一种结构改进的密封环的制作方法

1.本技术涉及机械密封的领域，尤其是涉及一种结构改进的密封环。


背景技术：

2.机械密封是靠一对或数对垂直于轴做相对滑动的端面在流体压力和补偿机构的弹力(或磁力)作用下保持贴合并配以辅助密封而达到阻漏的轴封装置。机械密封主要部件包括密封环、冷却装置和压紧弹簧，其中，密封环包括动环和静环。
3.参照图1，在相关技术中，动环1安装在动环座2上，两者随轴旋转，静环3安装在静环座3上，两者静止，动环1和静环3相贴合。随着轴转动，腔体内的介质向外泄漏，从而在动环1和静环3之间形成一层流体膜，当动环1和静环3之间的闭合力与动环1和静环3之间的开启力相等时，流体膜达到稳定，密封达到受力平衡，此时流体膜稳定存在，介质不会往外泄漏，从而完成密封。
4.针对上述相关技术，发明人认为在动环转动过程中，介质不便于从腔体流动至动环和静环之间，从而影响流体膜的形成，进而影响对介质的密封性。


技术实现要素：

5.为了便于介质从腔体流动至动环和静环之间，从而便于动环和静环之间流体膜的形成，进而提高对介质的密封性，本技术提供一种结构改进的密封环。
6.本技术提供的一种结构改进的密封环采用如下的技术方案：
7.一种结构改进的密封环，包括动环本体，所述动环本体上开设有流动孔，介质沿所述流动孔从腔体流向动环和静环之间。
8.通过采用上述技术方案，动环本体上开设有流动孔，当动环本体转动时，腔体内的介质沿流动孔流向动环和静环之间，从而便于介质的流动，进而便于动环和静环之间流体膜的形成，提高了对介质的密封性。
9.可选的，所述流动孔贯通动环本体两个端面，所述流动孔靠近静环一端向远离动环本体轴线方向倾斜设置。
10.通过采用上述技术方案，流动孔靠近静环一端向远离动环本体轴线方向倾斜设置，在动环本体转动过程中，流动孔内的介质受到离心力的作用从腔体流向动环和静环之间，从而提高了介质流动的便捷性，进而便于在动环和静环之间形成流体膜，提高了对介质的密封性；同时由于离心力的作用，介质聚集在流动孔靠近静环的一端，流动孔内的其他介质对靠近静环一端的介质起到推动作用，从而提高了流体膜的稳定性，进而提高了对介质的密封效果。
11.可选的，所述流动孔设置为多条，多条所述流动孔沿动环本体周向均匀设置。
12.通过采用上述技术方案，流动孔设置为多条，介质沿多条流动孔流向动环和静环之间，增加了介质的流动路径，从而提高了介质的流动效率，进而加快了流体膜的形成。
13.可选的，所述动环本体上开设有第一流动槽，所述第一流动槽位于动环本体与静
环抵接一端，所述第一流动槽内部与流动孔内部连通。
14.通过采用上述技术方案，流动孔内的介质流到第一流动槽内，由于离心力的作用，介质聚集在第一流动槽内，从而提高了介质在动环与静环端面流动的稳定性，进而便于流体膜的形成。
15.可选的，所述第一流动槽沿动环本体周向开设。
16.通过采用上述技术方案，介质在第一流动槽内沿动环本体周向流动，从而提高了介质在动环本体端面流动的均匀性，进而提高了流体膜的稳定性。
17.可选的，所述动环本体上开设有第二流动槽，所述第二流动槽位于动环本体与静环抵接一端，所述第二流动槽位于第一流动槽靠近动环轴线一侧，所述第二流动槽内部与第一流动槽内部连通。
18.通过采用上述技术方案，当介质在第一流动槽内聚集足够多后，介质从第一流动槽流向第二流动槽，从而扩大了动环本体与静环接触面上的介质的流动范围，进而便于流体膜的形成；第二流动槽位于第一流动槽靠近动环轴线一侧，从而提高了介质在动环本体与静环端面上分布的均匀性，进而提高了流体膜的稳定性。
19.可选的，所述第一流动槽与第二流动槽之间通过多条导流槽连通，所述导流槽位于动环本体与静环抵接一端，多条所述导流槽沿动环本体周向均匀设置。
20.通过采用上述技术方案，介质沿多条导流槽从第一流动槽流向第二流动槽，从而增加了介质的流动路径，提高了介质从第一流动槽流动到第二流动槽内的效率，进而提高了形成流体膜的效率。
21.可选的，所述动环本体上开设有多个储液槽，每个所述储液槽内部均与相邻的流动孔内部连通，所述储液槽位于动环本体与静环抵接一端。
22.通过采用上述技术方案，在动环本体转动过程中，每个流动孔内的介质受到离心力的作用均流至相邻的储液槽内，动环本体端面的介质在多个储液槽内聚集，从而提高了动环本体端面介质的稳定性，进而提高了流体膜的稳定性，提高了流体膜对介质的密封效果。
23.可选的，所述储液槽深度从中心区域向四周逐渐减小。
24.通过采用上述技术方案，储液槽深度从中心区域向四周逐渐减小，相比于平底等深浅槽，储液槽内深浅不一，从而储液槽内聚集的介质动压更大，形成流体膜的厚度和刚度更大，进而提高了对介质的密封效果。
25.综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：
26.1.动环本体上开设有流动孔，当动环本体转动时，腔体内的介质沿流动孔流向动环和静环之间，从而便于介质的流动，进而便于动环和静环之间流体膜的形成，提高了对介质的密封性；
