一种基于稀土Dy

一种基于稀土dy
3
离子激发强度比的温度探测方法
技术领域
1.本发明属于温度探测技术领域，具体涉及一种基于稀土dy
3
离子激发强度比的温度探测方法。


背景技术：

2.在化学反应、生物功能和各种物理现象等领域，温度是一个非常重要的参量。在较小的尺度上进行局部温度测量往往依赖于非接触式测温技术，其中最常见的方法是红外热成像测温法，该方法根据物体发射的热辐射对物体的表面进行温度测量。当前得到广泛关注的另外一种非接触式测温技术是荧光温度探测技术，该技术通过探测荧光材料的各种随温度变化的荧光光谱学参数实现测温。相比于传统的热成像测温法，荧光温度探测技术能够进行较低温度的测量以及物体表面下的无创温度检测，并具有抗干扰能力强、灵敏度和空间分辨率高且响应迅速等优点。
3.在荧光温度探测技术中，最广泛采用的荧光材料是掺杂三价镧系元素离子的微晶或纳米晶荧光材料，三价镧系离子具有丰富的电子能级结构以及多色的荧光发射。在荧光温度探测技术应用最多的是基于镧系离子的荧光强度比值测温法，该方法可以消除测温过程中的荧光损失、激发光源功率波动以及发光中心的多寡等非温度因素的干扰，具有受到外界干扰小、抗激发功率噪声能力强等特点。三价镧系离子中的dy
3
离子能够在紫外光激发下发射明亮的蓝光和黄光，因此被广泛用于基于荧光强度比的温度探测。目前基于dy
3
荧光强度比的测温方法，一种是采用来自于dy
3
热耦合能级4i
15/2
/4f
9/2
分别向基态6h
15/2
能级跃迁产生的两个蓝光强度比值与温度的定量关系，例如dy
3
掺杂y4al2o9、bayf5、gdvo4、gd2ti2o7、y2sio5和cawo4等荧光材料中，均实现了基于dy
3
两个蓝光强度比值的温度传感行为。另一种是采用dy
3
非热耦合能级的荧光强度比与温度的关系进行温度探测，例如，dy
3
掺杂bayf5荧光粉中4i
15/2
→6h
15/2
跃迁的蓝光和4f
9/2
→6h
11/2
跃迁的红光两者的强度比与温度的定量关系，dy
3
掺杂cawo4荧光粉中4g
11/2
→6h
15/2
跃迁的紫外光和4f
9/2
→6h
15/2
跃迁的蓝光两者间的强度比与温度的定量关系，以及dy
3
掺杂gd2ti2o7荧光粉中基质的陷阱发光与dy
3 4f9/2
→6h
15/2
跃迁发光两者的强度比与温度的定量关系等。
4.除了基于镧系离子的荧光强度比进行温度探测，采用基于激发态吸收的强度比技术进行温度探测也逐渐引起了人们关注。目前基于激发强度比技术的温度探测荧光材料主要集中在镧系离子eu
3
掺杂的荧光材料。例如，eu
3
掺杂y2o3微纳米晶中实现了高温区间611和580nm激发下5d0→7f4跃迁的强度比与温度的定量关系以及低温区间593和580nm激发下5d0→7f4跃迁的强度比与温度的定量关系；eu
3
掺杂yvo4纳米荧光粉中建立了热耦合能级7f2/7f0分别向高阶激发态5d2或者5d0/5d1跃迁的激发强度比与温度的定量关系；eu
3
掺杂lilap4o
12
纳米晶中采用7f0→5d2与7f2/7f3/7f4→5d2跃迁激发的强度比值进行温度传感；eu
3
掺杂yvo4荧光粉还建立了基质v-o电荷传输带强度与7f0→5l6激发强度比值与温度的定量关系。除了eu
3
掺杂荧光材料，在er
3
/yb
3
共掺杂yvo4纳米荧光粉中还发现了分别对应于er
3
离子2h
11/2
/4s
3/2
→4i
15/2
跃迁的v-o电荷传输带激发强度比与温度的定量关系。
5.不管是采用dy
3
热耦合能级4i
15/2
/4f
9/2
向基态6h
15/2
能级跃迁产生的两个蓝光强度比值进行温度探测，还是采用dy
3
非热耦合能级的荧光强度比与温度的关系进行温度探测，都需要先测量出dy
3
离子的发射光谱，然后对发射光谱进行计算得到所需要的发光强度值及强度比值。这一方面要求必须测量dy
3
离子的完整发射光谱，而发射光谱的测量过程较长，另一方面发光强度的计算需要对特定波段的发射光谱进行积分面积的求解，这也导致发光强度计算较复杂，甚至有些情况下还由于发光峰存在重叠导致发光强度的积分面积难于精确计算从而存在较大误差。而本发明基于的dy
3
激发强度比测温方法，仅需要测量dy
3
