电致变色烧蚀图案的受控随机化的制作方法

电致变色烧蚀图案的受控随机化


背景技术：

1.电致变色器件包括电致变色材料，这些材料已知响应于电势差的施加而改变其光学性质，例如颜色，从而使该装置或多或少透明或者或多或少反射。典型的电致变色(“ec”)器件包括反电极层(“ce层”)、基本上平行于反电极层沉积的电致变色材料层(“ec层”)和分别将反电极层与电致变色材料层分开的离子导电层(“ic层”)。此外，两个透明导电层(“tc层”)分别与ce层和ec层基本平行并接触。ec层、ic层和ce层可以统称为ec薄膜叠层、ec薄膜堆叠等。ec薄膜叠层和在ec薄膜叠层相对侧上的导电层可以统称作为“ec堆叠”。
2.当在电致变色器件的层状结构上施加电势差(本文也称为“电压差”)时，诸如通过将相应的tc层连接到低压电源，离子(可以包括储存在ce层中的li 离子)从ce层流经ic层，到达ec层。此外，电子从ce层环绕包括低压电源的外部电路流向ec层，以保持ce层和ec层中的电荷中性。离子和电子向ec层的转移导致互补性ec器件中的ec层以及任选地ce层的光学特征发生变化，从而改变电致变色器件的着色，并因此改变其透明度。
3.可以包括一个或多个层、堆叠、器件等的介质的着色的变化可以描述为介质“透射”的变化。如本文所用，透射是指准许电磁(em)辐射(可以包括可见光)通过介质，而介质的“透射水平”可以指介质的透射率。在介质改变透射水平的情况下，介质可以从清晰的透射状态(“完全透射水平”)改变为通过介质的入射em辐射比例降低的透射水平。透射水平的这种变化可能导致介质的着色发生变化、透明度发生变化等。例如，可以观察到从完全透射水平变为较低透射水平的介质变得更不透明、着色更深，等等。
附图说明
4.图1a示出了根据一些实施例的示例性装置的透视图，该装置可以包括一个或多个电致变色(ec)器件和一个或多个基底，其中至少一个ec器件包括根据随机烧蚀图案的表面烧蚀。
5.图1b至图1d示出了根据一些实施例的相应示例性ec器件的示意性侧视图，该器件可以包括一个或多个导电层，该导电层包括根据一个或多个随机烧蚀图案布置的表面烧蚀。
6.图2示出了根据一些实施例的示例性非随机烧蚀图案，该示例性非随机烧蚀图案可以修改为具有距离特征的随机变化的示例性随机烧蚀图案。
7.图3示出了根据一些实施例的具有取向特征的随机变化的示例性随机烧蚀图案。
8.图4示出了根据一些实施例的具有多个几何特征的随机变化(例如，距离特征的随机变化和取向特征的随机变化)的示例性随机烧蚀图案。
9.图5示出了根据一些实施例的具有形状特征的随机变化的示例性随机烧蚀图案的一部分。
10.图6示出了根据一些实施例的示例性ec薄膜堆叠和导电层的透视图，该导电层至少部分地基于随机烧蚀图案而被结构化为具有不同薄层电阻的区域。
11.图7是根据一些实施例的根据随机烧蚀图案结构化具有表面烧蚀的ec器件的示例
性方法的流程图。
12.图8是根据一些实施例的确定随机烧蚀图案的示例性方法的流程图。
13.图9是示出可以在一些实施例中使用的示例性计算机系统的框图。
14.本文所述的各种实施例易于进行各种修改和替代形式。具体实施方式在附图中以实例的方式示出并且将在本文中进行详细描述。然而，应当理解，附图及其详细描述并非旨在将本公开限制为所公开的特定形式，相反，意图是涵盖落入如由所附权利要求限定的精神和范围内的所有修改、等同物和替代方案。本文使用的标题仅用于组织目的，并不意味着用于限制说明书或权利要求的范围。如贯穿本技术所使用的，词语“可以”以许可的意义(即，意味着有可能)而不是强制性的意义(即，意味着必须)使用。类似地，词语“包括”、“包括”和“包括”意思是包括但不限于包括。
具体实施方式
15.各种实施例涉及可以与电致变色(ec)器件结合使用的图案的受控随机化。例如，本文公开的各种技术涉及根据随机烧蚀图案的ec器件的激光烧蚀表面。通常，ec堆叠的薄膜(和/或层)的选择性烧蚀可以局部地改变薄膜的特性和性能。例如，烧蚀可以改变导电层的电阻，以产生更均匀和更快的ec切换。然而，非随机烧蚀图案可以是可见的(例如，人眼可观察到的)并且可以散射光线，这可能是不期望的。此外，非随机烧蚀图案可以将光衍射成彩虹图案，这可能是不期望的。可以通过使用如本文所公开的受控、随机烧蚀图案来避免这种不期望的光学效应。
16.根据各种实施例，ec器件可以包括ec薄膜堆叠和导电层。例如，导电层可以包括位于ec薄膜堆叠的相对侧上的顶部导电层和底部导电层。一个或多个导电层可以包括根据随机烧蚀图案的表面烧蚀。在一些非限制性实例中，随机烧蚀图案可以包括一组段的一个或多个几何特征的随机变化。在一些实例中，几何特征可以包括距离特征(例如，段之间的距离)、取向特征(例如，段的取向)和/或形状特征(例如，段的形状)。此外，在一些实施例中，部分或全部段可以是开环段。
17.在一些非限制性实施例中，一组段可以形成非随机烧蚀图案，并且几何特征的随机变化可以用于将非随机烧蚀图案修改(或“转换”)为随机烧蚀图案。在一些实施例中，随机变化可以包括来自非随机烧蚀图案的段的几何特征的数字随机变化。相对于不包括随机变化的非随机烧蚀图案，随机烧蚀图案可以配置为减少入射到表面烧蚀上的光的衍射和/或散射。
18.如本文所用，“配置”ec器件、导电层等可以互换地称为“结构化”ec器件、导电层等。“配置为”做某事的ec器件导电层等可以互换地称为被“结构化为”、“结构化配置为”做某事的ec器件导电层等。
19.图1a示出了一个示例性装置100的透视图，该装置可以包括一个或多个ec器件和一个或多个基底，其中至少一个ec器件包括根据随机烧蚀图案的表面烧蚀(例如，如本文中参考图1b至图8)进一步讨论的。例如，装置100可以包括设置在基底104上的ec器件102a。根据各种实施例，ec器件102a可以包括ec薄膜堆叠106和在ec薄膜堆叠106的相对侧上的导电层(例如，顶部导电层108a和底部导电层110a)。在一些实施例中，施加到相对导电层108a和110a的单独电压可以跨ec薄膜堆叠106感应电势差。
