蚀刻装置以及利用其的蚀刻方法与流程

1.本发明涉及蚀刻装置以及利用其的蚀刻方法。


背景技术：

2.通常，瓦片型显示装置(tiled display)为了实现大型画面而包括多个显示装置。在该情况下，位于各所述显示装置之间的边界处的边框(bezel)可能会被使用者识别出，从而使得所述瓦片型显示装置的显示品质下降。
3.因此，为了边框不被使用者识别出，在制造所述瓦片型显示装置时，可以使用背面接合。为了执行所述背面接合，基板的一部分区域可以被蚀刻。


技术实现要素：

4.本发明的一目的在于，提供一种改善了蚀刻品质的蚀刻装置。
5.本发明的其他目的在于，提供一种改善了蚀刻品质的蚀刻方法。
6.但是，本发明的目的并不限于上述的目的，在不脱离本发明的思想和领域的范围可以进行各种扩展。
7.为了达成本发明的一目的，各实施例涉及的蚀刻装置可以包括：喷嘴部，包括至少一个喷嘴，所述喷嘴包括：蚀刻溶液喷射口，向蚀刻对象物提供蚀刻溶液；蚀刻溶液回收口，回收所述蚀刻溶液；以及密封部，包围所述蚀刻溶液喷射口和所述蚀刻溶液回收口，并且防止所述蚀刻溶液的泄漏。
8.在一实施例中，可以是，所述密封部包括氟系橡胶。
9.在一实施例中，可以是，所述密封部位于所述喷嘴的边缘位置，并且所述密封部整体与所述蚀刻对象物接触。
10.在一实施例中，可以是，所述密封部包括一个以上的密封环。
11.在一实施例中，可以是，所述蚀刻对象物包括进行蚀刻的蚀刻区域以及除了所述蚀刻区域以外的非蚀刻区域，所述密封部与所述蚀刻区域的边缘位置接触。
12.在一实施例中，可以是，所述密封部使所述蚀刻溶液位于被所述密封部密封的空间中。
13.在一实施例中，可以是，所述蚀刻区域是附着电路部件的区域。
14.在一实施例中，可以是，所述蚀刻对象物包括基板，所述基板包括所述蚀刻区域以及所述非蚀刻区域。
15.在一实施例中，可以是，所述基板包括聚酰亚胺(pi)。
16.在一实施例中，可以是，所述喷嘴还包括：配管部，与所述蚀刻溶液喷射口连接，并且向所述蚀刻溶液喷射口供给所述蚀刻溶液；以及加热部，位于所述配管部的周边，并且调节所述蚀刻溶液的温度。
17.在一实施例中，可以是，所述蚀刻装置还包括：固定部件，固定所述蚀刻对象物。
18.本发明的各实施例涉及的蚀刻方法可以包括：使包括至少一个喷嘴的喷嘴部与蚀
刻对象物的底面接触的步骤，其中，所述喷嘴包括向所述蚀刻对象物提供蚀刻溶液的蚀刻溶液喷射口、回收所述蚀刻溶液的蚀刻溶液回收口以及包围所述蚀刻溶液喷射口和所述蚀刻溶液回收口并且防止所述蚀刻溶液的泄漏的密封部；以及所述蚀刻溶液喷射口将所述蚀刻溶液喷射到所述蚀刻对象物的底面来蚀刻所述蚀刻对象物的步骤。
19.在一实施例中，可以是，使所述喷嘴部与所述蚀刻对象物的所述底面接触的步骤使所述密封部整体与所述蚀刻对象物的所述底面接触。
20.在一实施例中，可以是，所述蚀刻对象物包括进行蚀刻的蚀刻区域以及除了所述蚀刻区域以外的非蚀刻区域，并且所述密封部与所述蚀刻区域的边缘位置接触。
21.在一实施例中，可以是，所述蚀刻对象物包括基板。
22.在一实施例中，可以是，所述基板包括所述蚀刻区域以及所述非蚀刻区域。
23.在一实施例中，可以是，所述蚀刻方法在使所述喷嘴部与所述蚀刻对象物的所述底面接触的步骤之前还包括：从辅助基板卸下所述基板的步骤；将所述蚀刻对象物固定于固定部件的步骤；以及使所述喷嘴部朝向所述蚀刻对象物的方向移动的步骤。
24.在一实施例中，可以是，所述密封部使所述蚀刻溶液位于被所述密封部密封的空间中。
25.在一实施例中，可以是，所述密封部包括氟系橡胶。
26.在一实施例中，可以是，所述蚀刻方法在蚀刻所述蚀刻对象物的步骤之后还包括：清洗部喷射清洗溶液来清洗所述蚀刻溶液的步骤；以及干燥部去除所述清洗溶液的步骤。
27.(发明效果)
28.在本发明的各实施例涉及的蚀刻装置中，蚀刻装置可以位于蚀刻对象物的下部。所述蚀刻装置可以位于所述蚀刻对象物的下部，从而蚀刻所述蚀刻对象物的底面。由此，蚀刻所述蚀刻对象物的蚀刻溶液可以仅对蚀刻区域进行蚀刻。因此，可以提高蚀刻的准确度，并且可以提高所述蚀刻对象物的品质的完成度。
29.但是，本发明的效果并不限于上述的效果，在不脱离本发明的思想和领域的范围可以进行各种扩展。
附图说明
30.图1是表示本发明的一实施例涉及的蚀刻装置的平面图。
31.图2是表示作为本发明的一实施例涉及的蚀刻对象物的一例的显示装置的平面图。
32.图3是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的框图。
