多区静电吸盘的制作方法

多区静电吸盘
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求2019年12月17日提交的美国专利申请no.16/717,245的优先权，该专利申请出于所有目的以其全部内容通过引用结合于此。
技术领域
3.本技术关于半导体处理与腔室部件。更具体而言，本技术关于腔室部件和处理方法。


背景技术：

4.通过在基板表面上产生具有错综复杂图案的材料层，而使集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要受控的形成和去除暴露材料的方法。随着组件尺寸的不断缩小，沉积的材料可能会在基板上施加应力，这可能会导致基板翘曲。在随后的沉积操作中，晶片翘曲可能会影响整个基板支撑件上的接触，从而影响加热。整个基板上的加热分布不均匀会影响后续的沉积操作，从而导致整个基板表面上的沉积不均匀。
5.因此需要可以用于产生高质量的组件与结构的改良的系统与方法。本技术解决了这些与其他的需求。


技术实现要素：

6.示例性的半导体处理腔室可包含底座，底座包含平台，平台被配置为跨平台的表面支撑半导体基板。腔室可包括第一导电网，第一导电网结合在平台内并且构造成用作第一吸附网。第一导电网可以跨平台径向延伸。腔室可包括第二导电网，第二导电网结合在平台内并且构造成用作第二吸附网。第二导电网的特征可在于环形。第二导电网可设置在第一导电网和平台的表面之间。
7.在一些实施例中，腔室可包括第三导电网，第三导电网结合在平台内并且构造成用作第三吸附网。第三导电网可以包含在第二导电网的内环形半径内。第三导电网可设置在第一导电网和平台表面之间。第二导电网和第三导电网可在平台内共面。第二导电网和第三导电网可以被环形间隙分开。腔室可包括与第二导电网相关联的第一热电偶，以及与第三导电网相关联的第二热电偶。第一导电网和第二导电网能够独立于电源操作。腔室可包括设置在第一导电网和第二导电网之间的云母片。云母片可延伸到形成在第一导电网内的孔中，并且电极连接器可延伸穿过该孔和该云母片以与第二导电网电耦合。腔室可包含至少两个附加的导电网，至少两个附加的导电网与第一导电网和第二导电网轴向对准。
8.本技术的一些实施例可以包括基板支撑底座。底座可包含平台，平台被配置为跨平台的表面支撑半导体基板。底座可包括第一导电网，第一导电网结合在平台内并且构造成用作第一吸附网。第一导电网可以沿平台径向延伸。底座可包括第二导电网，第二导电网结合在平台内并且构造成用作第二吸附网。第二导电网的特征可在于为环形，并且第二导电网可以设置在第一导电网和平台表面之间。腔室可包括第三导电网，第三导电网并入在
平台内并且构造成用作第三吸附网。第三导电网可以包含在第二导电网的内环形半径内。第三导电网可设置在第一导电网和平台的表面之间。
9.在一些实施例中，腔室可包括与第二导电网相关联的第一热电偶，以及与第三导电网相关联的第二热电偶。第二导电网和第三导电网可在平台内共面。第二导电网和第三导电网可以被环形间隙分开。第一导电网和第二导电网在基板支撑件内能够独立于电源操作。底座可包括设置在第一导电网和第二导电网之间的云母片。云母片可以延伸到在第一导电网内形成的孔中。电极连接器可延伸穿过该孔和该云母片以与第二导电网电耦合。底座可包含至少两个附加导电网，至少两个附加导电网与第一导电网和第二导电网同心对准。
10.本技术的一些实施例可以涵盖半导体处理方法。方法可以包括通过接合基板支撑件的第一导电网将基板夹持在基板支撑件上。第一导电网可以跨基板支撑件眼神。方法可以包括接合基板支撑件的第二导电网。第二导电网可以包括覆盖第一导电网的环形网。第一导电网可以以第一夹持电压接合基板。第二导电网可以以大于第一夹持电压的第二夹持电压接合基板。方法可以包括在基板上执行半导体处理操作。在一些实施例中，第二导电网的特征可以在于环形。基板支撑件可以包括第三导电网，并且第二导电网和第三导电网可以是共面的。
