LED显示装置的制作方法

led显示装置
技术领域
1.本公开内容涉及发光二极管(led)显示装置，并且更具体地，涉及使用提供双发射光谱的led的led显示装置。


背景技术：

2.到现在为止已经广泛使用的液晶显示装置(lcd)、有机发光显示装置(oled)和量子点显示装置(qd)的应用范围逐渐扩展。
3.在上述显示装置中，多个发光元件被设置在显示装置的基板上，以实现图像，并且用于供应用于控制每个发光元件单独发光的驱动信号或驱动电流的驱动元件与发光元件一起被设置在基板上。通过根据要显示的信息的布置解释(驱动)设置在基板上的多个发光元件，来在基板上显示信息。
4.由于液晶显示器不是自发光型，因此需要在液晶显示器的后表面上设置的用以发光的背光单元。背光单元增加了液晶显示器的厚度，具有实现诸如柔性或圆形设计的各种设计的显示装置的限制，并且会减少亮度和响应速度。
5.同时，具有自发光元件的显示装置可以被实现为比在其中具有光源的显示装置更薄，并且因此可以实现柔性和可折叠的显示装置。具有自发光元件的显示装置可以是包括作为发光层的有机材料的有机发光显示装置或使用led作为发光元件的led显示装置。由于在有机发光显示装置和led显示装置中不需要单独的光源，因此其可以用作更薄或各种类型的显示装置。
6.然而，在使用有机材料的有机发光显示装置中，由于可能会出现通过由于湿气和氧气的渗透而导致的有机发光层与电极之间的氧化而产生的不良像素，因此另外需要各种技术配置来使氧气和湿气的渗透最小化。
7.为了解决上述问题，近年来正在进行使用利用无机材料的led作为发光元件的显示装置的研究和开发，并且led显示装置作为下一代显示装置受到关注，原因是其具有高图像质量和高可靠性。


技术实现要素：

8.技术问题
9.led元件是当电流通过其时使用特性发光的半导体发光元件。led元件广泛地用于各种显示装置，例如照明装置、tv、标牌显示器、平铺显示器等。led元件由n型电极、p型电极和在其之间的有源层组成。n型电极和p型电极中的每个都由半导体形成。当电流流过n型电极和p型电极时，来自n型电极的电子和来自p型电极的空穴在有源层中结合以发光。
10.led元件由诸如gan的化合物半导体组成，并且由于无机材料的性质，可以注入高电流以实现高亮度。由于led元件具有低的环境影响，例如热、湿气和氧，因此led元件具有高可靠性。
11.另外，由于led元件的内部量子效率为90％，比有机发光二极管的内部量子效率
高，因此可以显示高亮度图像，并且具有可以实现具有低功耗的显示装置的优点。
12.另外，与有机发光显示装置不同，由于使用无机材料，因此不需要单独的封装膜或封装基板以用于使氧和湿气的渗透最小化到氧和湿气的影响不显著的水平。因此，存在的优点是，可以使显示装置的非显示区域最小化，该非显示区域是通过设置封装膜或封装基板而可能生成的裕度区域。
13.led元件可以被分为其中n型电极和p型电极形成在led元件的相同表面上的水平led元件以及其中n型电极和p型电极彼此面对的垂直led元件。与垂直led元件相比，水平led元件具有更小的发光区域和更高的电流密度，使得难以生成高亮度，并且可能降低效率。另外，由于水平led元件的面积是具有相同发光区域的垂直led元件的面积的两倍大，因此增加了led元件的材料成本。
14.因此，本公开内容的发明人已经认识到上面提到的问题，并发明了一种led显示装置，对该led显示装置应用能够实现高亮度和高清晰度的提供双发射光谱的led元件。
15.根据本公开内容的实施方式要解决的目的是提供一种能够使用不同的驱动电路控制两个有源层的led显示装置，这两个有源层包括在提供双发射光谱的led元件中。
16.根据本公开内容的实施方式要解决的目的是提供一种能够在产生缺陷时使用提供双发射光谱的led元件提供可以代替的led元件的led显示装置。
17.根据本公开内容的实施方式要解决的目的是提供一种使用提供双发射光谱的led元件的双面发光型led显示装置。
18.本公开内容的目的不限于上面提到的目的，并且本领域技术人员从以下描述中将清楚地理解未提到的其他目的。
19.技术方案
20.在根据本公开内容的实施方式的led显示装置中，led显示装置包括：在基板上的第二像素驱动电路；led元件，其附接至不与第二像素驱动电路交叠的区域上并且包括第一led元件、第二led元件和生长基板；围绕led元件的元件固定层；在元件固定层上的第一像素驱动电路；以及在第一像素驱动电路上的元件保护层，其中，第一led元件由第一像素驱动电路控制，并且第二led元件由第二像素驱动电路控制。因此，led显示装置提供双发射光谱，可以实现高亮度和高清晰度，并且可以防止像素缺陷。
21.在根据本公开内容的实施方式的led显示装置中，led显示装置包括：划分为显示区域和非显示区域的基板，在该显示区域中设置有单位像素；在基板上的第二像素驱动电路；电连接至第二像素驱动电路的第二连接电极；接触第二连接电极的第二led元件；设置在第二led元件上的第一led元件；设置在第一led元件上的第一像素驱动电路；以及电连接第一led元件和第一像素驱动电路的第一连接电极。因此，led显示装置提供双发射光谱，可以实现高亮度和高清晰度，并且可以防止像素缺陷。
22.其他实施方式的细节包括在详细描述和附图中。
23.有利效果
24.根据本公开内容的实施方式，一个子像素包括两个led元件，并且这两个led元件由不同的像素驱动电路控制，使得led显示装置可以实现高亮度和高清晰度，并且可以防止像素缺陷。
25.而且，根据本公开内容的实施方式，led元件包括第一led元件和第二led元件，第
一led元件和第二led元件附接至同一生长基板，并且反射层被设置在与生长基板相同的层上。因此，可以实现双面发光型led显示装置。
26.由于在要解决的技术问题、技术方案和效果中描述的本公开内容的内容不指定权利要求的必要特征，因此权利要求的范围不受本公开内容的内容中描述的事项的限制。
附图说明
27.图1是示出了根据本公开内容的实施方式的led显示装置的平面图。
28.图2是示出了根据图1的实施方式的led显示装置的子像素的配置的像素电路图。
29.图3是示出了根据本公开内容的实施方式的led显示装置的截面图，在该led显示装置中设置有提供双发射光谱的led元件。
30.图4至图9是示出了根据本公开内容的实施方式的提供双发射光谱的led元件的制造方法的截面图。
31.图10至图15是示出了根据本公开内容的实施方式的提供双发射光谱的led元件到面板上的植入方法(implanting method)的截面图。
32.图16是示出了根据本公开内容的实施方式的led显示装置的截面图。
