在经光刻胶涂布的衬底的植入期间确定及校正预期剂量变动的技术的制作方法

在经光刻胶涂布的衬底的植入期间确定及校正预期剂量变动的技术
1.相关申请
2.本技术主张优先于2019年12月6日提出申请的序列号为62/944,811且名称为“在经光刻胶涂布的衬底的植入期间确定及校正预期剂量变动的技术(techniques for determining and correcting for expected dose variation during implantation of photoresist-coated substrates)”的美国临时专利申请，且所述美国临时专利申请全文并入本文供参考。
技术领域
3.本实施例涉及处理装置及方法，且更具体来说涉及在离子植入工艺中控制束电流的方法。


背景技术：

4.当今，采用各种类型的处理装置来使用离子处置或处理衬底。对于处理例如半导体衬底等衬底，可使用离子来对衬底上的层或特征进行刻蚀。离子也可用于在衬底上沉积层或结构、将物质植入到衬底中、或使衬底非晶化。还开发出对衬底的处理进行监测的技术，以控制衬底的处理。
5.为使用经扫描的点束(spot beam)为衬底的离子植入提供精确的剂量控制，可在衬底处或衬底附近提供电流监测器(例如法拉第杯监测器(faraday cup monitor))。在一些离子植入机中，对经扫描的点束实行实时监测，以估测被提供至衬底的离子剂量。可邻近衬底设置电流传感器(例如法拉第杯)，以在垂直方向上对衬底进行扫描的同时拦截沿着第一方向来回扫描的点束。举例来说，当在电流传感器处测量的离子剂量与目标离子剂量不匹配时，可使用实时监测来调整对点束的扫描。
6.在一些情形中，为确保在植入期间将适当的离子剂量传送到衬底，位于衬底附近的电流监测器可实行电流测量。在一些情形中，闭环法拉第(closed loop faraday，clf)监测器可设置在衬底位置之外的衬底位置的正上游，并且可拦截离子束且当沿着给定方向对离子束进行扫描时用于测量积分电流(integrated current)。可将此积分电流与由位于衬底平面处的监测器(例如轮廓电流探测器(profile current detector，pf))测量的积分电流进行比较，以确定积分clf电流对积分pf电流的比率。pf探测器可放置在例如与衬底的中心位置对应的位置处。稍后可采用所确定的此比率来确保在不同衬底之间提供不均匀的离子剂量的可重复性，且用于控制上/下衬底的均匀性。
7.为确保在离子植入期间将适当的束电流或离子剂量传送到衬底，clf组件可在植入工艺期间测量束电流，同时耦合到束控制器以在植入期间动态地调整束电流。因此，在植入期间在clf处测量的电流的变化可触发用于调整束线组件的信号，以增加或减少被传送到衬底的束电流。举例来说，对于经扫描的点束，所测量的clf电流的变化可能导致衬底的扫描速度的变化，以调整被传送到衬底的给定部分的有效束电流。
8.应注意，尽管位于衬底的上游的束线组件的功能变动可能会影响在离子植入期间被传送到衬底的束电流，然而一般不将在植入期间在环绕衬底的条件下的局部变动考虑在内，且因此不通过使用电流监测器来调整束电流的已知植入系统校正所述变动。
9.针对这些及其他考虑因素可能需要本改善方案。


技术实现要素：

