光调制器和制造光调制器的方法与流程

技术特征：
1.一种mos电容器型光调制器，所述mos电容器型光调制器包括：绝缘体上硅soi衬底；第一掺杂区，所述第一掺杂区在所述soi衬底的硅器件层中；以及第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区由竖直地延伸的绝缘体层横向地分离以形成横向mos电容器区，其中所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述绝缘体层由不同的材料形成。2.如权利要求1所述的mos电容器型光调制器，其中所述第二掺杂区形成在iii-v型半导体区中。3.如权利要求1或权利要求2所述的mos电容器型光调制器，其中所述绝缘体层包括氮化硅。4.如任一前述权利要求所述的mos电容器型光调制器，其中所述soi衬底的所述硅器件层具有(100)晶体定向。5.如任一前述权利要求所述的mos电容器型光调制器，其中所述绝缘体层的第一部分在所述第一掺杂区的顶部上水平地延伸，并且所述绝缘体层的第二部分在所述第二掺杂区的下方水平地延伸。6.如权利要求1至4中任一项所述的mos电容器型光调制器，其中所述绝缘体区相对于所述衬底以倾斜角度延伸，以便将所述第二掺杂区与所述第一掺杂区横向地分离。7.一种制造mos电容器型光调制器的方法，所述mos电容器型光调制器具有横向mos电容器区，所述横向mos电容器区包括将第一掺杂区和第二掺杂区横向地分离的竖直地延伸的绝缘体层，其中所述方法包括以下步骤：在绝缘体上硅soi衬底的硅器件层中提供第一掺杂区；以及使半导体区从所述soi衬底的所述硅器件层外延生长，其中所述半导体区包括所述第二掺杂区，并且所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述绝缘体层各自由不同的材料形成。8.如权利要求7所述的方法，其中所述半导体区从所述硅器件层的与所述mos电容器区横向地偏移的区外延生长。9.如权利要求7或权利要求8所述的方法，其中所述半导体区是iii-v型半导体区。10.如权利要求7至9中任一项所述的方法，其中所述soi衬底的所述硅器件层具有(100)晶体结构。11.如权利要求7至10中任一项所述的方法，其中所述方法还包括以下步骤：蚀刻所述半导体区的一部分以形成波导结构，所述波导结构包括所述mos电容器区。12.如权利要求11所述的方法，所述方法还包括以下步骤：将隔离层沉积在所述波导结构上；穿过所述隔离层将第一电触点施加到所述第一掺杂区；以及穿过所述隔离层将第二电触点施加到所述第二掺杂区。13.如权利要求7至12中任一项所述的方法，其中所述方法还包括以下步骤：在上掩模层的下方形成腔；以及在所述腔中使所述半导体区从所述soi衬底的所述硅器件层外延生长。14.如权利要求13所述的方法，其中所述上掩模层包括氮化硅。15.如权利要求13或权利要求14所述的方法，其中形成所述腔的所述步骤包括：
提供牺牲层；将所述上掩模层沉积在所述牺牲层的顶部上；以及选择性地蚀刻所述牺牲层以形成所述腔。16.如权利要求15所述的方法，其中所述方法还包括以下步骤：在所述soi衬底的所述硅器件层中蚀刻沟槽；将下掩模层沉积在所述硅器件层的顶部上和所述沟槽中；在所述下掩模层中蚀刻在所述硅器件层的从所述mos电容器区横向地偏移的区处到达所述硅器件层的开口；以及将所述牺牲层沉积在所述下掩模层上和所述下掩模层中的所述开口中。17.如权利要求16所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在沉积所述上掩模层之前，蚀刻所述牺牲层的一部分到达所述下掩模层。18.如权利要求15至17中任一项所述的方法，其中所述方法还包括以下步骤：通过化学机械平坦化cmp对所述牺牲层进行平坦化。19.如权利要求15至18中任一项所述的方法，其中所述牺牲层包括氧化铝或非晶硅。20.如权利要求15至19中任一项所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在选择性地蚀刻所述牺牲层以形成所述腔之前，在所述上掩模层中蚀刻到达所述牺牲层的开口。21.如权利要求7至12中任一项所述的方法，所述方法还包括以下步骤：通过化学机械平坦化cmp对所述半导体区进行平坦化。22.一种制造mos电容器型光调制器的方法，所述mos电容器型光调制器具有mos电容器区，所述mos电容器区包括半导体区，所述方法包括以下步骤：在上掩模层的下方形成腔；以及在所述腔中使所述半导体区从绝缘体上硅soi衬底的硅器件层外延生长。

技术总结
一种MOS电容器型光调制器，包括：绝缘体上硅(SOI)衬底；第一掺杂区，所述第一掺杂区在所述SOI衬底的硅器件层中；以及第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区由竖直地延伸的绝缘体层横向地分离以形成横向MOS电容器区。所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述绝缘体层由不同的材料形成。层由不同的材料形成。层由不同的材料形成。


技术研发人员：A
受保护的技术使用者：洛克利光子有限公司
技术研发日：2020.08.25
技术公布日：2022/7/10