原位PECVD覆盖层的制作方法

技术特征：
1.一种方法，其包含：提供具有间隙的衬底至处理室，所述衬底具有顶表面，其中所述间隙从所述顶表面凹陷；执行多个等离子体增强原子层沉积(peald)循环，以利用第一介电膜填充所述间隙，其中所述第一介电膜通过所述间隙上方以及所述顶表面的所述平面上的第一凹痕来表征；以及在所述处理室中，通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)处理而在所述第一介电膜上方沉积第二介电膜。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二介电膜填充所述第一凹痕，且包含比所述第一凹痕至少小10％的第二凹痕。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二介电膜填充所述第一凹痕，且包含比所述第一凹痕至少小20％的第二凹痕。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二介电膜填充所述第一凹痕，且包含比所述第一凹痕至少小30％的第二凹痕。5.根据权利要求1到4中任一项所述的方法，其中所述第二介电膜的厚度介于在1到3微米之间。6.根据权利要求1到5中任一项所述的方法，其中所述处理室是多站式处理室。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述多个peald循环是在所述多站式处理室中的一或多个第一站中执行，且所述pecvd处理是在所述多站式处理室的一或多个第二站中执行，所述第一站与所述第二站不同。8.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，其中在沉积所述第二介电膜之后，所述衬底已准备好进行化学机械平坦化(cmp)。9.根据权利要求1到8中任一项所述的方法，其还包含执行cmp处理以形成平坦化表面，所述平坦化表面包含所述第一和第二介电膜中的一或两者。10.一种方法，其包含：提供具有间隙的衬底至处理室，所述衬底具有顶表面，其中所述间隙从所述顶表面凹陷；执行多个原子层沉积(ald)循环，以利用第一介电膜填充所述间隙，其中所述第一介电膜通过所述间隙上方以及所述顶表面的所述平面上的第一凹痕来表征；以及在所述处理室中，通过化学气相沉积(cvd)处理而在所述第一介电膜上方沉积第二介电膜。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二介电膜填充所述第一凹痕，且包含比所述第一凹痕至少小10％的第二凹痕。12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二介电膜填充所述第一凹痕，且包含比所述第一凹痕至少小20％的第二凹痕。13.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二介电膜填充所述第一凹痕，且包含比所述第一凹痕至少小30％的第二凹痕。14.根据权利要求10到13中任一项所述的方法，其中所述第二介电膜的厚度介于在1到3微米之间。
15.根据权利要求9到14中任一项所述的方法，其中所述处理室是多站式处理室。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述多个peald循环是在所述多站式处理室中的一或多个第一站中执行，且所述pecvd处理是在所述多站式处理室的一或多个第二站中执行，所述第一站与所述第二站不同。17.根据权利要求9到16中任一项所述的方法，其中在沉积所述第二介电膜之后，所述衬底已准备好进行化学机械平坦化(cmp)。18.根据权利要求9到17中任一项所述的方法，其还包含执行cmp处理以形成平坦化表面，所述平坦化表面包含所述第一和第二介电膜中的一或两者。

技术总结
用于以介电材料填充间隙的方法包含使用原子层沉积(ALD)技术进行沉积以填充间隙，然后通过化学气相沉积(CVD)技术在所填充的间隙上沉积覆盖层。该ALD沉积可以是等离子体增强ALD(PEALD)或热ALD(tALD)沉积。该CVD沉积可以是等离子体增强CVD(PECVD)或热CVD(tCVD)沉积。在一些实施方案中，该CVD沉积与该ALD沉积是在相同的处理室中执行而不干扰处理操作。该覆盖层的原位沉积的结果是具有高度均匀性的高产出处理。在一些实施方案中，在该处理之后，衬底就已准备好进行化学机械平坦化(CMP)。衬底就已准备好进行化学机械平坦化(CMP)。衬底就已准备好进行化学机械平坦化(CMP)。


技术研发人员：杰里米
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2020.12.01
技术公布日：2022/7/15