失速率，其中所述第一质量损失速率与所述第二质量损失速率之间的比率在0.90:1到1.10:1的范围内。在一些实施例中，所述第一质量损失速率与所述第二质量损失速率之间的比率在0.95:1到1.05:1的范围内。在一些实施例中，所述第一质量损失速率与所述第二质量损失速率之间的比率在0.97:1到1.03:1的范围内。
[0140]
在预混合共蒸发源的一些实施例中，如通过高压液相色谱所测定，所述第一化合物和所述第二化合物各自具有超过99％的纯度。
[0141]
在预混合共蒸发源的一些实施例中，组合物在小于temp1和temp2中的较低温度的温度下呈液体形式。
[0142]
f.制造oled的方法
[0143]
本文还公开了一种制造oled的方法，所述方法包含：提供上面安置第一电极的衬底；通过在高真空沉积工具中以1
×
10-6
托到1
×
10-9
托之间的腔室基础压力蒸发预混合共蒸发源在所述第一电极上方沉积第一有机层，其中所述预混合共蒸发源是第一化合物和第二化合物的混合物；以及在所述第一有机层上方沉积第二电极，其中所述第一化合物能够能量转移到所述第二化合物；其中所述第一化合物能够在室温下充当oled中的磷光发射体；其中所述第二化合物符合以下条件中的至少一个：(1)所述第二化合物能够在室温下充当oled中的tadf发射体；以及(2)所述第二化合物能够在室温下充当oled中的荧光发射体；其中所述第一化合物和所述第二化合物中的至少一个包含至少一个氘原子；
[0144]
其中所述第一化合物的蒸发温度temp1为150℃到350℃；
[0145]
其中所述第二化合物的蒸发温度temp2为150℃到350℃；
[0146]
其中temp1-temp2的绝对值小于20℃；
[0147]
其中所述第一化合物在所述混合物中具有浓度c1，并且在通过在真空沉积工具中以1
×
10-6
托到1
×
10-9
托之间的恒定压力、以沉积速率在与被蒸发的混合物相距预定距离地定位的表面上蒸发混合物形成的膜中具有浓度c2；以及
[0148]
其中(c1-c2)/c1的绝对值小于5％。
[0149]
在一些实施例中，安置在有机发射层上方的阳极、阴极或新层中的至少一个用作增强层。增强层包含展现表面等离激元共振的等离激元材料，所述等离激元材料非辐射地耦合到发射体材料，并将激发态能量从发射体材料转移到表面等离极化激元的非辐射模式。增强层被设置成离有机发射层的距离不超过阈值距离，其中由于存在增强层，发射体材料具有总的非辐射衰减率常数和总的辐射衰减率常数，且阈值距离是总的非辐射衰减率常数等于总的辐射衰减率常数的位置。在一些实施例中，oled进一步包含外耦合层。在一些实施例中，外耦合层安置在增强层上位于有机发射层的相对侧上。在一些实施例中，外耦合层安置在发射层上与增强层相对的一侧，但是仍能外耦合来自增强层的表面等离激元模式的能量。外耦合层散射来自表面等离极化激元的能量。在一些实施例中，此能量作为光子被散射到自由空间。在其它实施例中，能量从装置的表面等离激元模式散射到其它模式中，例如但不限于有机波导模式、衬底模式或另一波导模式。如果能量被散射到oled的非自由空间模式，则可以结合其它外耦合方案以将能量提取到自由空间。在一些实施例中，一或多个居间层可以安置在增强层与外耦合层之间。居间层的实例可以是介电材料，包括有机、无机、钙钛矿、氧化物，并且可以包括这些材料的堆叠和/或混合物。
[0150]
增强层改变了发射体材料所驻留的介质的有效特性，从而引起以下任何一项或全部：发射率降低、发射线形改变、发射强度随角度变化、发射体材料稳定性改变、oled效率改变以及oled装置滚降效率降低。在阴极侧、阳极侧或这两侧上放置增强层产生利用了上述任何效果的oled装置。除了本文中提到的以及图中所示的各种oled实例中说明的特定功能层之外，根据本公开的oled还可包括oled中常见的任何其它功能层。
[0151]
增强层可以包含等离激元材料、光学活性超构材料或双曲线超构材料。如本文所用，等离激元材料是其中介电常数的实部在电磁光谱的可见或紫外区域中过零的材料。在一些实施例中，等离激元材料包括至少一种金属。在这样的实施例中，金属可以包括以下各者中的至少一种：ag、al、au、ir、pt、ni、cu、w、ta、fe、cr、mg、ga、rh、ti、ru、pd、in、bi、ca、这些材料的合金或混合物、以及这些材料的堆叠。通常，超构材料是由不同材料构成的介质，其中介质整体上的作用与其材料部分的总和不同。具体地说，我们将光学活性超构材料定义为同时具有负电容率和负磁导率的材料。另一方面，双曲线超构材料是各向异性介质，其中对于不同的空间方向，电容率或磁导率具有不同的符号。光学活性超构材料和双曲线超构材料与许多其它光子结构，例如分布式布拉格反射器(distributed bragg reflector，“dbr”)有着严格的区别，因为在光波长的长度尺度上，介质在传播方向上应该显示均匀。使用本领域技术人员可以理解的术语：超构材料在传播方向上的介电常数可以用有效的介质近似来描述。等离激元材料和超构材料提供了用于控制光传播的方法，其可以多种方式增强oled性能。
[0152]
在一些实施例中，增强层被设置为平面层。在其它实施例中，增强层具有周期性
based on electrophosphorescence)”,应用物理快报(appl.phys.lett.),第75卷,第3,4-6期(1999)(“巴尔多-ii”)，所述文献以全文引用的方式并入。美国专利第7,279,704号第5-6栏中更详细地描述磷光，所述专利以引用的方式并入。
[0161]