的两个发射波长对应的激发光强度峰值，根据两个激发峰强度的比值即可建立与温度的关系，不需测量dy
3
的完整发射或者激发光谱，也不需计算积分面积，因此本发明基于的稀土dy
3
离子激发强度比测温技术，方法简单，易于操作。
6.此外，在目前已报道的基于激发强度比技术进行温度探测的方法中，对于激发强度比中的两个激发态强度具有很强的依赖性，选取不同的激发态强度会导致不同的温度传感特性。例如eu
3
掺杂lilap4o
12
纳米晶中7f0→5d2跃迁分别与7f2→5d2跃迁、7f3→5d2跃迁或者7f4→5d2跃迁的激发强度比值与温度之间就存在不同的对应关系，有着不同的温度传感特性。还比如在er
3
/yb
3
共掺杂yvo4纳米荧光粉中，采用的是分别对应于er
3
离子2h
11/2
/4s
3/2
→4i
15/2
跃迁的v-o电荷传输带激发强度比进行温度探测，而计算v-o电荷传输带的激发强度时，如果积分计算v-o电荷传输带的激发波段范围不同，则得到的激发强度比与温度的定量关系也不同。


技术实现要素：

7.为了克服现有技术的不足，本发明提供一种基于稀土dy
3
离子激发强度比的温度探测方法，采用稀土dy
3
离子两个不同发射波长对应的激发光峰值强度，通过两者激发强度比与温度的定量关系，实现了一种基于稀土dy
3
离子激发强度比技术的测温新方法，具有测量简单、激发波长可选择性好、温度传感灵敏度高和可重复性好的特点。
8.本发明的上述目的是通过以下技术方案实现的：一种基于稀土dy
3
离子激发强度比的温度探测方法，具体步骤为：
9.s1.测量固定温度下dy
3
掺杂cawo4荧光粉在a和b两个发射波长对应的激发光峰值强度，测量得到的激发光强度分别记为其中i＝1、2、3或者4，分别对应于λ1＝352nm或λ2＝326nm或λ3＝366nm或λ4＝388nm四个波长的激发光，所述a波长具体为455nm，b波长具体为479nm、488nm或575nm其中一种；
10.s2.计算上述温度下激发光强度的比值，即其中i＝1,2,3
11.或者4，分别对应于λ1＝352nm或λ2＝326nm或λ3＝366nm或λ4＝388nm四个波长的激发光；
12.s3.改变dy
3
掺杂cawo4荧光粉的温度，重复上述步骤s1和s2，获得激发光强度比与温度t的关系曲线；
13.s4.采用公式对步骤s3获得的曲线进行拟合，求得拟合常数a、b、c的值，进而得到基于dy
3
掺杂cawo4荧光粉激发强度比与温度的定量关系，其中r为激发光强度
比，t为温度。
14.进一步的，所述步骤s1、s2中温度为305～650k内任一温度值。
15.进一步的，所述步骤s3中温度为305～650k内不同于步骤s1、s2中温度的任一温度值。
16.本发明的基于dy
3
离子激发强度比测温技术中，采用的是dy
3
的两个发射波长对应的激发光峰值强度，不需测量dy
3
完整的发射或者激发光谱用于计算发射峰或者激发峰的积分面积，因此本发明基于的稀土dy
3
离子激发态强度比测温技术，方法简单，易于操作；
17.本发明的基于dy
3
离子激发强度比的测温技术，采用的激发光强度比值离子激发强度比的测温技术，采用的激发光强度比值(或者)，其中的激发光波长可以取dy
3
离子的4个最强激发波长中的任何一个，例如λ1＝352nm或λ2＝326nm或λ3＝366nm或λ4＝388nm，甚至可以是其它较强的激发光波长。因此本发明的基于dy
3
离子激发强度比测温技术的激发波长可选择性好；
18.本发明的基于dy
3
离子激发强度比的测温技术，不仅适用于本发明实施例中列举的dy
3
掺杂cawo4荧光粉，也可以是其它dy
3
掺杂发光材料。此外，相比于传统的基于dy
3
荧光强度比的温度探测方法，本发明具有较高的温度传感灵敏度、良好的重复性和可靠性。
19.本发明与现有技术相比的有益效果是：
20.1、本发明采用稀土dy
3
离子两个不同发射波长对应的激发峰值强度，通过两者的强度比与温度的定量关系，实现一种基于稀土dy
3
离子激发强度比技术的测温新方法；
21.2、本发明基于的稀土dy
3
离子激发强度比测温技术，采用的激发强度值为激发峰的峰值强度，相比于采用激发峰积分面积的激发强度比技术以及传统的荧光强度比技术，不需要测量完整的稀土dy
3