20.在一些实施例中，装置100的一个层或多个层可以包括根据一个或多个随机烧蚀图案的表面烧蚀112。图1a示出了根据随机烧蚀图案具有表面烧蚀112的顶部导电层108a的实例。然而，在各种非限制性实例中，顶部导电层108a和/或底部导电层110a可以包括根据一个或多个随机烧蚀图案的表面烧蚀112，例如，如图1b至图1d中最清楚地示出。
21.正如将在本文中至少参考图2至图5进一步详细讨论的那样，随机图案可以包括段(例如，对应于表面烧蚀)和一个或多个几何特征(例如，距离、取向、形状等)的随机变化。在各种实施例中，一些或所有段可以是“开环”段。如本文所用，“开环”段(或“开环”表面烧蚀)是指与不电隔离烧蚀表面的部分的烧蚀相对应的段。相比之下，“闭环”段(或“闭环”表面烧蚀)是指与电隔离烧蚀表面的部分的烧蚀相对应的段。在各种实施例中，随机烧蚀图案可以包括彼此不相交的段。
22.图1b
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图1d各自示出了根据一些实施例的示例性ec器件102b
–
102d中的相应一个的示意性侧视图，该装置可以包括一个或多个导电层，该导电层包括根据一个或多个随机烧蚀图案布置的表面烧蚀。在图1b中，顶部导电层108b可以包括根据随机烧蚀图案布置的表面烧蚀(例如，类似于图1a中描绘的ec器件102a的实施例)。在一些实施例中，底部导电层108b可以不包括表面烧蚀。在图1c中，底部导电层110c可以包括根据随机烧蚀图案布置的表面烧蚀。在一些实施例中，顶部导电层108c可以不包括表面烧蚀。在图1d中，顶部导电层108d和底部导电层110d都可以包括根据一个或多个随机烧蚀图案布置的表面烧蚀。在一些实施例中，包括表面烧蚀的图1a至图1d的导电层可以具有多个不同的区域：其中的一个子集包括表面烧蚀，而另一个子集不包括表面烧蚀。附加地或可替代地，图1a至图1d的包括表面烧蚀的导电层可以具有多个具有表面烧蚀的不同随机图案的不同区域。在各种实施例中，顶部导电层108b-108d和底部导电层110b-110d可以位于ec薄膜堆叠106的相对侧上。
23.ec薄膜堆叠106可以包括反电极(ce)层114、电致变色(ec)层116和位于两者之间的离子传导(ic)层118。在一些实施例中，ce层114或ec层116中的一者可以结构化为可逆地插入离子，诸如阳离子(包括h 、li 、d 、na 、k 中的一者或多者)或阴离子(包括oh至中的一者或多者)，尤其是由阳极(或分别地阴极)电致变色材料制成；而ce层114或ec层116中的另一者可以结构化为可逆地插入所述离子，尤其是由阴极(或分别地阳极)电致变色材料制成。在一些实施例中，ic层118可以结构化为包括电解质层。ec薄膜堆叠106的特征可以在于以下方面：在于ce层114或ec层116中的至少一者可以结构化为可逆地插入所述离子，包括由阳极或阴极电致变色材料制成的层，具有足够的厚度以允许所有的离子插入而不使所述活性层发生电化学功能丧失；在于具有电解质功能的ic层118包括至少一个基于选自以下的材料的层：氧化钽、氧化钨、氧化钼、氧化锑、氧化铌、氧化铬、氧化钴、氧化钛、氧化锡、氧化镍、与铝选择性合金化的氧化锌、氧化锆、氧化铝、与铝选择性合金化的氧化硅、与铝或与硼选择性合金化的氮化硅、氮化硼、氮化铝、与铝选择性合金化的氧化钒和氧化锡锌，这些氧化物中的至少一者任选地被氢化或氮化；在于ce层114或ec层116中的一者或多者包括以下化合物中的至少一者：钨w、铌nb、锡sn、铋bi、钒v、镍ni、铱ir、锑sb和钽ta的氧化物，单独或作为混合物，并且任选地包括附加的金属，诸如钛、铼或钴；以及在于ec层116或ce层114中的一者或多者的厚度在70um与250um之间，在150um与220um之间，等等。
24.ec层116可以包括各种材料，包括氧化钨。ce层114可以包括各种材料，包括一种或多种钨-镍氧化物。ic层118可以包括各种材料，包括一种或多种氧化硅。电荷可以包括各种
带电电解质物质，包括锂离子。ic层118可以包括层区域、多层区域、界面区域、它们的一些组合等。包括界面区域的ic层118可以包括ec层116或ce层114中的一者或多者的一种或多种组分材料。
25.在一些实施例中，ec薄膜堆叠106的每一层可以可逆地插入阳离子和电子，由于这些插入/提取而导致它们的氧化程度的改变，从而导致其光学和/或热性能的改变。特别地，可以调节在可见光和/或红外波长下的它们的吸收和/或它们的反射。ec薄膜堆叠106可以包括在ec器件中(例如，图1a至图1d中的ec器件102a-102d)，其中电解质呈聚合物或凝胶的形式。例如，质子导电聚合物，或通过锂离子导电的导电聚合物，其中系统的其他层通常是无机性质的。在另一个实例中，ec薄膜堆叠106可以包括在ec器件中，其中电解质和堆叠的其他层是无机性质的，这可以通过术语“全固态”系统来指代。在另一个实例中，ec薄膜堆叠106可以包括在ec器件中，其中所有层都是基于聚合物的，这可以用术语“全聚合物”系统来表示。
26.当ec薄膜堆叠106处于“静止”状态时，其中包括ec薄膜堆叠106的ec器件被称为处于完全透射状态，电荷驻留在ce层114中，使其减少，并使其高度透明。当器件被切换时，通过诱导ec器件中ec薄膜堆叠106相对侧上的导电层之间的电势差、电荷，包括锂离子，从ce层114移动到ec层116，这导致ec堆叠的透射水平改变。在一些实施例中，一些锂离子由另一种电荷电解质物质所替代，这种电解质物质仍然能减少ce层114，但相对于锂离子，具有相对较低的传输速率(或者由于较大，或者由于在ce层114的分子晶格结构中被更牢固地结合)。因此，可以调整ce层114的一个或多个区域的透射水平切换的速率和数量。调整一个ce层区域的透射水平切换的速率和量包括调整对应的ec层116的透射水平切换的速率和数量。
27.具有各种传输速率的电荷电解质物质可以包括稀土和碱金属。这些是比锂更重或更紧密结合的物质，将包括例如钠、钾、铷、铯、钫、铍、镁、钙、锶、钡和镭。