图1展示有机发光装置100。图不一定按比例绘制。装置100可以包括衬底110、阳极115、空穴注入层120、空穴传输层125、电子阻挡层130、发射层135、空穴阻挡层140、电子传输层145、电子注入层150、保护层155、阴极160和阻挡层170。阴极160是具有第一导电层162和第二导电层164的复合阴极。装置100可以通过按顺序沉积所述层来制造。这些各种层和实例材料的性质和功能在us 7,279,704第6-10栏中更详细地描述，所述专利以引用的方式并入。
[0162]
可以得到这些层中的每一个的更多实例。举例来说，柔性并且透明的衬底-阳极组合公开于美国专利第5,844,363号中，所述专利以全文引用的方式并入。经p掺杂的空穴传输层的实例是以50:1的摩尔比掺杂有f
4-tcnq的m-mtdata，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。发光和主体材料的实例公开于汤普森(thompson)等人的美国专利第6,303,238号中，所述专利以全文引用的方式并入。经n掺杂的电子传输层的实例是以1:1的摩尔比掺杂有li的bphen，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述公开案以全文引用的方式并入。以全文引用的方式并入的美国专利第5,703,436号和第5,707,745号公开了阴极的实例，所述阴极包括具有含上覆的透明、导电、溅镀沉积的ito层的金属(如mg:ag)薄层的复合阴极。阻挡层的理论和使用更详细地描述于美国专利第6,097,147号和美国专利申请公开第2003/0230980号中，所述专利以全文引用的方式并入。注入层的实例提供于美国专利申请公开第2004/0174116号中，其以全文引用的方式并入。保护层的描述可以见于美国专利申请公开第2004/0174116号中，其以全文引用的方式并入。
[0163]
图2展示倒置式oled 200。所述装置包括衬底210、阴极215、发射层220、空穴传输层225和阳极230。装置200可以通过按顺序沉积所述层来制造。因为最常见oled配置具有安置于阳极上方的阴极，并且装置200具有安置于阳极230下的阴极215，所以装置200可以被称为“倒置式”oled。可以在装置200的对应层中使用与关于装置100所述的那些材料类似的材料。图2提供如何可以从装置100的结构省去一些层的一个实例。
[0164]
图1和2中所说明的简单分层结构借助于非限制性实例提供，并且应理解本公开的实施例可以与各种其它结构结合使用。所描述的具体材料和结构本质上是示范性的，并且可以使用其它材料和结构。可以通过以不同方式组合所述的各种层来获得功能性oled，或可以基于设计、性能和成本因素完全省略各层。也可以包括未具体描述的其它层。可以使用除具体描述的材料以外的材料。尽管本文中所提供的许多实例将各种层描述为包括单一材料，但应理解，可以使用材料的组合，如主体和掺杂剂的混合物，或更一般来说，混合物。此外，所述层可以具有各种子层。本文中给予各种层的名称并不意图具有严格限制性。举例来说，在装置200中，空穴传输层225传输空穴并且将空穴注入到发射层220中，并且可以被描述为空穴传输层或空穴注入层。在一个实施例中，可以将oled描述为具有安置于阴极与阳极之间的“有机层”。这一有机层可以包含单个层，或可以进一步包含如例如关于图1和2所述的不同有机材料的多个层。
[0165]
还可以使用未具体描述的结构和材料，例如包含聚合材料的oled(pled)，例如弗
兰德(friend)等人的美国专利第5,247,190号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。借助于另一实例，可以使用具有单个有机层的oled。oled可以堆叠，例如如在以全文引用的方式并入的福利斯特(forrest)等人的美国专利第5,707,745号中所述。oled结构可以偏离图1和2中所说明的简单分层结构。举例来说，衬底可以包括有角度的反射表面以改进出耦(out-coupling)，例如如在福利斯特等人的美国专利第6,091,195号中所述的台式结构，和/或如在布尔维克(bulovic)等人的美国专利第5,834,893号中所述的凹点结构，所述专利以全文引用的方式并入。
[0166]
除非另外规定，否则可以通过任何合适的方法来沉积各个实施例的层中的任一个。对于有机层，优选方法包括热蒸发、喷墨(如以全文引用的方式并入的美国专利第6,013,982号和第6,087,196号中所述)、有机气相沉积(ovpd)(如以全文引用的方式并入的福利斯特等人的美国专利第6,337,102号中所述)和通过有机蒸气喷射印刷(ovjp)的沉积(如以全文引用的方式并入的美国专利第7,431,968号中所述)。其它合适的沉积方法包括旋涂和其它基于溶液的工艺。基于溶液的工艺优选在氮气或惰性气氛中进行。对于其它层，优选的方法包括热蒸发。优选的图案化方法包括通过掩模的沉积、冷焊(如以全文引用的方式并入的美国专利第6,294,398号和第6,468,819号中所述)和与例如喷墨和有机蒸气喷射印刷(ovjp)的沉积方法中的一些方法相关联的图案化。还可以使用其它方法。可以将待沉积的材料改性以使其与具体沉积方法相适合。举例来说，可以在小分子中使用支链或非支链并且优选含有至少3个碳的例如烷基和芳基的取代基来增强其经受溶液处理的能力。可以使用具有20个或更多个碳的取代基，并且3到20个碳是优选范围。具有不对称结构的材料可以比具有对称结构的材料具有更好的溶液可处理性，因为不对称材料可能具有更低的再结晶倾向性。可以使用树枝状聚合物取代基来增强小分子经受溶液处理的能力。
[0167]
