一种半导体部件超高压物理去膜方法与流程

技术特征：
1.一种半导体部件超高压物理去膜方法，其特征是：步骤一、采用机床加工的方式，去除部件表面的一定厚度的膜层，同时将部件表面铜铝界面暴露出来；步骤二、将部件固定在转台上，通过机械手带动高压水枪，用高压水柱沿铜铝界面将铝基材表面的铜膜分离去除；步骤三、将部件放入化学清洗槽中，用化学清洗的方式去除表面残留的铜膜；步骤四、将化学清洗后的部件纯水冲洗；步骤五、把部件放入超音波槽中超声清洗去除表面残留的颗粒附着物；步骤六、烘箱干燥去除部件表面水分。2.根据权利要求1所述的一种半导体部件超高压物理去膜方法，其特征是：步骤一中，膜厚为3-5mm。3.根据权利要求1所述的一种半导体部件超高压物理去膜方法，其特征是：步骤一中，采用高压水柱剥离部件表面附着的cu膜，水枪压力在16000-26000psi。4.根据权利要求1所述的一种半导体部件超高压物理去膜方法，其特征是：步骤五中，将步骤一中经过喷砂处理之后的部件采用超声波清洗工艺进行处理，超声波频率35-40khz。5.根据权利要求1所述的一种半导体部件超高压物理去膜方法，其特征是：所述步骤四中，清洗后的废水进入处理装置，所述的处理装置包括调节池、化学反应池一、化学反应池二和沉淀池，处理步骤如下：步骤s1，处理液废水进入调节池，废水在调节池中停留8h，充分调节废水的水质，控制进入化学反应池i中的废水ph值调为4，并保持水量的平衡；步骤s2，调节池的废水进入化学反应池一，投加cao试剂，其浓度为23g/l，搅拌后投加pac试剂，其浓度为2.2g/l，反应5-10min后，投加pam试剂，其浓度为1.7g/l，搅拌并将废水加热至50℃，反应30-35min；步骤s3，化学反应池一中的废水进入化学反应池二，加热至沸腾后，投加(nh4)2so4，其浓度为3.84g/l，再将温度降至25℃，以速度为40 r/min搅拌6h；步骤s4，化学反应池二中的废水进入沉淀池，最后将处理水排出。

技术总结
一种半导体部件超高压物理去膜方法。本发明提供一种半导体设备Amber Cu装置部件FO的清洗方法，采用超高压水洗的方式去除部件上Cu的膜层覆盖区域；将经过超高压水洗之后的部件采用化学药液进行处理，去除部件表面附着的少量残膜；采用纯水超声波对经过酸洗的部件进行清洗。该设计方法可以有效减少部件在清洗再生过程中产生的损耗，从而提高部件的清洗质量和使用次数，适于精密设备维护领域大规模推广应用。用。用。


技术研发人员：周伯成 贺贤汉 周毅
受保护的技术使用者：安徽富乐德科技发展股份有限公司
技术研发日：2022.04.08
技术公布日：2022/7/15