33.图4是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的平面图。
34.图5是沿着图4的
ⅰ‑ⅰ′
线截取的剖视图。
35.图6是表示沿着图4的
ⅱ‑ⅱ′
线截取的一例的剖视图。
36.图7是表示显示装置所包括的第一基板的一例的背面图。
37.图8是放大了图1的a区域的剖视图。
38.图9是表示图1的蚀刻装置所包括的喷嘴的一例的平面图。
39.图10是沿着图9的iii-iii
′
线截取的剖视图。
40.图11是表示图9的又一例的平面图。
41.图12是表示图9的又一例的平面图。
42.图13是表示蚀刻装置所包括的清洗部的一例的剖视图。
43.图14是表示蚀刻装置所包括的干燥部的一例的剖视图。
44.图15至图19是用于说明本发明的一实施例涉及的蚀刻方法的剖视图。
45.符号说明：
46.1：蚀刻装置；10：显示装置；20：固定部件；30：喷嘴部；40：蚀刻对象物；100：基板层；110：第一基板；120：第二基板；200：薄膜晶体管层；300：发光元件层；400：封装层；500：保护膜；600：驱动部；131：第一阻挡层；132：第二阻挡层；140：连接布线；1000、1001、1002：喷嘴；1100：蚀刻溶液喷射口；1200：蚀刻溶液回收口；1300：密封部；1400：配管部；1500：加热部；1600：蚀刻溶液；2000：辅助基板；ea：蚀刻区域；nea：非蚀刻区域；50：清洗部；51：清洗溶液；60：干燥部。
具体实施方式
47.以下，参照附图，更详细说明本发明的各实施例。对于附图上的同一构成要素使用同一符号，并且省略对于同一构成要素的重复说明。
48.图1是表示本发明的一实施例涉及的蚀刻装置的平面图。
49.参照图1，所述蚀刻装置1可以包括喷嘴部30、固定部件20、清洗部(例如，图13的清洗部50)以及干燥部(例如，图14的干燥部60)。所述喷嘴部30可以包括一个以上的喷嘴1000。在其他实施例中，所述喷嘴部30可以仅包括一个喷嘴1000。
50.所述蚀刻装置1可以对蚀刻对象物40进行蚀刻。例如，所述蚀刻对象物40可以是显示装置。
51.图2是表示作为本发明的一实施例涉及的蚀刻对象物的一例的显示装置的平面图。
52.参照图1和图2，本发明的一实施例涉及的所述蚀刻装置1可以对蚀刻对象物40进行蚀刻。所述蚀刻对象物40可以是包括多个显示装置的瓦片型显示装置。各所述显示装置可以单独显示图像或者将一个图像进行分割来显示。各所述显示装置可以包括彼此相同的种类、结构、大小或方式的显示面板，但是并不限于此。
53.各所述显示装置可以沿着第一方向dr1以及与第一方向dr1交叉的第二方向dr2被排列成矩阵形态。例如，如图2所示，瓦片型显示装置可以包括在平面图上以3
×
3形态排列的第一显示装置10a至第九显示装置10i。第一显示装置10a至第九显示装置10i可以分别显示第一图像至第九图像。使用者可以视听组合了所述第一图像至第九图像的图像。但是，本发明的各实施例并不限于此，瓦片型显示装置也可以包括两个至八个或十个以上的显示装置。
54.图3是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的框图。例如，图3的显示装置10可以表示图2的第一显示装置10a至第九显示装置10i中的任一个。
55.参照图3，显示装置10可以包括显示面板dp以及驱动部。所述驱动部可以包括驱动控制部con、栅极驱动部gdv以及数据驱动部ddv，并且可以被配置在不显示图像的非显示区域nda(参照图4)。
56.显示面板dp可以包括多个像素px、多个栅极线gl以及多个数据线dl。各像素px可
以配置在显示图像的显示区域da(参照图4)中。像素px可以与栅极线gl及数据线dl电连接。例如，多个像素px可以沿着第一方向dr1和第二方向dr2被配置成矩阵形态。例如，第二方向dr2可以垂直于第一方向dr1。各个像素px可以包括薄膜晶体管以及发光元件。所述发光元件可以生成光。所述发光元件可以是无机发光二极管或有机发光二极管。
57.栅极线gl和数据线dl可以彼此交叉。例如，各个栅极线gl可以大致在第二方向d2上延伸，并且沿着第一方向d1被排列。各个数据线dl可以大致在第一方向d1上延伸，并且沿着第二方向d2被排列。