根据本公开实施例制造的装置可以进一步任选地包含阻挡层。阻挡层的一个用途是保护电极和有机层免受暴露于包括水分、蒸气和/或气体等的环境中的有害物质的损害。阻挡层可以沉积在衬底、电极上，沉积在衬底、电极下或沉积在衬底、电极旁，或沉积在装置的任何其它部分(包括边缘)上。阻挡层可以包含单个层或多个层。阻挡层可以通过各种已知的化学气相沉积技术形成，并且可以包括具有单一相的组合物和具有多个相的组合物。任何合适的材料或材料组合都可以用于阻挡层。阻挡层可以并有无机化合物或有机化合物或两者。优选的阻挡层包含聚合材料与非聚合材料的混合物，如以全文引用的方式并入本文中的美国专利第7,968,146号、pct专利申请第pct/us2007/023098号和第pct/us2009/042829号中所述。为了被视为“混合物”，构成阻挡层的前述聚合材料和非聚合材料应在相同反应条件下沉积和/或同时沉积。聚合材料与非聚合材料的重量比可以在95:5到5:95范围内。聚合材料和非聚合材料可以由同一前体材料产生。在一个实例中，聚合材料与非聚合材料的混合物基本上由聚合硅和无机硅组成。
[0168]
根据本公开实施例制造的装置可以并入到多种多样的电子组件模块(或单元)中，所述电子组件模块可以并入到多种电子产品或中间组件中。所述电子产品或中间组件的实例包括可以为终端用户产品制造商所利用的显示屏、照明装置(如离散光源装置或照明面板)等。所述电子组件模块可以任选地包括驱动电子装置和/或电源。根据本公开实施例制造的装置可以并入到多种多样的消费型产品中，所述消费型产品具有一或多个电子组件模块(或单元)并入于其中。公开一种包含oled的消费型产品，所述oled在oled中的有机层中
包括本公开的化合物。所述消费型产品应包括含一或多个光源和/或某种类型的视觉显示器中的一或多个的任何种类的产品。所述消费型产品的一些实例包括平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话、蜂窝电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理(pda)、可佩戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器(对角线小于2英寸的显示器)、3-d显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、包含多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕、光疗装置，和指示牌。可以使用各种控制机制来控制根据本公开制造的装置，包括无源矩阵和有源矩阵。意图将所述装置中的许多装置用于对人类来说舒适的温度范围中，如18℃到30℃，并且更优选在室温下(20-25℃)，但可以在这一温度范围外(例如-40℃到 80℃)使用。
[0169]
关于oled和上文所述的定义的更多细节可以见于美国专利第7,279,704号中，所述专利以全文引用的方式并入本文中。
[0170]
本文所述的材料和结构可以应用于除oled以外的装置中。举例来说，如有机太阳能电池和有机光电检测器的其它光电装置可以采用所述材料和结构。更一般来说，如有机晶体管的有机装置可以采用所述材料和结构。
[0171]
在一些实施例中，所述oled具有一或多种选自由以下组成的群组的特征：柔性、可卷曲、可折叠、可拉伸和弯曲。在一些实施例中，所述oled是透明或半透明的。在一些实施例中，所述oled进一步包含包括碳纳米管的层。
[0172]
在一些实施例中，所述oled进一步包含包括延迟荧光发射体的层。在一些实施例中，所述oled包含rgb像素排列或白色加彩色滤光片像素排列。在一些实施例中，所述oled是移动装置、手持式装置或可佩戴装置。在一些实施例中，所述oled是对角线小于10英寸或面积小于50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述oled是对角线为至少10英寸或面积为至少50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述oled是照明面板。
[0173]
在一些实施例中，所述化合物可以是发射掺杂剂。在一些实施例中，所述化合物可以经由磷光、荧光、热激活延迟荧光(即tadf，也称为e型延迟荧光，参见例如美国申请第15/700,352号，其以全文引用的方式并入本文中)、三重态-三重态消灭或这些工艺的组合产生发射。在一些实施例中，发射掺杂剂可以是外消旋混合物，或可以富含一种对映异构体。在一些实施例中，化合物可以是均配的(每个配体相同)。在一些实施例中，化合物可以是混配的(至少一个配体与其它不同)。在一些实施例中，当存在超过一个与金属配位的配体时，所述配体可以全部相同。在一些其它实施例中，至少一个配体与其它配体不同。在一些实施例中，每个配体可以彼此不同。这在与金属配位的配体可以与其它与所述金属配位的配体连接以形成三齿、四齿、五齿或六齿配体的实施例中也成立。因此，在配位配体连接在一起的情况下，在一些实施例中所有配体可以相同，并且在一些其它实施例中连接配体中的至少一种可以与(多种)其它配体不同。
[0174]
在一些实施例中，化合物可以用作oled中的磷光增感剂，其中oled中的一或多个层含有呈一或多个荧光和/或延迟荧光发射体形式的受体。在一些实施例中，化合物可以用作待用作增感剂的激态复合物的一种组分。作为磷光增感剂，化合物必须能够能量转移到受体并且受体将发射能量或进一步转移能量到最终发射体。受体浓度可以在0.001％到
100％范围内。受体可以与磷光增感剂在相同的层中或在一或多个不同层中。在一些实施例中，受体是tadf发射体。在一些实施例中，受体是荧光发射体。在一些实施例中，发射可以由增感剂、受体和最终发射体中的任一个或全部产生。