10.在一个实施例中，提供一种方法。所述方法可包括：使用第一植入配方通过在沿着第二轴线对涂布有光刻胶层的衬底进行扫描的同时在所述衬底之上沿着第一轴线对离子束进行扫描来实行植入，所述第二轴线垂直于所述第一轴线；以及使用位于衬底位置的一侧的第一探测器在所述植入期间在多个时刻测量植入电流(i)。所述方法可包括：在所述多个时刻基于所述植入电流确定差值比率的值，所述差值比率由(i-b)/(b)表示，其中b是在不存在所述衬底时在基准压力下的校准期间由所述第一探测器测量的电流。所述方法还可包括：基于所述差值比率确定在所述植入期间电流比率(cr)的分别对于所述多个时刻的多个值，所述电流比率是所述植入电流对在所述校准期间由第二探测器测量的电流的比率，所述第二探测器位于所述衬底位置之上。所述方法可包括：基于所述电流比率，调整对所述离子束的所述扫描和/或对所述衬底的所述扫描。
11.在另一实施例中，一种离子植入机可包括：离子源，根据植入配方产生离子束；扫描机，对所述离子束进行扫描；第一探测器及第二探测器，测量所述离子束的电流；衬底平台，对衬底进行扫描；以及控制器，控制所述离子束。所述控制器可被配置成：通过在沿着第二轴线对涂布有光刻胶层的衬底进行扫描的同时在所述衬底之上沿着第一轴线对所述离子束进行扫描来实行植入，所述第二轴线垂直于所述第一轴线；以及使用位于衬底位置的一侧的第一探测器在所述植入期间在多个时刻测量植入电流(i)。所述控制器可被配置成：在所述多个时刻基于所述植入电流确定差值比率的值，所述差值比率由(i-b)/(b)表示，其中b是在不存在所述衬底时在基准压力下的校准期间由所述第一探测器测量的电流。所述控制器还可被配置成：基于所述差值比率确定在所述植入期间电流比率(cr)的分别对于所述多个时刻的多个值，所述电流比率是所述植入电流对在所述校准期间由第二探测器测量的电流的比率，所述第二探测器位于所述衬底位置之上。所述控制器可被配置成：基于所述电流比率，调整对所述离子束的所述扫描、对所述衬底的所述扫描或者它们的组合。
12.在另一实施例中，一种对衬底进行植入的方法可包括：使用第一植入配方通过在沿着第二轴线对衬底进行扫描的同时在所述衬底之上沿着第一轴线对离子束进行扫描来实行植入，所述第二轴线垂直于所述第一轴线；以及使用位于衬底位置的一侧的第一探测器在所述植入期间测量植入电流(i)。所述方法可包括：基于所述植入电流确定差值比率的值，所述差值比率由(i-b)/(b)表示，其中b是在基准压力下的校准期间由所述第一探测器测量的电流。所述方法还可包括：基于所述差值比率确定在所述植入期间电流比率(cr)的值，所述电流比率是所述植入电流对在所述校准期间由第二探测器测量的电流的比率，所述第二探测器位于所述衬底位置之上；以及基于所述电流比率，调整对所述离子束的所述扫描、对所述衬底的所述扫描或者它们的组合。
附图说明
13.图1a到图1f示出在气体斜坡校准期间随着离子植入机中气体压力的变化的束电流监测器参数的变动。
14.图2a及图2c示出在两种不同的条件下气体斜坡测量的结果，而图2b及图2d分别示出使用与图2a及图2c所示相同的测量方案的植入期间的气体压力行为。
15.图3a及图3b示出在两种不同的条件下在植入期间的电流相对于在植入之前在基准压力下测量的基准电流的变动。
16.图4a及图4b示出与参考衬底相比，在两种不同的条件下植入的衬底的水平及垂直rs线扫描，从而示出由于气体压力影响的过量植入。
17.图5示出示例性工艺流程。
18.图6以方块形式示出根据本公开各种实施例的束线离子植入机的俯视平面图。
具体实施方式
19.现将在下文中参照其中示出的一些实施例的附图更充分地阐述本实施例。本公开的主题可被实施成许多不同的形式且不被视为仅限于本文中所述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开将全面及完整，且将向所属领域中的技术人员充分传达所述主题的范围。在图式中，相同的编号始终指代相同的元件。