33.图17是示出了根据本公开内容的实施方式的led显示装置的截面图。
34.图18是示出了根据本公开内容的实施方式的led显示装置的截面图。
35.图19是示出了设置有图2中的像素驱动电路的一个子像素的平面图。
36.图20是沿图19的线a-a’截取的截面图。
具体实施方式
37.参考下面参照附图详细描述的实施方式，本发明的优点和特征以及实现其的方法将是明显的。然而，本发明不限于下面公开的实施方式，而是可以以各种不同的形式实现，并且这些实施方式仅在于允许本发明的公开内容是完整的。提供了本发明，以向本发明领域的技术人员充分传达本发明的范围，并且本发明仅由权利要求的范围限定。
38.用于解释本发明的实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比例、角度、数目等是说明性的，并且本发明不限于所示的内容。贯穿本公开内容，相同的附图标记指代相同的元件。另外，在描述本发明时，如果确定相关已知技术的详细描述不必要地模糊本发明的主题，则可以省略其详细描述。当在本公开内容中使用“包括”、“具有”、“包含”等时，除非使用“仅”，否则可以添加其他部分。当以单数形式表达部件时，除非描述了特定说明，否则包括包含复数形式的情况。
39.在解释部件时，即使没有单独的明确描述，其也被解释为包括裕度范围。
40.在位置关系的描述的情况下，例如，当两个部分的位置关系被描述为“在
……
上”、“在
……
上方”、“在
……
下方”、“在
……
旁边”等时，除非描述了“正好”、“直接”或“相邻”，否则一个或更多个其他部分可以位于两个部分之间。
41.在时间关系的描述的情况下，例如，当时间关系被描述为“在
……
之后”、“随后”、“在
……
后”、“在
……
之前”等时，除非描述了“紧接”或“直接”，否则其包括不连续的情况。
42.本公开内容的各种实施方式的每个特征可以部分地或全部地彼此连接或组合，并且可以在技术上互锁和驱动。实施方式中的每个可以彼此独立地实现，或者可以与相关的
关系一起实现。
43.在下文中，将参照附图描述根据本公开内容的实施方式的led显示装置。
44.图1是示出了根据本公开内容的实施方式的led显示装置的平面图，并且图2是示出了根据图1的实施方式的led显示装置的子像素的配置的像素电路图。
45.参照图1和图2，根据本公开内容的实施方式的led显示装置(100)包括基板(110)，该基板(110)被划分为其中存在多个单位像素(up)的显示区域(da)以及非显示区域(nda)。
46.单位像素(up)可以包括存在于基板(110)的前表面(110a)上的多个子像素(sp1，sp2，sp3)。通常，子像素(sp1，sp2，sp3)分别发射红光、蓝光和绿光，但是其不限于此。单位像素(up)还可以包括发射白光的单位像素。
47.基板(110)是其中形成了晶体管的阵列基板，并且包括塑料材料或玻璃材料。
48.实施方式中的基板(110)可以包括不透明材料或彩色的聚酰亚胺材料。在这种情况下，还可以包括耦接至基板(110)的后表面的背板以将基板(110)保持在平面状态。根据示例的背板可以包括塑料材料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯材料。根据示例的基板(110)可以是玻璃基板。例如，玻璃基板(110)作为具有100μm或更小的厚度的薄玻璃基板可以具有柔性特性。
49.另外，基板(110)可以被划分为两个或更多个基板或者两个或更多个层的接合。
50.非显示区域(nda)可以被定义为基板(110)上的除了显示区域(da)之外的区域，与显示区域(da)相比，可以具有相对窄的宽度(或尺寸)，并且可以被定义为边框区域。
51.多个单位像素(up)中的每个被设置在显示区域(da)中。在这种情况下，多个单位像素(up)中的每个具有沿x轴方向的预定的第一参考像素间距和沿y轴方向的预定的第二参考像素间距，并且被设置在显示区域(da)中。第一参考像素间距和第二参考像素间距中的每个可以被定义为在x轴方向或y轴方向上相邻的单位像素(up)中的每个的中心部分之间的距离。
52.另外，构成单位像素(up)的子像素(sp1，sp2，sp3)之间的距离可以与第一参考像素间距和第二参考像素间距类似地被定义为第一参考子像素间距和第二参考子像素间距。
53.在包括led元件(200)的显示装置(100)中，非显示区域(nda)的宽度可以等于或小于像素间距或子像素间距。由于非显示区域(nda)等于或小于像素间距或子像素间距，因此可以通过具有宽度等于或小于像素间距或子像素间距的非显示区域(nda)的显示装置(100)来实现基本上不存在边框区域的平铺显示装置。
54.为了实现其中边框区域基本上不存在或被最小化的平铺显示装置或多屏显示装置，第一参考像素间距、第二参考像素间距、第一参考子像素间距和第二参考子像素间距可以恒定地保持在显示装置(100)的显示区域(da)中。替选地，当显示区域(da)被定义为多个区域并且上述间距的长度在这些区域中的每个中不同时，在与非显示区域(nda)相邻的区域中的像素间距与其他区域相比可以更宽，使得边框区域的尺寸可以相对小于像素间距。在这种情况下，由于具有不同像素间距的显示装置(100)可能导致图像失真，因此考虑到像素间距，通过与相邻区域进行比较和采样来执行图像处理，以在减少边框区域的情况下消除图像失真。
55.将参照图2描述构成显示装置(100)的单位像素(up)的子像素(sp1，sp2，sp3)中之一的像素驱动电路。像素驱动线被设置在基板(110)的前表面(110a)上，以将必要的信号供
应至多个子像素(sp1，sp2，sp3)中的每个中。根据本公开内容的实施方式的像素驱动线包括：水平轴线(150)，其连接至沿x轴布置的像素以提供信号；以及垂直轴线(140)，其连接至沿y轴布置的像素以提供信号。水平轴线(150)也可以被称为栅极线，并且可以包括提供扫描信号(scan)的扫描线和/或提供发光信号的发光线。垂直轴线(140)可以包括提供数据信号(vdata)的数据线和提供电源信号的电源线。在这种情况下，电源信号可以包括高电位电源电压(vdd)和公共电源电压(vcom)。在一些情况下，提供公共电源电压(vcom)的线可以包括在水平轴线(150)中。
56.水平轴线(150)被设置在基板(110)的前表面(110a)上。水平轴线(150)沿基板(110)的水平轴方向x延伸，并且沿垂直轴方向y以规则的间隔彼此间隔开。