11.这种技术可提供优于常规系统与技术的数个益处。例如，系统可以改善沉积轮廓以改善跨基板的均匀性。另外，此技术可以提供对吸附电压的原位调整，这可以允许在处理期间以及其他半导体处理期间影响沉积的调整。这些与其他实施例(以及许多他们的优点与特征)，被结合下列说明与附加附图更详细地说明。
附图说明
12.参照说明书的其余部分与附图，可进一步理解所公开的技术的本质与优点。
13.图1图示根据本技术的一些实施例的示例性处理腔室的示意性截面示意图。
14.图2图示根据本技术的一些实施例的示例性基板支撑件的示意性截面图。
15.图3图示根据本技术的一些实施例的示例性基板支撑件的示意性截面图。
16.图4示出了根据本技术的一些实施例的半导体处理的方法中的示例性操作。
17.包含数个附图以作为示意图。应理解图示是用于说明，且不应被视为按比例，除非特别说明其为按比例绘制。此外，作为示意图，附图被提供以帮助理解，且可不包含相较于实际呈现的所有方面或信息，并可包含夸大的内容以用于说明的目的。
18.在随附附图中，类似的部件和/或特征可具有相同的附图标记。再者，相同类型的各个部件，可由附图标记之后的字母来分辨，此字母分辨类似的部件。若说明书中仅使用了首个附图标记，则其说明可适用于具有相同的首个附图标记的类似部件中的任意者，不论其字尾字母为何。
具体实施方式
19.许多材料沉积处理可能对温度敏感。在各种处理系统中，基板支撑件可以在沉积期间用作基板的热源。当执行制造处理时，可能在基板上形成许多材料层，这可能在基板上施加许多应力。在许多情况下，这些应力可能会导致一定量的基板翘曲。静电吸附可以抵消
许多翘曲效应以保持较平坦的基板，这可以保持在基板支撑件上的更均匀的接触，从而可以保持在基板上的更均匀的加热。
20.应力可能会增加，导致更明显的晶片翘曲，许多常规技术可试图通过增加吸附电压来抵消晶片翘曲，以试图克服较高的应力，或者以其他方式改变腔室部件或处理。随着应力的增加，增加吸附电压可能会提供有限的改善程度，并且单纯增加吸附电压可能会产生不良影响。例如，许多单极吸盘在整个电极上接收均匀的电压偏压。电场线倾向于集中在基板的中心，因为电通量在基板的中心可具有较低的损耗。尽管此抵消力可克服由于某些膜应力而引起的晶片翘曲，但是随着电压的增加，此力可能导致基板的径向边缘最终从基板支撑件上拉开。因此，尽管可以在更靠近与加热的基板支撑件保持接触的基板中心处发生均匀的温度传递，但是在外围边缘处，基板和支撑件之间的间隙可能减少热传递，并且可能出现在基板上的温度梯度。
21.整个基板上的温度梯度可能会产生多种影响。例如，尽管一些沉积操作增加了在较高温度下的沉积，但是一些其他沉积操作可能减少了在较高温度下的沉积。在基板上可能发生边缘翘曲的第一种情况下，可能会发生中心峰(center-peak)沉积处理。在后一种情况下，可能会发生边缘峰(edge-peak)沉积处理。常规技术可已尝试通过调整替代的处理方面来克服这些影响。例如，一些基板支撑件可试图利用多区域加热器来补偿热损失，多区域加热器可以将更多的热量传递到边缘区域。但是，除了浪费能量之外，间隙还可能导致更加难以产生均匀的热传递。另外，改变处理条件或通过腔室的流量以补偿不均匀沉积，可能需要对部件进行更大程度的定制化，以试图抵消每个独特的腔室特征。因此，许多常规技术继续导致更大的温度和沉积不均匀性。
22.本技术通过结合多区域静电吸盘克服了这些问题。通过提供可调节跨基板支撑件的多个位置处的吸附力的底座系统，可通过跨基板表面提供更均匀的接触来克服温度不连续性。这可以允许整个基板上的更加均匀的温度分布，这可以改善用于温度敏感沉积的整个基板上的沉积厚度。
