气体检测方法及信息处理装置与流程

1.本技术涉及一种气体检测方法及一种信息处理装置。


背景技术：

2.已知使用金属氧化物(mox)半导体传感器来检测及识别气体的技术。例如，专利文献1公开一种气体传感器，该气体传感器包括吸附层和传感器层，所述吸附层吸附包括有检测目标气体和非检测目标气体的气体，所述传感器层被所述吸附层覆盖，所述传感器层具有根据穿过吸附层的检测目标气体的浓度而变化的电特性。此外，专利文献2公开一种气体检测装置，该气体检测装置基于第一气体传感器的输出值和第二气体传感器的输出值识别气体的类型。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本专利申请特开第2017-223557号公报
6.专利文献2：日本专利申请特开第2001-175969号公报


技术实现要素：

7.发明要解决的技术问题
8.当还原性气体被吹到正被加热的mox半导体传感器上时，该半导体传感器的电阻值通常在某一温度下开始发生变化。因此，可基于电阻值的变化量(敏感度)检测气体或确定气体的量。此外，当根据温度导致的电阻变化量(敏感度)的曲线存在较大差异时，这使得可识别气体的种类。然而，当曲线没有足够大的差异时，将难以识别气体的种类。
9.鉴于以上描述的情况，本技术的目的是提供一种气体检测方法及一种信息处理装置，其使得可容易地识别气体的特定种类。
10.解决问题的手段
11.根据本技术的实施方式的气体检测方法包括加热半导体传感器，所述半导体传感器包括吸附层，所述吸附层包括金属氧化物。
12.测量存在有还原性气体的空气气氛中的所述半导体传感器的电阻值。
13.以不存在有还原性气体的空气气氛中的所述半导体传感器的电阻值作为基准，当在第一温度范围中所测量的电阻值大于基准，并且在高于第一温度范围的第二温度范围中所测量的电阻值小于基准时，判定所述还原性气体包括检测目标物质。
14.不存在有还原性气体的空气气氛可以是干燥空气。
15.所述半导体传感器可包括多个半导体传感器。在该情况中，加热所述半导体传感器的步骤包括将所述多个半导体传感器中的半导体传感器加热到彼此不同的相应加热温度，并且测量所述半导体传感器的电阻值的步骤包括测量所述多个半导体传感器中的半导体传感器的相应电阻值。
16.所述检测目标物质可以是包括苯甲酸的衍生物的化合物。
17.所述苯甲酸的衍生物可以是苯甲酸己烯酯或苯甲酸苄酯。
18.所述金属氧化物可以是包括金属氧化物材料和催化剂金属材料的烧结体。
19.所述金属氧化物材料可包括氧化钨、氧化铟和氧化锡中的一种，所述催化剂金属材料可包括铱和氧化铱、或钯和氧化钯。
20.根据本技术另一实施方式的一种气体检测方法包括加热半导体传感器，所述半导体传感器包括吸附层，所述吸附层包括金属氧化物。
21.测量存在有还原性气体的空气气氛中的所述半导体传感器的电阻值。
22.将不存在有还原性气体的空气气氛中的所述半导体传感器电阻值与所测量的电阻值之比作为敏感度，当在第一温度范围中敏感度呈现小于1的值，并且当在高于第一温度范围的第二温度范围中所述敏感度呈现大于1的值时，判定所述还原性气体包括检测目标物质。
23.根据本技术的实施方式的一种信息处理装置包括获取部和判断部。
24.获取部获取存在有还原性气体的空气气氛中的金属氧化物半导体传感器的电阻值。
25.判断部以不存在有还原性气体的空气气氛中的所述半导体传感器的电阻值作为基准，判断在第一温度范围中所获取的电阻值是否大于基准，并且在高于第一温度范围的第二温度范围中所获取的电阻值是否小于精准。
26.根据本技术另一实施方式的一种信息处理装置包括获取部和判断部。
27.获取部获取存在有还原性气体的空气气氛中的金属氧化物半导体传感器的电阻值。