58.驱动控制部con可以基于从外部装置提供的输入图像数据idat和输入控制信号ctrl，生成栅极控制信号gctrl、数据控制信号dctrl以及输出图像数据odat。例如，所述输入图像数据idat可以是包括红色图像数据、绿色图像数据和蓝色图像数据的rgb数据。所述输入控制信号ctrl可以包括主时钟信号和输入数据选通信号。所述输入控制信号ctrl还可以包括垂直同步信号和水平同步信号。
59.栅极驱动部gdv可以基于从所述驱动控制部con提供的所述栅极控制信号gctrl，生成栅极信号。例如，所述栅极控制信号gctrl可以包括垂直起始信号和栅极时钟信号。所述栅极驱动部gdv可以向所述显示面板dp的所述栅极线gl依次输出所述栅极信号。
60.数据驱动部ddv可以基于从所述驱动控制部con提供的所述数据控制信号dctrl和所述输出图像数据odat，生成数据信号。例如，所述数据控制信号dctrl可以包括输出数据选通信号、水平起始信号和负载信号。所述数据驱动部ddv可以向显示面板dp的所述数据线dl输出所述数据信号。
61.在一实施例中，所述栅极驱动部gdv和所述数据驱动部ddv可以通过集成电路(integrated circuit)实现。所述栅极驱动部gdv和所述数据驱动部ddv可以包括ic芯片、安装有ic芯片的基板、安装有ic芯片的膜等。
62.图4是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的平面图，图5是沿着图4的
ⅰ‑ⅰ′
线截取的剖视图，图6是表示沿着图4的
ⅱ‑ⅱ′
线截取的一例的剖视图。例如，图4的显示装置10可以表示图2的第一显示装置10a至第九显示装置10i中的任一个。
63.参照图4至图6，所述显示装置10可以包括基板层100、薄膜晶体管层200、发光元件层300、封装层400、保护膜500以及驱动部600。
64.所述基板层100可以包括第一基板110、第二基板120、第一阻挡层131、第二阻挡层132以及连接布线140。
65.所述第一基板110可以是透明的绝缘性基板。所述第一基板110可以具有柔性，使得可以实现弯曲。例如，所述第一基板110可以包括聚酰亚胺(polyimide，pi)。此外，所述第一基板110可以包括聚醚砜(polyethersulfone，pes)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，par)、聚醚酰亚胺(polyetherimide，pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，pet)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，pps)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate，cap)等。
66.所述连接布线140可以配置在所述第一基板110上。所述连接布线140可以包括如金属等这样的导电性物质。所述连接布线140可以电连接薄膜晶体管与所述驱动部600。例如，可以在所述连接布线140的一端部141连接第二电路基板620，并且在所述连接布线140
的另一端部142连接焊盘电极pd。
67.所述第二基板120可以配置在所述第一基板110和所述连接布线140上。所述第二基板120可以配置在所述连接布线140与所述薄膜晶体管层200之间。例如，所述第二基板120可以包括与所述第一基板110实质上相同的物质。
68.所述第一阻挡层131和所述第二阻挡层132可以配置在所述第一基板110与所述第二基板120之间。所述第一阻挡层131可以配置在所述第一基板110与所述连接布线140之间。所述第一阻挡层131可以包括如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等这样的无机绝缘物质。所述第一阻挡层131可以提高所述第一基板110与所述连接布线140之间的粘接力。
69.所述第二阻挡层132可以配置在所述连接布线140与所述第二基板120之间。所述第二阻挡层132可以包括无机绝缘物质。所述第二阻挡层132可以提高所述第二基板120与所述连接布线140之间的粘接力。
70.所述薄膜晶体管层200可以配置在所述基板层100上。所述薄膜晶体管层200可以包括与所述焊盘电极pd电连接的至少一个薄膜晶体管。所述发光元件层300可以配置在所述薄膜晶体管层200上。所述发光元件层300可以包括与所述薄膜晶体管电连接的至少一个发光元件。所述封装层400可以配置在所述发光元件层300上。所述保护膜500可以配置在所述封装层400上。