23.尽管其余的公开内容将常规地利用所公开的技术识别特定的沉积处理，但将容易理解到，系统和方法同样适用于其他沉积与蚀刻腔室、以及在所述腔室中可能发生的处理。因此，不应认为技术仅限于与这些特定的沉积处理或腔室一起使用。本公开将讨论一种可能的系统和腔室，其可以包括根据本技术的实施例的部件，然后描述根据本技术的实施例的对该系统的另外的变化和调整。
24.图1图示根据本技术的一些实施例的示例性处理腔室100的截面图。该图可以示出结合了本技术的一个或多个方面的系统和/或可以执行根据本技术的实施例的一个或多个操作的系统的概述。可在下面进一步描述腔室100的附加细节或所执行的方法。根据本技术的一些实施例，腔室100可用于形成膜层，尽管应当理解，该方法可类似地在其中可发生膜形成的任何腔室中执行。处理腔室100可包括腔室主体102、设置在腔室主体102内部的基板支撑件104、以及与腔室主体102耦接并将基板支撑件104封闭在处理容积120中的盖组件106。可以通过开口126将基板103提供给处理容积120，开口126可以使用狭缝阀或门被常规地密封以用于处理。在处理期间，基板103可以位于基板支撑件的表面105上。如箭头145所示，基板支撑件104可以能够沿着轴线147旋转，基板支撑件104的轴144可以位于轴线147。或者，可以在沉积过程期间根据需要将基板支撑件104提升以旋转。
25.等离子体轮廓调变器111可以设置在处理腔室100中，以控制在设置在基板支撑件104上的基板103上的等离子体分布。等离子体轮廓调变器111可包括第一电极108，第一电极108可邻近腔室主体102设置，并且可将腔室主体102与盖组件106的其他部件分开。第一电极108可以是盖组件106的一部分，或者可以是单独的侧壁电极。第一电极108可以是环形或环状构件，并且可以是环形电极。第一电极108可以是围绕包围处理容积120的处理腔室100的周边的连续环，或者如果需要的话可以在所选位置处是不连续的。第一电极108也可以是穿孔电极，例如穿孔环或网状电极，或者可以是平板电极，例如二次气体分配器。
26.一个或多个隔离器110a、110b可以是介电材料，诸如陶瓷或金属氧化物，例如氧化铝和/或氮化铝，一个或多个隔离器110a、110b可以与第一电极108接触并且将第一电极108与气体分配器112和腔室主体102电热隔离。气体分配器112可以限定用于将处理前驱物分配到处理容积120中的孔118。气体分配器112可以与第一电源142(诸如rf产生器、rf电源、dc电源、脉冲dc电源、脉冲rf电源或可以与处理腔室耦合的任何其他电源)耦合。在一些实施例中，第一电源142可以是rf电源。
27.气体分配器112可以是导电气体分配器或非导电气体分配器。气体分配器112也可以由导电和非导电部件形成。例如，气体分配器112的主体可以是导电的，而气体分配器112的面板可以是不导电的。气体分配器112可以诸如由图1所示的第一电源142供电，或者在一些实施例中，气体分配器112可以接地。
28.第一电极108可以与第一调谐电路128耦合，第一调谐电路128可以控制处理腔室100的接地路径。第一调谐电路128可以包括第一电子传感器130和第一电子控制器134。第一电子控制器134可以是或包括可变电容器或其他电路元件。第一调谐电路128可以是或包括一个或多个电感器132。第一调谐电路128可以是在处理期间在存在于处理空间120中的等离子体条件下实现可变或可控阻抗的任何电路。在所示的一些实施例中，第一调谐电路128可以包括并联耦合在接地和第一电子传感器130之间的第一电路支路和第二电路支路。第一电路支路可以包括第一电感器132a。第二电路支路可以包括与第一电子控制器134串联耦合的第二电感器132b。第二电感器132b可以设置在第一电子控制器134和将第一电路支路和第二电路支路两者都连接到第一电子传感器130的节点之间。第一电子传感器130可以是电压或电流传感器，并且可以与第一电子控制器134耦合，第一电子控制器134可以提供对处理空间120内的等离子体条件的一定程度的闭环控制。