20.本文中阐述的实施例提供用于产生衬底的受控离子植入的新颖的处理装置及方法。
21.在各种实施例中，公开将包括clf电流及比率(例如可在衬底的植入期间感应到的clf电流/pf电流)的束电流参数的变动考虑在内的技术，其中压力变化可能发生在衬底附近。如本文中所公开的，已实行的实验已发现：由包括光刻胶层的衬底的植入引起的压力变化可系统地影响clf电流及其他束电流参数。根据本实施例，通过将这些影响考虑在内，可更精确地控制被传送到衬底的束电流。
22.图6以方块形式示出根据本公开各种实施例的束线离子植入机(被示出为离子植入机100)的俯视平面图。离子植入机100包括被配置成产生离子束104的离子源102。离子束104可被设置为沿着例如x方向等方向被扫描的点束。在本文中使用的惯例中，z方向是指与离子束104的中心射线轨迹平行的轴线的方向。因此，如图所示，z方向的绝对方向以及x方向在离子植入机100内的不同点处可发生变动，其中x方向垂直于z方向。离子束104在照射设置在衬底平台114上的衬底116之前可行进穿过分析器磁体106、质量分辨狭缝(mass resolving slit)108且穿过准直器112。在一些实施例中，衬底平台114可被配置成至少沿着y方向对衬底116进行扫描。在图1中所示的实例中，离子植入机100包括束扫描器110。当离子束104被设置为点束时，束扫描器110可沿着x方向对离子束104进行扫描，从而生成经扫描的离子束，也沿着x方向在衬底处进行扫描。所得经扫描的点束的宽度可与衬底116的宽度w相当。
23.在各种实施例中，离子植入机100可被配置成传送用于与单电荷离子的1kev到300kev的植入能量范围对应的“低”能量离子植入或“中等”能量离子植入(例如1kv到300kv的电压范围)的离子束。如下所述，可依据对给定经扫描离子束进行的电流测量来对被提供到衬底116的离子束的扫描进行调整。
24.离子植入机100还包括电流探测器118(例如闭环电流探测器且尤其是闭环法拉第电流探测器(clf))，以对被提供到衬底116的束电流进行监测。电流探测器118被设置成在衬底区119之外拦截离子束，且可被配置成在对离子束104的扫描期间记录所测量的离子束104的积分电流。
25.离子植入机100还包括扫描调整组件120。扫描调整组件120可耦合到束扫描器110以及电流探测器118。扫描调整组件120可耦合到一个或多个组件，以调整对离子束104的扫描，尤其是在其中可实行测量的情形中。扫描调整组件120可包括基于各种输入产生用于调整对离子束104的扫描的调整信号的逻辑。在一些情况下，扫描调整组件120的逻辑可在硬件、固件或硬件与软件的组合中实施。在一些实例中，扫描调整组件120可包括例如控制器120-a及存储器120-b等电路系统，所述电路系统耦合到软件以执行用于调整对离子束104的扫描的指令。实施例并不仅限于此上下文。
26.本发明人已发现：在某些配置下，当在其中使用从clf监测器获得的电流读数调整植入的闭环控制下向经光刻胶涂布的衬底中实行离子植入时，实际植入的离子剂量偏离预期离子剂量。经光刻胶涂布的衬底可部分地、大部分地或全部覆盖有光刻胶层，其中光刻胶层在一些情形中可充当植入掩模。在不受特定理论限制的情况下，光刻胶植入期间实际植入剂量与预期植入剂量的偏差可能是由于衬底116附近及电流探测器118附近的环境中的局部压力波动造成的。