27.2.流动孔靠近静环一端向远离动环本体轴线方向倾斜设置，在动环本体转动过程中，流动孔内的介质受到离心力的作用从腔体流向动环和静环之间，从而提高了介质流动的便捷性，进而便于在动环和静环之间形成流体膜，提高了对介质的密封性；同时由于离心力的作用，介质聚集在流动孔靠近静环的一端，流动孔内的其他介质对靠近静环一端的介质起到推动作用，从而提高了流体膜的稳定性，进而提高了对介质的密封效果；
28.3.当介质在第一流动槽内聚集足够多后，介质从第一流动槽流向第二流动槽，从
而扩大了动环本体与静环接触面上的介质的流动范围，进而便于流体膜的形成；第二流动槽位于第一流动槽靠近动环轴线一侧，从而提高了介质在动环本体与静环端面上分布的均匀性，进而提高了流体膜的稳定性。
附图说明
29.图1是本技术背景技术整体结构示意图；
30.图2是本技术实施例1整体结构剖视图，主要用于展示流动孔；
31.图3是本技术实施例2整体结构剖视图，主要用于展示第一流动槽、第二流动槽以及导流槽；
32.图4是本技术实施例2整体结构平面图，主要用于展示第一流动槽、第二流动槽以及导流槽；
33.图5是本技术实施例3整体结构平面图，主要用于展示储液槽；
34.图6是本技术实施例3整体结构剖视图，主要用于展示储液槽。
35.附图标记说明：1、动环；2、动环座；3、静环；4、静环座；5、动环本体；51、流动孔；52、第一流动槽；53、第二流动槽；54、导流槽；55、储液槽。
具体实施方式
36.以下结合附图2-6对本技术作进一步详细说明。
37.本技术实施例公开一种结构改进的密封环。
38.实施例1
39.参照图2，一种结构改进的密封环包括动环本体5，动环本体5上开设有多个流动孔51，多个流动孔51沿动环本体5周向等距间隔设置，腔体内的介质沿流动孔51流到动环本体5和静环3之间。流动孔51贯穿动环本体5两个端面，流动孔51靠近静环3的一端向远离动环本体5轴线方向倾斜设置，流动孔51轴线在动环本体5端面上的投影与动环本体5半径平行。
40.本技术实施例1的实施原理为：轴转动时，带动动环本体5转动，转动过程中，介质进入流动孔51内，在离心力的作用下，介质会产生远离动环本体5轴线方向的趋势，从而在流动孔51内流向动环本体5与静环3抵接一端，从而形成流体膜，随着动环本体5转动，流体膜会在离心力的作用下始终存在于动环本体5与静环3之间，从而提高了动环本体5和静环3之间的密封性，进而提高了对介质的密封效果。
41.实施例2
42.参照图3和图4，与实施例1不同之处在于，动环本体5与静环3抵接一端开设有第一流动槽52，第一流动槽52沿动环本体5周向开设，第一流动槽52横截面形状设置为弧形，流动孔51靠近静环3一端与第一流动槽52内部连通。动环本体5与静环3抵接一端开设有第二流动槽53，第二流动槽53沿动环本体5周向开设，第二流动槽53与第一流动槽52同轴设置，第二流动槽53位于第一流动槽52靠近动环本体5轴线一侧，第二流动槽53横截面面积大于第一流动槽52横截面面积。第二流动槽53横截面形状设置为弧形，第一流动槽52和第二流动槽53之间通过导流槽54连通，多条导流槽54沿动环本体5周向等距间隔设置，导流槽54长度方向与动环本体5径向平行，每条导流槽54均设置于相邻两个流动孔51之间。
43.本技术实施例2的实施原理为：流动孔51内的介质在离心力的作用下流至第一流
动槽52内，介质在第一流动槽52内流动，当第一流动槽52内的介质积累足够多后，第一流动槽52内的介质沿导流槽54流向第二流动槽53内，从而形成流体膜。介质在第一流动槽52和第二流动槽53内流动，从而提高流体膜的稳定性。
44.实施例3
45.参照图5和图6，与实施例1不同之处在于，动环本体5与静环3相抵接一端开设有多个储液槽55，多个储液槽55沿动环本体5周向等距间隔设置，储液槽55与流动孔51一一对应设置，储液槽55内部与流动孔51靠近静环3一端连通。储液槽55开口形状设置为椭圆形，储液槽55开口长轴与流动孔51轴向平行。储液槽55的槽深从中心向四周深度逐渐变浅。
46.本技术实施例3的实施原理为：流动孔51内的介质在离心力的作用下流至相邻的储液槽55内，介质在储液槽55内流动，形成流体膜，储液槽55内部从中心向四周深度逐渐变浅，与平底等深浅槽相比，储液槽55内介质的动压更大，形成流体膜的厚度和刚度更大，从而密封效果更好。储液槽55开口形状设置为椭圆形，位于储液槽55两端的介质比位于储液槽55中部的介质的动压更大，从而储液槽55两端的介质对储液槽55中部的介质起推动作用，使得储液槽55中部的介质更稳定，从而形成更稳定的流体膜，进而提高密封效果。
47.以上均为本技术的较佳实施例，并非依此限制本技术的保护范围，故：凡依本技术的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本技术的保护范围之内。