29.第二电极122可以与基板支撑件104耦合。第二电极122可以被嵌入在基板支撑件104内或与基板支撑件104的表面耦合。第二电极122可以是板、穿孔板、网、丝网或导电元件的任何其他分布式布置。第二电极122可以是调谐电极，并且可以由导管146与第二调谐电路136耦合，导管146例如是设置在基板支撑件104的轴144中的具有选定电阻(例如50欧姆)的电缆。第二调谐电路136可以具有第二电子传感器138和第二电子控制器140，其可以是第二可变电容器。第二电子传感器138可以是电压或电流传感器，并且可以与第二电子控制器140耦合以提供对处理空间120中的等离子体条件的进一步控制。
30.可以是偏压电极和/或静电吸盘电极的第三电极124可以与基板支撑件104耦合。第三电极可以通过滤波器148与第二电源150耦合，滤波器148可以是阻抗匹配电路。第二电源150可以是dc电源、脉冲dc电源、rf偏压电源、脉冲rf电源或偏压电源、或这些或其他电源的组合。在一些实施例中，第二电源150可以是rf偏压功率。
31.图1的盖组件106和基板支撑件104可与用于等离子体或热处理的任何处理腔室一起使用。在操作中，处理腔室100可以提供对处理空间120中等离子体条件的实时控制。可以将基板103设置在基板支撑件104上，并且可以根据任何期望的流动计划，使用入口114使处理气体流过盖部件106。气体可以通过出口152离开处理腔室100。电源可以与气体分配器112耦合以在处理容积120中产生等离子体。在一些实施例中，可以使用第三电极124使基板经受电偏压。
32.在激励处理空间120中的等离子体时，可以在等离子体与第一电极108之间产生电位差。还可以在等离子体和第二电极122之间产生电位差。然后，可以使用电子控制器134、140来调整由两个调谐电路128和136表示的接地路径的流动特性。设定点可以被传递到第一调谐电路128和第二调谐电路136，以提供从中心到边缘的沉积速率和等离子体密度均匀性的独立控制。在电子控制器两者都可以是可变电容器的实施例中，电子传感器可以调节可变电容器以独立地最大化沉积速率并且最小化厚度不均匀性。
33.调谐电路128、136中的每个可具有可变阻抗，可变阻抗可使用相应的电子控制器134、140来调节。在电子控制器134、140是可变电容器的情况下，可以选择每个可变电容器的电容范围以及第一电感器132a和第二电感器132b的电感来提供阻抗范围。此范围可以取决于等离子体的频率和电压特性，其在每个可变电容器的电容范围内可以具有最小值。因此，当第一电子控制器134的电容处于最小值或最大值时，第一调谐电路128的阻抗可以很高，导致等离子体形状在基板支撑件上具有最小的空中或横向覆盖。当第一电子控制器134的电容接近使第一调谐电路128的阻抗最小化的值时，等离子体的空中覆盖可以增长到最大，从而有效地覆盖基板支撑件104的整个工作区域。当第一电子控制器134的电容偏离最小阻抗设置时，等离子体形状可以从腔室壁收缩并且基板支撑件的空中覆盖可下降。第二电子控制器140可以具有类似的效果，随着可以改变第二电子控制器140的电容，增加和减少等离子体在基板支撑件上的空中覆盖。