28.例如，在一些实施例中，ec薄膜堆叠106的ce层114可以沉积在导电层上，该导电层可以包括包含ito的透明导电层，并且可以将各种不同的电荷电解质物质引入、注入到单独的ce层区域。例如，镁离子可以注入到一个或多个ce层区域，而钠离子可以注入到一个或多个其他ce层区域。应当理解，如在整个公开中所讨论的，离子注入的图案、深度和剂量是可以控制的。例如，可以利用铝箔掩模选择性地将ce层区域的图案暴露，以注入一种或多种特定电荷电解质物质。
29.在一些实施例中，ec薄膜堆叠106的一个或多个部分的加热是经由通过ec器件的一部分感应的电流、电势差等来实现的。电势差可以经由联接到给定的导电层的两个或多个电极之间的电势差诱导，以穿过ec器件的一个或多个部分(例如，见图6)。这种感应的电势差可以导致电流流过导电层。在一些实施例中，至少部分地基于电流流过的导电层区域的电阻，使电流流过导电层导致在导电层的一个或多个区域中产生热量。导电层可以包括一个或多个表面烧蚀(例如，根据本文公开的一种或多种随机烧蚀图案布置的表面烧蚀)和/或包括一种或多种对电流不同程度的电阻的各种化学物质。因此，至少部分地基于一个或多个区域中的导电层的电阻，使电流流过导电层的一个或多个区域可导致一个或多个区域中的热量产生。
30.加热导电层的区域可以导致加热ec器件的ec薄膜堆叠106的一个或多个区域，例
如，在此也参考图6所讨论的。ec薄膜堆叠106的这些区域可以包括对应于导电层被加热的区域的区域。例如，在导电层区域中产生的热量可以分布到与导电层联接的ec薄膜堆叠106。
31.在一些实施例中，通过其感应电流以加热导电层的一个或多个区域(在此也称为导电层区域)的导电层也用于感应跨过ec器件的ec薄膜堆叠106的电势差，以使ec薄膜堆叠106的一个或多个区域(“ec区域”)改变透射水平。在至少两个导电层之间，跨过ec薄膜堆叠106感应电势差，并经由跨过给定的导电层感应单独的电势差来加热导电层中的一层的一个或多个区域，可以是同时进行的。这种同时的电流感应可以至少部分地基于在相对的导电层之间感应穿过ec薄膜堆叠106的直流电流以及感应穿过导电层中的一层的交流电流来实现，其中交流电流的频率足够高以阻止ec薄膜堆叠106至少部分地基于该交变来切换透射水平。在一些实施例中，这种足够高的切换频率包括等于或大于100赫兹的切换频率。
32.在一些实施例中，ec器件的每个ec区域、导电层区域等可以具有相同或不同的尺寸、体积和/或表面积。在其他实施例中，每个ec区域、导电层区域等可以具有相同或不同的形状(包括弯曲或弧形形状)。
33.图2示出了根据一些实施例的示例性非随机烧蚀图案200a，该示例的非随机烧蚀图案可以修改为具有距离特征的随机变化的示例随机烧蚀图案200b。非随机烧蚀图案200a和随机烧蚀图案200b可以包括一组段202。每个段202可以代表各自的表面烧蚀，ec器件(例如，图1a至图1d中的ec器件102a-102d)可以用它被结构化。如图2所示的示例性x-y坐标系统用于讨论非随机烧蚀图案200a和随机烧蚀图案200b的方面，并且可用于讨论贯穿本公开的实施例。
34.在一些非限制性实施例中，段202可以是直线型的。然而，非随机烧蚀图案200a和/或随机烧蚀图案200b可以附加地或可替代地包括一个或多个其他形状的段202(例如，曲线、直线和曲线的组合等)。根据各种实施例，段202可以包括开环段，与不对烧蚀表面的部分进行电隔离的烧蚀相对应。相比之下，闭环段可以包括与电隔离烧蚀表面的部分的烧蚀相对应的段。在各种实施例中，非随机烧蚀图案200a和/或随机烧蚀图案200b可以包括彼此不相交的段202。
35.根据各种实施例，随机烧蚀图案200b可以具有段202的一个或多个几何特征的随机变化。例如，随机烧蚀图案200b可以包括距离特征的随机变化，诸如在x轴方向上的段202之间的距离。
36.在图2中描述的非限制性实例中，非随机烧蚀图案200a可以包括开环段的规则图案，例如，长度为5mm的直线段202。在该非限制性实例中，非随机烧蚀图案200a中的段202可以在x轴方向与y轴方向的每一个方向上彼此间隔开1mm的距离。与非随机烧蚀图案200a相比，随机烧蚀图案200b可以包括相对于段202之间的距离的25％的随机变化，在该非限制性实例中，这可以认为是在x轴方向上段202之间的1mm距离的25％的变化。在一些实例中，数)(例如，25％的随机变化中的百分比)可以认为是限制段(以及相应的表面烧蚀)的一个或多个几何特征(例如，距离特征)的变化程度的边界约束值。例如，对于每个段202，可以随机选择-1(-x方向上的1mm距离)和 1( x方向上的1mm距离)之间的值，并且可以将随机选择的值乘以0.25(以实现25％的变化)以确定段将如何从其“原始”位置(在非随机烧蚀图案200a中)移位/平移，以将非随机烧蚀图案200a转换为随机烧蚀图案200b。在其中针对特定段的
随机选择值为-0.5的非限制性实例中，该段可以在-x方向上移位0.125mm(-0.5mm的25％)。在 1是特定段的随机选择值的另一个非限制性实例中，该段可以在 x方向上移动0.25mm(1mm的25％)。在一些实例中，可以实施随机变化，以便保持从非随机烧蚀图案200a开始的段202之间的平均中心点到中心点距离(或“间距”)，例如，在本非限制性实施例中为1mm。
37.在一些实施例中，非随机烧蚀图案200a和/或随机烧蚀图案200b可以使用一个或多个计算设备(例如，图9中的计算机系统900)，例如，经由在计算设备上执行的一个或多个软件应用程序以数字方式生成。根据一些实例，非随机烧蚀图案200a和/或随机烧蚀图案200b可以至少部分地基于与要被结构化为具有相应的表面烧蚀的特定ec器件相关的一个或多个设计参数(例如，薄层电阻、透射率、尺寸等)来确定。此外，可以至少部分地基于非随机烧蚀图案200a来确定随机烧蚀图案200b的随机变化。
