一种载板及硅片镀膜系统的制作方法

1.本实用新型涉及光伏组件加工设备技术领域，尤其涉及一种载板及硅片镀膜系统。


背景技术：

2.在电池片的加工过程中，需要将硅片放置在载板上进行镀膜处理。硅片随着载板进入pecvd腔室内，需要在一定温度范围内进行镀膜处理。
3.现有技术中，往往只是针对pecvd腔室内温度进行监测控制，以此来控制硅片镀膜处理时的温度。而实际情况下，pecvd腔室内温度与载板的温度不一致，甚至相差较大。pecvd腔室内温度并不能准确反映硅片进行镀膜时的温度，从而影响硅片的加工质量，使电池片的良率下降。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种载板及硅片镀膜系统，用于监测载板的温度，从而准确控制硅片镀膜时的温度，提高硅片的镀膜处理质量，进一步提高电池片的良率。
5.为了实现上述目的，第一方面，本实用新型提供一种载板，用于硅片在工艺腔室内进行镀膜处理时承载硅片，载板包括载板本体、多个温度传感器、第一连接装置和多个导线，载板本体用于承载硅片，载板本体具有相对设置的第一面和第二面。温度传感器设置于载板本体的承载硅片的第一面，用于检测载板本体的温度。第一连接装置设置于载板本体的第二面，第一连接装置开设有多个第一接触端子，多个第一接触端子用于输出多个温度传感器测试的温度。多个导线的第一端与对应的温度传感器电连接，多个导线的第二端与第一连接装置的多个第一接触端子电连接。
6.采用上述技术方案时，硅片由载板本体承载，载板本体具有相对设置的第一面和第二面。而温度传感器设置于载板本体的承载硅片的第一面，用于检测载板本体的温度。第一连接装置设置于载板本体的第二面，第一连接装置开设有多个第一接触端子，多个导线的第一端与对应的温度传感器电连接，多个导线的第二端与第一连接装置的多个第一接触端子电连接，温度传感器检测到的载板本体的温度信号通过导线输送至第一接触端子，并经由第一接触端子输出。从而实现了硅片在进行镀膜工艺时对载板表面温度的实时监控。具体地，温度传感器用于检测载板本体承载硅片的第一面的温度，能够较好的反映硅片进行镀膜处理时的温度，便于对硅片进行镀膜处理时的温度进行控制，保证硅片的加工质量，进一步提高电池片的良率。
7.另外，第一连接装置设置于载板本体的远离硅片的第二面，以免对载板本体承载硅片造成干扰。
8.在一种可能的实现方式中，载板本体的四周边缘均设置有温度传感器。
9.采用上述技术方案时，温度传感器的数量为多个，载板本体的四周边缘均设置有温度传感器，能够较为精确的反映出载板本体的整体温度，避免因载板本体各处的温度不
均导致硅片各处的温度不均，影响硅片镀膜处理的质量。不仅如此，温度传感器设置在载板本体的四周边缘，不会对载板本体承载硅片造成干扰。
10.在一种可能的实现方式中，温度传感器内嵌于载板本体第一面的四周边缘。
11.采用上述技术方案时，温度传感器内嵌于载板本体第一面的四周边缘，不仅能够较为直接的测量载板本体的温度，而且，避免温度传感器对硅片造成金属污染，降低硅片的发电效率。
12.在一种可能的实现方式中，载板本体的第一面的四周边缘均设置有第一凸出部，温度传感器内嵌于第一凸出部内。
13.采用上述技术方案时，载板本体的承载硅片的第一面的四周边缘均设置有第一凸出部，有利于增强载板本体的结构强度，延长载板的使用寿命。温度传感器内嵌设置于第一凸出部内，避免温度传感器对硅片造成金属污染，使得硅片的发电效率减弱。
14.在一种可能的实现方式中，温度传感器为探针式热电偶。
15.采用上述技术方案时，探针式热电偶在测量载板本体时为接触式测量，可以较为直接的感触到载板本体的温度，测量出的载板本体的温度较为精准。
16.在一种可能的实现方式中，多个导线从载板本体的第一面的四周边缘延伸到载板本体的第二面。
17.在一种可能的实现方式中，载板本体的远离硅片的第二面设置有第二凸出部，导线内嵌于第二凸出部内。
18.采用上述技术方案时，载板本体的远离硅片的第二面设置有第二凸出部，有利于增强载板本体的结构强度，延长载板的使用寿命。导线从载板本体的第一面的四周边缘延伸到载板本体的第二面，之后设置于第二凸出部内，避免导线出现杂乱无章的现象，影响硅片镀膜处理作业。
19.在一种可能的实现方式中，第二凸出部相对载板本体的第二面的几何中心对称设置，第一连接装置设置于载板本体的几何中心上。