34.电子传感器130、138可以用于在闭环中调谐相应的电路128、136。取决于所使用的传感器的类型，可以将电流或电压的设定点安装在每个传感器中，并且传感器可以配备有控制软件，控制软件确定对每个相应电子控制器134、140的调整以最小化与设定点的偏差。因此，可以在处理期间选择等离子体形状并对其进行动态控制。应该理解，尽管前面的讨论是基于可以是可变电容器的电子控制器134、140，但是具有可调特性的任何电子元件都可以用来为调谐电路128和136提供可调的阻抗。
35.图2图示根据本技术的一些实施例的示例性基板支撑件200的示意性截面图。基板支撑件200可以被包括在上述腔室100中，或者在可以采用静电吸盘的任何其他处理腔室中。基板支撑件200可以包括上述基板支撑件104的附加细节，并且可以包括如前所述的任何材料、部件或特性。
36.基板支撑件200可以是如图所示的底座，包括平台205和杆210，杆210可以与平台耦合。在一些实施例中，平台可以是或包括陶瓷材料或任何其他介电材料，并且可以配置为在平台的表面上支撑半导体基板。如所指出的，基板支撑件200可以包括先前讨论的任何部件，包括加热元件或其他部件，并且基板支撑件200可以包括一个或多个导电网，导电网用作经协调的吸附机构，并且可以在整个基板支撑件上提供受分别控制的吸附区域。
37.如图所示，基板支撑件200可包括结合在平台205内的第一导电网215。第一导电网
215可以被配置为用作第一静电吸附网，以将基板夹持到基板支撑件上。第一导电网可以在整个平台径向地或横向地延伸，并且可以实质上或完全地覆盖整个基板支撑件上的区域，当向第一导电网215施加电压时，可以在整个基板上提供夹持力或静电力。第一导电网215可以包括如图所示的孔或间隙，孔或间隙可以促进一个或多个部件通过第一导电网，如将在下面进一步描述的。
38.在本技术的一些实施例中，基板支撑件200还可以包括一个或多个附加的导电网，附加的导电网可以与第一导电网215协同操作，以沿着基板支撑件的一个或多个区域提供可调谐的吸附控制。例如，第二导电网220可以被结合在平台205内，并且可以被配置为用作第二吸附网。如下面进一步图示和说明的，第二导电网220的特征可在于具有环形形状，并且可以被设置在基板支撑件200内在第一导电网215和基板可以位于其上的平台表面之间。在其他实施例中，第二导电网220可以是圆形网，例如，圆形网的特征可在于直径小于第一导电网215的直径。
39.在一些实施例中，第二导电网220的特征可在于外环形半径，此外环形半径等于或类似于第一导电网215的外径。第二导电网220的特征可在于内环形半径，此内环形半径可以是朝向穿过底座的中心轴线的任何距离，这可以考虑被结合在底座支撑件内的多个附加的吸附网。例如，如图所示，基板支撑件200可以包括多个附加的吸附网，以提供用于控制静电吸附的附加区域。如前所述，由于基板翘曲可以是拉伸的也可以是压缩的，因此在基板的不同区域处增强的吸附可以提供在几乎任何处理过程中都适用的优点，以适应被处理的基板。因此，在本技术的一些实施例中，除了基底吸附网之外，基板支撑件可以包括大于或大约一个、大于或大约两个、大于或大约三个、大于或大约四个、大于或大约五个、大于或大约六个、或更多的附加吸附网。
40.如图所示，基板支撑件200可包括四个附加吸附网，四个附加吸附网分布在基板支撑件的分别的区域内并覆盖在基底吸附网上。例如，除了第二导电网220之外，第三导电网225可以被结合在平台205内，并且可以被构造成用作第三吸附网。如图所示，第三导电网225可以包含在第二导电网220的内环形半径内。第三导电网225的特征也可在于具有环形形状，尽管在一些实施例中，网的特征可在于具有圆形形状或类似于第一导电网215的形状，虽然其特征在于直径小于第一导电网215的直径。第四导电网230可以被结合在平台205内，并且可以被构造成用作第四吸附网。第四导电网230可以被包含在第三导电网的内环形半径内，并且也可以取决于任何附加网而如上所述地为环形或圆形。可以在平台内结合第五导电网235，第五导电网235被包含在第四导电网230的内环形半径之内。如图所示，此网也可以是环形或圆形的，并且当作为最内侧的网被包括在内时，此网可以沿着中心轴线同轴地延伸穿过基板支撑件。应当理解，根据本技术的实施例，基板支撑件内可包含任何数量或尺寸的网，并且基板支撑件可包括或不包括任何所示的附加网。