57.垂直轴线(140)与水平轴线(150)交叉，并且被设置在基板(110)的前表面(110a)上。垂直轴线(140)沿基板(110)的垂直轴方向y延伸，并且沿水平轴方向x以规则的间隔彼此间隔开。
58.子像素(sp1，sp2，sp3)中的每个被设置在由水平轴线(150)和垂直轴线(140)限定的子像素区域中。另外，子像素(sp1，sp2，sp3)中的每个可以被定义为发射实际光的最小单元的区域。
59.三个相邻的子像素(sp1，sp2，sp3)可以构成用于彩色显示的一个单位像素(up)。例如，一个单位像素(up)包括沿水平轴方向x彼此相邻的红色子像素(sp1)、绿色子像素(sp2)和蓝色子像素(sp3)，并且还可以包括白色子像素以提高亮度。替选地，在实现根据本公开内容的实施方式的包括提供双面发射光谱的led元件的led显示装置的情况下，两个相邻的子像素可以构成用于彩色显示的一个单位像素。在这种情况下，这两个子像素可以被设置成发射红光、绿光和蓝光。例如，两个子像素中的一个可以发射红光，并且两个子像素中的另一个子像素可以发射绿光和蓝光。
60.根据本公开内容的实施方式的多个子像素中的每个包括像素驱动电路和led元件(200)。
61.像素驱动电路被设置在每个子像素中限定的电路区域中，并连接至相邻的栅极线、相邻的数据线和相邻的电源线。像素驱动电路响应于通过扫描线提供的扫描信号(scan)，基于通过高电位电源线提供的高电位电源电压(vdd)并且根据通过数据线提供的数据电压(vdata)，控制通过led元件(200)的电流。根据本公开内容的实施方式的像素驱动电路包括第一晶体管(t1)、第二晶体管(t2)和电容器(cst)。第一晶体管(t1)和第二晶体管(t2)可以被设置为nmos型薄膜晶体管。然而，本公开内容的实施方式不限于此。例如，第一晶体管(t1)可以被设置为具有良好的截止电流特性的nmos型薄膜晶体管，并且第二晶体管(t2)可以被设置为具有良好的响应特性的pmos型薄膜晶体管。
62.led元件(200)被安装在子像素中的每个上。led元件(200)电连接至相应的子像素的像素驱动电路和高电位电源线，使得通过从驱动晶体管、即第二晶体管(t2)、供应的led元件(200)的p型电极的电流发射光。根据本公开内容的实施方式的led元件(200)是提供双发射光谱的led元件，并且可以是发射红光、绿光、蓝光、白光、红光和绿光、红光和蓝光以及绿光和蓝光中之一的光学元件或发光二极管芯片。例如，当led元件(200)发射红光时，可以发射相同波长的红光或不同波长的红光。在这种情况下，发光二极管芯片可以具有1至100μm2的尺寸，但是其不限于此。发光二极管芯片可以具有小于子像素区域的除了由像素驱动
电路占据的电路区域之外的发光区域的尺寸的尺寸。
63.第二晶体管(t2)是根据第二晶体管(t2)的栅极电极与源极电极之间的电压控制流过led元件(200)的电流的驱动元件。第二晶体管(t2)包括连接至第一节点(n1)的栅极电极、连接至第二节点(n2)的漏极电极和连接至第三节点(n3)的源极电极。
64.第一晶体管(t1)连接在第一节点(n1)与第四节点(n4)之间，并根据扫描信号(scan)进行切换。第一晶体管(t1)的栅极电极连接至施加扫描信号(scan)的扫描线，并且第四节点(n4)连接至数据电压线。当第一晶体管(t1)导通时，数据电压(vdata)被传送到第二晶体管(t2)的栅极电极，并且第二晶体管(t2)导通。
65.电容器(cst)包括第一电极和第二电极，并且第一电极和第二电极分别连接至第一节点(n1)和第三节点(n3)。电容器(cst)形成在第一电极和第二电极的交叠区域中。电容器(cst)的第二电极连接至第三节点(n3)并固定到公共电源电压(vcom)，并且第一电极存储从第一晶体管(t1)接收的数据电压(vdata)。存储在电容器(cst)中的数据电压(vdata)使第二晶体管(t2)能够在一帧内向led元件(200)提供相同的驱动电流。
66.根据本公开内容的实施方式的像素驱动电路不限于第一晶体管(t1)、第二晶体管(t2)和电容器(cst)的上述配置，而是还可以包括由附加扫描信号控制的晶体管、由发光信号控制的晶体管和/或辅助电容器。
67.图3是示出了根据本公开内容的实施方式的led显示装置的截面图，在该led显示装置中设置有提供双发射光谱的led元件。
68.参照图3，根据本公开内容的实施方式的显示装置(100)的每个子像素包括led元件(200)、用于向led元件(200)提供驱动电流的第一像素驱动电路(310)和第二像素驱动电路(320)、用于保护和固定led元件(200)的第三绝缘层(105)、以及用于连接led元件(200)以及像素驱动电路(310，320)的电极。第三绝缘层(105)可以被称为元件固定层或平坦化层。
69.如参照图2所述，像素驱动电路(310，320)中的每个可以通过包括第一晶体管(t1)、第二晶体管(t2)和电容器(cst)来实现。在图3中，像素驱动电路(310，320)以块示出。
70.如上所述，基板(110)是用于支承led显示装置(100)的部件的基板，并且可以是绝缘基板。例如，基板(110)可以由玻璃或树脂制成，并且可以包括具有柔性的聚合物或塑料。
71.第二像素驱动电路(320)被设置在基板(110)上，并且用于保护第二像素驱动电路(320)并减小由第二像素驱动电路(320)引起的基板上的阶梯差的第一绝缘层(101)被设置在第二像素驱动电路(320)上。
72.在第一绝缘层(101)上设置有第二n连接电极(122)和第二p连接电极(152a)，上述第二n连接电极(122)和第二p连接电极(152a)分别电连接至led元件(200)的第二n电极(262)和第二p电极(252)。第二n连接电极(122)将led元件(200)的第二n电极(262)和第二像素驱动电路(320)电连接，并且第二p连接电极(152a)将高电位电源线和第二p电极(252)电连接。
73.在第二n连接电极(122)和第二p连接电极(152a)上设置有第二绝缘层(102)，第二绝缘层(102)包括露出第二n连接电极(122)和第二p连接电极(152a)的接触孔以用于将第二n连接电极(122)和第二p连接电极(152a)连接至第二n电极(262)和第二p电极(252)，并且在第二绝缘层(102)上设置有用于提高led元件(200)的光提取效率的反射层(104)。反射
层(104)与led元件(200)交叠。反射层(104)被形成为露出第二n连接电极(122)和第二p连接电极(152a)。在反射层(104)上，led元件(200)附接至露出的第二n连接电极(122)和露出的第二p连接电极(152a)。在一些情况下，可以省略反射层(104)。