71.在所述第一基板110与所述薄膜晶体管层200之间可以配置所述焊盘电极pd。所述焊盘电极pd可以配置在所述连接布线140上。即，所述连接布线140可以配置在所述第一基板110与所述焊盘电极pd之间。所述焊盘电极pd可以与所述连接布线140及所述薄膜晶体管电连接。所述焊盘电极pd可以包括如金属等这样的导电性物质。
72.所述第二基板120可以具有与所述连接布线140的另一端部142重叠的第一贯通孔th1。所述第一贯通孔th1可以贯通所述第二基板120和所述第二阻挡层132。所述第一贯通孔th1可以使所述连接布线140的另一端部142的至少一部分露出。所述焊盘电极pd可以配置在所述第二基板120上，并且可以通过所述第一贯通孔th1而与所述连接布线140的所述另一端部142电连接。例如，所述焊盘电极pd可以直接与所述连接布线140接触。
73.所述焊盘电极pd可以向所述第一贯通孔th1内延伸。例如，如图6所示，所述焊盘电极pd可以覆盖所述第一贯通孔th1的侧面和底面。
74.在所述第一贯通孔th1的内部可以配置填充部件fm。所述填充部件fm可以与所述焊盘电极pd接触。所述填充部件fm可以填充所述第一贯通孔th1的内部空间来补偿高低差。
75.驱动部600可以包括第一电路基板610、第二电路基板620以及驱动集成电路。
76.所述第一电路基板610可以配置在所述第一基板110的下部。所述第二电路基板620可以电连接所述第一电路基板610和所述连接布线140。即，所述第一电路基板610可以通过所述第二电路基板620、所述连接布线140和所述焊盘电极pd而与所述薄膜晶体管电连接。
77.所述第二电路基板620的一端部621可以与所述连接布线140连接。例如，所述第二电路基板620的所述一端部621可以通过导电性粘接部件而被附着在所述连接布线140的一端部141上。例如，所述导电性粘接部件可以是各向异性导电膜(anisotropic conductive film)。
78.所述第二电路基板620的另一端部622可以与所述第一电路基板610连接。例如，所
述第二电路基板620的所述另一端部622可以通过所述导电性粘接部件而被附着在所述第一电路基板610的一端部611上。例如，所述第一电路基板610的另一端部612可以被固定在所述第一基板110的下表面上，但是并不限于此。
79.所述第二电路基板620(例如，第二电路基板620的另一端部622)可以朝向所述第一基板110的下部被弯曲(bending)。例如，所述第二电路基板620可以具有可被弯曲的弯曲部623。所述第二电路基板620的弯曲部623可以被定义为第二电路基板620的一端部621与第二电路基板620的另一端部622之间。
80.虽然未图示，但是所述驱动集成电路可以被安装在第一电路基板610和/或第二电路基板620上。例如，图3的驱动控制部con可以被安装在第一电路基板610上。例如，图3的栅极驱动部gdv和数据驱动部ddv可以被安装在第二电路基板620上。但是，这是例示，本发明涉及的蚀刻对象物40并不限于此。
81.图7是表示显示装置所包括的第一基板的一例的背面图。例如，图7可以表示图4的显示装置10所包括的第一基板110被左右颠倒的情况。
82.参照图4至图7，在一实施例中，第一基板110可以包括蚀刻区域ea以及非蚀刻区域nea。
83.所述第一基板110的所述蚀刻区域ea可以表示被所述蚀刻装置(例如，图1的蚀刻装置1)蚀刻的区域。因此，所述蚀刻区域ea可以表示贯通所述第一基板110的开口区域。但是，并不限于此，在其他实施例中，蚀刻区域ea可以具有比非蚀刻区域nea的厚度小的一定厚度。所述非蚀刻区域nea可以表示除了被所述蚀刻装置1蚀刻的区域以外的剩余区域。
84.所述非蚀刻区域nea可以与所述焊盘电极pd重叠。所述第一基板110的所述非蚀刻区域nea可以与所述连接布线140的所述另一端部142重叠。所述蚀刻区域ea可以与所述连接布线140的所述一端部141重叠。此外，所述蚀刻区域ea可以与所述第二电路基板620的所述一端部621重叠。所述连接布线140的所述一端部141和所述第二电路基板620的所述一端部621可以在所述蚀刻区域ea彼此接触。因此，所述蚀刻区域ea可以是为了电连接所述薄膜晶体管和所述第一电路基板610而所需的区域。