27.根据本公开的各种实施例，如针对以下各图所述，确定及调整由于光刻胶植入引起的压力的变化(例如在衬底终端站中的压力的变化)。已进行了一系列实验来记录探测到的电流的变化随着环境压力的变化。应注意，已观察到在经光刻胶涂布的晶片(衬底)的植入期间，衬底站中的压力从背景压力升高到介于1e-5
托到5e-5
托范围内的压力。根据一些实施例，为快速确定探测到的电流随着压力的变动，在不存在衬底时特意将气体(用于晶片冷却)排放到衬底台板中。在设定配方之后，在衬底台板上没有晶片的情况下，晶片冷却压力迅速斜向上升(在一些情形中近似一秒钟)，直到终端站压力达到与衬底植入过程期间遇到的峰值相当的值(如上所述，存在光刻胶)。接着压力斜向下降。在终端站中的压力斜向上升的同时，在终端站内对离子束进行扫描且记录clf电流及轮廓仪(profiler，pf)电流(其中pf监测器放置在晶片中心位置)，因此电流值的变动包括clf电流/pf电流比率，所述比率如何随着clf电流而变动。
28.转到图1a到图1f，图1a到图1f示出在各种情况下随着环境压力的变化的束电流监测器参数的变动。图中x轴线上显示的压力是在容纳衬底的终端站处测量的。图1a及图1c示出在气体压力斜坡上升期间clf电流及轮廓仪电流相对于终端站压力的关系。在图1a中，数据取自第一植入机配置，而在图1c中，数据取自第二植入机配置。在这两种配置中，在上游位置处(例如在束扫描器110处)没有气体被排放到植入机中。图1b及图1d分别示出对于图1a及图1c的配置clf/pf电流比率的变动(意指clf电流除以轮廓仪(pf)电流，其中轮廓仪探测器放置在晶片中心位置)。
29.显而易见的是，在经光刻胶涂布的衬底的植入期间感应到的压力的压力特性范围内，探测到的电流及clf/pf电流比率随着气体压力而变动。另外，植入机2中的电流及clf/pf电流比率的变动大于植入机1的配置中的电流及clf/pf电流比率的变动。clf/pf电流比率在植入机2上变动百分之几，但在植入机1上变动《0.5％。图1e及图1f分别示出植入机2的
探测到的电流及电流比率，其中气体以1sccm的速率排放到扫描器室(参见束扫描器110)中的终端站上游。在扫描室中增加排放将植入机2中的clf/pf电流比率变动减小到《0.5％。
30.总之，以上结果示出探测到的电流及clf/pf电流比率对终端站压力、植入机配置及上游存在气体排放的强烈相关性。应注意，在其中在上游(例如在扫描室中)实行气体排放的情形中，衬底处的植入物质的能量污染可能会增加。因此，在终端站上游使用无气体排放常常有助于减少能量污染。然而，如图1d中所示，实际的“晶片上”电流比探测到的clf电流预测值增加了近似4％，在经光刻胶涂布的晶片的植入(近似10微托)期间以预期峰值排出压力。这些结果表明，在植入机2中对经光刻胶涂布的衬底使用无气体排放植入过程应相对于使用1sccm排放到扫描器室对相同衬底实行的植入过程而以使衬底过量近似4％的方式实行。
31.图2a及图2c示出植入机2在如上所述的对于两个不同的气体压力监测器示出的无排放及1sccm排放条件下的气体斜坡校准测量结果。如以下说明中所论述的，可使用受控气体斜坡实验建立各种校准曲线，包括表示各种实体的曲线，所述曲线包括被称为差值比率和/或电流比率的比率。图2b及图2d分别示出使用与图2a及图2c相同的测量方案的植入期间的气体压力行为。这些结果显示，对于无排放的情况及1sccm排放，在植入机2上，对于气体斜坡校准及实际植入测试而言上游压力相对于终端站压力(ig3，位于x轴线上)的变动是相似的。