20.采用上述技术方案时，导线内嵌于第二凸出部内，第二凸出部相对载板本体的第二面的几何中心对称设置，而第一连接装置设置于载板本体的几何中心上，如此，设置的导线较为规整，载板较为美观，避免导线出现杂乱无章的现象。第一连接装置设置于载板本体的几何中心上，便于导线的第二端与第一连接装置的多个接触端子电连接。
21.第二方面，本实用新型还提供一种硅片镀膜系统，包括第一方面或第一方面任一可能的实现方式中所描述的载板以及工艺腔室，其中工艺腔室用于容纳载板，工艺腔室内底部设置有与温度传感器电信连接的第二连接装置。第二连接装置具有多个第二接触端子，第二接触端子与第一接触端子电连接。
22.采用上述技术方案时，硅片放置在载板上在工艺腔室内进行镀膜处理，工艺腔室内底部设置有与温度传感器电信连接的第二连接装置。第二连接装置具有多个第二接触端子，第二接触端子与第一接触端子电连接。温度传感器检测到的载板本体的温度信号通过导线输送至第一接触端子，并经由第一接触端子输出后，传输至第二连接装置，从而将温度传感器检测到的载板本体的温度信号传输至第二连接装置。
23.在一种可能的实现方式中，第二连接装置包括承载部，承载部紧固设置在工艺腔室的底部。多个第二接触端子为导电柱，设置在承载部靠近载板本体的一侧。第一连接装置
上开设有与温度传感器数量相对应的第一接触端子，第一接触端子为导电孔，导线的第二端设置于导电孔中。导电柱用于与第一连接装置的导电孔相对应，以使导电柱与位于导电孔中的导线的一端导电接触，使得温度传感器与第二连接装置电信连接。
24.在一种可能的实现方式中，镀膜系统还包括承托装置、升降装置和处理器，承托装置用于承托所述载板并输送至工艺腔室内。升降装置用于支撑载板，升降装置驱动载板下降，至第一连接装置与第二连接装置接触，使得温度传感器与第二连接装置电信连接。处理器与第二连接装置电信连接或通讯连接，以接收温度传感器探测到的温度信号。
25.采用上述技术方案时，工艺腔室内底部设置有与温度传感器电信连接的第二连接装置。承载有硅片的载板由承托装置承托并输送至工艺腔室内，然后载板由升降装置支撑并接收。之后，升降装置驱动载板下降，至载板所具有的第一连接装置与设置在工艺腔室内底部的第二连接装置接触，使得第一接触端子与第二接触端子电信连接，第一接触端子为导电孔，导线的第二端设置于导电孔中，从而使得第二接触端子与导线的第二端导电接触，使温度传感器与第二连接装置电信连接。处理器与第二连接装置电信连接或通讯连接，以接收温度传感器探测到的温度信号。从而可将温度传感器所检测到的载板本体的温度信号传输至处理器，能够较为直观的得出硅片镀膜处理时的温度，以便对硅片镀膜处理时的温度进行控制，提高电池片的良率。
26.此外，第一接触端子为导电孔，第二接触端子为导电柱，升降装置驱动载板下降，至导电柱插入第一连接装置的导电孔内，使得导电柱与导线的第二端导电接触，使得温度传感器与第二连接装置电信连接，增强了温度传感器与第二连接装置电信连接的稳定性。
附图说明
27.此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
28.图1为本实用新型实施例提供的载板的主视示意图；
29.图2为本实用新型实施例提供的载板的后视示意图；
30.图3为本实用新型实施例提供的硅片镀膜系统的连接示意图；
31.图4为本实用新型实施例提供的第二连接装置的示意图；
32.图5为本实用新型实施例提供的第一连接装置的示意图；
33.图6为本实用新型实施例提供的承托装置承托载板并输送至工艺腔室内的示意图；
34.图7为本实用新型实施例提供的载板在工艺腔室内由升降装置接收并支撑的示意图；
35.图8为本实用新型实施例提供的承托装置退出工艺腔室，载板由升降装置支撑的示意图；
36.图9为本实用新型实施例提供的升降装置驱动载板下降，使得第二连接装置与第一连接装置接触的示意图。
37.附图标记：
38.1—载板，11—载板本体，111—第一凸出部，112—第二凸出部，
39.12—温度传感器，13—第一连接装置，14—导线，131—导电孔，
40.2—工艺腔室，21—第二连接装置，211—承载部，212—导电柱，
41.3—承托装置，4—升降装置，5—处理器。
具体实施方式
