金属化薄膜和使用该金属化薄膜的薄膜电容器的制作方法

技术特征：
1.金属化薄膜，包括：电介质薄膜，是具有第一面以及所述第一面相反侧的第二面、且膜厚为1～3μm的电介质薄膜，所述第一面的算术平均高度sa1和所述第二面的算术平均高度sa2不同，所述第一面的最大高度sz1满足下式(1)，所述第二面的最大高度sz2满足下式(2)；和，设置于所述第二面的金属膜；100nm＜sz1≤350nm (1)；10nm≤sz2≤100nm (2)。2.根据权利要求1所述的金属化薄膜，所述最大高度sz1的最大峰高度sp1大于最大谷深度sv1。3.薄膜电容器，包括：层叠或卷绕权利要求1或2所述金属化薄膜而成的主体部；和，设置在该主体部的外部电极。

技术总结
本公开的金属化薄膜，包括：电介质薄膜，是具有第一面以及第一面相反侧的第二面、且膜厚为1～3μm的电介质薄膜，第一面的算术平均高度和第二面的算术平均高度不同，第一面的最大高度Sz1满足式100nm＜Sz1≤350nm，第二面的最大高度Sz2满足式10nm≤Sz2≤100nm；和，设置于所述第二面的金属膜。所述第二面的金属膜。所述第二面的金属膜。


技术研发人员：安平睦基 中尾吉宏
受保护的技术使用者：京瓷株式会社
技术研发日：2020.12.01
技术公布日：2022/7/12