[0175]
根据另一方面，还公开一种包含本文所述化合物的调配物。
[0176]
本文所公开的oled可以并入到消费型产品、电子组件模块和照明面板中的一或多种中。有机层可以是发射层，并且化合物在一些实施例中可以是发射掺杂剂，而化合物在其它实施例中可以是非发射掺杂剂。
[0177]
在本发明的又一方面中，描述一种包含本文所公开的新颖化合物的调配物。调配物可以包括一或多种本文所公开的选自由以下组成的群组的组分：溶剂、主体、空穴注入材料、空穴传输材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料和电子传输材料。
[0178]
本公开涵盖包含本公开的新颖化合物或其单价或多价变体的任何化学结构。换句话说，本发明化合物或其单价或多价变体可以是较大化学结构的一部分。此类化学结构可以选自由以下组成的群组：单体、聚合物、大分子和超分子(supramolecule)(也被称为超分子(supermolecule))。如本文所用，“化合物的单价变体”是指与化合物相同但一个氢已经被去除并且被置换成至化学结构的其余部分的键的部分。如本文所用，“化合物的多价变体”是指与化合物相同但多于一个氢已经被去除并且被置换成至化学结构的其余部分的一或多个键的部分。在超分子的情况下，本发明化合物还可以在无共价键的情况下并入超分子复合物中。
[0179]
h.本公开的化合物与其它材料的组合
[0180]
本文中描述为适用于有机发光装置中的特定层的材料可以与装置中存在的多种其它材料组合使用。举例来说，本文所公开的发射掺杂剂可以与广泛多种主体、传输层、阻挡层、注入层、电极和可能存在的其它层结合使用。下文描述或提及的材料是可以与本文所公开的化合物组合使用的材料的非限制性实例，并且所属领域的技术人员可以容易地查阅文献以识别可以组合使用的其它材料。
[0181]
a)导电性掺杂剂：
[0182]
电荷传输层可以掺杂有导电性掺杂剂以大体上改变其电荷载体密度，这转而将改变其导电性。导电性通过在基质材料中生成电荷载体而增加，并且取决于掺杂剂的类型，还可以实现半导体的费米能级(fermi level)的变化。空穴传输层可以掺杂有p型导电性掺杂剂，并且n型导电性掺杂剂用于电子传输层中。
[0183]
可以与本文中所公开的材料组合用于oled中的导电性掺杂剂的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：ep01617493、ep01968131、ep2020694、ep2684932、us20050139810、us20070160905、us20090167167、us2010288362、wo06081780、wo2009003455、wo2009008277、wo2009011327、wo2014009310、us2007252140、us2015060804、us20150123047和us2012146012。
[0184][0185][0186]
b)hil/htl：
[0187]
本公开中所用的空穴注入/传输材料不受特别限制，并且可以使用任何化合物，只要化合物通常用作空穴注入/传输材料即可。材料的实例包括(但不限于)：酞菁或卟啉衍生物；芳香族胺衍生物；吲哚并咔唑衍生物；含有氟烃的聚合物；具有导电性掺杂剂的聚合物；导电聚合物，如pedot/pss；衍生自如膦酸和硅烷衍生物的化合物的自组装单体；金属氧化物衍生物，如moo
x
；p型半导电有机化合物，如1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯六甲腈；金属络合物；以及可交联化合物。
[0188]
用于hil或htl的芳香族胺衍生物的实例包括(但不限于)以下一般结构：
[0189][0190]
ar1到ar9中的每一个选自：由例如以下的芳香族烃环状化合物组成的群组：苯、联苯、联三苯、三亚苯、萘、蒽、萉、菲、芴、芘、苝和薁；由例如以下的芳香族杂环化合物组成的群组：二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶；以及由2到10个环状结构单元组成的群组，所述环状结构单元是选自芳香族烃环基和芳香族杂环基的相同类型或不同类型的基团并且直接或经由氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪族环基中的至少一个彼此键结。每个ar可以未被取代或可以被选自由以下组成的群组的取代基取代：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
[0191]
在一个方面中，ar1到ar9独立地选自由以下组成的群组：
[0192][0193]
其中k是1到20的整数；x
101
到x
108
是c(包括ch)或n；z
101
是nar1、o或s；ar1具有上文所定义的相同基团。
[0194]
hil或htl中所用的金属络合物的实例包括(但不限于)以下通式：
[0195][0196]
其中met是原子量可以大于40的金属；(y
101-y
102
)是双齿配体，y
101
和y
102
独立地选自c、n、o、p和s；l
101
是辅助配体；k'是1到可以与金属连接的最大配体数的整数值；并且k' k"是可以与金属连接的最大配体数。
[0197]
在一个方面中，(y
101-y
102
)是2-苯基吡啶衍生物。在另一方面中，(y
101-y
102
)是碳烯配体。在另一方面中，met选自ir、pt、os和zn。在另一方面中，金属络合物具有相较于fc