28.判断部将不存在有还原性气体的空气气氛中的所述半导体传感器的电阻值与所获取的电阻值之比作为敏感度，判断在第一温度范围中敏感度是否呈现小于1的值，并且在高于第一温度范围的第二温度范围中敏感度是否呈现大于1的值。
附图说明
29.[图1]图1是示意地示出在本技术的实施方式中使用的半导体传感器的主要部分的构造的截面图。
[0030]
[图2]图2示出半导体传感器的驱动电路。
[0031]
[图3]图3示出从半导体传感器输出的电阻值随时间变化的示例。
[0032]
[图4]图4示意地示出加热温度与半导体传感器的电阻值之间的关系。
[0033]
[图5]图5示意地示出加热温度与半导体传感器的敏感度之间的关系。
[0034]
[图6]图6示意地示出在存在特定种类的气体的情况下加热温度与半导体传感器的电阻值之间的关系。
[0035]
[图7]图7示意地示出在存在特定种类的气体的情况下加热温度与半导体传感器的敏感度之间的关系。
[0036]
[图8]图8是用于说明使用敏感度的差异来确定气体的种类的方法的示意图。
[0037]
[图9]图9示意地示出气体检测系统的构造。
[0038]
[图10]图10示出实验结果，该实验结果显示当(a)甲苯、(b)苯和(c)环己烷中的各者被用作为还原性气体时半导体传感器的电阻值和敏感度。
[0039]
[图11]图11示出实验结果，该实验结果显示当(a)苯甲酸己烯酯和(b)苯甲酸苄酯中的各者被用作为还原性气体时半导体传感器的电阻值和敏感度。
[0040]
[图12]图12示意地示出气体检测装置的构造。
[0041]
[图13]图13是示出由气体检测装置进行的处理过程的示例的流程图。
[0042]
[图14]图14是示出由气体检测装置进行的处理过程的另一示例的流程图。
具体实施方式
[0043]
现在将在下面参照附图描述根据本技术的实施方式。
[0044]
[半导体传感器]
[0045]
图1是示意地示出在本技术的实施方式中使用的半导体传感器10的主要部分的构造的截面图。
[0046]
半导体传感器10包括基板11、形成在基板11的前表面上的一对电极12a和12b、设置在所述一对电极12a和12b之间的吸附层13、和布置在基板11的后表面上的加热层14。
[0047]
基板11例如是石英基板。
[0048]
所述一对电极12a和12b各自包括金属层，例如ti或au层，或ti或au膜的堆叠，并且金属层形成在基板11的前表面上以在间隙g两边彼此相对定位。
[0049]
吸附层13包括金属氧化物(mox)，该金属氧化物是包括金属氧化物材料和催化金属材料的烧结体。金属氧化物材料的示例包括氧化钨、氧化铟和氧化锡。催化金属材料的示例包括铱、氧化铱、钯和氧化钯。
[0050]
加热层14用于将吸附层13加热到指定温度，并且包括例如陶瓷加热器。加热层14连接到加热器电源(未示出)，并且能够使用下文描述的控制装置进行加热而到达例如低于或等于400℃的温度。
[0051]
通常，当还原性气体被吹到正被加热的mox半导体传感器上时，半导体传感器的电阻值通常在某一温度下开始变化。因此，可基于电阻值的变化量(敏感度)来检测气体或判断气体的量。此外，当根据温度导致的电阻变化量(敏感度)的曲线存在较大差异时，这使得可识别气体的种类。
[0052]
图2示出半导体传感器10的驱动电路。在图中，rs是传感器电阻，rl是与传感器电阻rs串联连接的负载电阻，且rh是使半导体传感器10被加热的加热器电阻，其中加热层14的加热温度由加热器电压vh调整。此外，当在串联电阻(rs,rl)两端施加电源电压vc时，基于负载电阻rl两端的电压vout，使用下式测量传感器电阻rs。
[0053]
rs＝((vc-vout)/vout)
×
rl
[0054]
图3示出从半导体传感器10输出的电阻值rs随时间变化的示例。在该示例中，半导体传感器10在不存在有还原性气体的空气气氛中被驱动，并将还原性气体注入到该空气气氛中达任何时间段(在该示例中为五秒)。