32.图3a绘制出相对于在不存在晶片时可从被引导到终端站中的衬底位置中的离子束预期的电流值，因存在经光刻胶涂布的晶片而产生的测量的植入电流偏差。具体来说，y轴线绘制出被称为差值比率的比率，且被定义为由第一探测器在给定压力下测量的瞬时电流(i)减去由第一探测器在气体斜坡开始之前在基准压力下测量的基准电流(b)之间的差值，其中所述差值除以所述基准电流。也就是说，所述差值比率可表示为(i-b)/b。在所述实例中，第一探测器是闭环法拉第探测器(clf探测器)。这样一来，在基准压力下，植入机终端站中的压力可介于低于2
×
10-6
托的范围内。图3a所示数据是基于图1c，且表示如上所述其中没有排放气体被引入到终端站的上游的情形。在衬底被装载到涂布有光刻胶的衬底台板上之后，在衬底的植入期间通过位于衬底的一侧的clf探测器测量植入电流。这样一来，在植入期间，由于光刻胶的排气作用，可发生压力增大。在图3a中所示的数据中，跨越衬底对离子束进行扫描，当离子束使衬底上的光刻胶排气到终端站中时产生压力偏移。图3a中的数据表示仅在一个晶片(衬底)的植入期间获取的数据。一般来说，当跨越晶片对离子束进行扫描时，终端站中的压力随着束位置而波动，从当束位于距晶片的边缘最远时略小于2
×
10-5
托的低值增大到当束位置在晶片的中心中时近似1
×
10-5
托的高值。所有的数据点表示从终端站中瞬时记录的压力及由clf监测器记录的瞬时测量的束电流得出的数据。因此，所示的数据表示在跨越晶片的对离子束的多次扫描中获取的多次记录。
33.如图3a中所示，在此实例中，(i-b)/b比率从最低压力到最高压力单调增加近似0.5％，意指测量的植入电流比预期高近似0.5％。在图3b中，差值比率((i-b)/b比率)被绘制为电流比率变化的函数(在此实例中为clf电流/轮廓电流比率)，其中负％表示clf电流/轮廓电流比率相对于基准压力下的比率的降低。
34.因此，基于图3a及图3b的趋势，当在将涂布有光刻胶的衬底暴露于离子束而clf电流改变时，相对于基准压力的压力变化可从图3a确定，且相对于基准比率的clf/轮廓电流
比率的％变化可从图3b确定。应注意，压力变化也可用于校正中性效应，且可在用于校正clf电流/轮廓电流比率的变化的程序中的表格中获得。
35.因此，当衬底(例如经光刻胶涂布的晶片)暴露于离子束(例如扫描离子束)时，植入电流的变化可由例如clf等传感器实时地测量，其中植入电流的此种变化用于确定终端站处的压力变化以及相对于基准值的clf电流/轮廓电流比率变化。因此，晶片上的电流将是已知的。可基于植入电流变化而根据压力变化来确定对衬底产生影响的物质的中性成分。
36.图4a及图4b示出与参考衬底相比，在两种不同条件下植入的衬底的水平及垂直电阻(rs)线扫描，从而示出由于气体压力影响的过量植入。在图4a中，上面两条曲线是被示出随着衬底上位置的变化的对于裸植入衬底的水平电阻值及垂直电阻值。在此种情况下，电阻相对较高。在图4a中，下面两条线是在扫描器室的上游未实行排放的情况下具有光刻胶的植入衬底的水平电阻值及垂直电阻值。如图所示，电阻值低得多，表明相对于目标剂量，衬底已过量了近似5％，如裸衬底所示。在图4b中，在植入期间实行1sccm的气体排放的情况下，裸衬底的rs值(上面两条曲线)与图1a中所期望的rs值相同，而经光刻胶涂布的衬底的rs值(下面两条曲线)略低，表明与图4a所示无排放情形相比离子过量较小。两种情形之间的过量差是由气体斜坡校准数据预测的，例如图1d的数据中所反映。