/fc耦合的小于约0.6v的溶液中最小氧化电势。
[0198]
可以与本文中所公开的材料组合用于oled中的hil和htl材料的非限制性实例与
公开那些材料的参考文献一起例示如下：cn102702075、de102012005215、ep01624500、ep01698613、ep01806334、ep01930964、ep01972613、ep01997799、ep02011790、ep02055700、ep02055701、ep1725079、ep2085382、ep2660300、ep650955、jp07-073529、jp2005112765、jp2007091719、jp2008021687、jp2014-009196、kr20110088898、kr20130077473、tw201139402、us06517957、us20020158242、us20030162053、us20050123751、us20060182993、us20060240279、us20070145888、us20070181874、us20070278938、us20080014464、us20080091025、us20080106190、us20080124572、us20080145707、us20080220265、us20080233434、us20080303417、us2008107919、us20090115320、us20090167161、us2009066235、us2011007385、us20110163302、us2011240968、us2011278551、us2012205642、us2013241401、us20140117329、us2014183517、us5061569、us5639914、wo05075451、wo07125714、wo08023550、wo08023759、wo2009145016、wo2010061824、wo2011075644、wo2012177006、wo2013018530、wo2013039073、wo2013087142、wo2013118812、wo2013120577、wo2013157367、wo2013175747、wo2014002873、wo2014015935、wo2014015937、wo2014030872、wo2014030921、wo2014034791、wo2014104514、wo2014157018。
[0199]
[0200]
[0201]
[0202]
[0203]
[0204][0205]
c)ebl：
[0206]
电子阻挡层(ebl)可以用以减少离开发射层的电子和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，在装置中存在此类阻挡层可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于oled的所需区域。在一些实施例中，与最接近ebl界面的发射体相比，ebl材料具有较高lumo(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近ebl界面的主体中的一或多种相比，ebl材料具有较高lumo(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一个方面中，ebl中所用的化合物含有与下文所述的主体中的一个所用相同的分子或相同的官能团。
[0207]
d)主体：
[0208]
本公开的有机el装置的发光层优选地至少含有金属络合物作为发光材料，并且可以含有使用金属络合物作为掺杂剂材料的主体材料。主体材料的实例不受特别限制，并且
可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要主体的三重态能量大于掺杂剂的三重态能量即可。任何主体材料可以与任何掺杂剂一起使用，只要满足三重态准则即可。
[0209]
用作主体的金属络合物的实例优选具有以下通式：
[0210][0211]
其中met是金属；(y
103-y
104
)是双齿配体，y
103
和y
104
独立地选自c、n、o、p和s；l
101
是另一配体；k'是1到可以与金属连接的最大配体数的整数值；并且k' k"是可以与金属连接的最大配体数。
[0212]
在一个方面中，金属络合物是：
[0213][0214]
其中(o-n)是具有与o和n原子配位的金属的双齿配体。
[0215]
在另一方面中，met选自ir和pt。在另一方面中，(y
103-y
104
)是碳烯配体。
[0216]
在一个方面，主体化合物含有选自以下的以下群组中的至少一个：由例如以下的芳香族烃环状化合物组成的群组：苯、联苯、联三苯、三亚苯、四亚苯、萘、蒽、萉、菲、芴、芘、苝和薁；由例如以下的芳香族杂环化合物组成的群组：二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶；以及由2到10个环状结构单元组成的群组，所述环状结构单元是选自芳香族烃环基和芳香族杂环基的相同类型或不同类型的基团并且直接或经由氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪族环基中的至少一个彼此键结。每个基团中的每个选项可以未被取代或可以被选自由以下组成的群组的取代基取代：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
[0217]
在一个方面中，主体化合物在分子中含有以下基团中的至少一个：