38.在一些非限制性实例中，可以使用多个不同的随机变化(例如，不同程度/百分比的变化和/或几何特征的不同组合)来生成候选随机烧蚀图案，该候选随机烧蚀图案被分析(例如，使用计算设备)来确定适合于要被结构化为具有相应的表面烧蚀的ec器件的特定设计/应用的一个或多个随机化烧蚀图案。根据一些实施例，例如，至少部分地基于分析和/或一个或多个选择标准，可以从候选随机烧蚀图案中选择“最佳”随机烧蚀图案。在一些实施例中，该分析可以包括用于模拟与候选随机烧蚀图案相关的衍射和/或散射图案的快速傅立叶变换(fft)分析。这种fft分析可以包括生成和分析衍射和/或散射图案的一个或多个模拟视觉表示，和/或生成一个或多个指示相对于x轴方向和/或y轴方向的衍射和/或散射峰的图。在一些实施例中，随机烧蚀图案的选择可以至少部分地基于使衍射和/或散射峰最小化的目标。
39.此外，或可替代地，一种或多种机器学习算法可用于确定和/或分析几何特征的随机变化的多种不同组合。例如，在一些非限制性实施例中，一个或多个神经网络可用于检查随机变化的多种不同组合以确定候选随机烧蚀图案和/或选择适用于要被结构化为具有相应表面烧蚀的ec器件的特定设计/应用的随机烧蚀图案。
40.应当理解，关于用于确定和/或生成非随机烧蚀图案和随机烧蚀图案的技术的讨论不限于参考图2描述的实施例。这些技术可以用于非随机图案和/或随机图案的各种其他实施例，例如，本文参照图3至图8讨论的那些。
41.图3示出了根据一些实施例的示例性随机烧蚀图案300，其具有取向特征中具有随机变化。根据各种实施例，随机烧蚀图案300可以包括一组段302。每个段302可以代表各自的表面烧蚀，其中ec器件(例如，图1中的ec器件102)被结构化具有该表面烧蚀。
42.在一些非限制性实施例中，段302的形状可以是直线的。然而，随机烧蚀图案300可以附加地或可替代地包括具有一个或多个其他形状(例如，曲线、直线和曲线的组合等)的段302。根据各种实施例，段302可以包括与不电隔离烧蚀表面的部分的烧蚀相对应的开环段。在各种实施例中，随机烧蚀图案300可以包括彼此不相交的段302。
43.根据各种实施例，随机烧蚀图案300可以具有段302的一个或多个几何特征的随机变化。例如，随机烧蚀图案300可以包括取向特征的随机变化，诸如段302相对于x轴方向和/或y轴方向的角度。
44.在一些实施例中，该组段302可以与来自非随机烧蚀图案的一组段相关联。出于讨论一些非限制性实例的目的，以上参考图2讨论的非随机烧蚀图案200a也将在接下来关于
图3和图4的讨论中被提及。如前所述，非随机烧蚀图案200a可以包括开环段的规则图案，例如长度为5mm的直线段202。非随机烧蚀图案200a中的段202可以在x轴方向和y轴方向的每个方向上相互间隔开1mm的距离。与非随机烧蚀图案200a相比，随机烧蚀图案300可以包括在图3中描述的非限制性实施例中的段302的取向角的5％的随机变化。在非限制性实例中，对于每个段302，可以随机选择-90度(相对于y轴)和 90度(相对于y轴)之间的值，并且随机选择的值可以乘以0.05(以实现5％的角度变化)，以确定段将如何从其“原始”位置(在非随机烧蚀图案200a中)旋转以将非随机烧蚀图案200a转换为随机烧蚀图案300。在非限制性的实例中，-40度是特定段的随机选择值，该段可以旋转(例如，围绕其中心点逆时针旋转)-2度(-40度的5％)。在另一个非限制性的实例中， 60度是特定段的随机选择值，该段可以旋转(例如，围绕其中心点顺时针旋转) 3度( 60度的5％)。
45.图4示出了根据一些实施例的示例性随机烧蚀图案400，该示例性随机烧蚀图案具有多个几何特征的随机变化(例如，距离特征中的随机变化和取向特征中的随机变化)。根据各种实施例，随机烧蚀图案400可以包括一组段402。每个段402可以代表各自的表面烧蚀，其中ec器件(例如，图1中的ec器件102)被结构化具有该表面烧蚀。
46.在一些非限制性实施例中，段402的形状可以是直线的。然而，随机烧蚀图案400可以附加地或可替代地包括具有一个或多个其他形状(例如，曲线、直线和曲线的组合等)的段402。根据各种实施例，段402可以包括与不对烧蚀表面的部分进行电隔离的烧蚀相对应的开环段。在各种实施例中，随机烧蚀图案400可以包括彼此不相交的段402。
47.在一些实施例中，该组段402可以与来自非随机烧蚀图案的一组段相关联。例如，如前所述，非随机烧蚀图案200a可以包括开环段的规则图案，例如长度为5mm的直线段202。非随机烧蚀图案200a中的段202可以在x轴方向和y轴方向的每个方向上相互间隔开1mm的距离。根据各种实施例，随机烧蚀图案400可以包括距离特征的随机变化和取向特征的随机变化。每个几何特征的各自变化程度(例如，如上面讨论的实例中的百分比)可以彼此不同。在非限制性实例中，与非随机烧蚀图案200a相比，随机烧蚀图案400可包括距离特征的10％距离变化和取向特征的2％角度变化，例如，在图4中所示。
48.图5示出了根据一些实施例的具有形状特征的随机变化的示例性随机烧蚀图案500的一部分。随机烧蚀图案500可以包括一组段502。每个段502可以代表各自的表面烧蚀，其中ec器件(例如，图1中的ec器件102)被结构化具有该表面烧蚀。
49.在一些实施例中，段502的形状可以是曲线的。然而，随机烧蚀图案500可以附加地或可替代地包括具有一个或多个其他形状(例如，直线、直线和曲线的组合等)的段502。根据各种实施例，段502可以是与不对烧蚀表面的部分进行电隔离的烧蚀相对应的开环段。在各种实施例中，随机烧蚀图案500可以包括彼此不相交的段502。
50.在一些实施例中，随机烧蚀图案500可以包括段502的形状特征的随机变化。例如，如图5所描述的非限制性实例所示，段502可以包括随机变化频率的正弦波。在各种实施例中，段502的其他形状特征可以附加地或可替代地变化。