37.总之，以上结果表明，向存在光刻胶的衬底植入的传送剂量与使用从气体斜坡校准得出的clf电流/pf电流比率数据对传送剂量的预测匹配，所述气体斜坡校准确定clf电流/pf电流比率随着终端站中气体压力的变化。这些结果显示来自气体斜坡测试校准的clf电流/pf电流比率数据，以更精确地控制植入到经光刻胶涂布的衬底中的传送离子剂量。换句话说，确定clf电流/pf比率的值随着植入电流与目标电流的偏差的变化可用于向晶片传送更精确的剂量。也就是说，在基准压力(基准电流)下测量的clf电流相对于设定电流的％变化可用于预测clf电流/pf电流比率变动。这种方法相应地将环境压力排除在方程式之外，因此校正不依赖于离子计量精确度(ion gauge accuracy)。
38.因此，根据本公开的实施例，在一系列至少一个晶片(或衬底)涂布有光刻胶的植入期间，可例如在每一晶片的植入工艺开始时通过clf监测器进行电流测量，其中电流测量基于先前测量的电流比率(clf电流/pf电流比率)被转换回实际植入电流。
39.因此，根据本实施例，为对给定的离子植入配方实行剂量补偿，可仅采用一个校正因子(“剂量补偿”因子)，所述因子与调谐条件无关。此因子将电流比率变动(clf_电流/轮廓仪_电流)的净效应以及由于电荷交换相互作用而由离子生成的中性粒子效应考虑在内。中性粒子对变动的贡献不取决于设定条件，而电流比率变动取决于设定条件。因此，在实践中，剂量补偿因子可随着调谐条件的变化而变动。本实施例通过测量给定调谐条件下电流比率随压力的变动来更精确地确定净剂量补偿因子的可变部分。
40.图5示出根据本公开实施例的工艺流程500。在方块510处，实行受控气体斜坡校准工艺，其中，在气体斜坡校准期间测量电流比率的多个值。电流比率表示由位于衬底的一侧的第一探测器测量的电流与由位于衬底位置之上的第二探测器测量的电流的比率。在一个实例中，电流比率可表示由闭环法拉第探测器测量的电流与由轮廓探测器测量的电流的比率。实行多次测量随着容纳衬底的末端站中的压力的变化，所述压力处于给定压力范围内。给定压力范围可覆盖当在经光刻胶涂布的衬底之上对离子束进行扫描时产生的压力范围。
41.在方块520处，在气体斜坡校准期间，在方块510所示操作的给定压力范围内计算差值比率的多个值，其中差值比率被定义为在给定压力下由第一探测器测量的瞬时电流(i)减去在基准压力下在气体斜坡开始之前由第一探测器测量的基准电流(b)之间的差值，其中所述差值除以所述基准电流。也就是说，所述差值比率可表示为(i-b)/b。
42.根据本公开的各种实施例，可在根据给定离子植入配方植入给定的多个衬底之前实行方块510及520所示操作，且可以表格、图形或函数的形式获得结果，以表示对于给定配方差值比率(i-b)/b随着压力的变动。
43.在方块530处，确定例如对于用于产生方块510及520的给定植入配方差值比率随着电流比率的变动。换句话说，可对于给定数目的压力值确定电流比率。具体来说，对于方块520及530的气体斜坡校准期间的每一压力值，确定电流比率测量值且确定差值比率，使得每一测量电流比率值对应于差值比率值。举例来说，在不同气体压力下，这些不同的电流比率值及差值比率可存储为表格、函数或图形，以表达差值比率与电流比率的相关性或差值比率随着电流比率的变动。
44.在方块540处，在涂布有光刻胶层的衬底之上对离子束进行扫描。可在给定轴线(例如笛卡尔坐标系(cartesian coordinate system)的x轴线)之上对离子束进行扫描。同时，可沿着与第一轴线垂直的第二轴线(例如y轴线)对衬底进行扫描。可使用在方块510及520的气体斜坡校准期间采用的植入配方来对离子束进行扫描。在一些实例中，根据一些非限制性实施例，可以给定速率(例如0.5khz到5khz)来回扫描离子束。同时，可以其中在离子束之下从一端到相对端扫描衬底可需要十分之几秒到几秒的持续时间的扫描速率对衬底进行扫描。这样一来，在衬底从一端扫描到相对端的持续时间期间，可沿着第一方向对离子束来回扫描几百次。这样一来，在对衬底(例如圆形衬底)的扫描期间，随着衬底从仅在离子束之下对衬底边缘进行扫描的位置移动到在离子束之下对衬底最宽部分进行扫描的位置，光刻胶的排气会增加。因此，在从一端到另一端扫描衬底期间，气体压力可发生变动。