42.为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
43.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
44.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
45.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
46.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电信连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
47.在电池片的加工过程中，需要将硅片放置在载板1上并在工艺腔室2内进行镀膜处理。硅片随着载板1进入工艺腔室2内，需要在一定温度范围内进行镀膜处理。现有技术中，往往只是针对工艺腔室2内温度进行监测控制，以此来控制硅片镀膜处理时的温度。而实际情况下，工艺腔室2内温度与载板1的温度不一致，甚至相差较大。工艺腔室2内温度并不能准确反映硅片进行镀膜处理时的温度，从而影响硅片的加工质量，使电池片的良率下降。需要说明的是，本实用新型所描述的工艺腔室2可以为pecvd腔室。
48.为了解决上述现有技术中存在的问题，参见图1和图2所示，第一方面，本实用新型提供一种载板1，用于硅片在工艺腔室2内进行镀膜处理时承载硅片，载板1包括载板本体11、多个温度传感器12、第一连接装置13和多个导线14，载板本体11用于承载硅片，载板本体11具有相对设置的第一面和第二面。温度传感器12设置于载板本体11的承载硅片的第一面，用于检测载板本体11的温度。第一连接装置13设置于载板本体11的第二面，第一连接装置13开设有多个第一接触端子，多个第一接触端子用于输出多个温度传感器12测试的温度。多个导线14的第一端与对应的温度传感器12电连接，多个导线14的第二端与第一连接装置13的多个接触端子电连接。
49.采用上述技术方案的情况下，硅片由载板本体11承载，载板本体11具有相对设置的第一面和第二面。而温度传感器12设置于载板本体11的承载硅片的第一面，用于检测载板本体11的温度。第一连接装置13设置于载板本体11的第二面，第一连接装置13开设有多个第一接触端子，多个导线14的第一端与对应的温度传感器12电连接，多个导线14的第二端与第一连接装置13的多个接触端子电连接。温度传感器12检测到的载板本体11的温度信号通过导线14输送至第一接触端子，并经由第一接触端子输出。从而实现了硅片在进行镀膜工艺时对载板1表面温度的实时监控。具体地，硅片在进行镀膜处理时，与载板本体11的第一面直接接触，而温度传感器12用于检测载板本体11承载硅片的第一面的温度，因此能够较好的反映硅片进行镀膜处理时的温度，便于对硅片进行镀膜处理时的温度进行控制，保证硅片的加工质量，进一步提高电池片的良率。
50.作为一种可能的实现方式，如图2至图9所示，工艺腔室2内设置有第二连接装置21，温度传感器12通过导线14与第二连接装置21电信连接。载板1还包括第一连接装置13，设置于载板本体11的远离硅片的第二面，导线14的用于电信连接第二连接装置21的第二端与第一连接装置13的多个第一接触端子电连接。
51.如此，第一连接装置13设置于载板本体11的远离硅片的第二面，以免对载板本体11承载硅片造成干扰。温度传感器12通过导线14与第二连接装置21电信连接，导线14的用于电信连接第二连接装置21的第二端与第一连接装置13的多个第一接触端子电连接。在本实用新型提供的实施例中，第一接触端子为导电孔131，导线14的第二端设置于导电孔131中。第一连接装置13用于引导并固定导线14的第二端，第一连接装置13不仅能够作为温度传感器12与第二连接装置21电信连接的桥梁，用于引导并固定导线14，而且起到了避免导线14杂乱无章的作用，以免导线14的存在对硅片镀膜处理造成干扰。
52.在一些示例中，如图3和图5所示，第一连接装置13上开设的第一接触端子为与温度传感器12数量相对应的导电孔131，导线14的用于电信连接第二连接装置21的第二端设置于导电孔131中。
53.作为一种可能的实现方式，温度传感器12的数量为多个，载板本体11第一面的四周边缘均设置有温度传感器12。