41.在所示的一些实施例中，每个附加的吸附网可以在基板支撑件内共面，并且可以绕穿过基板支撑件的中心轴为同心。附加的吸附网也可以与第一导电网215同轴。如图所示，在每个附加的网之间可以保持间隙，例如环形间隙，以允许个别的操作。在一些实施例中，基板支撑件可以是电介质或陶瓷材料，此材料可以保持各个网的电隔离以进行操作。
42.结合在底座中的每个导电网可以与电源240耦合。在一些实施例中，每个导电网可以与单个电源独立地操作，尽管在一些实施例中，每个导电网可以与单独的电源耦合。每个
电源可以被配置为向导电网提供电压以用于静电吸附。静电吸附可以施加标称上约200v或更低的电压，以在半导体处理期间保持基板。根据本技术的实施例，当将多个网结合在基板支撑件中时，可以利用较少的电压来保持与第一导电网215的夹持效果，而可以将额外功率施加在每个其他导电网上以在整个基板上的多个位置提供可调夹持。因为可以使用附加的吸附网在每个个别的区域提供特定的吸附电压，所以可以减小向主吸附网或基底吸附网(例如第一导电网215)施加的电压，以提供最小程度的吸附而可保持基板位置以进行处理。因此，在一些实施例中，并且取决于导电网的构造，施加到第一导电网的电压可以小于或约400v，并且可以小于或约350v、小于或约300v、小于或大约250v、小于或大约200v、小于或大约150v、小于或大约100v、小于或大约80v、小于或大约60v、小于或大约50v或更小。应当理解，在本技术的实施例中，在本公开全文中讨论的任何电压可以处于任何极性，并且所讨论的任何网可以以任何极性进行操作。例如，在本技术的实施例中，所有网中的任何一个网都可以以相同的极性或不同的极性进行操作。
43.当将电压施加到任何附加的导电网上时，此电压可以与第一导电网所施加的电压一起累积地操作，并且可以在基板上在与附加的导电网相关联的区域内提供附加的吸附。每个附加网可以在大于或大约50v的任何电压下操作，并且可以在大于或大约100v、大于或大约150v、大于或大约200v、大于或大约250v、大于或大约300v、大于或大约350v、大于或大约400v、大于或大约450v、大于或大约500v、或更大的电压下操作。
44.因此，当施加每个网的累积效应时，电压的范围可以从约50v或更小(取决于施加到第一导电网的电压)到可以大于或约为50v的特定区域中的组合电压，并且可以增加到大于或约为任何所述电压的组合，或在所述范围内包含的任何电压或电压范围内。尽管施加的增加的电压与增加基板区域处的接触的能力之间可存在相关性，但是如前所述，根据基板的特性，将电压增加到某个阈值以上可能会导致所施加的夹持力让基板翘曲、变形甚至断裂。因此，在一些实施例中，第二电压可以被维持为小于或大约1100v，并且可以被维持为小于或大约1000v、小于或大约900v、小于或大约800v或更小。
45.在一些实施例中，可在系统内结合一个或多个热电偶，以确定或估计沿基板或基板支撑件的区域内的温度分布。基于基板支撑件内的温度差异，例如较高或较低的温度，可以进行估计以确定与基板的接触问题。因此，温度测量可以用于确定在任何特定区域中是否增加或减少吸附，以补偿可能导致不均匀沉积的温度影响。例如，热电偶引线可以延伸穿过基板支撑杆210，并且可以将热电偶250定位或关联在基板支撑件的每个区域内以进行温度测量。如图所示，在包括四个附加的吸附网的情况下，对于每个相关联的吸附网，可以包括四个热电偶，而每个个别的区域与单个热电偶相关联。在实施例中，可以在基板支撑件内并入任何数量的附加吸附网和/或热电偶，以在任何数量的区域处提供增加的吸附或测量。
