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一种双面封装结构的制作方法

2022-07-09 12:45:37 来源:中国专利 TAG:


1.本实用新型涉及半导体领域,具体涉及一种芯片。


背景技术:

2.随着半导体封装行业的发展,产品向着微小化、高集成化发展,因此,单面封装产品难以满足电子产品的需求。双面封装技术较大提升了集成度,满足市场发展趋势。
3.现阶段锡球需要在bot面贴片前植球,但是植球后再进行塑封会将锡球封装在塑封层内部,导致双面模组球状矩阵排列产品无法与主板进行焊接。


技术实现要素:

4.实用新型目的:本实用新型目的在于针对现有技术的不足,提供一种锡球裸露在塑封层外的双面封装结构。
5.技术方案:本实用新型所述一种双面封装结构,包括基板、分别固定在基板正面及背面的第一芯片和第二芯片、固定在基板背面的锡球、覆盖基板正面并包裹第一芯片的第一塑封层、覆盖基板背面并包裹第二芯片的第二塑封层,所述第二塑封层开设供锡球固定在基板背面的孔,所述锡球周围和第二塑封层之间留有空隙。
6.进一步,所述孔的截面形状为梯形。
7.进一步,所述孔的直径大于锡球直径,孔的深度小于第二塑封层厚度。
8.进一步,所述锡球高于第二塑封层表面20~60
µ
m。
9.进一步,所述第一芯片和第二芯片分别通过凸块焊接在基板正面、背面的焊盘上。
10.进一步,所述基板的正面还固定有元器件,所述元器件被第一塑封层包裹。
11.进一步,所述元器件通过焊盘焊接在基板正面。
12.有益效果:与现有技术相比,本实用新型在基板背面的第二塑封层中设有供锡球植球的孔,锡球可以从第二塑封层中裸露出来不被覆盖,因此锡球成型后的双面模组球状矩阵排列产品可以与主板通过回流正常焊接,使双面模组球状矩阵排列产品具备大规模生产条件。
附图说明
13.图1是本实用新型的结构示意图;
14.图2是本实用新型结构的制备流程图。
具体实施方式
15.下面通过附图对本实用新型技术方案进行详细说明,但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。
16.一种双面封装结构,如图1所示,包括基板1、第一芯片2、元器件3、第一塑封层4、第二芯片5、锡球6和第二塑封层7。
17.第一芯片2通过凸块焊接在基板1正面的焊盘9上,元器件3通过焊盘10贴装在基板1正面,第一塑封层4覆盖基板1正面并包裹第一芯片2和元器件3。第二芯片5通过凸块焊接在基板1背面焊盘上,第二塑封层7覆盖基板1背面。同时,第二塑封层7开设有供锡球6固定在基板1背面焊盘12上的孔11,孔11的截面形状为梯形,锡球6周围和第二塑封层7之间留有空隙。孔11的直径大于锡球6直径,孔11的深度小于第二塑封层7厚度,锡球6高于第二塑封层7表面20~60
µ
m。在本实施例中,锡球6直径为0.3mm,孔11的实际直径为0.37mm
±
20
µ
m;第二塑封层7的厚度为120
µm±
20
µ
m,孔11的深度80
µm±
20
µ
m。
18.上述双面封装结构的制备过程如下,如图2所示:
19.s1,在基板1正面贴装至少一个第一芯片2和元器件3,并形成第一塑封层4,第一塑封层4包裹第一芯片2和元器件3,清洁脏污和消除焊垫氧化,烘烤;
20.s2,在基板1背面贴装第二芯片5,并植锡球6,锡球6高度大于或等于第二芯片5的高度;当锡球6高度等于第二芯片5高度的情况下,s6进行减薄时,同时将第二芯片5背面减薄;
21.s3,对基板1背面进行回流焊处理,然后水洗,以便将残留的助焊剂除去;
22.s4,在基板1背面形成第二塑封层7,第二塑封层7包裹第二芯片5和锡球6;
23.s5,由于第二塑封层7将锡球6封装在内部,因此通过研磨减薄第二塑封层7,去除锡球6一部分将锡球6裸露出来;
24.s6,减薄后裸露出的锡球6表面为平面,因此通过激光在锡球6平面周围打圆形孔11,在剩余的锡球6周围形成空隙,为锡球6再次成形预留空间;
25.s7,在剩余锡球6表面印刷助焊剂;
26.s8,基板1背面回流及水洗,使得锡球6再生,回流温度高于锡球6熔点,再生锡球6的直径小于原锡球6的直径(锡量减少)。
27.如上所述,尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型,但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下,可对其在形式上和细节上作出各种变化。


技术特征:
1.一种双面封装结构,其特征在于:包括基板、分别固定在基板正面及背面的第一芯片和第二芯片、固定在基板背面的锡球、覆盖基板正面并包裹第一芯片的第一塑封层、覆盖基板背面并包裹第二芯片的第二塑封层,所述第二塑封层开设供锡球固定在基板背面的孔,所述锡球周围和第二塑封层之间留有空隙。2.根据权利要求1所述的双面封装结构,其特征在于:所述孔的截面形状为梯形。3.根据权利要求1所述的双面封装结构,其特征在于:所述孔的直径大于锡球直径,孔的深度小于第二塑封层厚度。4.根据权利要求1所述的双面封装结构,其特征在于:所述锡球高于第二塑封层表面20~60
µ
m。5.根据权利要求1所述的双面封装结构,其特征在于:所述第一芯片和第二芯片分别通过凸块焊接在基板正面、背面的焊盘上。6.根据权利要求1所述的双面封装结构,其特征在于:所述基板的正面还固定有元器件,所述元器件被第一塑封层包裹。7.根据权利要求6所述的双面封装结构,其特征在于:所述元器件通过焊盘焊接在基板正面。

技术总结
本实用新型提供了一种双面封装结构,包括基板、分别固定在基板正面及背面的第一芯片和第二芯片、固定在基板背面的锡球、覆盖基板正面并包裹第一芯片的第一塑封层、覆盖基板背面并包裹第二芯片的第二塑封层,所述第二塑封层开设供锡球固定在基板背面的孔,所述锡球周围和第二塑封层之间留有空隙。本实用新型在基板背面的第二塑封层中设有供锡球植球的孔,锡球可以从第二塑封层中裸露出来不被覆盖,因此锡球成型后的双面模组球状矩阵排列产品可以与主板通过回流正常焊接,使双面模组球状矩阵排列产品具备大规模生产条件。列产品具备大规模生产条件。列产品具备大规模生产条件。


技术研发人员:严思婷
受保护的技术使用者:江苏芯德半导体科技有限公司
技术研发日:2022.02.15
技术公布日:2022/7/8
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