制造半导体装置的方法与流程

技术特征：
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：形成一光阻剂结构，包括在一基板上形成包括一光阻剂组成物的一光阻剂层；以及在形成该光阻剂层之后，以一添加剂处理该光阻剂层，其中该添加剂是选自由一自由基抑制剂、一热自由基抑制剂和一光自由基抑制剂所组成的群组中的一个或多个。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该光阻剂结构进一步包括在形成该光阻剂层之前在该基板上形成包括一底层组成物的一底层，其中该底层阻成物包括该添加剂，以及在以该添加剂处理该光阻剂层时，该添加剂从该底层扩散到该光阻剂层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该光阻剂结构进一步包括在形成该光阻剂层之后在该光阻剂层上形成包括一顶层组成物的一顶层，其中该顶层组成物包括该添加剂，以及在以该添加剂处理该光阻剂层时，该添加剂从该顶层扩散到该光阻剂层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该光阻剂结构包括形成一三层光阻剂结构，包括：形成一底部层在该基板上；形成一中间层在该底部层上；以及形成一上方层在该中间层上，其中该上方层是该光阻剂层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，该中间层包括该添加剂，以及在以该添加剂处理该光阻剂层时，该添加剂从该中间层扩散到该光阻剂层。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：选择性地曝露该光阻剂层于光化辐射；以及选择性地曝露该光阻剂层于光化辐射之后，应用一显影剂到该光阻剂层。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，以该添加剂处理该光阻剂层包括应用该显影剂，以及该显影剂包括该添加剂。8.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：形成一含金属光阻剂层在一基板上；形成一第一层，在形成该含金属光阻剂层之前形成在该基板上，或是在形成该含金属光阻剂层之后形成在该含金属光阻剂层上；以及扩散一添加剂从该第一层到该含金属光阻剂层，其中该添加剂是选自由一自由基抑制剂、一热自由基抑制剂和一光自由基抑制剂所组成的群组中的一个或多个。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该添加剂添加到该第一层通过选自由在形成该第一层之前混合该添加剂到一第一层组成物中、以包括该添加剂的一溶剂混合物处理该第一层、以该添加剂掺杂该第一层、从包括该添加剂的一蒸气扩散该添加剂到该第一层，或是以该添加剂共聚该第一层所组成的群组中的一个或多个。10.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：形成一光阻剂层在一基板上，其中该光阻剂层包括一金属光阻剂组成物；形成一顶层在该光阻剂层上，其中该顶层包括一聚合物和一自由基抑制化合物；图案状曝露该光阻剂层于光化辐射；以及显影图案状曝露的该光阻剂层，以在该光阻剂层形成一图案。

技术总结
制造半导体装置的方法包括形成光阻剂结构，包括在基板上形成包括光阻剂组成物的光阻剂层。形成光阻剂层之后，以添加剂处理光阻剂层。添加剂选自由自由基抑制剂、热自由基抑制剂和光自由基抑制剂所组成的群组中的一个或多个。多个。多个。


技术研发人员：訾安仁 张庆裕
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.01.13
技术公布日：2022/7/8