74.led元件(200)包括两个有源层(231，232)，并提供双发射光谱。led元件(200)包括生长基板(201)、n型层(211，212)、有源层(231，232)、p型层(241，242)、n电极(261，262)、以及p电极(251，252)。led元件(200)包括以水平结构实现的第一led元件和第二led元件。形成第一led元件和第二led元件，其中在其之间存在生长基板(201)。第一led元件包括第一n型层(211)、第一有源层(231)、第一p型层(241)、第一n电极(261)和第一p电极(251)，并且第二led元件包括第二n型层(212)、第二有源层(232)、第二p型层(242)、第二n电极(262)和第二p电极(252)。稍后将描述第一led元件和第二led元件的堆叠结构的详细描述。
75.通过反射层(104)露出的第二n连接电极(122)通过第二接合部分(412)连接至第二led元件的第二n电极(262)，并且第二p连接电极(152a)通过第一接合部分(402)连接至第二led元件的第二p电极(252)。
76.第三绝缘层(105)形成在第二像素驱动电路(320)和led元件(200)上且在不包括接触孔的区域中，以使显示区域(da)平坦化。第三绝缘层(105)可以被称为平坦化层或固定层。
77.第一像素驱动电路(310)被设置在第三绝缘层(105)上。第一像素驱动电路(310)连接至第一led元件的第一n连接电极(121)，并且第一p连接电极(151a)连接至公共电源线。另外，用于保护led元件(200)和第一像素驱动电路(310)的第四绝缘层(106)被设置在led元件(200)和第一像素驱动电路(310)上。
78.图4至图9是示出了根据本公开内容的实施方式的提供双发射光谱的led元件的制造方法的截面图。
79.参照图4，制备生长基板(201)以形成led元件(200)的电极。生长基板(201)可以包括蓝宝石、硅(si)、磷化铟(inp)、砷化镓(gaas)等。蓝宝石或硅可以主要用于实现能够表达绿光或蓝光的led元件，并且砷化镓和磷化铟可以主要用于实现能够表达红光的led元件。在这种情况下，可以通过稍后将由砷化镓形成的生长基板(201)转移到蓝宝石基板来提高led显示装置的透射率。替选地，可以用蓝宝石基板代替由砷化镓形成的生长基板(201)。
80.使用化学生长方法在生长基板(201)的一侧上形成第一n型层(211)。在这种情况下，化学生长方法可以是mocvd(金属有机化学气相沉积)。第一n型层(211)是其中具有负电荷的自由电子作为载流子移动以生成电流的半导体层，并且可以由掺杂有n型杂质的基于gan的材料(n-gan)制成。基于n-gan的材料可以是gan、algan、ingan或alingan，而si、ge、se、te或c可以用作用于掺杂第一n型层(211)的杂质。在某些情况下，可以在生长基板(201)与第一n型层(211)之间另外形成缓冲层，例如未掺杂的基于gan的半导体层。
81.例如，为了实现表达蓝光或绿光的第一led元件，第一n型层(211)可以包括以下两层：由未掺杂的氮化镓(un-gan)形成的层，以及由通过在其上掺杂n型杂质得到的掺杂的氮化镓(n-gan)形成的层。例如，n型杂质可以是si、ge、se、te和c中之一。
82.替选地，第一n型层(211)可以是掺杂有n型杂质的磷化铟铝(n-alinp)。例如，为了实现表达红光的第一led器件，第一n型层(211)可以由掺杂有n型杂质的磷化铟铝(n-alinp)形成。
83.在第一n型层(211)上形成第一有源层(231)。第一有源层(231)被设置在第一n型层(211)上，并且可以具有包括阱层以及具有比阱层更高的带隙的垒层的多量子阱(mqw)结构。例如，第一有源层(231)可以具有多量子阱结构，例如algainp、gainp、ingan或gan。
84.在第一有源层(231)上形成第一p型层(241)。第一p型层(241)是其中具有正电荷的空穴作为载流子移动以生成电流的半导体层，并且可以由掺杂有p型杂质的基于gan的材料(p-gan)制成。基于gan的材料可以是gan、algan、ingan或alingan，而mg、zn或be可以用作用于掺杂第一p型层(241)的杂质。
85.在第一p型层(241)上形成第一图案化层(291)。第一图案化层(291)由绝缘材料形成以保护第一p型层(241)，并且可以用于图案化稍后要在第一p型层(241)上形成的焊盘电极。
86.参照图5，在翻转其上形成有图4中外延生长的第一led元件(211，231，241)以及由沉积工艺形成的第一图案化层(291)的生长基板(201)之后，在生长基板(201)的另一侧上形成第二led元件(212，232，242)。由于构成第二led元件(212，232，242)的每个层以与构成第一led元件(211，231，241)的每个层相同的顺序和相同的材料形成，因此将省略进一步的描述。第二n型层(212)对应于第一n型层(211)，第二有源层(232)对应于第一有源层(231)，并且第二p型层(242)对应于第一p型层(241)。然而，第二有源层(232)可以由用于发射与第一有源层(231)相同颜色的材料或用于发射与第一有源层(231)不同颜色的材料形成。例如，当第一有源层(231)和第二有源层(232)形成为分别发射蓝光和绿光时，第一有源层(231)和第二有源层(232)中包括的铟的含量可以是不同的。
87.另外，可以通过在生长第二led元件(212，232，242)之前抛光生长基板(201)来调节生长基板(201)的厚度。
88.此外，在第二led元件的第二p型层(242)上形成第二图案化层(292)。与第一图案化层(291)一样，第二图案化层(292)也由绝缘材料形成以保护第二p型层(242)，并且可以用于图案化稍后要形成在第二p型层(242)上的焊盘电极。例如，第一图案化层(291)和第二图案化层(292)可以是硅氧化物层、硅氮化物层或硅氮氧化物层。
89.参照图6和图7，在包括第一led元件、具有第二图案化层(292)的第二led元件并提供双发射光谱的led元件上执行露出n型层和p型层的工艺。首先，通过去除第二led元件的第二图案化层(292)来形成用于露出第二p型层(242)的第一接触孔(h1)。同时，通过不仅去除第二led元件的第二图案化层(292)而且还去除第二led元件的第二p型层(242)和第二有源层(232)来形成用于露出第二n型层(212)的第二接触孔(h2)。