[0218][0219]
其中r
101
选自由以下组成的群组：氢、氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合，且当其是芳基或杂芳基时，其具有与上文所提及的ar类似的定义。k是0到20或1到20的整数。x
101
到x
108
独立地选自c(包括ch)或n。z
101
和z
102
独立地选自nr
101
、o或s。
[0220]
可以与本文中所公开的材料组合用于oled中的主体材料的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：ep2034538、ep2034538a、ep2757608、jp2007254297、kr20100079458、kr20120088644、kr20120129733、kr20130115564、tw201329200、us20030175553、us20050238919、us20060280965、us20090017330、us20090030202、us20090167162、us20090302743、us20090309488、us20100012931、us20100084966、us20100187984、us2010187984、us2012075273、us2012126221、us2013009543、us2013105787、us2013175519、us2014001446、us20140183503、us20140225088、
us2014034914、us7154114、wo2001039234、wo2004093207、wo2005014551、wo2005089025、wo2006072002、wo2006114966、wo2007063754、wo2008056746、wo2009003898、wo2009021126、wo2009063833、wo2009066778、wo2009066779、wo2009086028、wo2010056066、wo2010107244、wo2011081423、wo2011081431、wo2011086863、wo2012128298、wo2012133644、wo2012133649、wo2013024872、wo2013035275、wo2013081315、wo2013191404、wo2014142472，us20170263869、us20160163995、us9466803，
[0221]
[0222]
[0223]
[0224]
[0225][0226][0227]
e)其它发射体：
[0228]
一或多种其它发射体掺杂剂可以与本发明化合物结合使用。其它发射体掺杂剂的
实例不受特别限制，并且可以使用任何化合物，只要化合物通常用作发射体材料即可。合适发射体材料的实例包括(但不限于)可以经由磷光、荧光、热激活延迟荧光(即tadf，也称为e型延迟荧光)、三重态-三重态消灭或这些工艺的组合产生发射的化合物。
[0229]
可以与本文中所公开的材料组合用于oled中的发射体材料的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：cn103694277、cn1696137、eb01238981、ep01239526、ep01961743、ep1239526、ep1244155、ep1642951、ep1647554、ep1841834、ep1841834b、ep2062907、ep2730583、jp2012074444、jp2013110263、jp4478555、kr1020090133652、kr20120032054、kr20130043460、tw201332980、us06699599、us06916554、us20010019782、us20020034656、us20030068526、us20030072964、us20030138657、us20050123788、us20050244673、us2005123791、us2005260449、us20060008670、us20060065890、us20060127696、us20060134459、us20060134462、us20060202194、us20060251923、us20070034863、us20070087321、us20070103060、us20070111026、us20070190359、us20070231600、us2007034863、us2007104979、us2007104980、us2007138437、us2007224450、us2007278936、us20080020237、us20080233410、us20080261076、us20080297033、us200805851、us2008161567、us2008210930、us20090039776、us20090108737、us20090115322、us20090179555、us2009085476、us2009104472、us20100090591、us20100148663、us20100244004、us20100295032、us2010102716、us2010105902、us2010244004、us2010270916、us20110057559、us20110108822、us20110204333、us2011215710、us2011227049、us2011285275、us2012292601、us20130146848