85.图8是放大了图1的a区域的剖视图。图9是表示图1的蚀刻装置所包括的喷嘴的一例的平面图。图10是沿着图9的iii-iii
′
线截取的剖视图。
86.参照图1、图8、图9和图10，所述喷嘴1000可以包括蚀刻溶液喷射口1100、蚀刻溶液回收口1200、密封部1300、配管部1400以及加热部1500。
87.所述蚀刻溶液喷射口1100可以向蚀刻对象物40提供蚀刻溶液1600。具体而言，所述蚀刻溶液喷射口1100可以向所述蚀刻对象物40中的所述蚀刻区域ea提供所述蚀刻溶液1600。所述蚀刻溶液喷射口1100可以通过所述配管部1400接收蚀刻溶液1600的供给。从所述配管部1400供给的所述蚀刻溶液1600可以通过所述蚀刻溶液喷射口1100被喷射到所述蚀刻对象物40的底面40a。被喷射的所述蚀刻溶液1600可以蚀刻所述蚀刻对象物40。具体而言，所述蚀刻溶液1600可以蚀刻所述蚀刻对象物40的所述蚀刻区域ea。所述蚀刻溶液1600在蚀刻所述蚀刻对象物40之后可能会残留在所述蚀刻对象物40上。
88.所述蚀刻溶液1600可以包括强碱性物质。例如，所述蚀刻溶液1600可以包括koh等。所述蚀刻溶液1600可以包括能够去除所述蚀刻对象物40的物质。具体而言，所述蚀刻溶液1600可以蚀刻包括聚酰亚胺的所述第一基板110。因此，所述蚀刻溶液1600可以包括能够
蚀刻聚酰亚胺的koh等。
89.所述蚀刻溶液回收口1200可以回收残留在所述蚀刻对象物40上的所述蚀刻溶液1600。在所述蚀刻溶液1600蚀刻所述蚀刻对象物40之后还继续残留在所述蚀刻对象物40的情况下，所述蚀刻溶液1600还会蚀刻所述蚀刻区域ea的周边的非蚀刻区域nea。即，蚀刻对象物40可能会被蚀刻成与预先设定的图案不同。因此，所述蚀刻溶液回收口1200可以回收蚀刻所述蚀刻区域ea后残留的所述蚀刻溶液1600。
90.所述蚀刻溶液回收口1200可以位于所述喷嘴1000的中心部分。各个所述蚀刻溶液回收口1200可以在平面上具有圆形的形状。所述蚀刻溶液喷射口1100可以被配置成包围所述蚀刻溶液回收口1200。所述喷嘴1000可以包括多个所述蚀刻溶液喷射口1100。所述蚀刻溶液喷射口1100可以位于所述蚀刻溶液回收口1200的周边。所述蚀刻溶液喷射口1100所处的所述喷嘴1000的部分和所述蚀刻溶液回收口1200所处的所述喷嘴1000的部分之间可以倾斜。即，所述蚀刻溶液回收口1200所处的所述喷嘴1000的上表面可以位于比所述蚀刻溶液喷射口1100所处的所述喷嘴1000的上表面低的位置处。因此，残留的所述蚀刻溶液1600可以随着倾斜而聚积在所述蚀刻溶液回收口1200的附近。因此，所述蚀刻溶液回收口1200可以更容易地回收残留的所述蚀刻溶液1600。
91.图11是表示图9的又一例的平面图。
92.参照图11，在一实施例中，各个所述蚀刻溶液喷射口1100可以被设置成与喷嘴1001的中心部分、所述喷嘴1001的长边及短边相邻。各个所述蚀刻溶液喷射口1100可以在平面上具有矩形的形状。各个所述蚀刻溶液回收口1200可以位于各个所述蚀刻溶液喷射口1100之间。与图9相同，所述蚀刻溶液喷射口1100所处的所述喷嘴1001的部分和各个所述蚀刻溶液回收口1200所处的所述喷嘴1001的部分之间可以倾斜。因此，所述蚀刻溶液回收口1200可以更容易地回收残留的所述蚀刻溶液1600。
93.图12是表示图9的又一例的平面图。
94.参照图12，在一实施例中，可以与喷嘴1002的中心部分、所述喷嘴1002的长边及短边相邻地设置各个所述蚀刻溶液喷射口1100。各个所述蚀刻溶液喷射口1100可以在平面上具有圆形的形状。各个所述蚀刻溶液回收口1200可以位于各所述蚀刻溶液喷射口1100之间。与图9相同，各个所述蚀刻溶液喷射口1100所处的所述喷嘴1002的部分和各个所述蚀刻溶液回收口1200所处的所述喷嘴1002的部分之间可以倾斜。因此，所述蚀刻溶液回收口1200可以更容易地回收残留的所述蚀刻溶液1600。图12涉及的喷嘴1002可以包括比图9涉及的喷嘴1000更多的蚀刻溶液喷射口1100以及蚀刻溶液回收口1200。因此，图12涉及的喷嘴1002可以向所述蚀刻对象物40一次性提供更多的所述蚀刻溶液1600。此外，图12涉及的喷嘴1002可以一次性回收更多的残留在所述蚀刻对象物40的所述蚀刻溶液1600。因此，可以减少进行所述蚀刻对象物40的蚀刻工序时所需的时间。