[0055]
应注意，不存在有还原性气体的空气气氛是指洁净的空气气氛，并且通常是指其中温度和湿度受控的干燥空气气氛。
[0056]
如图3所示，存在有还原性气体的空气气氛中的半导体传感器10电阻值rgas小于在洁净的空气气氛中的半导体传感器10的电阻值rair。当还原性气体的注入停止时，半导体传感器10的输出返回到在洁净的空气气氛中的电阻值(rair)。
[0057]
如果rgas从rair减小的量较大，则对还原性气体的敏感度较高。以下将rair与rgas之比(rair/rgas)定义为传感器敏感度。
[0058]
半导体传感器10的电阻值和敏感度根据加热层14的加热温度而变化。图4示意地示出加热温度与电阻值之间的关系(以下也称为电阻值曲线)。图5示意地示出加热温度与敏感度之间的关系(以下也称为敏感度曲线)。
[0059]
在一般的还原性气体(诸如氢、丙酮、乙醇、甲苯、苯或环己烷)的情况中，随着加热温度升高，半导体传感器10倾向于呈现更大的电阻值减小量，并且呈现具有增大到大于1的值的敏感度，如图4和图5所示。此外，如图5示意性地所示，能够基于敏感度曲线的差异识别三种不同种类的气体g1、g2和g3。
[0060]
通常认为半导体传感器10的电阻值因该种还原性气体而变化是由吸附层13中包含的金属氧化物的氧化还原作用导致氧的解吸造成的。
[0061]
例如，在不存在有还原性气体的空气气氛中，氧被吸附在金属氧化物粒子的表面上，并且在该粒子的表面附近形成空间电荷层。这导致在晶粒间界处形成势垒并因而阻止电子在粒子之间移动。因此，电阻值增大。
[0062]
当在该状态下将还原性气体吹到半导体传感器10上时，吸附在金属氧化物粒子的表面上的氧被消耗，因而使空间电荷层变薄。这导致势垒降低，并因此导致电阻值减小。
[0063]
由于以上描述的电阻值曲线和敏感度曲线对每种气体来说是特有的，因此原则上可基于这些曲线的差异识别气体的种类。然而，当这些曲线的差异不够大时，将难以准确地识别气体种类。
[0064]
另一方面，发明人发现，特定种类的还原性气体具有特定的电阻值曲线和特定的敏感度曲线，如分别在图6和图7中示意性绘示的。
[0065]
换句话说，电阻值在某一温度范围(在图6的示例中在220℃至250℃)中增大，而在高于上述温度范围的温度范围(在图6的示例中在290℃至380℃)中减小。当转换成传感器敏感度时，如图7所示，敏感度在上述温度范围中呈现小于1的值，并且在高于上述温度范围的温度区域(高于或等于约290℃)中呈现大于1的值。
[0066]
应注意，关于产生这种特定曲线的原因，尚不清楚详细原因。然而，可想到以下原因。在低温范围中，由于特定种类的气体被吸附以吸引半导体传感器的电子，因此电阻有所增大，而在高温范围中，由于该特定种类的气体被分解，因此半导体传感器的电阻有所减小。
[0067]
对应于呈现上述特定曲线的气体种类的特定种类的气体g4可以使用敏感度先降低后增大的性质而被容易地识别，如图8所示。
[0068]
呈现这种特定敏感度曲线的种类的气体的示例包括包含苯甲酸的衍生物的化合物，诸如苯甲酸己烯酯或苯甲酸苄酯(参见以下所示的化学式(1))。
[0069]
[化学式1]
[0070]
[0071]
其中r是烷基。
[0072]
[实验示例]
[0073]
发明人使用图9所示的气体检测系统针对多种还原性气体测量了从半导体传感器10输出的电阻值的变化。图9示意地示出气体检测系统20的构造。
[0074]
半导体传感器10被布置在测量腔室21中。干燥空气引入管线l1和还原性气体引入管线l2连接至测量腔室21。为了在测量腔室21内维持恒定压力，引入到测量腔室21中的气体从测量腔室21排出。
[0075]