90.接下来，通过去除第一led元件的第一图案化层(291)来形成用于露出第一p型层(241)的第三接触孔(h3)。同时，通过不仅去除第一led元件的第一图案化层(291)而且还去除第一led元件的第一p型层(241)和第一有源层(231)来形成用于露出第一n型层(211)的第四接触孔(h4)。在这种情况下，为了形成第二接触孔(h2)和第四接触孔(h4)，可以使用诸如甚至可以蚀刻外延层的台面蚀刻(mesa etching)的方法来形成第二接触孔(h2)和第四接触孔(h4)。
91.参照图8，电极形成在图6和图7中形成的第一接触孔(h1)至第四接触孔(h4)中。在第一接触孔(h1)和第三接触孔(h3)中分别形成第二p电极(252)和第一p电极(251)。第二p电极(252)和第一p电极(251)形成为分别接触第二p型层(242)和第一p型层(241)。另外，在
第二接触孔(h2)和第四接触孔(h4)中分别形成第二n电极(262)和第一n电极(261)。第二n电极(262)和第一n电极(261)形成为分别接触第二n型层(212)和第一n型层(211)。
92.因此，通过向第一n电极(261)提供负负载(load)并且向第一p电极(251)提供正负载，分别来自第一n型层(211)和第一p型层(241)的空穴和电子在第一有源层(231)中聚集并复合，使得光从第一有源层(231)发射。此外，通过向第二n电极(262)提供负负载并且向第二p电极(252)提供正负载，分别来自第二n型层(212)和第二p型层(242)的空穴和电子在第二有源层(232)中聚集并复合，使得光从第二有源层(232)发射。
93.参照图9，去除沉积以形成p电极(251，252)以及n电极(261，262)的图案化层(291，292)，以完成led元件(200)。为p电极(251，252)以及n电极(261，262)形成了图案化层(291，292)，但是图案化层(291，292)还在led器件芯片工艺期间用于保护p型层(241，242)。可以使用用于硅氧化物层的蚀刻剂，使用湿刻法去除图案化层(291，292)。例如，蚀刻剂可以由h2o、hf和nh4f组成。
94.图10至图15是示出了根据本公开内容的实施方式的提供双发射光谱的led元件(200)到面板上的植入方法的截面图。
95.参照图10，制备驱动基板，其中在基板(110)上形成第二像素驱动电路(320)、第二n连接电极(122)和第二p连接电极(152a)。尽管形成在第二n连接电极(122)和第二p连接电极(152a)上的第二绝缘层(102)被示出为单层，但是第二绝缘层(102)可以由多个层形成。另外，反射层(104)形成为露出第二n连接电极(122)和第二p连接电极(152a)。反射层(104)形成为与led元件(200)交叠以防止光吸收到驱动基板中并提高光提取效率。例如，反射层(104)可以实现为分布式布拉格反射器(dbr)的单层、纳米膜的单层、硅氧化物层或二氧化钛层、或者硅氧化物层和二氧化钛层的多层。其中设置反射层(104)的本公开内容的实施方式可以是顶部发光型led显示装置。如果根据本公开内容的实施方式的显示装置(100)是底部发光型，则可以省略反射层(104)，或者反射层(104)可以设置在led元件(200)上。
96.参照图11，在反射层(104)上，led元件(200)附接至露出的第二n连接电极(122)和露出的第二p连接电极(152a)。由于led元件(200)中的第二led元件连接至第二n连接电极(122)和第二p连接电极(152a)，因此可以通过包括在驱动基板中的第二像素驱动电路(320)来控制第二led元件的发光。
97.第二led元件的第二n电极(262)和第二p电极(252)被设置成分别附接至第二n连接电极(122)和第二p连接电极(152a)。在反射层(104)上，第二接合部分(412)被形成在要电连接至第二led元件的第二n电极(262)的露出的第二n连接电极(122)上。在反射层(104)上，第一接合部分(402)被形成在要电连接至第二led元件的第二p电极(252)的露出的第二p连接电极(152a)上。第一接合部分(402)和第二接合部分(412)可以是使用sn、pb、ag、cu和au中的至少一种作为金属材料的合金。
98.参照图12，用于平坦化led显示装置的显示区域(da)和固定led元件(200)的第三绝缘层(105)被形成在附接有led元件(200)的驱动基板上。例如，由于第三绝缘层(105)在可见光透射率较高的情况下是有利的，因此第三绝缘层(105)可以由光压克力、硅氧化物、硅氮化物等形成。当led元件(200)的厚度厚时，可以通过涂覆方法形成第三绝缘层(105)，或者当led元件(200)的厚度薄时可以通过沉积方法形成第三绝缘层(105)。led元件(200)的厚度的参考可以根据生长基板(201)的厚度而变化。
99.参照图13和图14，在第三绝缘层(105)上形成第一像素驱动电路(310)。蚀刻第三绝缘层(105)以对应于第一p电极(251)和第一n电极(261)。第一p连接电极(151a)和第一n连接电极(121)被形成在蚀刻区域和第三绝缘层(105)上。第一led元件的第一n连接电极(121)和第一像素驱动电路(310)通过第一n连接电极(121)电连接，并且第一p连接电极(151a)和公共电源线通过第一p连接电极(151a)电连接。由于led元件(200)中的第一led元件连接至第一连接电极(151a，121)，因此可以通过形成在第三绝缘层(105)上的第一像素驱动电路(310)来控制第一led元件的发光。
100.参照图15，在led元件(200)、第三绝缘层(105)和第一像素驱动电路(310)上形成用于保护led元件(200)和第一像素驱动电路(310)的第四绝缘层(106)。与第三绝缘层(105)一样，第四绝缘层(106)在可见光透射率较高的情况下是有利的，第四绝缘层(106)可以由光压克力、硅氧化物、硅氮化物等形成。第四绝缘层(106)可以被称为元件保护层。
101.提供双发射光谱的led元件(200)的第一led元件和第二led元件可以发射不同颜色的光，或者可以发射相同颜色的光。
102.当第一led元件和第二led元件发射不同颜色的光时，可以通过在单位像素中布置两个子像素来增加发光区域。在这种情况下，例如，包括在两个子像素中之一中的第一led元件和第二led元件被实现分别发射蓝光和绿光，并且包括在两个子像素中的另一个子像素中的第一led元件和第二led元件两者都被实现发射红光。