95.参照图1、图8、图9和图10，在一实施例中，所述密封部1300可以包围所述蚀刻溶液喷射口1100和所述蚀刻溶液回收口1200。即，在被所述密封部1300包围的区域的内部，可以存在所述蚀刻溶液喷射口1100和所述蚀刻溶液回收口1200。所述密封部1300可以位于所述喷嘴1000的边缘位置。
96.所述密封部1300可以防止所述蚀刻溶液1600从所述蚀刻区域ea泄漏到所述非蚀刻区域nea。所述密封部1300整体可以与所述蚀刻对象物40接触。例如，所述密封部1300可
以与所述第一基板110的底面110a接触。所述蚀刻对象物40的底面40a可以表示所述第一基板110的底面110a。具体而言，所述密封部1300可以与所述第一基板110中的所述蚀刻区域ea的边缘位置接触。所述密封部1300与所述蚀刻区域ea接触而密接到所述蚀刻区域ea，从而物质不会从所述密封部1300的内部泄漏到所述密封部1300的外部。即，所述密封部1300可以防止所述蚀刻溶液1600从所述蚀刻区域ea泄漏到所述非蚀刻区域nea。
97.在所述喷嘴1000的中心部分设置所述蚀刻溶液喷射口1100和所述蚀刻溶液回收口1200，并且在所述喷嘴1000的边缘位置部分设置所述密封部1300，从而所述蚀刻溶液1600可以位于被所述密封部1300密封的空间中。在附图上示出了所述密封部1300的形状为四边形的情况，但是所述密封部1300的形状并不限于此。所述密封部1300的形状可以根据所述蚀刻区域ea的形状来决定。
98.所述密封部1300可以具有粘合性，并且也可以具有弹性。此外，为了不会因所述蚀刻溶液1600受损，所述密封部1300可以具有出色的耐化学性。所述密封部1300可以包括氟系橡胶。例如，所述密封部1300可以包括氟橡胶(fluoroelastomer)、全氟橡胶(perfluoroelastomer)中的至少一种。所述氟系橡胶对作为所述蚀刻溶液1600的强碱性液体的耐化学性可以出色。因此，所述密封部1300不会因所述蚀刻溶液1600受损，并且可以防止所述蚀刻溶液1600的泄漏。
99.所述密封部1300可以包括一个以上的密封环1310、1320。在所述密封环1310、1320为两个以上的情况下，与所述密封环为一个的情况相比更容易防止所述蚀刻溶液1600的泄漏。例如，所述密封部1300可以包括第一密封环1310以及第二密封环1320。所述第一密封环1310可以被设置成比所述第二密封环1320更靠近所述蚀刻溶液回收口1200和蚀刻溶液喷射口1100。所述第二密封环1320可以位于所述第一密封环1310的外部。因此，所述第一密封环1310可以初次防止所述蚀刻溶液1600的泄漏。在从所述第一密封环1310泄漏了所述蚀刻溶液1600的情况下，所述第二密封环1320可以防止泄漏的所述蚀刻溶液1600的泄漏。因此，可以防止所述蚀刻溶液1600向所述第二密封环1320的外部泄漏。
100.由于所述密封部1300应接触所述第一基板110，因此包括所述密封部1300的所述喷嘴部30还可以包括移动部件。即，所述移动部件可以使所述喷嘴部30在上下移动。通过所述移动部件，所述喷嘴部30可以在第三方向dr3上移动。通过所述喷嘴部30的移动，所述喷嘴部30所包括的所述密封部1300可以与所述第一基板110的底面110a接触。在所述密封部1300与所述第一基板110的底面110a接触而密封所述蚀刻区域ea之后，可以从所述蚀刻溶液喷射口1100向所述第一基板110提供所述蚀刻溶液1600。在所述第一基板110的所述蚀刻区域ea被蚀刻之后，所述喷嘴部30可以在与第三方向dr3相反的第四方向dr4上移动而位于原位置。
101.所述配管部1400可以位于所述喷嘴1000的内部。所述配管部1400可以向所述蚀刻溶液喷射口1100供给所述蚀刻溶液1600。所述配管部1400可以与储存部连接。储存所述蚀刻溶液1600的所述储存部可以配置在蚀刻装置1的内部或者所述蚀刻装置1的外部的其他区域。所述储存部可以与所述蚀刻装置1内的所述配管部1400连接，从而供给所述蚀刻溶液1600。
102.所述加热部1500可以位于所述配管部1400的周边。所述加热部1500可以被内置在所述喷嘴1000的内部。所述加热部1500可以在所述配管部1400的周边对流经所述配管部
1400的所述蚀刻溶液1600进行加热。因此，所述加热部1500可以调节所述蚀刻溶液1600的温度或者将所述蚀刻溶液1600的温度维持恒定。所述蚀刻溶液1600可以在最佳的温度下蚀刻所述蚀刻对象物40，因此可以缩短蚀刻所述蚀刻对象物40时所需的时间。