54.采用上述技术方案时，温度传感器12的数量为多个，载板本体11第一面的四周边缘均设置有温度传感器12，能够较为精确的反映出载板本体11的整体温度，避免因载板本体11各处的温度不均导致硅片各处的温度不均，影响硅片镀膜处理的质量。不仅如此，温度传感器12设置在载板本体11第一面的四周边缘，不会对载板本体11承载硅片造成干扰。
55.在一些实施例中，温度传感器12为探针式热电偶。探针式热电偶在测量载板本体11时为接触式测量，可以较为直接的感触到载板本体11的温度，测量出的载板本体11的温度较为精准。在本实用新型提供的实施例中，探针式热电偶采用铂铑合金材料制成，当然此处只是举例说明，不用作具体限定。
56.在一种示例中，温度传感器12内嵌于载板本体11。如此，温度传感器12内嵌于载板本体11，不仅能够较为直接的测量载板本体11的温度，而且，避免温度传感器12对硅片造成金属污染，降低硅片的发电效率。
57.在另一种示例中，载板本体11的承载硅片的第一面设置有第一凸出部111，温度传感器12设置于第一凸出部111内。
58.采用上述技术方案的情况下，载板本体11的承载硅片的第一面设置有第一凸出部111，有利于增强载板本体11的结构强度，延长载板1的使用寿命。温度传感器12设置于第一凸出部111内，避免温度传感器12对硅片造成金属污染，使得硅片的发电效率减弱。
59.作为一种可能的实现方式，多个导线从载板本体11的第一面的四周边缘延伸到载板本体11的第二面。载板本体11的远离硅片的第二面设置有第二凸出部112，导线14内嵌于第二凸出部112内。如此，载板本体11的远离硅片的第二面设置有第二凸出部112，有利于增强载板本体11的结构强度，延长载板1的使用寿命。导线14设置于第二凸出部112内，避免出现导线14杂乱无章的现象，影响硅片镀膜处理作业。
60.作为一种可能的实现方式，第二凸出部112相对载板本体11的第二面的几何中心对称设置，第一连接装置13设置于载板本体11的几何中心上。
61.采用上述技术方案的情况下，导线14内嵌于第二凸出部112内，第二凸出部112相对载板本体11的第二面的几何中心对称设置，而第一连接装置13设置于载板本体11的几何中心上，如此，设置的导线14较为规整，载板1较为美观，避免导线14出现杂乱无章的现象。第一连接装置13设置于载板本体11的几何中心上，便于导线14的第二端设置于第一连接装置13的导电孔131。
62.具体实施时，温度传感器12的数量、导线14的数量和第一接触端子的数量均相同，且一个温度传感器12对应一根导线14，同时对应一个第一接触端子。导线14的第一端电连接于温度传感器12，导线14的第二端电连接于设置在导电孔131中。温度传感器12的数量根据实际情况进行设置，此处不作具体限定。但要求温度传感器12的数量应不少于四个，以使得载板本体11的四周边缘均设置有温度传感器12。如图1所示，在本实用新型提供的实施例中，温度传感器12的数量为四个，四个温度传感器12分别设置在载板本体11的四周边缘。四个温度传感器12分别对应四个第一凸出部111、四根导线14、四个第二凸出部112以及四个导电孔131，温度传感器12设置在第一凸出部111内，导线14从载板本体11的第一面的四周边缘延伸到载板本体11的第二面之后内嵌在第二凸出部112内。第一凸出部111的尺寸根据实际使用的温度传感器12的尺寸设置，以能完全覆盖温度传感器12为准，避免温度传感器12在高温下发生金属原子扩散，导致硅片受到金属污染。在本实用新型提供的实施例中，第一凸出部111的长度为10cm，厚度范围为5mm～10mm。第二凸出部112尺寸根据实际使用的导线14尺寸和载板本体11的尺寸进行设置，第二凸出部112的厚度范围为5mm～10mm。需要说明的是，此处所描述的厚度，即凸出部的顶面距载板本体11的最近一面的垂直距离。导线14的第一端电连接于温度传感器12，导线14的第二端由第二凸出部112引导，然后固定在导电孔131中。在本实用用新型提供的实施例中，导电孔131的直径范围为5mm～8mm，导电孔131的深度为10mm。当然此处只是举例说明，不作具体限定，具体根据实际情况进行设置。