51.如上所述，激光烧蚀ec器件的导电层可以改变(例如，增加)导电层的一个或多个区域的薄层电阻。在一些情况下，可能期望修改一个或多个导电层的薄层电阻以修改ec切换行为(例如，更快的ec切换、更均匀的ec切换、不同区域的不同ec切换行为等)。图6示出了根据一些实施例的示例性ec薄膜堆叠和导电层的透视图，该导电层至少部分地基于随机烧
蚀图案而被结构化为具有不同薄层电阻的区域。
52.ec器件600可以包括联接到ec薄膜堆叠604的导电层602。在一些实施例中，ec器件600的部分或全部可包括在本文别处所示和公开的ec器件的一个或多个部分中，包括图1a至图1d中所示的ec器件102a-102d。在一些实施例中，导电层602可以经由一个或多个中间层联接到ec薄膜堆叠604，包括一个或多个绝缘层、粘合层、封装层、抗反射层、红外截止滤光片层、遮蔽层、它们的一些组合等。
53.根据一些实施例，导电层602可以被结构化为具有表面烧蚀(未示出)，以包括对电流具有不同电阻(在本文中也称为“薄层电阻”)的不同层区域。例如，在所示实施例中，导电层602可以包括区域606、608a-608b和610a-610b，其中区域606和610a-610b位于联接到导电层602的电极612a-612b之间。在一些实施例中，区域606可以是ec器件400结构化为选择性加热的特定受限区域，并且电极612a-612b可以结构化为延伸到区域606的一组边界；如图所示，电极612a-612b在区域606的宽度之间延伸穿过导电层602，但不沿着导电层602的整个宽度。因此，在该非限制性实例中，电极612a-612b不约束区域608a-608b，并且至少部分基于电极612a-612b之间的感应电势差，流过导电层602的电流可以流动更均匀，并且在一些实施例中，主要流过导电层602的区域610a-610b和区域606。
54.在一些实施例中，其中区域606是特定受限区域，并且区域610a-610b和608a-608b是其余区域，区域610a-610b可以结构化为具有小于区域606的薄层电阻。类似地，在一些实施例中，区域606可以结构化为具有大于至少区域610a-610b的薄层电阻的薄层电阻。相对于区域606，区域610a-610b的薄层电阻降低的导电层602可以导致流过电极612a-612b之间区域610a-610b和区域606的电流流动的均匀性增加。
55.在一些实施例中，区域610a-610b的薄层电阻可以小于一个或多个区域608a-608b的薄层电阻。在一些实施例中，相对于区域608a-608b和610a-610b具有共同或相似的薄层电阻的实施例，这种薄层电阻的变化可以导致流过区域606的电流的均匀性增加。
56.在一些实施例中，区域606可以结构化为具有相对于至少区域610a-610b的薄层电阻更大的薄层电阻，当电极612a-612b之间产生电势差时，结构化导电层602以使区域606比区域610a-610b更热(即区域606的“增强加热”)。此外，在区域606的薄层电阻大于至少区域610a-610b的薄层电阻的情况下，相对于区域606和区域610a-610b具有共同薄层电阻的实施例，可以增加流过区域606的电流的均匀性，从而增加区域606的加热。
57.在一些实施例中，跨导电层的各个区域的薄层电阻的变化至少部分地基于各个区域中导电层的一个或多个特征的变化。例如，如本文所公开的，根据一个或多个随机烧蚀图案布置的表面烧蚀可用于改变导电层的跨不同区域的薄层电阻。在非限制性实施例中，区域606可以包括根据上面参考图2讨论的随机烧蚀图案200b的表面烧蚀，而区域610a-610b可以不包括表面烧蚀。其他随机烧蚀图案，包括本文参照图3至图5讨论的那些，可用于在各种实施例中结构化ec器件600的一个或多个导电层。
58.此外，或可替代地，可能影响薄层电阻的导电层的变化特征可以包括在各个区域中导电层的化学物质组成的变化。化学物质可以包括各种不同的材料、物质、元素、化合物等。导电层的不同区域可以包括一种或多种不同化学物质的不同分布，在本文中也称为一种或多种不同化学物质的“单独”分布。一个区域中的物质的不同分布可以包括贯穿一个或多个不同层区域的一些或全部的物质密度的变化、贯穿一个或多个不同层区域的一些或所
有的物质浓度的变化、贯穿一个或多个不同层区域的一些或所有的物质深度的变化等。例如，给定的化学物质可以以一个特定浓度存在于一个导电层区域中，而相同的化学物质可以以单独的浓度存在于另一个导电层区域中。给定区域中的物质的给定分布可以变化。例如，给定物质在一个层区域中的分布可以包括在层区域的相对边界之间的物质浓度的变化，其对应于相对边界之间的正态分布。一个区域中物质的不同分布可以包括物质在一个区域的一个或多个分布中存在，而在另一个区域中不存在。例如，在所示实施例中，区域610a-610b可以包括至少一种金属化学物质，包括金，而区域606可以包括至少一种单独的化学物质，包括氧化铟锡(ito)。不同物质可以具有不同的导电性、电阻等：例如，金可以是比ito更具导电性的物质，使得包括ito的导电层区域具有比包括金的单独导电层区域更大的薄层电阻。在另一个实施例中，区域610a-610b可以包括ito，并且区域606可以包括ito并且进一步包括一种或多种氧化化学物质的一种或多种不同分布，包括氧，这导致区域606相对于区域610a-610b具有更大的薄层电阻。
59.化学物质可包括一种或多种氧化物质其相对于另一区域增加导电层区域的氧化水平，以调整导电层区域的薄层电阻。可以引入的氧化物质的非限制性实例可以包括氧、氮等。在另一个实例中，可以引入各种金属物质中的一者或多者以改变导电层区域中的电荷载体密度、电荷载体分布等。这种金属物质的非限制性实例可以包括铟、锡、金、它们的一些组合等。简而言之，导电层区域中的一种或多种化学物质，其中化学物质可以改变电荷载体密度、电荷载体分布等，可以导致导电层区域的薄层电阻的调整。导电层区域中的化学物质可以包括一种或多种化学物质，其可以通过众所周知的离子注入工艺来实施。