离子激发光谱或者发射光谱；
22.3、本发明基于的稀土dy
3
离子激发强度比测温技术，采用的激发峰波长具有可选择性，可采用稀土dy
3
离子4个最好的激发波长，甚至也可以是其它激发波长，并且各自实现的温度传感特性保持一致；
23.4、本发明基于的稀土dy
3
离子激发强度比测温技术，具有良好的循环稳定性、可重复性以及较高的温度探测灵敏度。
附图说明
24.下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步说明
25.图1为本发明的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在室温下的发射光谱(激发波长λ
ex
＝352nm)(图a)，以及室温下的激发光谱(发射波长λ
em
＝575、488、479和455nm)(图b)；
26.图2为本发明的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在不同温度下的激发光谱，其中发射波长λ
em
分别为455nm(图a)、479nm(图b)、488nm(图c)和575nm(图d)；
27.图3为本发明实施例1的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在激发波长λ1＝352nm时的激发光峰值强度比与温度的关系曲线：(图a)、(图b)、(图c)和(图d)，其中实线为拟合曲线。
28.图4为本发明实施例1的dy
3
掺杂cawo4荧光粉分别基于不同激发强度比的温度传
感灵敏度曲线(图a)，以及2个升降温循环下的激发强度比稳定性(图b)；
29.图5为本发明对比例1的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在激发波长λ1’
＝352nm时的激发峰积分面积范围示意图(图a)，在激发波长λ1’
＝352nm时不同发射峰积分强度比与温度的关系曲线(图b)，以及在该波长下基于不同激发强度比的温度传感灵敏度曲线(图c)；
30.图6为本发明对比例2的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在不同温度下的蓝光发射光谱(图a)，以及两个蓝光荧光强度比(i
b1
/i
b2
)与温度的关系曲线和温度传感灵敏度曲线(图b)；
31.图7为本发明实施例2的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在激发波长λ2＝326nm时激发光峰值强度比与温度的关系曲线(图a)，以及在该波长下基于不同激发强度比的温度传感灵敏度曲线(图b)；
32.图8为本发明实施例3的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在激发波长λ3＝366nm时激发光峰值强度比与温度的关系曲线(图a)，以及在该波长下基于不同激发强度比的温度传感灵敏度曲线(图b)；
33.图9为本发明实施例4的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在激发波长λ4＝388nm时激发光峰值强度比与温度的关系曲线(图a)，以及在该波长下基于不同激发强度比的温度传感灵敏度曲线(图b)。
具体实施方式
34.下面通过具体实施例详述本发明，但不限制本发明的保护范围。如无特殊说明，本发明所采用的实验方法均为常规方法，所用实验器材、材料、试剂等均可从商业途径获得。
35.本发明以稀土dy
3
掺杂cawo4荧光粉为例，通过测量稀土dy
3
掺杂cawo4荧光粉某一个特定发射光波长下的激发光强度，采用4种不同的激发强度比方案作为实施例，实现两个不同发射波长对应的激发强度比与温度的定量关系。
36.图1a为本发明的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在激发波长λ
ex
＝352nm时的室温发射光谱。可以看出，在352nm紫外光激发下，dy
3
掺杂cawo4荧光粉在435～625nm波段范围内分别发射出中心波长455、479和488nm的蓝色发光和575nm的黄色发光，分别对应于dy
3
离子的4i