103.当第一led元件和第二led元件发射相同的颜色时，可以提高亮度。当在第一led元件和第二led元件中之一以及/或者第一像素驱动电路(310)和第二像素驱动电路(320)中之一中生成缺陷时，第一led元件和第二led元件中的另一个led元件以及/或者第一像素驱动电路(310)和第二像素驱动电路(320)中的另一个像素驱动电路可以代替有缺陷的一者。
104.图16是示出了根据本公开内容的实施方式的led显示装置的截面图。
105.包括在led元件(200)中的有源层(231，232)的材料可以改变，使得子像素分别发射红光、绿光或蓝光。替选地，当包括在子像素中的led元件(200)具有相同颜色时，通过在led元件(200)上设置颜色转换层(600)，led显示装置可以被实现从子像素发射红光、绿光和蓝光。根据本公开内容的实施方式的led显示装置是使用颜色转换层(600)并且所有led元件(200)都被设置为发射蓝光的实施方式。
106.在上述的图5f的结构中，包括在led元件(200)中的第一有源层(231)和第二有源层(232)两者都由用于发射蓝光的材料形成。然后，颜色转换层(600)形成在第四绝缘层(106)上且在与led元件(200)交叠的区域中。
107.颜色转换层(600)包括颜色转换材料(601)。在发射蓝光的子像素的情况下，可以使用不包括颜色转换材料(601)的绝缘层。在这种情况下，绝缘层可以由诸如光压克力、硅氧化物或硅氮化物的材料形成。在发射绿光或红光的子像素的情况下，颜色转换材料(601)可以使用荧光物质、纳米有机材料、量子点等。在这种情况下，颜色转换材料(601)可以与诸如光压克力、硅氧化物或硅氮化物的材料混合，并且可以执行涂覆、印刷或打点(dotting)方法以形成颜色转换层(600)。例如，当像素的尺寸大到几十至几百微米时，可以使用荧光物质，并且当像素的尺寸小到几个至几十微米时，可以使用纳米有机材料和量子点。
108.可以针对每个子像素单独形成颜色转换层(600)。通过在相邻的颜色转换层(600)之间形成黑矩阵(500)，可以划分子像素，并且可以防止子像素中的颜色混合。黑矩阵(500)
可以形成在与颜色转换层(600)相同的层上。
109.在基板(110)的整个表面上方、在颜色转换层(600)和黑矩阵(500)上形成第五绝缘层(108)。第五绝缘层(108)保护颜色转换层(600)和黑矩阵(500)。第五绝缘层(108)可以由诸如光压克力、硅氧化物或硅氮化物的材料形成。
110.图17是示出了根据本公开内容的实施方式的led显示装置的截面图。在根据本公开内容的实施方式的led显示装置中，将描述其中两个子像素包括在单位像素中的情况。可以省略或简化与图3的那些部件重叠的部件。
111.单位像素包括第一子像素和第二子像素，第一子像素可以发射红光、绿光和蓝光中的两种光，并且第二子像素可以发射红光、绿光和蓝光中的另一种光。例如，第一子像素可以发射绿光和蓝光，并且第二子像素可以发射红光。第一子像素包括第一led元件(l1)和第二led元件(l2)，并且第一led元件(l1)和第二led元件分别发射绿光和蓝光。另外，第二子像素包括第三led元件(l3)和第四led元件(l4)，并且第三led元件(l3)和第四led元件(l4)两者都可以发射红光。当单位像素包括两个子像素时，与单位像素包括三个子像素的情况相比，清晰度可以提高50％。
112.通过在一个子像素中实现蓝色、绿色和红色中的具有最低效率的颜色，可以提高发光效率。为了实现led显示装置的目标亮度，示出其中具有高可见度的绿光从位于上侧的有源层(231)发射并且具有相对低可见度的蓝光从位于下侧的有源层(232)发射的结构作为示例，但是其不限于此。在一些情况下，可以实现：亮度缺乏的颜色可以从位于上侧的有源层发射。
113.第一led元件(l1)和第二led元件(l2)可以具有与图3的先前描述的实施方式的结构相同的结构。
114.第三led元件(l3)包括第三n型层(213)、第三有源层(233)、第三p型层(243)、第三p电极(253)和第三n电极(263)，并且第四led元件(l4)包括第四n型层(214)、第四有源层(234)、第四p型层(244)、第四p电极(254)和第四n电极(264)。第三led元件(l3)和第四led元件(l4)具有发射红光的结构，并且第三有源层(233)和第四有源层(234)可以由相同的材料形成。另外，掺杂有n型杂质的磷化铟铝(n-alinp)可以用于第三n型层(213)和第四n型层(214)。
115.当形成发射红光的第三led元件(l3)和第四led元件(l4)时，可以使用由砷化镓(gaas)形成的生长基板(203)。在生长基板(203)的前表面上形成第三led元件(l3)并在生长基板(203)的后表面上形成第四led元件(l4)之后，分别形成在生长基板(203)的前表面和后表面上的led元件(l3，l4)被分离并转移到蓝宝石基板。由于蓝宝石基板具有比砷化镓基板更高的透射率，因此可以提高子像素的透射率。
116.第一led元件(l1)和第三led元件(l3)分别由形成在第三绝缘层(105)上的第一像素驱动电路(310)和第三像素驱动电路(313)控制，并且第二led元件(l2)和第四led元件(l4)分别由包括在驱动基板中的第二像素驱动电路(320)和第四像素驱动电路(324)控制。尽管第三led元件(l3)和第四led元件(l4)发射相同的颜色，但是其由不同的像素驱动电路控制。因此，第三led元件(l3)和第四led元件(l4)可以用作彼此的冗余，从而防止像素缺陷。
117.第三绝缘层(105)用于保护和固定led元件(l1，l2，l3，l4)，并且在形成在两个子
像素中的第三绝缘层(105)之间形成黑矩阵(510)，以防止子像素之间的颜色混合。
118.连接像素驱动电路(310，313)以及led元件(l1，l3)的连接电极(121，123)形成在第三绝缘层(105)和黑矩阵(510)上，第四绝缘层(106)形成在第三绝缘层(105)和黑矩阵(510)上以覆盖连接电极(121，123，151a，153a)以及像素驱动电路(l1，l3)。第四绝缘层(106)保护连接电极(121，123，151a，153a)以及像素驱动电路(l1，l3)。
119.由于根据本公开内容的实施方式的led显示装置是顶部发光型，因此反射层(104)被设置在驱动基板与led器件之间。替选地，在底部发光型的情况下，反射层(104)可以被设置在led器件上。替选地，可以省略反射层(104)。
120.图18是示出了根据本公开内容的实施方式的led显示装置的截面图。根据本公开内容的实施方式的led显示装置描述了一种能够双面发光的led显示装置。可以省略或简化与图3的那些部件重叠的部件。