46.因为第一导电网可以一直运行，并且附加的导电网可以根据处理需要而运行，所以在一些实施例中，部件之间可能发生损失或泄漏。因此，在一些实施例中，可以将材料245设置在第一吸附网和每个其他重叠的吸附网之间。材料可以是任何电绝缘材料，并且在一些实施例中，材料也可以是导热的，以维持从下层的一个或多个加热器元件到基板的足够的热传递。例如，可以将云母片或其他电绝缘和/或导热材料设置在第一导电网与被包括在第一导电网和基板支撑件的表面之间的其他导电网之间。另外，云母片还可垂直延伸穿过在第一导电网内形成的间隙或孔，电极连接器或耦合和/或热电偶可延伸穿过该间隙或孔，
以与上层电极连接或定位在基板支撑件内。在一些实施例中，这可以进一步在部件之间提供绝缘。
47.在操作中，可以以多种方式施加电压。例如，可以将用于静电耦合的基底电压施加到第一导电网215，在一些实施例中，此基底电压可以是最小电压。取决于晶片的翘曲或轮廓，可以接合附加的导电网，以增加基板的定位性夹持。例如，在基板的径向边缘可能会翘曲偏离基板支撑件的一些实施例中，可接合第二导电网220以增加施加到此区域的电压。类似地，取决于沉积轮廓，可以通过在任何导电网处调变吸附，来在特定区域中增加或减少吸附。例如，除了通过接合特定的导电网来增加定位性吸附之外，在一些实施例中，可以通过增加除此特定区域之外的所有其他区域的吸附，来有效地降低特定区域内的吸附。本技术类似地涵盖任何数量的其他调整，并且应理解，所讨论的示例并不旨在限制本技术。
48.图3示出了根据本技术的一些实施例的示例性基板支撑件200的示意性平面图，并且可示出上述基板支撑件200的俯视图。应该理解的是，基板支撑件可以包括在别处讨论的任何其他基板支撑件的任何特征、部件或特性。如图所示，在此图中可以看到数个附加的吸附网的环形本质。例如，可以看到第二导电网220、第三导电网225、第四导电网230和第五导电网235中的每一个导电网，以图示出相应的覆盖区域。另外，在每个个别的吸附网之间示出了间隙，这可以限制导电网之间的相互作用。在每个间隙内可以看到第一导电网215，第一导电网215可以跨基板支撑件延伸以跨整个基板夹持，如前所述。
49.图4示出了根据本技术的一些实施例的半导体处理的方法400中的示例性操作。方法可以在一个或多个腔室中执行，腔室包括先前描述的任何腔室，并且可以包括先前讨论的任何基板支撑件，以及先前描述的任何系统或腔室的任何其他方面。方法400可以包括多个可选操作，这些可选操作可以与或可以不与根据本技术的方法的一些实施例具体相关。例如，描述了许多操作以提供更大范围的结构形式，但是对技术不是关键的，或者可以通过容易理解的替代方法来执行。例如，并且如前所述，可以在将基板输送到处理腔室(例如上述处理腔室100)中之前执行操作，其中可以在有或没有前述基板支撑件200的某些或全部方面的情况下执行方法400。
50.方法400可以包括在操作405处将半导体基板夹持在半导体处理腔室的处理区域内的基板支撑件上。可以通过接合基板支撑件的第一导电网(例如上述的第一导电网215)来夹持基板，第一导电网可以延伸穿过基板支撑件。在操作410，可以接合基板支撑件内的一个或多个附加导电网。一个或多个附加导电网可以包括覆盖第一导电网的至少一个环形网或圆形网，或任何其他几何形状的网。第一导电网可以在第一夹持电压(例如先前提到的任何电压)下接合基板。然后，一个或多个附加的导电网可以以大于第一夹持电压的第二夹持电压接合基板的区域。由于在一些实施例中操作第二导电网的累积效应，一个或多个附加导电网可以在比第一导电网更低的电压下操作，而累积效应可以进一步夹持基板。例如，在第一导电网在100v操作的情况下，第二导电网可以在基板支撑件的特定区域中在50v操作。因此，例如，当基板的其他区域可以以100v接合时，对应于第二导电网的区域可以例如以150v接合。如先前描述的，类似地涵盖任何其他组合或吸附方案，并且应理解为被本技术类似地涵盖。