15/2
→6h
15/2
、4f
9/2
→6h
15/2
和4f
9/2
→6h
13/2
跃迁，其中中心波长479和488nm的发光峰为4f
9/2
stark能级劈裂跃迁到基态6h
15/2
能级的双发射峰。图1b为本发明的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在发射波长λ
em
＝575、488、479和455nm时的室温激发光谱。可以看出，不同发射波长下的激发光谱均具有相同的波形，只是激发强度不同。4个发射波长的激发光谱均在300～420nm波段范围内出现了多个dy
3
的激发峰，其中λ2＝326nm、λ1＝352nm、λ3＝366nm和λ4＝388nm为4个最佳激发波长，分别对应于dy
3
的6h
15/2
→6p
3/2
、6h
15/2
→6p
5/2
、6h
15/2
→4m
19/2
和6h
15/2
→4i
13/2
激发跃迁。
37.图2为本发明的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在发射波长λ
em
分别为455、479、488和575nm情况下的变温激发光谱。可以看出，对应于每一个发射波长的激发光谱，随着温度的升高，dy
3
离子的激发峰位不发生改变，但激发强度发生了明显变化。对于发射波长λ
em
＝455nm的激发光谱，其激发强度随着温度的升高逐渐增强，而其它3个发射波长λ
em
＝479、488和575nm的激发光谱，其激发强度均随着温度的升高逐渐下降。
38.实施例1
39.图3给出了本发明的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在激发波长λ1＝352nm时
4种激发峰值强度比与温度的关系曲线。其中3种激发峰值强度比r随温度t的变化通过公式
[0040][0041]
进行拟合，而强度比r随温度的变化可通过公式
[0042][0043]
进行拟合，求出式(1)和式(2)中的拟合常数a、b和c。由图可见，在300～650k温度范围内，4种激发峰值强度比与温度之间均呈现良好的定量关系，表明基于dy
3
离子的激发强度比与温度在较宽的温度区间可呈现出优良的温度传感特性。
[0044]
根据绝对温度传感灵敏度的定义sa＝dr/dt，式(1)和式(2)对应的绝对温度传感灵敏度sa可分别表示为
[0045][0046][0047]
图4a为根据式(3)和式(4)计算的基于dy
3
掺杂cawo4荧光粉荧光粉4种激发峰值强度比的温度传感灵敏度曲线。由图可见在整个实验温度区间基于dy
3
不同激发强度比方案的测温技术均具有较好的温度传感灵敏度，其中基于3种激发峰值强度比的测温技术的灵敏度随温度上升逐渐提高，而基于激发峰值强度比的测温方案的灵敏度随温度上升逐渐降低。其中基于激发光强度比(或者(或者)的测温方案具有相近且最优的温度传感特性。这是由于λ
em
＝479和488nm为4f
9/2
stark能级劈裂跃迁到基态6h
15/2
能级的双发射峰，因此dy
3
掺杂cawo4荧光粉激发峰值强度比的温度传感具有相似的温度传感灵敏度。在650k时对应于激发峰值强度比的测温技术具有最大灵敏度sa＝30.43*10-4
k-1
(表1)。
[0048]
图4b给出了dy
3
掺杂cawo4荧光粉4种激发峰值强度比在2个升降温循环情况下的变化曲线。由图可见，4种激发峰值强度比随温度的变化显示出了良好的重复性和稳定性，表明本发明中dy
3
的激发峰值强度比与温度之间的定量关系也具有良好的重复性和稳定性。
[0049]
对比例1
[0050]
实施例1中dy
3
掺杂cawo4荧光粉在激发波长λ1＝352nm时
4种激发强度比采用的是发射波长λ
em
分别为455、479、488和575nm时λ1＝352nm的峰值强度。为了与广泛采用的积分面积强度进行比较，发明人还采用了激发谱中中心波长为352nm的激发峰积分强度进行计算。
[0051]
图5a给出了dy
3
掺杂cawo4荧光粉对应于激发波长λ1’