、us2013033172、us2013165653、us2013181190、us2013334521、us20140246656、us2014103305、us6303238、us6413656、us6653654、us6670645、us6687266、us6835469、us6921915、us7279704、us7332232、us7378162、us7534505、us7675228、us7728137、us7740957、us7759489、us7951947、us8067099、us8592586、us8871361、wo06081973、wo06121811、wo07018067、wo07108362、wo07115970、wo07115981、wo08035571、wo2002015645、wo2003040257、wo2005019373、wo2006056418、wo2008054584、wo2008078800、wo2008096609、wo2008101842、wo2009000673、wo2009050281、wo2009100991、wo2010028151、wo2010054731、wo2010086089、wo2010118029、wo2011044988、wo2011051404、wo2011107491、wo2012020327、wo2012163471、wo2013094620、wo2013107487、wo2013174471、wo2014007565、wo2014008982、wo2014023377、wo2014024131、wo2014031977、wo2014038456、wo2014112450。
[0230]
[0231]
[0232]
[0233]
[0234][0235]
f)hbl：
[0236]
空穴阻挡层(hbl)可以用以减少离开发射层的空穴和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，此类阻挡层在装置中的存在可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于oled的所需区域。在一些实施例中，与最接近hbl界面的发射体相比，hbl材料具有较低homo(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近hbl界面的主体中的一或多种相比，hbl材料具有较低homo(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。
[0237]
在一个方面中，hbl中所用的化合物含有与上文所述的主体所用相同的分子或相同的官能团。
[0238]
在另一方面中，hbl中所用的化合物在分子中含有以下基团中的至少一个：
[0239]
其中k是1到20的整数；l
101
是另一个配体，k'是1到3的整数。
[0240]
g)etl：
[0241]
电子传输层(etl)可以包括能够传输电子的材料。电子传输层可以是固有的(未经掺杂的)或经掺杂的。可以使用掺杂来增强导电性。etl材料的实例不受特别限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要其通常用以传输电子即可。
[0242]
在一个方面中，etl中所用的化合物在分子中含有以下基团中的至少一个：
[0243][0244]
其中r
101
选自由以下组成的群组：氢、氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合，当其为芳基或杂芳基时，其具有与上述ar类似的定义。ar1到ar3具有与上文所提及的ar类似的定义。k是1到20的整数。x
101
到x
108
选自c(包括ch)或n。
[0245]
在另一方面中，etl中所用的金属络合物含有(但不限于)以下通式：
[0246][0247]
其中(o-n)或(n-n)是具有与原子o、n或n、n配位的金属的双齿配体；l
101
是另一个配体；k'是1到可以与金属连接的最大配体数的整数值。
[0248]
可以与本文中所公开的材料组合用于oled中的etl材料的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：cn103508940、ep01602648、ep01734038、ep01956007、jp2004-022334、jp2005149918、jp2005-268199、kr0117693、kr20130108183、us20040036077、us20070104977、us2007018155、us20090101870、us20090115316、us20090140637、us20090179554、us2009218940、us2010108990、us2011156017、us2011210320、us2012193612、us2012214993、us2014014925、us2014014927、us20140284580、us6656612、us8415031、wo2003060956、wo2007111263、wo2009148269、wo2010067894、wo2010072300、wo2011074770、wo2011105373、wo2013079217、wo2013145667、wo2013180376、wo2014104499、wo2014104535，
[0249]
[0250]
[0251][0252]
h)电荷产生层(cgl)
[0253]