60.在导电层区域中引入化学物质可以包括离子注入、掩蔽离子束、聚焦离子束等。化学物质分布可以跨各个区域变化，以不同地改变各个导电层区域中的薄层电阻。例如，在使用离子注入系统在各个区域注入各种离子的情况下，可以针对每个区域调整离子剂量、离子能级、离子注入工艺数量等中的一个或多个，以便在各个区域建立不同的化学物质分布、电荷载体分布、电荷载体密度等，从而在各个区域建立不同的薄层电阻。在一些实施例中，离子注入、掩蔽离子束、聚焦离子束(fib)等中的一者或多者可用于将特定薄层电阻图案“绘制”到一个或多个导电层区域中。在一些实施例中，化学物质“分布”可以包括跨导电层的一个或多个区域的化学物质密度、浓度、通过导电层厚度的引入深度等的一个或多个变化。例如，在导电层中注入的化学物质的深度可以跨整个导电层变化，并且导电层的薄层电阻会随着物质深度的变化而相应变化。在另一个实例中，注入的化学物质的浓度、密度等可以跨整个导电层变化，并且导电层的薄层电阻会随着物质浓度、密度等的变化而相应变化。
61.在一些实施例中，可以至少部分地基于在空气或含氧气体中将各个导电层区域加热到高温来调整各个导电层区域的薄层电阻。这种工艺可以包括在加热期间选择性地将各种导电层区域暴露于大气中，使用诸如激光或氙气闪光灯等方法以特定图案加热导电层。将导电层区域加热到高温可以实现、诱导等一种或多种氧化该导电层区域的化学反应。在一些实施例中，加热的图案化，使得某些导电层区域被氧化，独立于可以以不同方式加热的其他导电层区域，或者根本不加热的导电层区域。因此，可以创建一个或多个不同的氧化图案，因此在导电层中建立一个或多个薄层电阻图案，从而使ec器件结构化为选择性地切换到与薄层电阻图案对应的传输图案。在一些实施例中，导电层的额外氧化会导致更高的薄层电阻。在一些实施例中，激光退火可用于加热特定导电层区域以改变一个或多个特定“图
案”中的薄层电阻。在一些实施例中，可以至少部分地基于在一个或多个不同气氛中，该气氛包括在一个或多个大气压力下的一个或多个各种气体的混合物等，将各种导电层区域加热至高温，来调整各种导电层区域的薄层电阻。在一些实施例中，可以至少部分地基于在真空中将各个导电层区域加热到高温来调整各个导电层区域的薄层电阻。
62.在一些实施例中，可以至少部分地基于对各个导电层区域的相对厚度的调整来调整各个导电层区域的薄层电阻。例如，可以在各种导电层区域中沉积额外数量的导电层材料，以调整各种导电层区域的薄层电阻。在另一实例中，可以实施一个或多个去除工艺以选择性地去除特定导电层区域中的导电层的至少一部分厚度，以调整各个导电层区域中的薄层电阻。去除工艺可以包括激光烧蚀工艺、激光切割工艺、蚀刻工艺等中的一者或多者。向给定的导电层区域添加或去除厚度可以包括根据特定图案在导电层区域中添加或去除导电层材料，从而图案化导电层区域中的薄层电阻分布。在一些实施例中，这种图案化可以使ec器件选择性地切换到相应的透射图案。
63.根据一些实施例，向给定的导电层区域增加或去除厚度可以包括添加额外的缓冲材料以建立包括导电层材料和缓冲材料的导电层的均匀总厚度。
64.在一些实施例中，在电极612a-612b之间感应电势差导致在导电层602的至少特定受限区域606中产生热量。这样的热量可以传递614到导电层602所联接的ec薄膜堆叠604的一个或多个部分。在导电层602经由一个或多个附加ec器件层联接到ec薄膜堆叠604的情况下，从导电层602传递614到ec薄膜堆叠604的热可以通过一个或多个中间ec器件层传递。
65.在一些实施例中，从导电层602的一个或多个区域传递614到ec薄膜堆叠604的热可以传递到ec薄膜堆叠604的对应于导电层602的一个或多个区域的一个或多个特定区域，使得ec薄膜堆叠604的那些特定区域相对于ec薄膜堆叠604的其他区域被加热。例如，在所示实施例中，在导电层的区域606处产生的热从导电层602的区域606传递614到ec薄膜堆叠604的对应区域616。对应的区域616可以包括ec薄膜堆叠604的区域，该区域最终与ec器件600中的区域606部分重叠。例如，在所示实施例中，区域606和区域616在ec器件600中至少部分地垂直重叠，使得区域616包括ec薄膜堆叠604的最接近导电层602的区域606的区域，并且从导电层602的区域606向下传递到ec器件600的其他层的热，相对于区域618，主要在ec薄膜堆叠604的区域616处接收。在一些实施例中，传递到ec薄膜堆叠的一个或多个区域的热在整个ec薄膜堆叠中传导，使得ec薄膜堆叠的部分或全部至少部分地基于传递到ec薄膜堆叠的一个或多个特定区域的热而被加热。
66.图7和图8提供了结构化ec器件(例如，图1a至图1d中的ec器件102a-102d)的示例性方法的流程图。应当理解，这些方法可以包括比流程图中提供的操作更少或更多的操作。此外，流程图的数字顺序不一定表示要执行的操作的顺序。根据各种实施例，本方法的部分或全部操作可以至少部分地使用一个或多个计算设备(例如，图9中的计算系统900)。
67.图7是根据一些实施例的用随机图案(例如，随机烧蚀图案)结构化ec器件的示例性方法700的流程图。在702，方法700可以包括确定用于改变ec器件的表面轮廓的随机图案，例如，用于改变ec器件的导电层的表面轮廓。在一些实施例中，可以使用一个或多个计算设备以数字方式生成随机图案，例如，经由在计算设备上执行的一个或多个软件应用程序。根据一些示例，可以至少部分地基于与要结构化的特定ec器件相关联的一个或多个设计参数(例如，薄层电阻、透射率、尺寸等)来确定非随机图案。此外，可以至少部分地基于非
随机图案来确定随机图案的随机变化。
68.在704，方法700可以包括根据随机图案改变ec器件的表面轮廓。例如，可以经由减材制造或增材制造中的至少一者来改变表面轮廓，从而实现对ec器件的一个或多个特性的局部修改。例如，可以至少部分地基于导电层的厚度的调整来调整导电层的薄层电阻。例如，可以沉积额外量的导电层材料(例如，通过增材制造)以调整导电层的薄层电阻。在另一实例中，可以实施一个或多个去除工艺(例如，减材制造)以选择性地去除导电层的至少一部分厚度以调整导电层的薄层电阻。去除工艺可以包括激光烧蚀工艺、激光切割工艺、蚀刻工艺等中的一者或多者。向给定的导电层区域添加或去除厚度可以包括根据特定图案在导电层区域中添加或去除导电层材料，使得导电层区域中的薄层电阻分布被图案化，例如，也如本文参考图6所讨论的那样。在一些实施例中，这种图案化可以使ec器件选择性地切换到相应的透射图案。