121.由于根据本公开内容的实施方式的led显示装置示出了一个子像素并且是双面发光型，因此堆叠在led元件(200)的上部和下部上的绝缘层和基板(110)由具有高透射率的材料形成。另外，为了使光发射到led显示装置的前表面和后表面，应该省略上述反射层(104)。
122.驱动基板上的连接电极(122，152a)通过接合部分(402，412)附接至led元件(200)。根据本公开内容的实施方式的led元件(200)包括上led元件(tl)和下led元件(bl)，并且下led元件(bl)通过接合部分(402，412)连接至驱动基板。接下来，在驱动基板上且在led元件(200)周围形成下绝缘层(105a)。下绝缘层(105a)形成为完全围绕在生长基板(201)与接合部分(402，412)之间的下led元件(bl)。在这种情况下，生长基板(201)的一部分可以暴露于空气。下绝缘层(105a)可以由光压克力、硅氧化物或硅氮化物形成，原因是在可见光透射率较高的情况下其是有利的。当led元件(200)的厚度厚时，可以通过涂覆方法形成下绝缘层(105a)，或者当led元件(200)的厚度薄时，可以通过沉积方法形成下绝缘层(105a)。第一黑矩阵(521)形成在与下绝缘层(105a)相同的层上。第一黑矩阵(521)可以形成在相邻子像素之间的边界处，以防止子像素之间的颜色混合。
123.为了将光发射到根据本公开内容的实施方式的led显示装置的前表面和后表面，在下绝缘层(105a)和第一黑矩阵(521)上形成用于双面发射的反射层(700)。用于双面发射的反射层(700)与生长基板(201)接触形成，使得从下led元件(bl)发射的光朝向led显示装置的后面，并且从上led元件(tl)发射的光朝向led显示装置的前面。即，用于双面发射的反射层(700)位于与生长基板(201)相同的平面上，以平行于基板(110)。用于双面发射的反射层(700)可以实现为分布式布拉格反射器(dbr)的单层、纳米膜的单层、硅氧化物层或二氧化钛层或者硅氧化物层和二氧化钛层的多层，但是其不限于此。对于用于双面发射的反射层(700)，可以使用具有高反射率的其他材料。
124.在用于双面发射的反射层(700)上形成上绝缘层(105b)和第二黑矩阵(522)。上绝缘层(105b)由与下绝缘层(105a)相同的材料制成，并且完全覆盖上led元件(tl)。第二黑矩阵(522)在相邻子像素之间的边界处由与第一黑矩阵(521)相同的材料形成。
125.上绝缘层(105b)提供用于形成第一连接电极(121，151a)的接触孔。第一连接电极(121，151a)形成在上绝缘层(105b)中形成的接触孔中且在上绝缘层(105b)和第二黑矩阵(522)上。第一n连接电极(121)连接至第一像素驱动电路(310)，并且第一p连接电极(151a)
连接至公共电源线。另外，第四绝缘层(106)形成在第一连接电极(121，151a)以及第一像素驱动电路(310)上。
126.根据本公开内容的实施方式的led显示装置包括上led元件(tl)和下led元件(bl)，用于双面发射的反射层(700)形成为在上led元件(tl)与下led元件(bl)之间的边界处接触生长基板(201)。因此，led显示装置可以向前面和后面发光。在这种情况下，接合部分(402，412)中的每个可以由透明或半透明导电材料形成。
127.图19是示出了其上设置有图2中的像素驱动电路的一个子像素(sp)的平面图，并且示出了附接至驱动基板的led元件。图20是沿图19的线a-a’截取的截面图，并且示出了第一像素驱动电路和第二像素驱动电路两者。在下文中，将描述图19和图20，并且可以简化或省略与图2的那些部件重叠的部件。
128.一个子像素(sp)包括沿垂直轴设置的数据线(140a)和公共电源线(140b)，并且包括沿水平轴设置的高电位电源线(150a)和扫描线(150b)。
129.关于led元件(200)，第二像素驱动电路被设置在led元件(200)与基板(110)之间，并且第一像素驱动电路被设置在led元件(200)与第五绝缘层(108)之间。led元件(200)被设置在不与第一像素驱动电路和第二像素驱动电路交叠的区域中，使得从led元件(200)发射的光不被像素驱动电路阻挡。第一像素驱动电路和第二像素驱动电路以相同的结构实现。第一像素驱动电路包括第一晶体管(t11)和第二晶体管(t21)，并且第二像素驱动电路包括第一晶体管(t12)和第二晶体管(t22)。用于保护第二像素驱动电路的第一绝缘层(101)覆盖第二像素驱动电路，并且被示出为单层。然而，其不限于此，并且第一绝缘层(101)可以由多个层形成。类似地，用于保护第一像素驱动电路的第四绝缘层(106)覆盖第一像素驱动电路，并且被示出为单层。然而，其不限于此，并且第四绝缘层(106)可以由多个层形成。
130.包括在第一像素驱动电路和第二像素驱动电路中的第一晶体管(t11，t12)分别包括栅极电极(322g，312g)、半导体层(322a，312a)、源极电极(322s，312s)、以及漏极电极(322d，312d)。第二晶体管(t22，t21)分别包括栅极电极(321g，311g)、半导体层(312a，311a)、源极电极(321s，311s)、以及漏极电极(321d，311d)。在第一晶体管(t11，t12)以及第二晶体管(t22，t21)中，栅绝缘层(322gi，321gi，312gi，311gi)包括在栅极电极(322g，321g，312g，311g)与半导体层(322a，312a，321a，311a)之间。包括在第二像素驱动电路中的栅绝缘层(322gi，321gi)可以在基板(110)上形成为单层，并且包括在第一像素驱动电路中的栅绝缘层(312gi，311gi)可以在第三绝缘层(105)上形成为单层。
131.栅极电极(322g，312g，321g，311g)形成在与基板(110)上的扫描线(150b)相同的层上并且由与基板(110)上的扫描线(150b)相同的材料形成。栅极电极(322g，312g，321g，311g)可以包括诸如硅(si)的半导体、例如钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)的导电金属中的一种、或者其合金，并且可以具有其多层。
132.栅绝缘层(322gi，321gi，312gi，311gi)可以通过由无机材料制成的多个层或单层形成，并且可以由硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)等制成。