＝352nm时的激发峰积分范围，采用342～360nm波段激发峰的积分面积作为激发光强度计算激发强度比值。图5b给出了采用中心波长352nm的激发峰面积计算的4种激发强度比随温度的变化关系，其中随温度的变化关系，其中3种激发强度比r随温度的变化可通过经验公式(1)进行拟合，强度比r随温度的变化可通过公式(2)进行拟合。由图看见采用激发峰的积分强度作为依据计算的激发强度比，其与温度之间也呈现优良的温度传感特性。图5c给出了根据式(3)和式(4)计算的图5b中相应的4种激发强度比方案的温度传感灵敏度曲线。基于这4种激发强度比方案的温度传感灵敏度随温度的变化规律与实施例1的完全一致，且基于激发峰积分强度比的测温方案在650k时具有最大灵敏度sa＝28.53*10-4
k-1
(表1)，也与实施例1的基本相同。
[0052]
对比实施例1和对比例1可以看出，不管是实施例1中采用激发峰的峰值强度作为依据计算强度比，还是对比例1中采用激发峰的积分面积作为依据计算强度比，得到的激发强度比与温度都符合一致的定量关系，并且得到的温度传感灵敏度也基本相同。由于对比例1中计算激发峰的积分强度需要完整测量出整个激发光谱，而实施例1中采用的激发峰峰值强度可不需要完整的激发光谱，只需在测量时设定好发射波长和激发波长即可得到相应的激发峰值强度。因此，相比于对比例1，实施例1在实际温度测量应用上更为简单方便快捷。
[0053]
对比例2
[0054]
为了对比前人基于dy
3
荧光强度比的光学温度传感特性，发明人还进行了dy
3
掺杂cawo4荧光粉基于dy
3
两个蓝光强度比的光学温度传感特性研究。
[0055]
图6a给出了dy
3
掺杂cawo4荧光粉不同温度下在440～505nm范围对应于4i
15/2
→6h
15/2
和4f
9/2
→6h
15/2
跃迁的两个蓝光发射光谱。可以看出，随着温度的升高，dy
3
离子发光峰位没有明显改变，但发光强度发生了变化。对应于dy
3
离子4i
15/2
→6h
15/2
跃迁的蓝光发光强度i
b1
随着温度的升高逐渐增强，而对应于dy
3
离子4f
9/2
→6h
15/2
跃迁的另一个蓝光发光强度i
b2
随着温度的升高逐渐减弱。图6b为dy
3
掺杂cawo4荧光粉中dy
3
离子两个蓝光的荧光强度比(i
b1
/i
b2
)和温度之间的关系曲线，其中实线为式(2)的拟合结果。由图可见，两个蓝光的荧光强度比(i
b1
/i
b2
)和温度间也呈现出良好的温度传感特性。图6b中也给出了通过式(4)计算的温度传感灵敏度曲线(虚线)，其灵敏度随着温度升高先增大后减小，在638k时具有最大灵敏度sa＝10.6*10-4
k-1
。
[0056]
通过对比图4a和图6b可知，相比于对比例2中传统的基于dy
3
两个蓝光强度比的测温技术，本发明实施例1提出的基于dy
3
激发峰值强度比测温技术的灵敏度提高了约3倍，表明本发明的基于dy
3
激发峰值强度比的测温新方法相比于传统的基于dy
3
荧光强度比的测
温方法具有较高的温度探测灵敏度。
[0057]
实施例2
[0058]
图7a给出了本发明的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在激发波长λ2＝326nm时4种激发峰值强度比与温度的关系曲线。其中3种激发峰值强度比r随温度的变化可通过经验公式(1)进行拟合，强度比r随温度的变化可通过公式(2)进行拟合。由图可见，在300～650k温度范围内，4种激发峰值强度比与温度之间均呈现良好的定量关系，表明dy
3
的激发强度比与温度在较宽的温度区间呈现出优良的温度传感特性。
[0059]
图7b为根据式(3)和式(4)计算的基于dy
3
掺杂cawo4荧光粉荧光粉4种激发峰值强度比的温度传感灵敏度曲线。由图可见在整个实验温度区间基于dy
3
不同激发态强度比方案的测温技术均具有较好的温度传感灵敏度，基于3种激发峰值强度比的测温技术的灵敏度随温度上升逐渐提高，而基于激发峰值强度比的测温方案的灵敏度随温度上升逐渐降低。其中基于激发光强度比(或者)的测温方案具有相近且最优的温度传感特性。在650k时对应于激发峰值强度比的测温技术具有最大灵敏度sa＝29.32*10-4
k-1
(表1)。与实施例1进行对比可知，其温度传感灵敏度曲线与实施例1的基本一致，且最大灵敏度值也与实施例1基本相同。
[0060]
实施例3
[0061]