51.然后可以在操作415处执行半导体处理操作，此操作可以涉及沉积、蚀刻或可以受益于静电吸附的任何其他处理，如前述。在一些实施例中，可以在可选操作420处跨基板或
基板支撑件监视一个或多个温度。温度可以用于确定是否可以执行均匀的处理，或者用于确定是否可能发生温度影响。在一些实施例中，这些读数或测量值可用于调整基板支撑件的一个或多个区域中的吸附电压。例如，在一个非限制性实施例中，基板温度可以较低，这可能是由于没有完全接触所引起的。例如，这可以反应为由于降低的热传递基板或基板支撑件处的温度降低，或者基板支撑件的温度可以更高。作为响应，在可选操作425处可以在此区域中增加用于相关联的吸附网的吸附电压，或者以其他方式对其进行调整，这可以向基板的区域提供更均匀的热传递。另外，在随后的处理(例如沉积处理)中，整个基板上的厚度测量值可能与基板上接触减少的区域相关。因此，后续处理可增加或减少一个或多个相关区域中的吸附以适应厚度变化，并改善整个基板的均匀性。
52.通过利用根据本技术的实施例的方法和部件，可以改善材料的沉积或形成。通过提供对跨基板支撑件的吸附的更多控制，可以改善温度分布的均匀性，这可以改善所执行的处理。
53.在上文说明中，为了解释的目的，阐述了多种细节，以提供本科技的各种实施例的理解。然而对于本领域技术人员将显而易见的是，某些实施例可以在没有这些细节中的一些(或是具有额外的细节)的情况下实现。
54.在已公开了数种实施例之后，本领域技术人员将理解到，可使用各种修改、替代性结构与均等范围，而不脱离实施例的精神。此外，并未说明一些为人熟知的处理与要素，以避免不必要地遮蔽本技术。因此，上文的说明不应被视为限制本技术的范围。另外，方法或处理可以被描述为顺序的或分步的，但是应当理解，操作可以同时执行，或者以与所列顺序不同的顺序执行。
55.在提供值的范围的情况下，应当理解，除非上下文另有明确规定，否则还具体公开了此范围的上限和下限之间的每个中间值，精确到下限单位的最小部分。在所述范围内的任何陈述值或未陈述的中间值与所述范围内的任何其他陈述或中间值之间的任何较窄范围都包括在内。这些较小范围的上限和下限可以独立地包括在此范围内或排除在此范围内，且包含上下限中的一者、两者、或皆不包含的较小范围中的每一范围也被包含在本技术内，且受制于所陈述范围中任何特别排除的限制。在所陈述的范围包含上下限中的一者或两者时，也包含了排除了这些上下限中的任一者或两者的范围。
56.说明书与随附权利要求中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”以及“该”，包含复数的引用，除非背景内容清楚表示并非如此。因此，例如，对“一前驱物”的引用，包含多个此种前驱物，并且对于“该层”的引用，包含对于一层或更多层的引用以及在本领域技术人员已知的均等范围，诸如此类。
57.此外，本说明书和下列权利要求中使用的词语“包含(comprise(s))”、“包含(comprising)”、“含有(contain(s))”、“含有(containing)”、“包括(include(s))”和“具有(including)”，意为指明所陈述的特征、整型、部件、或操作的存在，但他们不排除存在或添加一个或多个其他特征、整型、部件、操作、动作、或组。