103.所述喷嘴部30可以包括至少一个所述喷嘴1000。例如，如图所示，可以包括三个以上的喷嘴1000。即，所述喷嘴部30所包括的所述喷嘴1000的个数可以与所述蚀刻区域ea的个数相同。此外，各个所述喷嘴1000可以位于与各个所述蚀刻区域ea相同的位置处。
104.在一实施例中，所述喷嘴1000包括所述密封部1300，从而可以仅蚀刻所述蚀刻区域ea。在以往的显示装置所包括的基板的蚀刻工序中，为了仅蚀刻所述基板的蚀刻区域，可能还需要光刻工序。所述光刻工序可以包括涂布工序、曝光工序、显影工序和去除工序等。因此，所述显示装置的制造工序复杂，可能需要更多的费用。但是，本发明涉及的所述蚀刻装置1包括所述密封部1300，从而可以仅蚀刻所述蚀刻区域ea。因此，除了所述蚀刻装置1所包括的所述喷嘴部30、清洗部50和干燥部60以外，无需额外的其他装置。此外，除了使所述喷嘴部30上下移动并且蚀刻所述蚀刻区域ea的工序以外，无需额外的涂布工序、曝光工序和显影工序。因此，显示装置的制造工序变得简单化，可以降低费用。
105.参照图1和图8，所述蚀刻装置1所包括的固定部件20可以固定所述蚀刻对象物40。例如，所述固定部件20可以是吸附部件和包括夹具的支承部件中的一个。在所述固定部件20为吸附部件的情况下，所述吸附部件可以包括一个以上的真空孔。所述吸附部件可以将所述真空孔设置成真空状态，通过被维持真空状态的所述真空孔，可以将预定的吸附力提供至所述蚀刻对象物40。其结果，所述蚀刻对象物40可以被固定于所述固定部件20。此外，所述固定部件20可以是包括夹具的支承部件。可以利用所述夹具固定所述蚀刻对象物40并且进行蚀刻工序。但是，本发明涉及的蚀刻装置1并不限于此，所述蚀刻装置1可以利用静电卡盘或者夹具来固定所述蚀刻对象物40。
106.图13是表示蚀刻装置所包括的清洗部的一例的剖视图。
107.参照图13，所述蚀刻装置1所包括的所述清洗部50可以在蚀刻所述蚀刻对象物40之后，清洗残留于所述蚀刻对象物40的所述蚀刻溶液1600。在所述蚀刻溶液1600残留于所述蚀刻对象物40的情况下，所述非蚀刻区域nea可能会被所述蚀刻溶液1600蚀刻，因此应当去除所述蚀刻溶液1600。因此，从所述蚀刻对象物40卸下所述喷嘴部30之后，所述清洗部50可以向所述蚀刻对象物40侧移动，从而向所述蚀刻对象物40喷射清洗溶液51。在一实施例中，所述清洗部50不同于所述喷嘴部30，可以向所述蚀刻对象物40的所述蚀刻区域ea和所述非蚀刻区域nea全部喷射所述清洗溶液51。
108.图14是表示蚀刻装置所包括的干燥部的一例的剖视图。
109.参照图14，所述干燥部60可以在清洗所述蚀刻对象物40之后，去除残留于所述蚀刻对象物40的所述清洗溶液51。例如，所述干燥部60可以喷射高压空气来去除所述清洗溶液51。
110.图15至图19是用于说明本发明的一实施例涉及的蚀刻方法的剖视图。
111.参照图15至图19说明的蚀刻装置1的蚀刻方法之中，对于与参照图1至图14说明的蚀刻装置1相同的事项，由于已上述过，因此以下可以省略。
112.参照图15，蚀刻对象物40可以配置在辅助基板2000上。所述蚀刻对象物40可以包括基板层100、薄膜晶体管层200、发光元件层300、封装层400以及保护膜500。所述基板层
100可以包括第一基板110和第二基板120。所述蚀刻对象物40可以配置在所述辅助基板2000上。具体而言，所述第一基板110的底面110a可以与所述辅助基板2000接触。所述辅助基板2000可以在进行蚀刻工序之前的工序期间执行支承所述蚀刻对象物40的作用。所述蚀刻对象物40可以在进行蚀刻工序之前从所述辅助基板2000被卸下。
113.参照图16，所述蚀刻对象物40可以被固定于所述蚀刻装置1所包括的固定部件20。为了进行蚀刻工序，所述蚀刻对象物40可以被固定于所述固定部件20。所述固定部件20可以是吸附部件或者包括夹具的支承部件。例如，所述固定部件20可以是吸附部件。所述固定部件20可以被附着于所述蚀刻对象物40所包括的保护膜500。相当于所述蚀刻对象物40的底面的所述第一基板110的底面110a是存在所述蚀刻区域ea的部分，因此在相当于所述蚀刻对象物40的上表面的所述保护膜500的上表面可以附着所述固定部件20。