69.改变表面轮廓可以产生一个改变的表面轮廓，包括根据随机图案(例如，随机烧蚀图案)布置的特征(例如，表面烧蚀)。在一些实施例中，随机图案可以包括来自非随机图案的多个段的至少一个几何特征的随机变化。相对于非随机图案，随机图案可以配置为减少入射在特征上的光的衍射和/或散射。
70.图8是根据一些实施例的根据随机烧蚀图案结构化具有表面烧蚀的ec器件的示例性方法800的流程图。在802，方法800可以包括确定一个或多个候选随机烧蚀图案。在一些实施例中，非随机烧蚀图案和/或随机烧蚀图案可以使用一个或多个计算设备(例如，图9中的计算机系统900)，例如，经由在计算设备上执行的一个或多个软件应用程序以数字方式生成。根据一些实例，可以至少部分地基于与要用相应的表面烧蚀结构化特定ec器件相关联的一个或多个设计参数(例如，薄层电阻、透射率、尺寸等)来确定非随机烧蚀图案和/或随机烧蚀图案。此外，可以至少部分地基于非随机烧蚀图案来确定候选随机烧蚀图案的一个或多个数字随机变化。在一些非限制性实例中，可以使用多个不同的随机变化(例如，不同程度/百分比的变化和/或几何特征的不同组合)来生成候选随机烧蚀图案。
71.在804，方法800可以包括分析一个或多个候选随机烧蚀图案。可以分析候选随机化烧蚀图案(例如，使用计算设备)以确定一个或多个随机烧蚀图案，该图案适用于用相应的表面烧蚀结构化的ec器件的特定设计/应用。在一些实施例中，该分析可以包括用于模拟与候选随机烧蚀图案相关的衍射和/或散射图案的快速傅立叶变换(fft)分析。这种fft分析可以包括生成和分析衍射和/或散射图案的一个或多个模拟视觉表示，和/或生成一个或多个指示相对于x轴方向和/或y轴方向的衍射和/或散射峰的图。
72.在806，方法800可以包括确定候选随机烧蚀图案中的一个或多个是否满足一个或多个选择标准。如果在806确定一个或多个候选随机烧蚀图案满足选择标准，则方法800可以在808处继续选择满足选择标准的候选随机烧蚀图案，用于结构化ec器件。根据一些实施例，可以从候选随机烧蚀图案中选择“最佳”随机烧蚀图案，例如，至少部分地基于分析。例如，随机烧蚀图案的选择可以至少部分地基于使fft分析的衍射和/或散射峰最小化的目标。
73.如果在806，确定候选随机烧蚀图案不满足选择标准，则方法800可以在802处返回到确定一个或多个附加候选随机烧蚀。
74.在810，方法800可以包括用根据所选择的随机烧蚀图案布置的表面烧蚀来结构化
ec器件。在一些实施例中，可以使用计算设备来制作包括所选择的随机烧蚀图案的数字文件。数字文件可以与机器(例如，cnc机器)兼容，该机器可以配置为激光烧蚀ec器件，以用根据数字文件中的随机烧蚀图案布置的表面烧蚀结构化ec器件。
75.图9示出了可以在一些实施例中使用的示例性计算机系统900。在一些实施例中，实施一种或多种技术的部分或全部的系统，包括但不限于用于根据一个或多个随机烧蚀图案结构化具有表面烧蚀的ec器件的系统的一部分或全部，以及本文所述的各种方法、系统、部件、器件和装置可以包括通用计算机系统，该通用计算机系统包括或配置为访问一个或多个计算机可访问媒体，例如图9所示的计算机系统900。在所示的实施例中，计算机系统900包括一个或多个处理器910，其通过输入/输出(i/o)接口930联接到系统存储器920。计算机系统900进一步包括耦接到i/o接口930的网络接口940。
76.在各种实施例中，计算机系统900可以是包括一个处理器910的单处理器系统，或者是包括几个处理器910(例如，两个、四个、八个或其他合适的数量)的多处理器系统。处理器910可以是能够执行指令的任何合适的处理器。例如，在多种实施例中，处理器910可以是通用或嵌入式处理器，该通用或嵌入式处理器实施多种指令集架构(isa)诸如x86、powerpc、sparc或mips isa或任何其他合适的isa中的任何一者。在多处理器系统中，处理器910中的每一个处理器通常可以但不一定实施相同的isa。
77.系统存储器920可以配置为存储可由处理器910访问的指令和数据。在各种实施例中，系统存储器920可以使用任何合适的存储器技术来实现，例如静态随机存取存储器(sram)、同步动态ram(sdram)、非易失性/闪存型存储器，或任何其他类型的存储器。在所示实施例中，实现一种或多种所需功能的程序指令和数据，例如用于根据一个或多个随机烧蚀图案用表面烧蚀结构化ec器件的系统的部分或全部，以及本文所述的各种方法、系统、部件、器件和装置，被显示为存储在系统存储器920内的代码925和数据926。
78.在一个实施例中，i/o接口930可以配置为协调处理器910、系统存储器920和装置中的任何外围装置之间的i/o流量，包括网络接口940或其他外围接口。在一些实施例中，i/o接口930可以执行任何必要的协议、时序或其他数据变换，以将来自一个部件(例如，系统存储器920)的数据信号转换成适合由另一个部件(例如，处理器910)使用的格式。在一些实施例中，例如，i/o接口930可以包括对通过多种类型的外围总线诸如外围部件互连(pci)总线标准或通用串行总线(usb)标准的变型附接的装置的支持。在一些实施例中，例如，i/o接口930的功能可以被分成两个或更多个单独的组成部分，诸如北桥和南桥。此外，在一些实施例中，i/o接口930的功能中的一些或全部功能，诸如到系统存储器920的接口，可以直接并入处理器910中。
79.网络接口940可以配置为允许在计算机系统900和附接到网络或网络950的其他装置960之间交换数据，诸如，如图1a至图8中所示的其他计算机系统或装置。在各种实施例中，例如，网络接口940可以支持经由任何合适的有线或无线通用数据网络，诸如以太网的类型的通信。此外，网络接口940可以支持经由电信/电话网络诸如模拟语音网络或数字光纤通信网络、经由存储区域网络诸如光纤通道san、或经由任何其他合适类型的网络和/或协议的通信。