干燥空气引入管线l1被配置为使得可通过被驱动的泵22a经由电磁阀23a将干燥空气(温度为25℃且相对湿度为31％，并且该温度和湿度也应用于以下描述)引入到测量腔室21。
[0076]
还原性气体引入管线l2被配置为使得可通过被驱动的泵22b将干燥空气引入到填满有还原性气体(饱和蒸气)的气体腔室24中，并且使得可通过电磁阀23b将包括特定浓度的还原性气体的干燥空气引入到测量腔室21中。
[0077]
半导体传感器10的电极12a和12b的每一者均是ti/au膜，其具有5mm
×
4.5mm的矩形形状且具有200nm厚度。电极12a和12b被布置在由石英制成且厚度为525μm的基板11上，使得电极12a的长边和电极12b的长边在5μm的间隙g两边彼此相对定位，其中基板11。在电极12a与12b之间输入的驱动电压vc(参见图2)是5v。吸附层13是n型金属氧化物半导体(wo
3-pd)，包括对应于金属氧化物材料的氧化钨和对应于催化剂金属材料的钯。吸附层13具有从几微米到30微米的厚度。
[0078]
将提供400ml/分钟的流速的可商购的泵用作为泵22a和22b。电磁阀23a和23b的每一者都是能够在完全打开位置和完全关闭位置这两个位置之间切换的开关阀。
[0079]
控制装置25控制电磁阀23a和23b以及加热器电源26，加热器电源26用于使半导体传感器10的加热层14(参见图1)进行加热。
[0080]
控制装置25打开电磁阀23a和23b中的一者并关闭电磁阀23a和23b中的另一者，以便选择干燥空气引入管线l1和还原性气体引入管线l2中的一者。
[0081]
控制装置25通过控制加热器电源26来控制半导体传感器10的加热温度。在从40℃到380℃的范围内任意调整半导体传感器10的加热温度。
[0082]
基于半导体传感器10的输出vout(参见图2)，测量装置27获取在上述加热温度范围中的多个温度下的半导体传感器10的电阻值rs。当通过干燥空气引入管线l1将干燥空气引入到测量腔室21中时，电阻值rs对应于不存在有还原性气体的空气气氛中的电阻值(rair)。当通过还原性气体引入管线l2将通过混合还原性气体和干燥空气获得的混合气体引入到测量腔室21中时，电阻值rs对应于存在有还原性气体的空气气氛中的电阻值(rgas)。
[0083]
使用具有上述配置的气体检测系统20，针对多种还原性气体评估了半导体传感器10的响应特征。
[0084]
图10示出当(a)甲苯、(b)苯和(c)环己烷中的各者被用作为还原性气体时半导体传感器10的电阻值曲线(在上部分中)和敏感度曲线(在下部分中)。
[0085]
如图中所示，这些种类的气体均在大于或等于100℃的加热温度下呈现电阻值变化，并且随着加热温度增大，电阻值的减小量倾向于逐渐增大。类似地，随着加热温度增大，
传感器敏感度倾向于逐渐增大。这些种类的气体的敏感度曲线呈现与图5所示的典型还原性气体的敏感度曲线的方面一致的方面。
[0086]
另一方面，图11示出当(a)苯甲酸己烯酯和(b)苯甲酸苄酯中的各者被用作为还原性气体时半导体传感器10的电阻值曲线(在上部分中)和敏感度曲线(在下部分中)。
[0087]
针对苯甲酸己烯酯和苯甲酸苄酯这两者，在第一温度范围中，在该特定种类的气体被吹到半导体传感器10上时，所获得的半导体传感器10的测量值(rgas)倾向于比在吹送该特定种类的气体之前获得的测量值(rair)大。另一方面，在高于第一温度范围的第二温度范围中，rgas和rair的大小关系颠倒(高于图中箭头指示的温度的温度范围)，rgas小于rair。
[0088]
同样地，传感器敏感度在第一温度范围中呈现小于1的值，而传感器敏感度在第二温度范围(高于图中箭头指示的温度的温度范围)中呈现大于1的值，如图11的(a)和(b)所示。
[0089]
应注意，以上所述的第一温度范围在苯甲酸己烯酯的情况中是指从约120℃到约320℃的范围，而在苯甲酸苄酯的情况中是指从约120℃到约260℃的范围。