114.但是，本发明涉及的各实施例并不限于此，在其他实施例中，所述蚀刻装置1还可以包括设置所述蚀刻对象物40的工作台。所述蚀刻对象物40可以从所述辅助基板2000被卸下之后，位于所述工作台上。此时，图15的所述蚀刻对象物40可以以左右反转的形态位于所述工作台上。即，为了保护所述第一基板110，所述蚀刻对象物40可以在所述工作台上被配置成所述保护膜500与所述工作台接触。所述蚀刻装置1为了蚀刻所述第一基板110，可以通过所述固定部件20使所述蚀刻对象物40再次左右反转。因此，所述第一基板110可以位于所述蚀刻对象物40的下部，可以蚀刻所述第一基板110的底面110a。
115.参照图17，在所述固定部件20固定所述蚀刻对象物40之后，所述蚀刻装置1所包括的喷嘴部30可以向所述蚀刻对象物40侧移动。即，所述喷嘴部30可以沿着作为朝向所述蚀刻对象物40的底面(例如，图1的所述蚀刻对象物40的底面40a(即，所述第一基板基板110的底面110a))侧的方向的第三方向dr3移动。所述喷嘴部30还可以包括用于移动所述喷嘴部30的移动部件。所述移动部件可以在第三方向dr3和第四方向dr4上移动。因此，所述喷嘴部30也可以在第三方向dr3和第四方向dr4上移动。
116.参照图18和图19，所述喷嘴部30可以与所述蚀刻对象物40的底面40a接触。例如，图19可以是放大了图18的b区域的剖视图。具体而言，所述喷嘴部30所包括的多个喷嘴1000可以与所述第一基板110的底面110a接触。各个所述喷嘴1000可以位于与所述蚀刻区域ea相同的位置上。各个所述喷嘴1000可以与各个所述蚀刻区域ea密接。
117.还参照图9时，各个所述喷嘴1000可以包括蚀刻溶液喷射口1100、蚀刻溶液回收口1200以及密封部1300。所述密封部1300可以与所述蚀刻区域ea的边缘位置接触，从而从外部密封所述蚀刻区域ea。
118.所述密封部1300可以整体与所述蚀刻区域ea接触之后，所述蚀刻溶液喷射口1100可以向所述蚀刻区域ea提供所述蚀刻溶液1600。所述密封部1300可以使所述蚀刻溶液1600位于被所述密封部1300密封的空间中。因此，所述蚀刻溶液1600可以不暴露于所述非蚀刻区域nea，可以仅蚀刻所述第一基板110中的所述蚀刻区域ea。蚀刻所述蚀刻区域ea后残留的所述蚀刻溶液1600可以被回收到所述蚀刻溶液回收口1200。
119.所述喷嘴部30蚀刻所述蚀刻区域ea之后，所述喷嘴部30可以向第四方向dr4移动。即，所述喷嘴部30可以如图17所示那样移动到原位置。此时，可以从所述第一基板110卸下所述密封部1300。
120.参照图13和图14，所述蚀刻对象物40被蚀刻之后，所述清洗部50可以去除残留于
所述蚀刻对象物40的所述蚀刻溶液1600。即，所述清洗部50可以向所述蚀刻对象物40的所述第一基板110喷射所述清洗溶液51来清洗所述蚀刻对象物40。此外，所述蚀刻对象物40被清洗之后，所述干燥部60可以去除残留于所述蚀刻对象物40的所述清洗溶液51。即，所述干燥部60可以喷射高压空气来使所述清洗溶液51干燥。
121.在以往的蚀刻方法中，蚀刻装置从蚀刻对象物的上部对蚀刻对象物进行蚀刻，因此可以对所述蚀刻对象物的上表面进行蚀刻。此时，残留于所述蚀刻对象物上的蚀刻溶液由于重力或外力，可以向所述蚀刻对象物的侧面移动。所述蚀刻溶液沿着所述蚀刻对象物的上表面和侧面移动的同时，除了蚀刻区域以外的非蚀刻区域以及除了基板以外的其他部件也可能会受损。
122.在本实施例涉及的蚀刻方法中，所述蚀刻装置1可以位于所述蚀刻对象物40的下部。所述蚀刻装置1位于所述蚀刻对象物40的下部并且蚀刻所述蚀刻对象物40的底面40a(即，所述第一基板110的底面110a)，因此蚀刻所述蚀刻对象物40后残留的所述蚀刻溶液1600可以因重力而朝向第四方向dr4下降。即，所述蚀刻溶液1600可以不朝向除了所述蚀刻区域ea以外的所述非蚀刻区域nea移动。因此，即使所述蚀刻溶液1600被残留，也不会使所述非蚀刻区域nea以及除了所述第一基板110以外的其他部件120、200、300、400、500受损。因此，所述蚀刻方法可以提高所述蚀刻对象物40的蚀刻的准确度，并且可以提高所述蚀刻对象物40的品质。
123.(产业上的可利用性)
124.由本发明的例示性的各实施例涉及的蚀刻装置制造出的显示装置可以适用于计算机、笔记本电脑、移动电话、智能电话、智能平板、pmp、pda、mp3播放器等所包括的显示装置中。
125.以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但是本领域技术人员应当可以理解在不脱离权利要求书所记载的本发明的思想和领域的范围内可以对本发明进行各种修正和变更。