133.半导体层(322a，321a，312a，311a)以预定的图案形状设置在栅绝缘层(322gi，321gi，312gi，311gi)上以与栅极电极(322g，312g，321g，311g)交叠。半导体层(322a，321a，312a，311a)可以由非晶硅、多晶硅、氧化物和有机材料中的一种的半导体材料制成，但是其
不限于此。
134.源极电极(322s，321s，312s，311s)被设置成与半导体层(322a，321a，312a，311a)的一侧交叠，并且形成在与数据线(140a)和高电位电源线(150a)相同的层上并且由与数据线(140a)和高电位电源线(150a)相同的材料形成。
135.漏极电极(322d，321d，312d，311d)被设置成与半导体层(322a，321a，312a，311a)的另一侧交叠，并与源极电极(322s，321s，312s，311s)间隔开。漏极电极(322d，321d，312d，311d)与源极电极(322s，321s，312s，311s)同时形成在相同的层上并且由与源极电极(322s，321s，312s，311s)相同的材料形成。
136.源极电极(322s，321s，312s，311s)以及漏极电极(322d，321d，312d，311d)可以包括诸如硅(si)的半导体、例如钼(mo)、铝(al)的导电金属中的一种，其可以是铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的任何一种、或其合金，并且可以具有其多层。
137.从高电位电源线(150a)分支的第二p连接电极(152a)连接至led元件(200)的第二p型层(242)以及与第二p型层(242)接触的第二p电极(252)。第二p连接电极(152a)和第二p电极(252)通过第一接合部分(402)连接。
138.连接至第二晶体管(t22)的第二n连接电极(122)连接至led元件(200)的第二n型层(212)以及与第二n型层(212)接触的第二n电极(262)。第二n连接电极(122)和第二n电极(262)通过第二接合部分(412)连接。另外，第二晶体管(t22)通过接触电极(142b)连接至公共电源线(140b)。
139.第二晶体管(t22)的栅极电极(321g)连接至电容器的一个电极(130a)，并且电容器的一个电极(130a)连接至第一晶体管(t21)的漏极电极(322d)并与第一晶体管(t21)的漏极电极(322d)接触。电容器的另一电极(130b)与电容器的一个电极(130a)交叠并连接至公共电源线(140b)。
140.扫描线(150b)连接至第一晶体管(t12)的栅极电极(322g)，并且第一晶体管(t12)的源极电极(322s)通过接触电极(142a)连接至数据线(140a)。
141.led元件(200)与在基板(110)上形成的第一晶体管(t12)和第二晶体管(t22)之间的连接关系可以应用于形成在第三绝缘层(105)上的第一晶体管(t11)和第二晶体管(t12)。
142.在根据本公开内容的实施方式的led显示装置中，led显示装置包括：在基板上的第二像素驱动电路；led元件，其附接至不与第二像素驱动电路交叠的区域上并且包括第一led元件、第二led元件和生长基板；围绕led元件的元件固定层；在元件固定层上的第一像素驱动电路；以及在第一像素驱动电路上的元件保护层，其中，第一led元件由第一像素驱动电路控制，并且第二led元件由第二像素驱动电路控制。因此，led显示装置提供双发射光谱，可以实现高亮度和高清晰度，并且可以防止像素缺陷。
143.根据本公开内容的另一方面，第二led元件可以通过接合部分和连接电极电连接至第二像素驱动电路。
144.根据本公开内容的另一方面，led显示装置还可以包括在led元件与基板之间的反射层，其中，反射层可以与led元件交叠。反射层可以接触生长基板。第二led元件可以朝向基板发光，并且第一led元件可以朝向元件保护层发光。
145.根据本公开内容的另一方面，led显示装置还可以包括在保护层上的颜色转换层
以及设置在与颜色转换层相同的层上的黑矩阵。
146.根据本公开内容的另一方面，第一led元件和第二led元件可以发射不同的颜色。
147.根据本公开内容的另一方面，第一像素驱动电路和第二像素驱动电路可以具有相同的元件，并且相同的元件之间的连接关系可以相同。
148.根据本公开内容的另一方面，led显示装置还可以包括设置在与元件固定层相同的层上的黑矩阵。
149.在根据本公开内容的实施方式的led显示装置中，led显示装置包括：划分为显示区域和非显示区域的基板，在该显示区域中设置有单位像素；在基板上的第二像素驱动电路；电连接至第二像素驱动电路的第二连接电极；接触第二连接电极的第二led元件；设置在第二led元件上的第一led元件；设置在第一led元件上的第一像素驱动电路；以及电连接第一led元件和第一像素驱动电路的第一连接电极。因此，led显示装置提供双发射光谱，可以实现高亮度和高清晰度，并且可以防止像素缺陷。
150.根据本公开内容的另一方面，单位像素可以包括第一子像素和第二子像素，第一子像素和第二子像素中的每个均可以包括第一led元件和第二led元件，并且第一子像素可以发射绿光和蓝光，并且第二子像素可以发射红光。led显示装置可以是顶部发光型，包括在第一子像素中的第一led元件可以发射绿光，并且包括在第一子像素中的第二led元件可以发射蓝光。另外，包括在第一子像素中的第一led元件和第二led元件中的每个的结构可以不同于包括在第二子像素中的第一led元件和第二led元件中的每个的结构。
151.根据本公开内容的另一方面，第一led元件和第二led元件可以附接至同一生长基板。
152.根据本公开内容的另一方面，led显示装置还可以包括连接第二led元件和第二连接电极的接合部分。
153.根据本公开内容的另一方面，单位像素可以包括多个子像素，可以在多个子像素中的相邻子像素之间设置黑矩阵，并且黑矩阵可以形成在与第一led元件和第二led元件相同的层上。
154.尽管已经参照附图更详细地描述了本发明的实施方式，但是本发明不必限于这些实施方式，并且可以在不脱离本发明的技术精神的范围内进行各种修改。因此，本发明中公开的实施方式不旨在限制本发明的技术精神，而在于解释本发明的技术精神，并且本发明的技术精神的范围不受这些实施方式的限制。因此，应该理解，上述实施方式在所有方面是说明性的而不是限制性的。本发明的保护范围应由权利要求解释，并且其等同的范围内的所有技术构思应该被解释为包括在本发明的范围内。