80.在一些实施例中，系统存储器920可以是计算机可访问介质的一个实施例，该计算机可访问介质配置为存储用于实现如上文关于图1a至图8所描述的方法的实施例的程序指
令和数据。在其他实施例中，可以在不同类型的计算机可访问媒体上接收、发送或存储程序指令和/或数据。一般而言，计算机可访问介质可以包括非暂时性存储介质或存储介质，诸如磁介质或光介质，例如，经由i/o接口930联接到计算机系统900的磁盘或dvd/cd。非暂时性计算机可读存储介质还可以包括任何易失性或非易失性介质，诸如ram(例如，sdram、ddr sdram、rdram、sram等)、rom等，它们可以包括在计算机系统900的一些实施例中作为系统存储器920或另一种类型的存储器。此外，计算机可访问介质可以包括传输介质或信号，例如电信号、电磁信号或数字信号，经由诸如网络和/或无线链路之类的通信介质传送，诸如可以通过网络接口940实现。
81.各种实施例进一步可以包括在计算机可访问介质上接收、发送或存储根据前述描述实现的指令和/或数据。一般而言，计算机可访问介质可以包括存储介质或内存介质，诸如磁或光学介质，例如磁盘或dvd/cd-rom，易失性或非易失性介质，例如ram(例如sdram、ddr、rdram、sram等)、rom等，以及经由诸如网络和/或无线链路的通信介质传送的传输介质或信号，例如电信号、电磁信号或数字信号。
82.如本文所用，“计算机系统”包括各种计算机系统或其部件中的任一者。计算机系统的一个实例是机架安装的服务器。如本文所用，术语计算机并不限于在本领域中被称为计算机的那些集成电路，而是广义地指代处理器、服务器、微控制器、微型计算机、可编程逻辑控制器(plc)、应用程序特定集成电路和其他可编程电路，而这些术语在本文中可互换使用。在各种实施例中，存储器可以包括但不限于计算机可读介质，例如随机存取存储器(ram)。可替换地，也可以使用光盘-只读存储器(cd-rom)、磁光盘(mod)和/或数字通用盘(dvd)。此外，附加的输入通道可以包括与操作界面相关的计算机外围设备，例如鼠标和键盘。可替换地，也可以使用其他计算机外围设备，例如，扫描仪。此外，在一些实施例中，附加输出通道可以包括操作界面显示器和/或打印机。
83.如本文所用，“模块”是部件或部件的组合。模块可以包括功能元件和系统，例如计算机系统、电路板、机架、鼓风机、管道和配电单元，以及结构元件，例如底座、框架、外壳或容器。
84.图中所示和本文描述的各种方法代表了方法的示例实施例。这些方法可以用软件、硬件或它们的组合来实施。可以更改任何方法的顺序，并且各种元素可以被添加、重新排序、组合、省略、修改等。
85.尽管已经相当详细地描述了上述实施例，但是一旦充分理解了上述公开内容，对于本领域的技术人员来说，许多变化和修改将变得显而易见。旨在将以下权利要求解释为包含所有这些变化和修改。
86.在一些实施例中，ec器件包括基底，该基底包括薄玻璃层压板，包括纸玻璃箔和粘合剂层。薄玻璃层压板可以包括厚度近似于25微米的玻璃箔。在一些实施例中，薄玻璃层压板可以包括一个或多个不同的厚度。例如，薄玻璃层压板的厚度可以约为50微米。
87.在一些实施例中，可以使用光致变色或热致变色材料来代替或补充本文所公开的电致变色(ec)材料。例如，装置的一些区域可以包括电致变色材料，包括ec堆叠，而其他区域可以包括电致变色、光致变色或热致变色材料中的至少一者。合适的光致变色材料包括，但不限于，三芳基甲烷、芪、氮杂芪、硝酮、富金酸盐、螺吡喃、萘并吡喃、螺恶嗪和醌。合适的热致变色材料包括但不限于液晶和无色染料。光致变色和热致变色材料都可以以众所周知
的方式形成在基底上。光致变色或热致变色动态区域不需要母线、电极等，因为光和热分别调节材料的特性。使用光致变色和/或热致变色动态区域的一个示例性实施例可以是一个窗口，它具有至少一个朝向窗口顶部的电致变色动态区域，该区域被主动控制以用于采光，以在一个或多个特定透射图案等之间选择性地切换，以及至少一个朝向窗口底部的光致变色动态区域，该区域在直射光下自变暗，以及至少一个第二电致变色区域，位于装置的另一区域中。
88.在一些实施例中，一个或多个ec器件可以用作照相机装置的孔径滤光片、光圈等，并且可以被结构化为选择性地变迹。在一些实施例中，一个或多个ec器件可以包括在架构“主板”中，其可以在进一步处理之前跨越扩展距离运输。在一些实施例中，一个或多个ec器件可以包括在一个或多个单窗格窗口中，用于运输应用和其他对重量要求较高的用途。在一些实施例中，一个或多个ec器件，包括一个或多个包括单个基底的ec器件，可用于隐藏或显示用于手持装置、计算机等的显示器上的信息。在一些实施例中，一个或多个ec器件可用于动态眼镜。
89.此外，应当理解，本文公开的主题的一个实施例可以包括一个窗口，包括建筑窗；具有单层窗格，或光板；包括多个独立控制的动态区域。本文公开的主题的另一个实施例包括中空玻璃单元(“igu”)，该单元包括在一个窗格上的电致变色窗口的多个区域和在另一窗格上的透明玻璃。本文公开的主题的又一实施例包括igu，该igu包括在一个窗格上的多个电致变色窗口区域和在另一窗格上的低辐射、着色或反射玻璃。本文公开的主题的又一实施例包括igu，该igu包括在igu的一个窗格上的多个电致变色窗口区域和在另一窗格上的图案化或特殊玻璃，其中图案化或特征可以与第一个窗格上的动态区域相匹配、互补和/或对比。应当理解，前述实施例可以被配置、结构化等，使得包括多个动态区域的窗格是透明窗格、低辐射窗格、反射性窗格和/或部分反射性窗格。
90.在一些实施例中，一个或多个ec器件，包括参照图1a至图9的一个或多个进行说明和公开的ec器件、终端用户装置、控制系统等中的一个或多个，可包含在各种应用中，包括ec显示器、交通窗口、建筑玻璃应用等。