45.根据不同的实施例，方块540及随后的那些方块的衬底可为根据用于在方块510及520处产生信息的配方要被植入的多个衬底中的一个衬底。
46.在方块550处，在衬底之上对离子束进行扫描期间，使用位于衬底位置的一侧的第一探测器测量植入电流。在离子束之下的对衬底的单次扫描期间，可在大量时刻瞬时地测量植入电流，例如数十次或数百次。也就是说，在沿着与第二轴线垂直的第一轴线扫描的离子束之下沿着第二轴线扫描衬底的所述一秒的持续时间期间，可由第一探测器每隔几毫秒实行植入电流的测量。
47.在方块560处，基于在对衬底及离子束的扫描期间由第一探测器测量的植入电流(i)确定差值比率的值。在一些非限制性实例中，可对于多个植入电流值(例如对于方块550的每一植入电流测量值)来确定差值比率的值。可基于方块520的基准电流的值来确定差值比率的值。在此操作中，差值比率的计算一般如方块520的校准操作中所示般进行，而在方块560处，差值比率的值是基于在实际植入期间由第一探测器测量的瞬时植入电流(i)，其中b的值如方块520处所述，且基准电流(b)表示在离子束之下对衬底进行扫描之前在植入开始时测量的基准电流。
48.在方块570处，在对离子束及衬底扫描期间的多个时刻，通过将计算的差值比率映射到在方块530处确定的差值比率/电流比率曲线或函数或表格来确定第一探测器与第二
探测器之间的电流比率(cr)。可对于给定扫描期间的多个时刻确定电流比率，例如对于由第一探测器收集的每一植入电流测量值确定电流比率。
49.在方块580处，基于在方块570中的多个时刻测量的电流比率来计算校正电流。接着，基于使用在方块570处确定的电流比率的校正电流来调整对离子束的扫描。举例来说，在对衬底的扫描期间，可在多个时刻内确定cr的多个值。在第一扫描期间，cr的这些值有助于确定测量的离子电流(由位于衬底的一侧的第一探测器测量)与衬底上的电流偏离多远。更具体来说，对于给定扫描(或多次扫描)，衬底上的离子剂量(扫描剂量)与衬底上的电流乘以扫描时间成比例，其中衬底上的电流基于由第一探测器测量的电流(i)乘以电流比率来计算。如在已知方法中，给定扫描的扫描速度可基于在给定扫描之前从固定数目的先前扫描记录的平均晶片上电流。对于任何给定扫描，晶片上的电流＝(所述扫描的clf电流)/(所述clf电流的cr)。
50.总之，本实施例提供用于校正植入条件的各种优点，包括仅使用一个校正因子来调整条件的第一个优点。所提供的另一个优点是离子剂量的校正不依赖于离子计量精确度，这是由于对压力随着时间漂移的测量在剂量补偿因子中已经得到间接考虑。
51.本公开的范围不受本文中所述的具体实施例限制。实际上，通过以上说明及附图，对所属领域中的普通技术人员来说，除本文中所述实施例及修改之外，本公开的其他各种实施例及对本公开的各种修改也将显而易见。因此，这些其他实施例及修改均旨在落于本公开的范围内。此外，尽管在本文中已针对特定目的而在特定环境中在特定实施方案的上下文中阐述了本公开，然而所属领域中的普通技术人员将认识到，本公开的效用并不仅限于此且可出于任何数目的目的在任何数目的环境中有益地实施本公开。因此，应考虑到本文中所述本公开的全部范围及精神来理解以上所述的权利要求。