在串联或堆叠oled中，cgl对性能起基本作用，其由分别用于注入电子和空穴的经n掺杂的层和经p掺杂的层组成。电子和空穴由cgl和电极供应。cgl中消耗的电子和空穴由分别从阴极和阳极注入的电子和空穴再填充；随后，双极电流逐渐达到稳定状态。典型cgl材料包括传输层中所用的n和p导电性掺杂剂。
[0254]
在oled装置的每个层中所用的任何上文所提及的化合物中，氢原子可以部分或完全氘化。化合物中的被氘化的氢的最小量选自由以下组成的群组：30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、95％、99％和100％。因此，任何具体列出的取代基，如(但不限于)甲基、苯基、吡啶基等可以是其非氘化、部分氘化以及和完全氘化形式。类似地，取代基类别(例如(但不限于)烷基、芳基、环烷基、杂芳基等)还可以是其非氘化、部分氘化和完全氘化形式。
[0255]
应理解，本文所述的各种实施例仅借助于实例，并且并不意图限制本发明的范围。举例来说，可以在不背离本发明的精神的情况下用其它材料和结构取代本文所述的许多材料和结构。如所要求的本发明因此可以包括本文所述的具体实例和优选实施例的变化形式，如所属领域的技术人员将显而易见。应理解，关于本发明为何起作用的各种理论并不意图是限制性的。
[0256]
实验数据
[0257]
dabna-d21的合成
[0258][0259]
在压力管中，sphos(6.85g，16.70mmol)、pd(0)2(dba)3(7.64g，8.35mmol)、叔丁醇钠(32.1g，334mmol)、1-溴苯-2,3,4,5,6-d5(27.1g，167mmol)、苯-2,4,5,6-d4-1,3-二胺-n1,n1,n3,n3-d4(4.85g，41.7mmol)于1,4-二噁烷(250ml)中的混合物用n2鼓泡5分钟，随后
封盖并在100℃下搅拌2天。完成后，将混合物冷却到室温，并且用ch2cl2稀释，并且通过短sio2垫过滤。将所得粗产物吸附于sio2上并且通过柱色谱(sio2，庚烷到10％ch2cl2/庚烷)纯化，得到白色固体。固体由meoh湿磨，得到呈白色粉末状的中间物1(15g，产率：82％)。
[0260]
在压力管中，中间物1(3.5g，8.01mmol)于邻二氯苯(60ml)中的溶液用n2鼓泡5分钟，随后一次性添加三碘硼烷(3.14g，8.01mmol)且在室温下搅拌30分钟，接着在160℃下搅拌48小时。在消耗掉起始材料之后，将混合物冷却到室温，并且通过nahso3(100ml)的饱和水性溶液淬灭，用ch2cl2(100ml
×
3)萃取。将合并的有机层在真空下浓缩以去除ch2cl2。将邻二氯苯溶液吸附于sio2上进行柱色谱(sio2，庚烷到10％ch2cl2/庚烷)，得到呈黄色固体状的dabna-d21(0.22g，产率：6％)。
[0261]
使用dabna-1和dabna-d21作为具有和不具有敏化剂的荧光发射体制造oled装置。装置结果分别展示于表1和表2中，其中eqe和电压是在10ma/cm2下获取，并且寿命(lt90)是在20ma/cm2的恒定电流密度下，亮度降低到初始亮度的90％的时间。
[0262]
[0263][0264]
oled生长在玻璃衬底上，所述玻璃衬底预涂布有氧化铟锡(ito)层，其具有15-ω/sq的薄层电阻。在任何有机层沉积或涂布之前，衬底用溶剂去除油污，且随后在100毫托、50w下用氧等离子体处理1.5分钟并且用uv臭氧处理5分钟。在高真空(《10-6
托)中通过热蒸发制造装置。阳极电极为的氧化铟锡(ito)。所有装置在制成之后，立即在氮气手套箱(h2o和o2《1ppm)中用玻璃盖封装，用环氧树脂密封，其中在封装内部并入除湿剂。掺杂百分比以体积百分比计。装置以两个不同装置结构生长。
[0265]
从ito表面开始，表1中展示的装置的有机层依序由以下组成：化合物1(hil)、化合物2(htl)、化合物3(ebl)、的掺杂有40％化合物4、12％磷光体1和2％dabna-1或dabna-d21的化合物3(eml)、化合物4(bl)、化合物4(bl)、的掺杂有35％化合物6的化合物5(etl)、化合物5(eil)，继之为的al(阴极)。掺杂有dabna-d21作为受体(实例1)和掺杂有dabna-1作为受体(比较1)的装置的装置性能展示在表1中。相对于比较1的值报告装置实例1的电压、eqe和lt
90
。
[0266]
表1：具有敏化剂1的装置数据
[0267]
[0268]
从ito表面开始，表2中展示的装置的有机层依序由以下组成：化合物1(hil)、化合物2(htl)、的掺杂有3％和2％dabna-1或dabna-d21的化合物7(eml)、化合物8(bl)、的掺杂有35％化合物6的化合物5(etl)、化合物5(eil)，继之为的al(阴极)。掺杂有dabna-d21作为受体(实例2)和掺杂有dabna-1作为受体(比较2)的装置的装置性能展示在表2中。相对于比较2的值报告装置实例2的电压、eqe和lt
90
。
[0269]
表2：没有敏化剂的装置数据
[0270][0271]
以上数据展示，装置实例1展现比在荧光受体上无氘化的装置比较1更长的寿命。实例1的40％更长的寿命超出可归因于实验误差的任何值，且所观测到的改进是显著的。鉴于装置所具有的类似结构的仅有差异为荧光受体的氘化，在以上数据中观察到的显著性能改进是出人意料的。在无敏化磷光体的荧光装置中未观察到所述显著改进，其中仅观察到低得多的5％增强。这指示来自荧光团的氘化的最大增强仅在其与敏化剂组合使用时出现。在不受任何理论束缚的情况下，此改进可归因于相比于dabna-1，dabna-d21在其三重激发态下的稳定性增强。