63.另外，需要说明的是，载板本体11、第一凸出部111、第二凸出部112、第二连接装置21、第一连接装置13的材料根据实际情况进行设置，此处不作具体限定。在本实用新型提供的实施例中，载板本体11、第一凸出部111、第二凸出部112均采用石墨材料制成。
64.第二方面，本实用新型实施例还提供一种硅片镀膜系统，包括第一方面或第一方面任一可能的实现方式所描述的载板1、工艺腔室2、承托装置3、升降装置4和处理器5。其中，工艺腔室2用于容纳载板1，工艺腔室2内底部设置有与温度传感器12电信连接的第二连接装置21。承托装置3用于承托载板1并输送至工艺腔室2内。升降装置4用于支撑载板1，升
降装置4驱动载板1下降，至第一连接装置13与第二连接装置21接触，使得温度传感器12与第二连接装置21电信连接。处理器5与第二连接装置21电信连接或通讯连接，以接收温度传感器12探测到的温度信号。
65.具体实施时，硅片放置在载板1上在工艺腔室2内进行镀膜处理，工艺腔室2内底部设置有与温度传感器12电信连接的第二连接装置21。承载有硅片的载板1由承托装置3承托并输送至工艺腔室2内，然后载板1由升降装置4支撑并接收。之后，升降装置4驱动载板1下降，至载板1所具有的第一连接装置13与设置在工艺腔室2内底部的第二连接装置21接触，使得温度传感器12与第二连接装置21电信连接。处理器5与第二连接装置21电信连接或通讯连接，以接收温度传感器12探测到的温度信号。从而可将温度传感器12所检测到的载板本体11的温度传输至处理器5，能够较为直观的得出硅片镀膜处理时的温度，以便对硅片镀膜处理时的温度进行控制，提高电池片的良率。
66.作为一种可能的实现方式，第二连接装置21包括承载部211，承载部211紧固设置在工艺腔室2的底部。第二连接装置21具有多个第二接触端子，第二接触端子与第一接触端子电连接。第二接触端子设置在承载部211靠近载板本体11的一侧，用于与第一连接装置13的第一接触端子相对应，以使第二接触端子与位于导电孔131中的导线14的第二端导电接触，使得温度传感器12与第二连接装置21电信连接。
67.在一种些示例中，如图4所示，第二接触端子为与导电孔131相对应的导电柱212，导电柱212插入导电孔131后与导线14电信连接。
68.采用上述技术方案的情况下，升降装置4驱动载板1下降，至导电柱212插入第一连接装置13的导电孔131内，使得导电柱212与位于导电孔131中的导线14的第二端导电接触，使得温度传感器12与第二连接装置21电信连接，增强了温度传感器12与第二连接装置21电信连接的稳定性。
69.实际情况下，导电柱212的数量与导电孔131的数量相同，且一一对应。导电柱212的尺寸与导电孔131相对应，根据实际情况进行设置。在本实用新型提供的实施例中，当导电孔131的直径范围为5mm～8mm，深度为10mm时，导电柱212的直径可以设置为5mm，导电柱212的高度可以设置为10mm，以保证导电柱212能够插入导电孔131中，并能与位于导电孔131中的导线14充分的电信接触，已将温度传感器12所检测到的温度信号传输至处理器5。
70.图6至图9示例出本实用新实施例提供的硅片镀膜系统的工作流程图。具体实施时，参见图6至图9，承载有硅片的载板1在承托装置3的承托下，输送至工艺腔室2内，之后载板1由升降装置4接收并支撑，此时承托装置3脱离工艺腔室2。载板1在升降装置4的驱动下下降，直至降落至工艺腔室2底部，使得导电柱212插入导电孔131中，使温度传感器12与第二连接装置21电信连接，第二连接装置21与处理器5电信连接，从而可将温度传感器12检测到的载板本体11的温度信号传输至处理器5中，实现对载板本体11温度的实时监控。实际情况下，硅片在工艺腔室2内进行镀膜处理时，工艺腔室2内还设置有用于检测工艺腔室2内温度的温度传感器12，该温度传感器12与处理器5电信连接。使得处理器5同时接收到工艺腔室2内的温度信号和载板本体11的温度信号，处理器5将所接收到的温度信号进行对比，并作出调节，保证硅片进行镀膜处理时在一定温度范围内进行，以保证硅片的加工质量，提高电池片的良率。
71.在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多
个实施例或示例中以合适的方式结合。
72.以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。