图8a给出了本发明的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在激发波长λ3＝366nm时4种激发峰值强度比与温度的关系曲线。其中3种激发峰值强度比r随温度的变化可通过经验公式(1)进行拟合，强度比r随温度的变化可通过公式(2)进行拟合。由图可见，在300～650k温度范围内，4种激发峰值强度比与温度之间均呈现良好的定量关系，表明dy
3
的激发强度比与温度在较宽的温度区间呈现出优良的温度传感特性。
[0062]
图8b为根据式(3)和式(4)计算的基于dy
3
掺杂cawo4荧光粉荧光粉4种激发峰值强度比的温度传感灵敏度曲线。由图可见在整个实验温度区间基于dy
3
不同激发态强度比方案的测温技术均具有较好的温度传感灵敏度，基于3种激发峰值强度比的测温技术的灵敏度随温度上升逐渐提高，而基于激发峰值强度比的测温方案的灵敏度随温度上升逐
渐降低。其中基于激发光强度比(或者)的测温方案具有相近且最优的温度传感特性。在650k时对应于激发峰值强度比的测温技术具有最大灵敏度sa＝26.86*10-4
k-1
(表1)。与实施例1和实施例2进行对比可知，其温度传感灵敏度曲线与实施例1和实施例2的基本一致，且最大灵敏度值也与实施例1和实施例2的基本相同。
[0063]
实施例4
[0064]
图9a给出了本发明的dy
3
掺杂cawo4荧光粉在激发波长λ4＝388nm时4种激发峰值强度比与温度的关系曲线。其中3种激发峰值强度比r随温度的变化可通过经验公式(1)进行拟合，强度比r随温度的变化可通过公式(2)进行拟合。由图可见，在300～650k温度范围内，4种激发峰值强度比与温度之间均呈现良好的定量关系，表明dy
3
的激发强度比与温度在较宽的温度区间呈现出优良的温度传感特性。
[0065]
图9b为根据式(3)和式(4)计算的基于dy
3
掺杂cawo4荧光粉荧光粉4种激发峰值强度比的温度传感灵敏度曲线。由图可见在整个实验温度区间基于dy
3
不同激发态强度比方案的测温技术均具有较好的温度传感灵敏度，基于3种激发峰值强度比的测温技术的灵敏度随温度上升逐渐提高，而基于激发峰值强度比的测温方案的灵敏度随温度上升逐渐降低。其中基于激发光强度比(或者)的测温方案具有相近且最优的温度传感特性。在650k时对应于激发峰值强度比的测温技术具有最大灵敏度sa＝27.41*10-4
k-1
(表1)。与实施例1、实施例2和实施例3进行对比可知，其温度传感灵敏度曲线与实施例1、实施例2和实施例3的基本一致，且最大灵敏度值也与实施例1、实施例2和实施例3的基本相同。
[0066]
表1总结了实施例1-4和对比例1共5种激发强度比方案的最大温度传感灵敏度值以及对应的温度。
[0067]
表1
[0068][0069]
由表可以看出，在相同的激发强度比方案情况下，采用不同激发波长对于灵敏度
a high-temperature thermographic phosphor,journal of luminescence,197(2018)23-30.
[0080]
[7]z.boruc,m.kaczkan,b.fetlinski,s.turczynski,m.malinowski,blue emissions in dy
3
doped y4al2o
9 crystals for temperature sensing,opt.lett.,37(2012)5214-5216.
[0081]
由表可见，本发明提出的基于dy
3
掺杂cawo4荧光粉激发强度比的最大温度传感灵敏度，显著高于基于dy
3
掺杂cawo4荧光强度比的温度传感灵敏度，也优于其他基于荧光强度比的dy
3
掺杂材料体系如dy
3
掺杂bayf5和dy
3
掺杂y2sio5，与基于荧光强度比的dy
3
掺杂ynbo4、gdvo4、gd2ti2o7和y4al2o9等的材料体系持平。表明本发明提出的基于稀土dy
3
离子激发强度比的温度传感技术具有较高的温度探测灵敏度。
[0082]
以上所述实施方式仅为本发明的优选实施例，而并非本发明可行实施的全部实施例。对于本领域一般技术人员而言，在不背离本发明原理和精神的前提下对其所作出的任何显而易见的改动，都应当被认为包含在本发明的权利要求保护范围之内。