[0090]
除了以上已描述的气体种类之外，呈现图11的(a)和(b)所示的特定电阻值曲线和敏感度曲线的气体种类的示例还包括诸如苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯和苯甲酸乙烯酯的苯甲酸衍生物。
[0091]
[气体检测方法]
[0092]
例如，以下描述的包括危险物检测功能的检测装置可作为半导体传感器10的应用示例。
[0093]
为了例如在航站楼检测诸如易燃液体(诸如汽油)、高压气体(诸如气体打火机)或炸药的危险物，可通过检测从危险物产生的挥发性气体来推断危险物的存在。
[0094]
对于从危险物产生的挥发性气体，其具有多种挥发性气体，诸如氢(h2)、一氧化碳(co)、甲苯、丙酮、甲醛、甲醇、乙醇、二氧化氮(no2)、二氧化硫(so2)和氯化氢(hci)。另一方面，这种挥发性气体也从非危险物的物体产生，或者这种挥发性气体存在于环境中。这可能导致危险物检测困难，或者可能导致错误检测。因此，可提前将用于检测的标记物质加入到危险物中或与危险物混合，以便容易找到危险物。
[0095]
使用与从危险物产生的挥发性气体发生化学反应的试剂或使用用于检测的标记物质来检测危险物的化学反应检测方式被用作为用于检测危险物的一般方法。该化学反应检测方式具有使用小型轻量的器件以低成本执行的优点。另一方面，存在以下指出的问题。
[0096]-试剂不是可再利用的，并且因此该方式不适于大规模筛查。
[0097]-需要针对每种危险物提供试剂，并且将稀有气体引入到试剂中需要时间。
[0098]-由于敏感度不是很高，因此难以检测具有低蒸气压的危险物。
[0099]
因此，提前使危险物浸在溶剂(用于检测的标记物质)中，或者提前将溶剂附着到危险物或由危险物承载溶剂，通过金属氧化物(mox)半导体传感器检测从溶剂挥发的气体，这使得可以检测危险物或判断危险物的量。
[0100]
当将呈现特定敏感度曲线的还原性气体(诸如以上描述的苯甲酸衍生物)用作用于检测的标记物质时，这使得与其中检测以上所述的一般还原性气体(挥发性气体)的情况相比，可容易地识别气体的种类。
[0101]
为了识别气体的种类，可参照半导体传感器10的电阻值曲线，或者可参照半导体传感器10的敏感度曲线。
[0102]
当参照电阻值曲线时，加热包括含有金属氧化物的吸附层的半导体传感器10，并且测量存在有还原性气体的空气气氛中的半导体传感器10的电阻值(rgas)。将不存在有还原性气体的空气气氛中的电阻值半导体传感器10的电阻值(rair)作为基准，当在第一温度范围中所测量的电阻值(rgas)大于基准，并且在高于第一温度范围的第二温度范围中所测量的电阻值(rgas)小于基准时，可判定还原性气体包括检测目标物质。
[0103]
另一方面，当参照敏感度曲线时，加热包括含有金属氧化物的吸附层的半导体传感器10，并且测量存在有还原性气体的空气气氛中的半导体传感器10的电阻值(rgas)。对于不存在有还原性气体的空气气氛中的半导体传感器10电阻值与所测量的电阻值(rgas)之比的敏感度(rair/rgas)，当在第一温度范围中敏感度呈现小于1的值，并且在高于第一温度范围的第二温度范围中敏感度呈现大于1的值时，可判定还原性气体包括检测目标物质。
[0104]
(信息处理装置)
[0105]
在以上描述的气体检测系统中，测量装置27可被配置为用于检测包括苯甲酸的衍生物的还原性气体的装置。
[0106]
图12示意地示出测量装置27的构造。测量装置27是包括cpu 271和存储器272的计算机(信息处理装置)。
[0107]
cpu 271包括获取部271a和判断部271b。获取部271a获取存在有还原性气体的空气气氛中的半导体传感器10的电阻值rgas。
[0108]
获取部271a可包括将半导体传感器10的输出(vout)转换成电阻值rgas的计算部。
[0109]
判断部271a被配置为基于由获取部271a获取的半导体传感器10的电阻值rgas判断半导体传感器10的电阻值曲线或敏感度曲线是否是特定的曲线。
[0110]
存储器272是诸如半导体存储器或硬盘的信息储存装置。存储器272在其中储存程序，所述程序用于操作获取部271a和判断部271b作为cpu 271的功能块。此外，存储器272中储存多个数据，这些数据分别与不存在有还原性气体的空气气氛中的半导体传感器10的电阻值曲线和敏感度曲线相关。
[0111]
测量装置27的输出可显示在显示部28上。显示部28上显示例如如图10或11所示的半导体传感器10的电阻值曲线和敏感度曲线。
[0112]
(处理过程1)
[0113]
图13是示出由cpu 271进行的处理过程的示例的流程图。
[0114]
首先，获取部271a获取存在有还原性气体的空气气氛中的半导体传感器10电阻值(rgas)(步骤101)。
[0115]
接着，判断部271b判断在第一温度范围中所测量的电阻值(rgas)是否大于电阻值(rair)，电阻值(rair)是不存在有还原性气体的空气气氛中的半导体传感器的电阻值(步骤102)。
[0116]
当rgas》rair(步骤102中为“是”)时，判断部271b进一步判断在高于第一温度范围的第二温度范围中所测量的电阻值(rgas)是否小于电阻值(rair)，电阻值(rair)是不存在有还原性气体的空气气氛中的半导体传感器的电阻值(步骤103)。
[0117]
当在步骤102和103中判断为“是”时，判断部271b判定还原性气体是检测目标气体(包括苯甲酸的衍生物的气体)(步骤104)。当在步骤102和103的至少一个步骤中判断为“否”时，判断部271b判定还原性气体是非检测目标气体(不包括苯甲酸的衍生物的气体)(步骤105)。
[0118]
(处理过程2)
[0119]
图14是示出由cpu 271进行的处理过程的另一示例的流程图。
[0120]
首先，获取部271a获取存在有还原性气体的空气气氛中的半导体传感器10的电阻值(rgas)(步骤201)。
[0121]
接着，判断部271b判断在第一温度范围中作为不存在有还原性气体的空气气氛中的电阻值的半导体传感器的电阻值(rair)与所测量的电阻值(rgas)之比的敏感度(rair/rgas)是否呈现小于1的值(步骤202)。
[0122]
当rair/rgas《1(步骤202中为“是”)时，判断部271b进一步判断在高于第一温度范围的第二温度范围中敏感度是否呈现大于1的值(步骤203)。
[0123]
当在步骤202和203中判断为“是”时，判断部271b判定还原性气体是检测目标气体(包括苯甲酸的衍生物的气体)(步骤204)。当在步骤202和203的至少一个步骤中判断为“否”时，判断部271b判定还原性气体是非检测目标气体(不包括苯甲酸的衍生物的气体)(步骤205)。
[0124]
上述第一和第二温度范围可被提前设定，或者可在获取各个温度下的全部测量值后确定是否存在对应于第一温度范围和第二温度范围的区域。
[0125]
此外，半导体传感器10在每个加热温度下的电阻值可以是在以特定加热速率增大半导体传感器10的加热温度的同时在特定采样时段中测量的电阻。
[0126]
或者，可以使用当使用多个半导体传感器10时以及当将多个半导体传感器中的半导体传感器分别加热到不同加热温度时的测量值。
[0127]
[其他应用]
[0128]
以上描述的气体检测方法也可应用于其中储存汽油或城市燃气的情况，以便检测易燃液体的泄漏或易燃液体的气化(气体的泄漏)。
[0129]
在这种情况中，提前将包括苯甲酸的衍生物的物质作为用于检测的标记物质加入到汽油或城市燃气中，并且将金属氧化物(mox)半导体气体传感器安装在易燃液体的储存地点附近，以便检测易燃液体的泄漏或气化。而且，在这种应用情况中，可以使用标记物质的特定电阻值曲线或特定敏感度曲线以高敏感度度检测液体或气体的泄漏。
[0130]
应注意，本技术还可采用以下配置。
[0131]
(1)一种气体检测方法，包括：
[0132]
加热半导体传感器，所述半导体传感器包括吸附层，所述吸附层包括金属氧化物；
[0133]
测量存在有还原性气体的空气气氛中的所述半导体传感器的电阻值；及
[0134]
以不存在有所述还原性气体的空气气氛中的所述半导体传感器的电阻值作为基准，当在第一温度范围中所测量的电阻值大于所述基准，且当在高于所述第一温度范围的第二温度范围中所测量的电阻值小于所述基准时，判定所述还原性气体含有检测目标物质。
[0135]
(2)根据(1)所述的气体检测方法，其中
[0136]
不存在有所述还原性气体的空气气氛是干燥空气。
[0137]
(3)根据(1)或(2)所述的气体检测方法，其中
[0138]
所述半导体传感器包括多个半导体传感器，
[0139]
加热所述半导体传感器的步骤包括将所述多个半导体传感器分别加热到不同的加热温度，并且
[0140]
测量所述半导体传感器的电阻值的步骤包括分别测量所述多个半导体传感器的电阻值。
[0141]
(4)根据(1)至(3)中的任一项所述的气体检测方法，其中
[0142]
所述检测目标物质是包括苯甲酸的衍生物的化合物。
[0143]
(5)根据(4)所述的气体检测方法，其中
[0144]
所述苯甲酸的衍生物是苯甲酸己烯酯或苯甲酸苄酯。
[0145]
(6)根据(1)至(5)中的任一项所述的气体检测方法，其中
[0146]
所述金属氧化物是包括金属氧化物材料和催化剂金属材料的烧结体。
[0147]
(7)根据(6)所述的气体检测方法，其中
[0148]
所述金属氧化物材料包括氧化钨、氧化铟或氧化锡，并且
[0149]
所述催化剂金属材料包括铱及其氧化物、或钯及其氧化物。
[0150]
(8)一种气体检测方法，包括：
[0151]
加热半导体传感器，所述半导体传感器包括吸附层，所述吸附层包括金属氧化物；
[0152]
测量存在有还原性气体的空气气氛中的所述半导体传感器的电阻值；及
[0153]
将不存在有还原性气体的空气气氛中的所述半导体传感器的电阻值和所测量的电阻值之比作为敏感度，当在第一温度范围中所述敏感度小于1，并且在高于所述第一温度范围的第二温度范围中所述敏感度大于1时，判定所述还原性气体包括检测目标物质。
[0154]
(9)一种信息处理装置，包括：
[0155]
获取部，所述获取部获取存在有还原性气体的空气气氛中的金属氧化物半导体传感器的电阻值；及
[0156]
判断部，所述判断部以不存在有还原性气体的空气气氛中的所述半导体传感器的电阻值作为基准，判断在第一温度范围中所获取的电阻值是否大于所述基准且在高于所述第一温度范围的第二温度范围中所获取的电阻值是否小于所述基准。
[0157]
(10)一种信息处理装置，包括：
[0158]
获取部，所述获取部获取存在有还原性气体的空气气氛中的金属氧化物半导体传感器的电阻值；及
[0159]
判断部，所述判断部将不存在有还原性气体的空气气氛中的所述半导体传感器的电阻值和所测量的电阻值之比作为敏感度，判断第一温度范围中所述敏感度是否小于1且在高于所述第一温度范围的第二温度范围中所述敏感度是否大于1。
[0160]
附图标记
[0161]
10 半导体传感器
[0162]
11 基板
[0163]
12a、12b 电极
[0164]
13 吸附层
[0165]
14 加热层
[0166]
20 气体检测系统
[0167]
27 测量装置
[0168]
271a 获取部
[0169]
271b 判断部。